Member
Статус: Не в сети Регистрация: 09.07.2022 Фото: 2
Exolon писал(а):
табличку для Raptor Lake-S Gear 2
Пока не встречал. Это надо все 309 видео от MSI Insider пересматривать, в надежде что MSI это померяли, здесь https://www.youtube.com/playlist?list=PLTPGJNsY3U4zLHhuqgSC9BrFUZysOd71Y. Либо самому проверить 100 и 133, взяв за основу вывод на верхней строке этого кадра из видео: "Гир 2 поддерживает четные множители QCLK, не поддерживает нечетные", что я понимаю как 6933 = 133.33 * 2 * 26, множитель четный; 6600 = 100*2 * 33 множитель нечетный. 6800 = 100*2 * 34 множитель четный, но высокий. Возможно, разница 100 и 133 видна только на крайних значениях 8000+. Короче, попробовать при х133: 6400, 6933, 7466, 8000 или при х100: 6000, 6400, 6800, 7200, 7600, 8000, и сообщить об успехах.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 03.09.2004 Фото: 1
Подскажите люди добрые что можно выжать из двух планок самсунга M323R2GA3BB0-CQK, интересны минимальные тайминги при стоковой напруге, чуть можно повысить, но без фанатизма.
Куратор темы Статус: Не в сети Регистрация: 10.06.2011
Главное, что теперь стал понятен принцип подбора всех напряжений для DDR5! Первым делом отключаем в биосе VDDQ Training и ODT Training. 1. Выставляем MEM VDD, кого какое устраивает. Джедек дает максимум 1.4В, hynix для своих чипов 1.5В, платы дают возможность выставить 1.435В без лишних телодвижений. По стандарту 1.1-1,166В, вдруг кто-то и его использует. 2. Выставляем MEM VDDQ (на 6% ниже от MEM VDD, возможно до 300 мВ). 3. Ищем оптимальное CPU VDDQ, оно будет меньше MEM VDDQ: для 16 Гбит-чипов на 120-255 мВ (скорее 180-225 мВ) приблизительно 200мВ для 24 Гбит-чипов на 90-180 мВ (скорее 105-150 мВ) приблизительно 125мВ 4. Ищем оптимальные SA (1.15-1.25) и VDD2 (в районе 1.4)
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 16.06.2018 Фото: 1
anta777 писал(а):
Ищем оптимальные SA (1.15-1.25) и VDD2 (в районе 1.4)
Нижний пределы по SA до 0,9 (У меня 0,92 6600cl30 32*2), по VDD2 (До стаба в кранчере+0,02. У меня лично 1,27. Чем ниже - тем выше скорость в кранчере, что интересно) Дельта между памятью 100мВ. Между CPU VDDQ и MEM VDDQ 180мВ. Любая другая дельта - не прохожу 30 циклов кранчера VT3 по 60 секунд. Может кому поможет информация. P.S. Я бы Вашу информацию в шапку закинул, она самая важная из всего треда.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 16.06.2018 Фото: 1
anta777 писал(а):
А VDDQ Training в биосе отключен?
Да. Сразу сделал, как узнал от Veii его назначение. RTT_NOM = 80 откуда информация? Для 16гб чипов? Для 4-слотовых досок везде его проставлять? (Мало ли, уже ничему не удивлюсь)
2. Выставляем MEM VDDQ (на 6% ниже от MEM VDD, возможно до 300 мВ).
Добавлю, что я бы не исключал полностью вариант: mem VDDQ = mem VDD Был опыт, тренировка нормально прошла только при равных, а разлет был мизерный 0.02
Вроде производитель планок памяти не пишет в spd разлет по напряжениям mem VDDQ и mem VDD, может это не возможно, и там только одно значение зарезервировано, а может это просто не несет особой пользы в глазах производителя.
Ну и по фэншую вообще всё 1.1 V должно быть cpu VDDQ TX = cpu VDD2 = mem VDDQ = mem VDD = 1.1 V
Куратор темы Статус: Не в сети Регистрация: 10.06.2011
Rezort писал(а):
anta777 писал(а):
А VDDQ Training в биосе отключен?
Да. Сразу сделал, как узнал от Veii его назначение. RTT_NOM = 80 откуда информация? Для 16гб чипов? Для 4-слотовых досок везде его проставлять? (Мало ли, уже ничему не удивлюсь)
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 17.02.2019 Фото: 0
TM1 Мне очень помогло кстати, возможно, это одна из тех проблем, которую я искал у себя. Как только я переходил порог после 5800 Mhz и ступал на 6000, 6200, 6400, то ПК после ребута вырубался и включался с ошибкой. Хотя! Тесты память все проходила, Кранчер, Карху, что удивительно. Сейчас благодаря anta777 и его совету, не вижу жестокого перезапуска.
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения