AMT - Asus MemTweakit Asus MemTweakIt 2.02.44 При настройке памяти в BIOS ставим ОБЯЗАТЕЛЬНО MRC Fast boot=disable (включаем при этом режим тонкой тренировки, если же выставим enable, то включаем режим грубой тренировки). Оптимально при разгоне памяти использовать в биосе множитель памяти 133, а не авто или 100, что даст возможность создать комфортные условия для контроллера памяти в процессоре и снизить напряжения ио и са ! Недаром в Jedec шаг между спидбинами именно 133, а не 100! Для плат с Alder Lake напряжения VDD и VDDQ на память могут отличаться не больше, чем на 300 мВ. Для плат на основе логики z690 и b660: VDD>VDDQ VDDQ>=VDD-300mV(0.3V) Лучше на VDDQ не превышать 1.25V. Вполне возможно 1.30V. MSI дает зазор до 1.40V. Для таймингов должно выполняться требование: _dr=_dd
Разгон памяти у современной DDR4 (16 банков,RRDS=4,FAW=16,BL=8) эффективен только при tRC<=64,если каждый новый блок чтения происходит с разных банков памяти. Для 4-х слотовых плат при разгоне желательно в биосе отключить неиспользуемые слоты. Для максимальной производительности памяти значение tRFC в тактах для 8-Гбитных чипов должно быть кратно 8,а для 16-Гбитных чипов - 16. Если это правило не соблюдать, то будут вставлены лишние такты при каждом цикле обновления памяти. Для желающих максимально снизить tRFC. Делим tRFC на сумму tRCD,tRTP и tRP. Если результат ближе к 4, то снижать tRFC можно по 4 такта. Если результат ближе к 2, то снижать tRFC можно по 2 такта. Это связано с тем, что обновление происходит субмассивами, которые обязательно кратны 2.
Новая информация по tRAS
Чтение с модуля памяти у DDR4 происходит блоками. Минимальный блок сейчас составляет 64 байта, что связано с размером строки кэша у процессора. Этот блок может считываться как с одного банка, так и с разных. tRAS=tRCD+tRTP (при считывании 8 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+4 (при считывании 16 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+8 (считывание 24 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+12 (при считывании 32 байт с одного банка). Самый верный выбор для DDR4! tRAS=tRCD+tRTP+16 (считывание 40 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+20 (считывание 48 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+24 (считывание 56 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+28 (при считывании 64 байт с одного банка) Для DDR4 оптимальным выбором является 4-й или последний вариант. Но если выставить tRAS меньше, то ничего трагичного не произойдет, так как джедек придумала предохранитель (tRTP), поэтому можно не заморачиваться и выставлять минимальный tRAS (=tRCD+tRTP).
Напряжения на процессоре при разгоне памяти
SA- безопасный уровень (по данным MSI) 1.35, растет от частоты памяти и зависит от подключенной периферии к PCIE, чем больше скорость видеокарты и NVME-диска, тем выше нужно напряжение. IO (для Z590 =IO2, а просто IO можно оставлять в авто, для Z690=IVR DDQ)- обычно хорошо работает если на 50 мВ ниже SA, но чем ниже, тем лучше, стараться максимально снижать. Тоже растет с ростом частоты памяти. Для ориентира при настройке всегда рекомендую глянуть, что за напряжения SA и IO выставляет материнка в авто.
Для начала тезисно несколько правил «успешного разгона и установки памяти»:
1. Ни в коем случае не используем XMP профили – этот режим протестирован на совместимость, но не даёт оптимальную производительность. Поскольку заводская настройка не блещет идеальным подбором, можно получить до 20-25% производительности дополнительно, вручную настраивая тайминги и напряжения. Также XMP режим чреват завышениями вольтажа самой память и контроллера памяти\SOC. 2. Правильная установка модулей – А2 (для одного модуля), A2B2 (для двух модулей). 3. Самый лучший разгон по частоте достигается при использовании одного модуля, при наличии двух планок максимальная частота лишь немного хуже. У четырёх – либо хуже (на устаревающем LGA2011-3) либо такой же или лучше (LGA2066), которые могут стабильно работать с 4мя модулями на 4000CL16. 4. Если используется два модуля, то худший модуль (требующий бОльшего напряжения для стабильного разгона) должен стоять ближе к процессору в слоте A2. 5. Перед настройкой частоты и таймингов памяти отключить подсветку модулей памяти - т.к. это даёт лишний нагрев.
УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ГАЙД ПО НАСТРОЙКЕ от Agiliter
Универсальный гайд. 0. Устраните любые потенциальные проблемы с другим железом. Снимите разгон с видеокарты, снизьте частоту цп на 300 с сохранением напряжения. Не забудьте вернуть RTL в авто если сейчас не авто. 1. Крутим очень короткий мемтест, то есть если минуту живёт сразу снижать тайминг дальше. Ищите не стабильность, а явно сбойное значение тайминга, запишите его - пригодится. Гораздо проще найти явно нерабочее значение и от него плясать чем пытаться ловить нестабильность часами. Это также помогает диагностировать сбойные тайминги на ранее "стабильной памяти". Не пытайтесь найти предельные значение сразу. Сначала скрутите до +2 от минимально стабильного. Многие тайминги идут параллельно поэтому бессмысленно пытаться скрутить до упора с первого прохода. CR выставить на 2 если стоит 1. В самом конце можно попробовать скинуть до 1. 3 Ставить только на очень большую частоту или если по другому ну совсем никак.
Начните с RCD, CL. Не обязательно должны быть одинаковыми, обычно CL идёт меньше чем RCD. RAS сразу пробуйте как RCD+CL+4, до этого значения от него существенная разница, дальше меньше. CWL<=CL. Допустимые значения 9,10,11,12,14,16,18,20. RP можете выставить по RCD, если пойдёт меньше - тоже неплохо, не уверен правда насчёт смысла. RTP без формул. Если не идёт вниз можно попробовать поднять чуть чуть RP. В DDR4 явно связан с WR соотношением 2 к 1 (например WR20\RTP10), физически хранится одно значения и в зависимости от операции интерпретируется. Скрутите FAW до 16(так и оставьте если работает). С таким FAW скручивайте RRD(оба, L обычно больше чем S), возможно поедут на 4 оба. Если до 4 не удалось спустить поднимите FAW до уровня RRDL*4 и попробуйте ещё, хотя это скорее всего уже почти предел. Обычно L>=S. L - SG(Same Group). S - DG(Different Group) Напр. RRD_L>=RRD_S. CKE=5 СCDL>=4 RDRD_DD и прочие подобные можно проигнорировать если у вас нет двух планок на один канал (4 планки). DD-Different Dimm. Тоже самое с DR-Different Rank если у вас одноранговая память. RDWR_SG(DG) и подобные сочетания скручивайте до минимальных рабочих, потом накиньте сверху +2. Как уже отметил обычно SG>=DG. WTR не трогайте он сам спустится когда будете скидывать WRRD_SG(DG) и прочие подобные. Если сам меньше не стал тогда руками скидывать. WR снижать через WRPRE если есть. Если нет или не снижает WR, То скрутите его скажем до 12 или +4 от рабочего, потом дожмёте если не лень будет. RFC явных формул нет, крутить после всего списка сверху. Не пытайтесь найти его минимальное значение если не хотите чтобы память начинала сыпать ошибками от любого чиха. найдите пограничное со стабильностью значение и накиньте сверху 20 или сразу 40. Может реагировать на RAS+RP, RRD, FAW, причём в обе стороны (то есть может "сломаться" если задрать названные), а может и не реагировать... REFi больше лучше. Связан с RFC. REFI сколько память "работает" - RFC сколько "отдыхает". Оба тайминга лучше не пытаться найти предельное значение.Заметно реагируют на температуру. Многие тайминги отзываются и на температуру и на напряжение. Поскольку напряжение может как позволить снизить тайминг, так и увеличить температуру, то середину можно искать очень долго, поэтому лучше бы вовремя остановится. Тестируйте тщательно с перезагрузками, сном, холодным стартом. RTL и IOL вам кто-то другой пусть советует как настраивать, от них у меня голова болеть начинает...
tRASmin=tCL+tRCD+2 WTRS/L устанавливаются в биосе через WRRDdg/sg согласно формуле: WRRD_sg=6+CWL+WTR_L WRRD_dg=6+CWL+WTR_S WR - через WRPRE (для матплат ASUS): WRPRE=4+CWL+WR RTP - через RDPRE (для матплат ASUS) RDPRE=RTP
VDDDQ=1.5 V max по Jedec VrefCA=0.6xVDDDQ=0.9 V (max по Jedec), в даташите контроллера интел тоже разрешено максимальное vrefca=0.6xVdddq. То есть при обычной настройке биоса, когда VrefCA=0.5xVDDDQ, VDRAM<=1.8 V, чтобы уложиться в нормы по Jedec. А если при этом в биосе настроить vrefca=0.49xvdddq (разрешено по Jedec), то безопасное Vdram может быть еще выше=1.837 V. Вывод: для контроллера процессора напряжение на память <=1.8 V неопасно
CPU Name: Intel® Core™ i7-7740K CPU @ 4.30GHz Motherboard Model: MSI X299 GAMING PRO CARBON AC (MS-7A95) Total Size: 8192 MB Type: Single Channel (64 bit) DDR4-SDRAM Frequency: 2750 MHz - Ratio 1:31 Timings: 21-31-31-63-2 (tCAS-tRC-tRP-tRAS-tCR) Slot #1 Module: G.Skill 8192 MB (DDR4-2137) - XMP 2.0 - P/N: F4-3200C14-8GVR
[img]Ссылка на скрин[/img] Для сбора статистики по установленным чипам памяти просьба прикладывать скрины программы Taiphoon Burner и указывать напряжения на DIMM, IO и SA![/color]
Below are the typical tRFC in ns for the common ICs: IC tRFC (ns) Hynix 8Gb AFR 260 - 280 Hynix 8Gb CJR 260 - 280 Hynix 8Gb DJR 260 - 280 Micron 8Gb Rev. E 280 - 310 Micron 16Gb Rev. B 290 - 310 Samsung 8Gb B-Die 120 - 180 Samsung 8Gb C-Die 300 - 340
Таблица tRFC от Reous v26
#77
Расшифровка чипов, находящихся в модуле памяти у разных производителей
#77
Ревизии печатных плат. A0,A1 или A2 планки, как узнать
#77 #77 #77 #77
Статистика tRCD планок в зависимости от типов чипов
#77 #77 #77 Чем выше вы в вертикальном столбце, тем удачнее планки. Чем интенсивнее цвет, тем выше статистический процент (данные старые,теперь удачнее чипы выходят) На 1 таблице все,что выше красной линии - суперотборники.
Советы по верной тренировке
1.Поднять напряжения на VCCSA и VCCIO. 2.Включить в биосе Round Trip Latency. 3.Для гигабайтов - memory enchancement=normal.
Руководство по разгону памяти для начинающих блондинок
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 14.09.2012 Откуда: Москва Фото: 2
Как настроить тайминги, чтобы при большой температуре например 50гр в тестах не было ошибок? Пока это удается сделать только с помощью доп обдува на время теста, но хотелось бы чтобы без доп. обдува при больших температурах модулей ошибок не было.
_________________ i9-9900k 5ггц, asus z390 apex XI, g.skill 2х16gb 4000cl16, asus 3080Ti strix oc
Advanced member
Статус: Не в сети Регистрация: 29.03.2017
Значит там чипы чуть удачнее или просто у вас какая-то область сильнее греется. Термодатчик то не может показать вам пиковую температуру на планке, только той области где он установлен. Токи утечки разные, чипов памяти много. Разгон всей системы упирается в один единственный неудачный чип. Я вообще рекомендую после поверхностного тестирования сразу переходить к тесту нагревом. Например параллельно греть корпус видеокартой и без доп обдува. Память которая настроена под максимальный нагрев не будет от внезапной жары или включения отопления начинать ошибками сыпать...
Advanced member
Статус: Не в сети Регистрация: 29.03.2017
Некоторые игры роняют память похлеще любого теста из за того что вызывают локальный перегрев одной области дёргая одни и те же данные. Бенчмарки и тесты построены так чтобы грузить всю память а не часами одни и те же ячейки дёргать.
Advanced member
Статус: Не в сети Регистрация: 29.03.2017
Разнообразное. Линейное в принципе малоприменимо к оперативной памяти, так как алгоритмы построены так чтобы один массив данных разбить по памяти таким образом чтобы прочитать его как можно быстрее. Вся суть оперативной памяти в случайном и главное оперативном доступе. SSD например в сотни-тысячи раз уступают по скорости доступа, даже самый шустрый оптан. Под виндой каждый запуск теста немного иначе будет память дёргать. Так как все тесты из под винды работают с виртуальной памятью. Виртуальные адреса каждый раз могут на другие физические адреса указывать. Кстати из под винды невозможно полностью протестировать память, так как часть адресов зарезервировано ядром и оно вам их ни при каких условиях не отдаст.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 01.02.2010 Фото: 12
И на счет tREFI, сейчас рекомендуют здесь ставить на максимум для всех чипов памяти? на сколько помню пару месяцев назад +- повышали в 2-3 раза типа чтоб "избежать возможных проблем" или те советы были для летнего варианта?)
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 01.02.2010 Фото: 12
Agiliter писал(а):
так как алгоритмы построены так чтобы один массив данных разбить по памяти таким образом чтобы прочитать его как можно быстрее
ну по сути для этого и придумано memory mapping или я не в ту степь ушел?
Agiliter писал(а):
Так как все тесты из под винды работают с виртуальной памятью
так а какая разница для памяти? это уже головная боль процессора, а точнее блока TLB на сколько я помню, памяти то все равно есть эти виртуальные адреса или нет
Agiliter писал(а):
Кстати из под винды невозможно полностью протестировать память, так как часть адресов зарезервировано ядром и оно вам их ни при каких условиях не отдаст.
а сколько там этот невыгружаемый пул 200-300 Мб, планки то тут не по 1-2 Гб тестируют... хотя мемтест не из под винды тоже ж занимает в памяти какое то место)
Собственно , проблема в том , что в определённой игре через ~30-50 мин резко уходит пк в "жёсткий ребут" . Т.е выключается и сразу включается . Проблем с температурами Vrm , cpu и gpu - нет . Карта была в разгоне - убрал , ребуты прекратились . В моём случае проблема с бп или гпу ? Спасибо .
Advanced member
Статус: Не в сети Регистрация: 29.03.2017
St@s1987 TLB это просто специальный буфер для одной единственной задачи. Виртуальная память будет работать и без него. Я не об этом. Я к тому, что каждый запуск будет занимать другое ФИЗИЧЕСКОЕ адресное пространство и часть адресов которые резервирует винда не покрыть никак. Тестировать то надо всё. Поэтому я и говорю, что мемтест без загрузки в ОС должен проходиться в любом случае, даже если он относительно простой и не выявляет некоторые ошибки. Его суть выявить ошибки которые нигде больше не выявить, а также гарантировать корректную загрузку до винды. А то с кривой памятью можно даже загрузчик винды испортить.
Advanced member
Статус: Не в сети Регистрация: 29.03.2017
Вам не нужен железный уровень. Вы не программируете встраиваемые системы и не пишите свою операционную систему. Пользователи и абсолютное большинство программистов работают с готовой операционной системой, в которой все алгоритмы трансляции уже написаны и у вас есть API. Вы не сможете столкнуться с аппаратным уровнем, да и у меня нехватит знаний описать как с ним правильно взаимодействовать без ОС. Вот уровень до которого у вас есть доступ из ОС. https://docs.microsoft.com/en-us/windows/win32/memory/ Можно конечно получить и прямой доступ к памяти, но это довольно непростое занятие.
Куратор темы Статус: Не в сети Регистрация: 10.06.2011
St@s1987 писал(а):
И на счет tREFI, сейчас рекомендуют здесь ставить на максимум для всех чипов памяти? на сколько помню пару месяцев назад +- повышали в 2-3 раза типа чтоб "избежать возможных проблем" или те советы были для летнего варианта?)
296 ms еще при температуре до 45 градусов будет без ошибок 256 ms до 50 градусов
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 07.04.2016 Фото: 81
Доброй ночи, повелители памяти) Прошу помощи в настройке. Конфиг i5-8600k\Asrock z370 extreme4\Corsair 2x8Gb CMK16GX4M2B3466C16. В том году с помощью одного хорошего человека с этого форума настроили память, вроде все норм, все стрессы, linx проходит, но почитав профильную ветку понял, что как-то все не так и можно добиться более лучшего результата. 3600Mhz DRAM Voltage 1.35 VCCIO Voltage 1.2 VCSSA Voltage 1.2 Скрины ниже. Сегодня помучив теорию и калькуляторы anta777 сделал как на скрине ниже, и теперь linx ругается почти сразу. Помогите разобраться пожалуйста.
_________________ i5-14400F/MAG B760 TOMAHAWK WIFI/T-Create Expert 32GB (2x16GB) 6400MHz CL32 (32-39-39-84)/GIGABYTE RTX 5070 EAGLE OC SFF/High Power Astro Lite 750w
Сейчас этот форум просматривают: Xatuman и гости: 16
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения