Member
Статус: Не в сети Регистрация: 15.10.2005 Откуда: Баку Фото: 79
Maxblow Я бы посоветовал модифицировать родной.
1) Сливаешь биос (проги для этого должны быть в файловом архиве, как их юзать ищи в конференции)
2) Скачиваешь прогу для модификации биоса (я юзал Nibitor, правда с тех пор может что новое появилось)
3) Набираешь в любом поисковике маркировку своей памяти (HY5DU и так далее) переходишь по первой ссылке и скачиваешь датащит.
4) Сравниваешь значения таймингов в биосе с со значениями в даташите, по возможности повышаешь их до значения памяти такой же памяти с бОльшей номинальной частотой (как правило 333, 400, 500, 550 МГц -ная память отличается таймингами).
5) Сохраняешь модифицированный биос
6) Прошиваешь модифицированный биос
Риск загубить карту меньше, чем при прошивке чужого биоса, а толку даже больше, ведь ты сам прописал нужные тайминги.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 15.10.2005 Откуда: Баку Фото: 79
Maxblow писал(а):
HY5D4281622A81MO0446L T-5
Четверки после D быть не может.
Цитата:
Маркировка микросхем Hynix: HY AA В CC DD E F G H I J — KK L (в связи с уменьшением размеров чипов маркировка может быть расположена в две строки)
HY -> Hynix Memory, говорит о том, что микросхема произведена компанией Hynix AA -> Указывает тип памяти, принимает одно из следующих значений: 5D - DDR SDRAM; 5Q — GDDR2 SDRAM; 5R — GDDR3 SDRAM В -> Указывает напряжение питания VDD и VDDQ, принимает одно из следующих значений: V — 3,3 В, 2,5 В; U — 2,5 В, 2,5 В; W — 2,5 В, 1,8 В; S — 1,8 В, 1,8 В CC -> Указывает емкость чипа и время подзарядки, nК - обозначает число столбцов в адресной матрице чипа памяти. Адресная матрица не всегда имеет квадратный вид, потому что на подзарядку чипа с меньшим числом строк уходит меньше времени, что увеличивает быстродействие: 32 — 32 Мбит, 4К, 32 мс; 64 — 64 Мбит, 4К, 64 мс; 66 — 64 Мбит, 2К, 16 мс; 28 — 128 Мбит, 4К, 64 мс; 26 — 128 Мбит, 4К, 32 мс; 56 — 256 Мбит, 8К, 64 мс; 57 — 256 Мбит, 4К, 32 мс; 58 — 256 Мбит, 8К, 32 мс; 12 — 512 Мбит, 8К, 64 мс; 1G — 1 Гбит, 8К, 64 мс DD -> Указывает организацию памяти, принимает одно из следующих значений: 16 — х16; 32 — х32 E -> Указывает число банков памяти, принимает одно из следующих значений: 1 — 2 банка; 2 — 4 банка; 3 — 8 банков F -> Указывает тип интерфейса памяти, принимает одно из следующих значений: 1 — SSTL_3; 2 — SSTL_2; 3 — - SSTL_18; 4 — Reserved; 5 — POD_18 G -> Поколение памяти, принимает одно из следующих значений: пробел — первое поколение, А — второе поколение, В — третье поколение, С — четвертое поколение, D — пятое поколение H -> Тепловыделение, принимает следующие значения: пробел — нормальное, L - пониженное I -> Тип корпусировки, принимает следующие значения: Т — TSOP II, Q — LQFP, F — FBGA, FM — MCP FBGA J -> Материал корпуса, принимает следующие значения: пробел — нормальный, L — не содержащий свинца, Н — не содержащий галогенов, R — не содержащий свинца и галогенов KK -> КК — скорость (время доступа), принимает следующие значения: 6 — 6ns, 166 МГц; 55 — 5,5ns, 183 МГц; 5 — 5ns, 200 МГц; 45 — 4,5ns, 222 МГц; 43 — 4,3ns, 233 МГц; 4 — 4ns, 250 МГц; 36 — 3,6ns, 275 МГц; 33 — 3,3ns, 300 МГц; 3 — 3ns, 333 МГц; 28 — 2,8ns, 350 МГц; 26 — 2,6ns, 375 МГц; 25 — 2,5ns, 400 МГц; 22 — 2,2ns, 450 МГц; 2 — 2ns, 500 МГц; 18 — 1,8ns, 550 МГц; 16 — 1,6ns, 600 МГц; 14 — 1,4ns, 700 МГц; 12 — 1,2ns, 800 МГц. Все частоты приведены в SDR, реальная частота DDR=SDRx2. Стоит отметить, что частота памяти по умолчанию не всегда совпадает с той, которая указана на микросхеме L -> Температура, принимает следующие значения: I — индустриальный стандарт (-40°С...80°С); E — extended стандарт (-25°С...+80°С)
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 11.03.2006 Откуда: Минск
IC9517 Да, я ошибся маркировка следующая HY5DU281622A81MO0446L T-5, но она длинная чтобы её расшифровать. И поисковит (я искал рамблером) ничего не нашёл по данной маркеровке.
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения