AMT - Asus MemTweakit Asus MemTweakIt 2.02.44 При настройке памяти в BIOS ставим ОБЯЗАТЕЛЬНО MRC Fast boot=disable (включаем при этом режим тонкой тренировки, если же выставим enable, то включаем режим грубой тренировки). Оптимально при разгоне памяти использовать в биосе множитель памяти 133, а не авто или 100, что даст возможность создать комфортные условия для контроллера памяти в процессоре и снизить напряжения ио и са ! Недаром в Jedec шаг между спидбинами именно 133, а не 100! Для плат с Alder Lake напряжения VDD и VDDQ на память могут отличаться не больше, чем на 300 мВ. Для плат на основе логики z690 и b660: VDD>VDDQ VDDQ>=VDD-300mV(0.3V) Лучше на VDDQ не превышать 1.25V. Вполне возможно 1.30V. MSI дает зазор до 1.40V. Для таймингов должно выполняться требование: _dr=_dd
Разгон памяти у современной DDR4 (16 банков,RRDS=4,FAW=16,BL=8) эффективен только при tRC<=64,если каждый новый блок чтения происходит с разных банков памяти. Для 4-х слотовых плат при разгоне желательно в биосе отключить неиспользуемые слоты. Предположительно для максимальной производительности памяти значение tRFC в тактах для 8-Гбитных чипов должно быть кратно 8,а для 16-Гбитных чипов - 16. Если это правило не соблюдать, то будут вставлены лишние такты при каждом цикле обновления памяти. Для желающих максимально снизить tRFC. Делим tRFC на сумму tRCD,tRTP и tRP. Если результат ближе к 4, то снижать tRFC можно по 4 такта. Если результат ближе к 2, то снижать tRFC можно по 2 такта. Это связано с тем, что обновление происходит субмассивами, которые обязательно кратны 2.
Новая информация по tRAS
Чтение с модуля памяти у DDR4 происходит блоками. Минимальный блок сейчас составляет 64 байта, что связано с размером строки кэша у процессора. Этот блок может считываться как с одного банка, так и с разных. На март 2026 года я склоняюсь к тому, что чтение 64 байт идет с одного банка всех 8 чипов модуля. То есть за 4 такта происходит чтение 4 такта х 2(два фронта сигнала) х 8битх8чипов=512 бит или 64 байта. А оптимальный tRAS зависит от политики контроллера по закрытию строк и от его связи с tRC (определяется внутренними невидимыми нам настройками биоса). Можно предположить, что оптимальное значение tRAS=2*tRCD+несколько тактов, это определяется по количеству промахов и попаданий в открытые страницы памяти, тут нужен оптимальный КПД. tRAS=tRCD+tRTP (при считывании 8 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+4 (при считывании 16 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+8 (считывание 24 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+12 (при считывании 32 байт с одного банка). Самый верный выбор для DDR4! tRAS=tRCD+tRTP+16 (считывание 40 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+20 (считывание 48 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+24 (считывание 56 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+28 (при считывании 64 байт с одного банка) Для DDR4 оптимальным выбором является 4-й или последний вариант. Но если выставить tRAS меньше, то ничего трагичного не произойдет, так как джедек придумала предохранитель (tRTP), поэтому можно не заморачиваться и выставлять минимальный tRAS (=tRCD+tRTP), если позволяют чипы. Искать минимум tRAS можно , начиная с RCD+RTP и идти вверх или с 2*tRCD или tRCD+tCL+4 и идти вниз. Еще возможен такой подход к оптимальному tRAS. tRAS=tRCD+k*CCDS/CCDL+tRTP(опционально), где k - количество банков, к которым идет обращение перед возвратом в открытую строку, наш первый банк тоже учитываем. У ddr4 4 группы по 4 банка, то есть 16 банков. tRTP можно не добавлять при расчете, так как при попадании в открытую строку она не закроется пока не пройдет время tRTP от последнего чтения, а при непопадании мы выиграем время tRTP, быстрее закроется строка Если 1 другой банк, то tRAS=tRCD+8(CCDS учитываем) А с гарантией tRCD+12/14 (CCDL учитываем) Если 2 других банка tRAS=tRCD+12(для CCDS) tRAS=tRCD+18/21(для CCDL) Для 3-х других банков tRAS=tRCD+16(CCDS) tRAS=tRCD+24/28(для CCDL) Полная формула tRASopt=tRCD+k*tCCDS+n*tCCDL+tRTP(опционально) k+n = количество посещенных банков, включая наш первый, до возврата в строку По джедек k+n= обычно 2-3
Напряжения на процессоре при разгоне памяти
SA- безопасный уровень (по данным MSI) 1.35, растет от частоты памяти и зависит от подключенной периферии к PCIE, чем больше скорость видеокарты и NVME-диска, тем выше нужно напряжение. IO (для Z590 =IO2, а просто IO можно оставлять в авто, для Z690=IVR DDQ)- обычно хорошо работает если на 50 мВ ниже SA, но чем ниже, тем лучше, стараться максимально снижать. Тоже растет с ростом частоты памяти. Для ориентира при настройке всегда рекомендую глянуть, что за напряжения SA и IO выставляет материнка в авто.
Для начала тезисно несколько правил «успешного разгона и установки памяти»:
1. Ни в коем случае не используем XMP профили – этот режим протестирован на совместимость, но не даёт оптимальную производительность. Поскольку заводская настройка не блещет идеальным подбором, можно получить до 20-25% производительности дополнительно, вручную настраивая тайминги и напряжения. Также XMP режим чреват завышениями вольтажа самой память и контроллера памяти\SOC. 2. Правильная установка модулей – А2 (для одного модуля), A2B2 (для двух модулей). 3. Самый лучший разгон по частоте достигается при использовании одного модуля, при наличии двух планок максимальная частота лишь немного хуже. У четырёх – либо хуже (на устаревающем LGA2011-3) либо такой же или лучше (LGA2066), которые могут стабильно работать с 4мя модулями на 4000CL16. 4. Если используется два модуля, то худший модуль (требующий бОльшего напряжения для стабильного разгона) должен стоять ближе к процессору в слоте A2. 5. Перед настройкой частоты и таймингов памяти отключить подсветку модулей памяти - т.к. это даёт лишний нагрев.
УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ГАЙД ПО НАСТРОЙКЕ от Agiliter
Универсальный гайд. 0. Устраните любые потенциальные проблемы с другим железом. Снимите разгон с видеокарты, снизьте частоту цп на 300 с сохранением напряжения. Не забудьте вернуть RTL в авто если сейчас не авто. 1. Крутим очень короткий мемтест, то есть если минуту живёт сразу снижать тайминг дальше. Ищите не стабильность, а явно сбойное значение тайминга, запишите его - пригодится. Гораздо проще найти явно нерабочее значение и от него плясать чем пытаться ловить нестабильность часами. Это также помогает диагностировать сбойные тайминги на ранее "стабильной памяти". Не пытайтесь найти предельные значение сразу. Сначала скрутите до +2 от минимально стабильного. Многие тайминги идут параллельно поэтому бессмысленно пытаться скрутить до упора с первого прохода. CR выставить на 2 если стоит 1. В самом конце можно попробовать скинуть до 1. 3 Ставить только на очень большую частоту или если по другому ну совсем никак.
Начните с RCD, CL. Не обязательно должны быть одинаковыми, обычно CL идёт меньше чем RCD. RAS сразу пробуйте как RCD+CL+4, до этого значения от него существенная разница, дальше меньше. CWL<=CL. Допустимые значения 9,10,11,12,14,16,18,20. RP можете выставить по RCD, если пойдёт меньше - тоже неплохо, не уверен правда насчёт смысла. RTP без формул. Если не идёт вниз можно попробовать поднять чуть чуть RP. В DDR4 явно связан с WR соотношением 2 к 1 (например WR20\RTP10), физически хранится одно значения и в зависимости от операции интерпретируется. Скрутите FAW до 16(так и оставьте если работает). С таким FAW скручивайте RRD(оба, L обычно больше чем S), возможно поедут на 4 оба. Если до 4 не удалось спустить поднимите FAW до уровня RRDL*4 и попробуйте ещё, хотя это скорее всего уже почти предел. Обычно L>=S. L - SG(Same Group). S - DG(Different Group) Напр. RRD_L>=RRD_S. CKE=5 СCDL>=4 RDRD_DD и прочие подобные можно проигнорировать если у вас нет двух планок на один канал (4 планки). DD-Different Dimm. Тоже самое с DR-Different Rank если у вас одноранговая память. RDWR_SG(DG) и подобные сочетания скручивайте до минимальных рабочих, потом накиньте сверху +2. Как уже отметил обычно SG>=DG. WTR не трогайте он сам спустится когда будете скидывать WRRD_SG(DG) и прочие подобные. Если сам меньше не стал тогда руками скидывать. WR снижать через WRPRE если есть. Если нет или не снижает WR, То скрутите его скажем до 12 или +4 от рабочего, потом дожмёте если не лень будет. RFC явных формул нет, крутить после всего списка сверху. Не пытайтесь найти его минимальное значение если не хотите чтобы память начинала сыпать ошибками от любого чиха. найдите пограничное со стабильностью значение и накиньте сверху 20 или сразу 40. Может реагировать на RAS+RP, RRD, FAW, причём в обе стороны (то есть может "сломаться" если задрать названные), а может и не реагировать... REFi больше лучше. Связан с RFC. REFI сколько память "работает" - RFC сколько "отдыхает". Оба тайминга лучше не пытаться найти предельное значение.Заметно реагируют на температуру. Многие тайминги отзываются и на температуру и на напряжение. Поскольку напряжение может как позволить снизить тайминг, так и увеличить температуру, то середину можно искать очень долго, поэтому лучше бы вовремя остановится. Тестируйте тщательно с перезагрузками, сном, холодным стартом. RTL и IOL вам кто-то другой пусть советует как настраивать, от них у меня голова болеть начинает...
tRASmin=tCL+tRCD+2 WTRS/L устанавливаются в биосе через WRRDdg/sg согласно формуле: WRRD_sg=6+CWL+WTR_L WRRD_dg=6+CWL+WTR_S WR - через WRPRE (для матплат ASUS): WRPRE=4+CWL+WR RTP - через RDPRE (для матплат ASUS) RDPRE=RTP
VDDDQ=1.5 V max по Jedec VrefCA=0.6xVDDDQ=0.9 V (max по Jedec), в даташите контроллера интел тоже разрешено максимальное vrefca=0.6xVdddq. То есть при обычной настройке биоса, когда VrefCA=0.5xVDDDQ, VDRAM<=1.8 V, чтобы уложиться в нормы по Jedec. А если при этом в биосе настроить vrefca=0.49xvdddq (разрешено по Jedec), то безопасное Vdram может быть еще выше=1.837 V. Вывод: для контроллера процессора напряжение на память <=1.8 V неопасно
CPU Name: Intel® Core™ i7-7740K CPU @ 4.30GHz Motherboard Model: MSI X299 GAMING PRO CARBON AC (MS-7A95) Total Size: 8192 MB Type: Single Channel (64 bit) DDR4-SDRAM Frequency: 2750 MHz - Ratio 1:31 Timings: 21-31-31-63-2 (tCAS-tRC-tRP-tRAS-tCR) Slot #1 Module: G.Skill 8192 MB (DDR4-2137) - XMP 2.0 - P/N: F4-3200C14-8GVR
[img]Ссылка на скрин[/img] Для сбора статистики по установленным чипам памяти просьба прикладывать скрины программы Taiphoon Burner и указывать напряжения на DIMM, IO и SA![/color]
Below are the typical tRFC in ns for the common ICs: IC tRFC (ns) Hynix 8Gb AFR 260 - 280 Hynix 8Gb CJR 260 - 280 Hynix 8Gb DJR 260 - 280 Micron 8Gb Rev. E 280 - 310 Micron 16Gb Rev. B 290 - 310 Samsung 8Gb B-Die 120 - 180 Samsung 8Gb C-Die 300 - 340
Таблица tRFC от Reous v26
#77
Расшифровка чипов, находящихся в модуле памяти у разных производителей
#77
Ревизии печатных плат. A0,A1 или A2 планки, как узнать
#77 #77 #77 #77
Статистика tRCD планок в зависимости от типов чипов
#77 #77 #77 Чем выше вы в вертикальном столбце, тем удачнее планки. Чем интенсивнее цвет, тем выше статистический процент (данные старые,теперь удачнее чипы выходят) На 1 таблице все,что выше красной линии - суперотборники.
Советы по верной тренировке
1.Поднять напряжения на VCCSA и VCCIO. 2.Включить в биосе Round Trip Latency. 3.Для гигабайтов - memory enchancement=normal.
Руководство по разгону памяти для начинающих блондинок
Пробовал , щас буду пробовать по новой все с вырубленным мем ок , вроде в нем может быть проблема. ( вырублен джамером/переключателем на плате ). Я даже уже распаковывал сетап что бы посмотреть какие там настройки вовсе в биосе есть , такок чувство что он обрезан на половину, так как иол оффсет там значится как настраиваемый параметр. Но его нет и он не доступен не откуда.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 30.09.2007 Откуда: Tver Фото: 29
sdvuh писал(а):
A-die четыре двуранговые планки
а есть инфа про их потанцевал?
mraksoll писал(а):
хоть 2400 , 2600 ( у асусов нельзя свою частоту в писать только 100:100 100:133. )
Че? это ж делитель - его и трогать не нужно, в авто стоит и частоту ручками.
mraksoll писал(а):
Шину цпу вовсе трогать там не желательно и отклонения от 100 делать в большую или меньшою сторону, хз почему но теряется у проца стабильность даже в стоке, даже если занижать.
а это зачем делать?
mraksoll писал(а):
вырубить мем ок 2 кривой джампером на плате
он всегда должен выключен быть по умолчанию
mraksoll писал(а):
с процем все в порядке на прайм делюксе все отлично гонится и хмп профиль заводится. У матринки башню с тренировкой сносит от любого отхождения от номинала.
а также температура pch что стремилась в 75 градусов под нагрузкой против 60 в самом злобном тесте прайм95. Вы спросите каким боком чип сет до прайм теста где память и цпу задействованы , я тоже спросил бы у асуса.
Да и вобщемто замена была спровоцирована проблемами с сетью кои оказались перебитым ( перетянутой застежкой провода ) ну и ливдаш поплыл думал по гарантии его сдавать но так руки и не дошли.
Что смешно память гонится до 4000 в отличии от делюкса в мануал , осталось найти стабильные тайминги. Но беда в тренеровках , я щас изучаю их недо биос ( у меня понимания что там и как есть и уши вянут от мысленных матов что там натворил горе индус) Выше должен быть мой дамп послед уефи , всех доступных настроек в текстовом формате , в более менее читаемом формате.
Все версии биоса с той же проблемой. Но как говорится хочет она или нет заставлю ее пахать как надо , даже если придется перелопатить биос по регистрам
Добавлено спустя 2 минуты 49 секунд:
Michailovsky писал(а):
garison87 Речь именно про баллистиксы и 4000 на 16 таймингах бегают, с агресшон спишитесь- узнаете... aggression
Отключите если есть на материнке мем ок и попробуйте без него, там код желает лучшего...
Также все RSVD и debug в dissable свитчи/джемперы ставьте если не хотите что бы биос сдох от постоянно записи или напруги тестовые не уловимые гуляли.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 18.09.2017 Откуда: Москва Фото: 4
anta777 Как вы думаете, есть ли смысл зафиксировать оба IO-L на оптимальных значениях (7, я так понимаю)? Доступ то к ним в биосе есть. И стоит ли тогда тренировать память после этого? Сейчас вот так:
Advanced member
Статус: Не в сети Регистрация: 29.03.2017
sdvuh На самом деле FAW>=RRD_L*4>=RRD_S*4. Причём для производительности узким местом будет именно FAW, так как он лимитирует оба варианта. Если FAW будет меньше формулы то лимитом станет уже RRD. Практически безопасный минимум RRD_S=4, RRD_L=6, FAW=24. Варианты типа RRD_S=4, RRD_L=4-6 FAW=16, кто-то даже писал, что производительность падала, хотя у меня нет идей почему. Поэтому отклоняться от указанного неравенства лучше с тестированием производительности.
Кстати на самом деле FAW косвенно лимитирует и RC. Но такой большой FAW в сочетании с низким RC почти невозможно встретить. Например(n-любое): Активация Группабанков(0) банк(0) строка(0) --RC-- ACT гб(0) б(0) с(1) --RRD_S-- ACT гб(1) б(0) с(n) --RRD_L-- ACT гб(1) б(1) с(n) --RRD_S--ACT гб(0) б(n) с(n) В данном примере RC+RRD_S*2+RRD_L. Если FAW больше это суммы то он и будет лимитом. Не воспринимайте это как формулу, сочетание может быть совершенно любым.
не покупайте омегу ,походу дебаг плата для енкора, треш еще тот друг принес планки 32 гб что у него пахали на 4200 у меня даже на 3000 не завелись) отписал отсусу в сапорт по проблеме таймингов и работе памяти. Будем ждать ( или не ждать , дебажу их горе биос (для меня это проще чем ждать чудо фикса от индусов( да я разработчик низкоуровневого софта если что выложу ) на этом думаю заканчиваю писанину в тему. В случае успехов отпишу
Последний раз редактировалось mraksoll 28.11.2019 19:05, всего редактировалось 3 раз(а).
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 30.09.2007 Откуда: Tver Фото: 29
Камрады, тут вопрос возник. Заказал дуалранги корсара там ревизия 4.32 на сколько я в курсе это должны быть b-die т к 4хх это самсунги и других 16гиговых плашек кроме b-die у самса пока нет. Неужели нарвался на старые запасы? Есть у кого корсары 4 ревизии не b-die?
Камрады, тут вопрос возник. Заказал дуалранги корсара там ревизия 4.32 на сколько я в курсе это должны быть b-die т к 4хх это самсунги и других 16гиговых плашек кроме b-die у самса пока нет. Неужели нарвался на старые запасы? Есть у кого корсары 4 ревизии не b-die?
в хекске сравни редакции spd (просто есть вариант что регистры не те для субов/тритичек/4ND)
Последний раз редактировалось mraksoll 28.11.2019 19:17, всего редактировалось 2 раз(а).
Сейчас этот форум просматривают: Sarge Power и гости: 11
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения