AMT - Asus MemTweakit Asus MemTweakIt 2.02.44 При настройке памяти в BIOS ставим ОБЯЗАТЕЛЬНО MRC Fast boot=disable (включаем при этом режим тонкой тренировки, если же выставим enable, то включаем режим грубой тренировки). Оптимально при разгоне памяти использовать в биосе множитель памяти 133, а не авто или 100, что даст возможность создать комфортные условия для контроллера памяти в процессоре и снизить напряжения ио и са ! Недаром в Jedec шаг между спидбинами именно 133, а не 100! Для плат с Alder Lake напряжения VDD и VDDQ на память могут отличаться не больше, чем на 300 мВ. Для плат на основе логики z690 и b660: VDD>VDDQ VDDQ>=VDD-300mV(0.3V) Лучше на VDDQ не превышать 1.25V. Вполне возможно 1.30V. MSI дает зазор до 1.40V. Для таймингов должно выполняться требование: _dr=_dd
Разгон памяти у современной DDR4 (16 банков,RRDS=4,FAW=16,BL=8) эффективен только при tRC<=64,если каждый новый блок чтения происходит с разных банков памяти. Для 4-х слотовых плат при разгоне желательно в биосе отключить неиспользуемые слоты. Для максимальной производительности памяти значение tRFC в тактах для 8-Гбитных чипов должно быть кратно 8,а для 16-Гбитных чипов - 16. Если это правило не соблюдать, то будут вставлены лишние такты при каждом цикле обновления памяти. Для желающих максимально снизить tRFC. Делим tRFC на сумму tRCD,tRTP и tRP. Если результат ближе к 4, то снижать tRFC можно по 4 такта. Если результат ближе к 2, то снижать tRFC можно по 2 такта. Это связано с тем, что обновление происходит субмассивами, которые обязательно кратны 2.
Новая информация по tRAS
Чтение с модуля памяти у DDR4 происходит блоками. Минимальный блок сейчас составляет 64 байта, что связано с размером строки кэша у процессора. Этот блок может считываться как с одного банка, так и с разных. tRAS=tRCD+tRTP (при считывании 8 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+4 (при считывании 16 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+8 (считывание 24 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+12 (при считывании 32 байт с одного банка). Самый верный выбор для DDR4! tRAS=tRCD+tRTP+16 (считывание 40 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+20 (считывание 48 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+24 (считывание 56 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+28 (при считывании 64 байт с одного банка) Для DDR4 оптимальным выбором является 4-й или последний вариант. Но если выставить tRAS меньше, то ничего трагичного не произойдет, так как джедек придумала предохранитель (tRTP), поэтому можно не заморачиваться и выставлять минимальный tRAS (=tRCD+tRTP).
Напряжения на процессоре при разгоне памяти
SA- безопасный уровень (по данным MSI) 1.35, растет от частоты памяти и зависит от подключенной периферии к PCIE, чем больше скорость видеокарты и NVME-диска, тем выше нужно напряжение. IO (для Z590 =IO2, а просто IO можно оставлять в авто, для Z690=IVR DDQ)- обычно хорошо работает если на 50 мВ ниже SA, но чем ниже, тем лучше, стараться максимально снижать. Тоже растет с ростом частоты памяти. Для ориентира при настройке всегда рекомендую глянуть, что за напряжения SA и IO выставляет материнка в авто.
Для начала тезисно несколько правил «успешного разгона и установки памяти»:
1. Ни в коем случае не используем XMP профили – этот режим протестирован на совместимость, но не даёт оптимальную производительность. Поскольку заводская настройка не блещет идеальным подбором, можно получить до 20-25% производительности дополнительно, вручную настраивая тайминги и напряжения. Также XMP режим чреват завышениями вольтажа самой память и контроллера памяти\SOC. 2. Правильная установка модулей – А2 (для одного модуля), A2B2 (для двух модулей). 3. Самый лучший разгон по частоте достигается при использовании одного модуля, при наличии двух планок максимальная частота лишь немного хуже. У четырёх – либо хуже (на устаревающем LGA2011-3) либо такой же или лучше (LGA2066), которые могут стабильно работать с 4мя модулями на 4000CL16. 4. Если используется два модуля, то худший модуль (требующий бОльшего напряжения для стабильного разгона) должен стоять ближе к процессору в слоте A2. 5. Перед настройкой частоты и таймингов памяти отключить подсветку модулей памяти - т.к. это даёт лишний нагрев.
УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ГАЙД ПО НАСТРОЙКЕ от Agiliter
Универсальный гайд. 0. Устраните любые потенциальные проблемы с другим железом. Снимите разгон с видеокарты, снизьте частоту цп на 300 с сохранением напряжения. Не забудьте вернуть RTL в авто если сейчас не авто. 1. Крутим очень короткий мемтест, то есть если минуту живёт сразу снижать тайминг дальше. Ищите не стабильность, а явно сбойное значение тайминга, запишите его - пригодится. Гораздо проще найти явно нерабочее значение и от него плясать чем пытаться ловить нестабильность часами. Это также помогает диагностировать сбойные тайминги на ранее "стабильной памяти". Не пытайтесь найти предельные значение сразу. Сначала скрутите до +2 от минимально стабильного. Многие тайминги идут параллельно поэтому бессмысленно пытаться скрутить до упора с первого прохода. CR выставить на 2 если стоит 1. В самом конце можно попробовать скинуть до 1. 3 Ставить только на очень большую частоту или если по другому ну совсем никак.
Начните с RCD, CL. Не обязательно должны быть одинаковыми, обычно CL идёт меньше чем RCD. RAS сразу пробуйте как RCD+CL+4, до этого значения от него существенная разница, дальше меньше. CWL<=CL. Допустимые значения 9,10,11,12,14,16,18,20. RP можете выставить по RCD, если пойдёт меньше - тоже неплохо, не уверен правда насчёт смысла. RTP без формул. Если не идёт вниз можно попробовать поднять чуть чуть RP. В DDR4 явно связан с WR соотношением 2 к 1 (например WR20\RTP10), физически хранится одно значения и в зависимости от операции интерпретируется. Скрутите FAW до 16(так и оставьте если работает). С таким FAW скручивайте RRD(оба, L обычно больше чем S), возможно поедут на 4 оба. Если до 4 не удалось спустить поднимите FAW до уровня RRDL*4 и попробуйте ещё, хотя это скорее всего уже почти предел. Обычно L>=S. L - SG(Same Group). S - DG(Different Group) Напр. RRD_L>=RRD_S. CKE=5 СCDL>=4 RDRD_DD и прочие подобные можно проигнорировать если у вас нет двух планок на один канал (4 планки). DD-Different Dimm. Тоже самое с DR-Different Rank если у вас одноранговая память. RDWR_SG(DG) и подобные сочетания скручивайте до минимальных рабочих, потом накиньте сверху +2. Как уже отметил обычно SG>=DG. WTR не трогайте он сам спустится когда будете скидывать WRRD_SG(DG) и прочие подобные. Если сам меньше не стал тогда руками скидывать. WR снижать через WRPRE если есть. Если нет или не снижает WR, То скрутите его скажем до 12 или +4 от рабочего, потом дожмёте если не лень будет. RFC явных формул нет, крутить после всего списка сверху. Не пытайтесь найти его минимальное значение если не хотите чтобы память начинала сыпать ошибками от любого чиха. найдите пограничное со стабильностью значение и накиньте сверху 20 или сразу 40. Может реагировать на RAS+RP, RRD, FAW, причём в обе стороны (то есть может "сломаться" если задрать названные), а может и не реагировать... REFi больше лучше. Связан с RFC. REFI сколько память "работает" - RFC сколько "отдыхает". Оба тайминга лучше не пытаться найти предельное значение.Заметно реагируют на температуру. Многие тайминги отзываются и на температуру и на напряжение. Поскольку напряжение может как позволить снизить тайминг, так и увеличить температуру, то середину можно искать очень долго, поэтому лучше бы вовремя остановится. Тестируйте тщательно с перезагрузками, сном, холодным стартом. RTL и IOL вам кто-то другой пусть советует как настраивать, от них у меня голова болеть начинает...
tRASmin=tCL+tRCD+2 WTRS/L устанавливаются в биосе через WRRDdg/sg согласно формуле: WRRD_sg=6+CWL+WTR_L WRRD_dg=6+CWL+WTR_S WR - через WRPRE (для матплат ASUS): WRPRE=4+CWL+WR RTP - через RDPRE (для матплат ASUS) RDPRE=RTP
VDDDQ=1.5 V max по Jedec VrefCA=0.6xVDDDQ=0.9 V (max по Jedec), в даташите контроллера интел тоже разрешено максимальное vrefca=0.6xVdddq. То есть при обычной настройке биоса, когда VrefCA=0.5xVDDDQ, VDRAM<=1.8 V, чтобы уложиться в нормы по Jedec. А если при этом в биосе настроить vrefca=0.49xvdddq (разрешено по Jedec), то безопасное Vdram может быть еще выше=1.837 V. Вывод: для контроллера процессора напряжение на память <=1.8 V неопасно
CPU Name: Intel® Core™ i7-7740K CPU @ 4.30GHz Motherboard Model: MSI X299 GAMING PRO CARBON AC (MS-7A95) Total Size: 8192 MB Type: Single Channel (64 bit) DDR4-SDRAM Frequency: 2750 MHz - Ratio 1:31 Timings: 21-31-31-63-2 (tCAS-tRC-tRP-tRAS-tCR) Slot #1 Module: G.Skill 8192 MB (DDR4-2137) - XMP 2.0 - P/N: F4-3200C14-8GVR
[img]Ссылка на скрин[/img] Для сбора статистики по установленным чипам памяти просьба прикладывать скрины программы Taiphoon Burner и указывать напряжения на DIMM, IO и SA![/color]
Below are the typical tRFC in ns for the common ICs: IC tRFC (ns) Hynix 8Gb AFR 260 - 280 Hynix 8Gb CJR 260 - 280 Hynix 8Gb DJR 260 - 280 Micron 8Gb Rev. E 280 - 310 Micron 16Gb Rev. B 290 - 310 Samsung 8Gb B-Die 120 - 180 Samsung 8Gb C-Die 300 - 340
Таблица tRFC от Reous v26
#77
Расшифровка чипов, находящихся в модуле памяти у разных производителей
#77
Ревизии печатных плат. A0,A1 или A2 планки, как узнать
#77 #77 #77 #77
Статистика tRCD планок в зависимости от типов чипов
#77 #77 #77 Чем выше вы в вертикальном столбце, тем удачнее планки. Чем интенсивнее цвет, тем выше статистический процент (данные старые,теперь удачнее чипы выходят) На 1 таблице все,что выше красной линии - суперотборники.
Советы по верной тренировке
1.Поднять напряжения на VCCSA и VCCIO. 2.Включить в биосе Round Trip Latency. 3.Для гигабайтов - memory enchancement=normal.
Руководство по разгону памяти для начинающих блондинок
Wizl Да, своими таймингами, и это после неоднократных моих ответов и советов вам. Вы их проигнорировали. Я это расцениваю как проявления неуважения.
Я извиняюсь за это, совершенно не хотел показать, что не ценю Ваши знания и советы. На самом деле, у меня сейчас сделано несколько профилей из таблицы, просто этот я делал шаг за шагом со среды и хотел в первую очередь спросить Вас о том, как у меня получилось. Во многом делал сам, путём проб и ошибок, пользуясь формулами и сравнивая результаты.
Вот профиль из таблицы (которая guide4sept2019):
profile 777
#77
Не обижайтесь, я совершенно искренне.
Последний раз редактировалось WIZL 24.11.2019 14:48, всего редактировалось 1 раз.
Куратор темы Статус: В сети Регистрация: 10.06.2011
WIZL
Хорошо, но для начальной настройки лучше пользоваться простой таблицей, а не стандартной. Исправляйте в скриншоте с предыдущей страницы. WR=14 , затем сохраните профиль. Потом CR=1, все _dr и _dd тайминги = 0. Еще tRAS=32.
anta777 Есть еще какие-то варианты для решения проблемы? Мне кажется, нужно менять память, покупать что-нибудь на B-Die, и фризы пропадут. Но я не уверен. Материнская плата по определению ведь вызывать фризы не может, если она правильно настроена. Софтовая беда тоже исключена. Остается только память.
Куратор темы Статус: В сети Регистрация: 10.06.2011
А поставьте 65534 и сравните.
Добавлено спустя 54 секунды: У вас проблема не в tREFI, а в неправильном tRAS. Он должен быть 39, а у вас 37. Сейчас у вас время регенерации 183 мс, а до 256 мс можно не бояться.
WIZL Хорошо, но для начальной настройки лучше пользоваться простой таблицей, а не стандартной. Исправляйте в скриншоте с предыдущей страницы. WR=14 , затем сохраните профиль. Потом CR=1, все _dr и _dd тайминги = 0. Еще tRAS=32. Затем займемся CWL.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 08.10.2014 Откуда: Москва Фото: 150
Что лучше, 3466 cl 15-18-18-38-2T, или 3600 cl 16-19-19-39-2T? При 1.36в только такой выбор При 1Т синий экран при загрузке винды даже на частоте 3200 cl14-16-16-36
_________________ Z790 EDGE; Intel® Core™ I9-13900K@;G.Skill Royal(b-die); MSI Suprim X 4090&6090; GIGABYTE FO48U(OLED);DT 1770 PRO; COLORFUL EVOL X17 Pro Max;)Genelec:)
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 14.09.2012 Откуда: Москва Фото: 2
anta777 писал(а):
А поставьте 65534 и сравните.
Проблема была если помните в нагреве памяти до 50гр и соответственно возникающие из-за этого ошибки. Вы рекомендовали снизить мне только tREFI c 65к до 48к.
Вложение:
Безымянный2.png [ 196.02 КБ | Просмотров: 282 ]
_________________ i7-14700kf, asus rog strix Z790-E gaming wi-fi II , t-force xtreem 2х16gb 6400cl32, asus 3080Ti strix oc
Куратор темы Статус: В сети Регистрация: 10.06.2011
Michailovsky писал(а):
Что лучше, 3466 cl 15-18-18-38-2T, или 3600 cl 16-19-19-39-2T? При 1.36в только такой выбор При 1Т синий экран при загрузке винды даже на частоте 3200 cl14-16-16-36
3466/(15+18) и 3600/(16+19), искать большее. Это будет приблизительно по науке. Но я лично за профиль с четным tCL.
Добавлено спустя 1 минуту 22 секунды:
adept1 писал(а):
Проблема была если помните в нагреве памяти до 50гр и соответственно возникающие из-за этого ошибки. Вы рекомендовали снизить мне только tREFI c 65к до 48к.
Вложение:
Безымянный2.png
tRAS нужно увеличить, а tREFI попробуйте ради интереса 65534, хотя бы в тестах.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 28.08.2019 Фото: 1
Правильно ли я понимаю, что только разгоном ЦП, либо увеличением частоты памяти можно снизить (и то не сильно, на 2 пункта где-то) лэтенси, раз задирание tREFI и снижение tRFC не оказало влияния в моем случае?
anta777 писал(а):
tRFC=520 tREFI=65534 WTRS=3 WRRDdg=25 RDWRsg=RDWRdg=8 или 9
Удивило немного, что после ввода этих параметров, замеры аиды64 не изменились вообще. Это ограничение платы, камня, удачности чипов памяти так повлияло? Имхо, возможно лэтенси в 45 на 3600 получал, когда винда была свежеустановленная.
Всем привет, ребята! anta777, скажи, у тебя я так понял, 2 диска с интерфейсом M2, я возможно в будущем буду покупать на 500 гб тоже м2 диск, сейчас стоит adata 8200pro, это примерно такой же как у тебя гаммикс11, только у тебя на 500 гб, и у тебя есть самсунг, так вот хотел спросить, стоит переплачивать за самсунг или разницы практически нету между ними, да и как тебе вообще адатовский диск, разочаровал или нет. Мне мой очень нравится, но у меня нет возможности сравнивать с другими, а у тебя есть, вот и спрашиваю!
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения