Я тоже этой шутки не понял, даташиты на чипы практически идентичны, конфигурация одинаковая. Количество чипов одинаковое. Как может быть другой ранг?
Не знал что X99 не может 1.35V, в шапке не нашёл, обидно слегка.
Разгоню, только разберусь с анлоком, как-то не зашли мне инструкции: было бы правильнее расписать что есть отдельно биос и убирание микрокода, а есть отдельно кусок EFI который будет грузиться с SSD.

а что в SPD то прописано Китайский LGA2011-3 (X99 Huananzhi, Jingsha, Aterminer, PLEXHD) #16815306 по аиде+тайфуну?
ну супермикра то твоя наверняка может, а вот китаю не должно быть подвластно такое. Хоотяя, кто знает как там на двухголовых китайках;)

внимательно не смотрел, вечером дома сниму
в BIOS в топологии показывает что один модуль 2R4
в разных аидах тоже что у 7го модуля p/n другой и Double R4

Итого удалось достичь вот таких результатов по памяти. Подскажите, пожалуйста, стоит оставить как есть или что-то увеличить/уменьшить? В тестах вроде все стабильно)

ну можешь попробовать если отталкиваться от твоего
13-11-11-12-8-192-4-4-3-16-23-12
13-11-11-12-8-192-4-4-3-16-23-9
ну и если поизголятся
13-11-11-12-8-192-3-4-3-12-23-9
13-11-11-12-8-192-2-4-3-8-23-9
толк по СPuPhotoworxx погляди

tCWL меньше 12 не заходит, в т.ч. 9, еще вчера пробовал
А в первом твоем предложенном варианте увеличение tFAW с 10 до 16 к чему приведет? или типа стабильности добавит?

Хмм, тест даже сейчас на мой взгляд неплохое значение выдает) надо побаловаться)

просто исходя из того, что tFAW≥tRRD*4 Китайский LGA2011-3 (X99 Huananzhi, Jingsha, Aterminer, PLEXHD) #16824869

в тему 2R4-4R4
аида понятно показывает, тайфун загадочно

AcidEuphoria результат с HT или без него?

там же написано справа HT

T8D, dual 2678v3, гоняю память DDR3 самсунг 1333 на 1867, тайминги "авто", в Aida64 гдето 112Gbps
скажите, народ так разгоняет и работает? она там не сварится заживо? греется прилично, как бы не померла, я буду юзать 3Д рендер часа по три.

Здравствуйте!
Не знаю что и думать... На днях пришли Samsung ecc reg 4x8gb 1333 1.5v (в Биос показывал 1.544v) (!в стоке и в разгоне!) стресс тесте греются до 65-70 градусов.
Это нормально для них? Просто рядом комп, на хуниксах с Али и не греются вообще, еле теплые...

#77

В SPD не указано число ядер в микросхеме - Not Specified. Их два - Dual die package. Вот когда гнусмас или китайцы укажут это, тогда и Тайфун отобразит 36 компонентов.

Здравствуйте!
Как себя будет вести при разгоне ECC REG память, в плане тестирования ее на ошибки, их будет видно в WHEA и при стресс тестах?
Разогнал самсунг 1600mhz до 1866mhz с таймингами 9-9-9-26, OOCT и memtest ошибки не находит, но температура памяти приближается к 70, может там контроллер их правит и греется или это не так работает?

Китайский LGA2011 (Huanan X79 2.XX, X79Z 2.Xx, YW-X79-E, G218a, x79-m, ms-7777, 3.2x, 3.3A, 3.5a-c) #16933654 + Обсуждение и разгон оперативной памяти на китайских Х99 #17033583

BOBKOC
Доброй ночи
Хотел бы для себя прояснить некоторые моменты. Буду благодарен за пояснения. Если я правильно понял то тайминг Refresh Rate отвечает за то сколько память будет работать, а тайминг trfc за то сколько будет "отдыхать"...значит ли это что повышая первый и понижая второй мы формально заставляем память работать на износ?...Спасибо)

Я не ВОВКОС, но динамическое ОЗУ это не FLASH-память. Она не изнашивается при циклах стирания данных, как FLASH. Собственно, и циклов стирания не имеет.
Динамическая оперативная память, после записи в неё данных, без разницы, нулей или единиц, какое-то время может самостоятельно хранить эти данные, порядка миллисекунд. Из-за высокой плотности ячеек, ёмкости ячеек памяти небольшие, поэтому быстро разряжаются утечками тока. Чтобы память надёжно сохраняла данные, эти данные периодически обновляются. Для этого нужна процедура освежения данных, "refresh".
Refresh Interval определяется временем, в течение которого память надёжно сохраняет данные. Важно, чтобы Refresh Inerval был меньше, чем время, за которое ячейки памяти разрядятся до такого состояния, когда данные из них невозможно будет восстановить при чтении. Чем больше этот интервал, тем больше шансов, что данные исказятся. Чем меньше интервал, тем чаще будет выполняться процедура освежения и больше времени будет отнимать от полезной работы памяти. Во время освежения, память недоступна для чтения-записи.
tRFC - это длительность процедуры освежения. В это время данные из ячеек считываются и записываются обратно заново. Чем больше это время, тем надёжнее запись данных. Если tRFC слишком мало, электрический заряд в ячейках будет меньше, они не успеют зарядиться до конца. Из-за этого информация будет сохраняться меньшее время. С другой стороны, tRFC отнимает время от полезной работы памяти. И чем этот интервал меньше, тем больше скорость работы памяти (меньше простоя на освежение).

По сути вопроса: сами Refresh Interval и tRFC на износ памяти не влияют. Увеличение скорости работы может привести к увеличению температуры, но, думаю, на доли градуса. Так что я не стал бы рассматривать эти факторы в контексте износа ОЗУ.
Эти параметры зависят от тех. процесса и определяются производителем с запасом на температурный режим и разброс параметров. Увеличивая Refresh Interval и tRFC, можно немного улучшить скорость доступа, но ценой снижения надёжности хранения данных. Нужно учитывать, что самая большая вероятность потери данных из-за большого Refresh Interval - при максимальной температуре микросхем. Поэтому проверку стабильности после разгона нужно проверять при макс. температуре памяти.

Nikolay_Po
Спасибо огромное, за труд...просто все по полочкам)))

*Увеличивая Refresh Interval и уменьшая tRFC, можно немного улучшить скорость доступа.

Решил я еще глубже погрузиться в мир китайского Х99...
Плата - Huananzhi X99-8M-F
Процессор - 2620v3
Память - DDR4 2x8GB Tanbassh 2400
Стандартный Unlock turbo-bust + undervolting -60

Что было


Что удалось :


Стоит дальше погружаться? на 12-12-12-28 все подвисает при открытии сенсоров в HWiNFO64