AMT - Asus MemTweakit Asus MemTweakIt 2.02.44 При настройке памяти в BIOS ставим ОБЯЗАТЕЛЬНО MRC Fast boot=disable (включаем при этом режим тонкой тренировки, если же выставим enable, то включаем режим грубой тренировки). Оптимально при разгоне памяти использовать в биосе множитель памяти 133, а не авто или 100, что даст возможность создать комфортные условия для контроллера памяти в процессоре и снизить напряжения ио и са ! Недаром в Jedec шаг между спидбинами именно 133, а не 100! Для плат с Alder Lake напряжения VDD и VDDQ на память могут отличаться не больше, чем на 300 мВ. Для плат на основе логики z690 и b660: VDD>VDDQ VDDQ>=VDD-300mV(0.3V) Лучше на VDDQ не превышать 1.25V. Вполне возможно 1.30V. MSI дает зазор до 1.40V. Для таймингов должно выполняться требование: _dr=_dd
Разгон памяти у современной DDR4 (16 банков,RRDS=4,FAW=16,BL=8) эффективен только при tRC<=64,если каждый новый блок чтения происходит с разных банков памяти. Для 4-х слотовых плат при разгоне желательно в биосе отключить неиспользуемые слоты. Для максимальной производительности памяти значение tRFC в тактах для 8-Гбитных чипов должно быть кратно 8,а для 16-Гбитных чипов - 16. Если это правило не соблюдать, то будут вставлены лишние такты при каждом цикле обновления памяти. Для желающих максимально снизить tRFC. Делим tRFC на сумму tRCD,tRTP и tRP. Если результат ближе к 4, то снижать tRFC можно по 4 такта. Если результат ближе к 2, то снижать tRFC можно по 2 такта. Это связано с тем, что обновление происходит субмассивами, которые обязательно кратны 2.
Новая информация по tRAS
Чтение с модуля памяти у DDR4 происходит блоками. Минимальный блок сейчас составляет 64 байта, что связано с размером строки кэша у процессора. Этот блок может считываться как с одного банка, так и с разных. tRAS=tRCD+tRTP (при считывании 8 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+4 (при считывании 16 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+8 (считывание 24 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+12 (при считывании 32 байт с одного банка). Самый верный выбор для DDR4! tRAS=tRCD+tRTP+16 (считывание 40 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+20 (считывание 48 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+24 (считывание 56 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+28 (при считывании 64 байт с одного банка) Для DDR4 оптимальным выбором является 4-й или последний вариант. Но если выставить tRAS меньше, то ничего трагичного не произойдет, так как джедек придумала предохранитель (tRTP), поэтому можно не заморачиваться и выставлять минимальный tRAS (=tRCD+tRTP).
Напряжения на процессоре при разгоне памяти
SA- безопасный уровень (по данным MSI) 1.35, растет от частоты памяти и зависит от подключенной периферии к PCIE, чем больше скорость видеокарты и NVME-диска, тем выше нужно напряжение. IO (для Z590 =IO2, а просто IO можно оставлять в авто, для Z690=IVR DDQ)- обычно хорошо работает если на 50 мВ ниже SA, но чем ниже, тем лучше, стараться максимально снижать. Тоже растет с ростом частоты памяти. Для ориентира при настройке всегда рекомендую глянуть, что за напряжения SA и IO выставляет материнка в авто.
Для начала тезисно несколько правил «успешного разгона и установки памяти»:
1. Ни в коем случае не используем XMP профили – этот режим протестирован на совместимость, но не даёт оптимальную производительность. Поскольку заводская настройка не блещет идеальным подбором, можно получить до 20-25% производительности дополнительно, вручную настраивая тайминги и напряжения. Также XMP режим чреват завышениями вольтажа самой память и контроллера памяти\SOC. 2. Правильная установка модулей – А2 (для одного модуля), A2B2 (для двух модулей). 3. Самый лучший разгон по частоте достигается при использовании одного модуля, при наличии двух планок максимальная частота лишь немного хуже. У четырёх – либо хуже (на устаревающем LGA2011-3) либо такой же или лучше (LGA2066), которые могут стабильно работать с 4мя модулями на 4000CL16. 4. Если используется два модуля, то худший модуль (требующий бОльшего напряжения для стабильного разгона) должен стоять ближе к процессору в слоте A2. 5. Перед настройкой частоты и таймингов памяти отключить подсветку модулей памяти - т.к. это даёт лишний нагрев.
УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ГАЙД ПО НАСТРОЙКЕ от Agiliter
Универсальный гайд. 0. Устраните любые потенциальные проблемы с другим железом. Снимите разгон с видеокарты, снизьте частоту цп на 300 с сохранением напряжения. Не забудьте вернуть RTL в авто если сейчас не авто. 1. Крутим очень короткий мемтест, то есть если минуту живёт сразу снижать тайминг дальше. Ищите не стабильность, а явно сбойное значение тайминга, запишите его - пригодится. Гораздо проще найти явно нерабочее значение и от него плясать чем пытаться ловить нестабильность часами. Это также помогает диагностировать сбойные тайминги на ранее "стабильной памяти". Не пытайтесь найти предельные значение сразу. Сначала скрутите до +2 от минимально стабильного. Многие тайминги идут параллельно поэтому бессмысленно пытаться скрутить до упора с первого прохода. CR выставить на 2 если стоит 1. В самом конце можно попробовать скинуть до 1. 3 Ставить только на очень большую частоту или если по другому ну совсем никак.
Начните с RCD, CL. Не обязательно должны быть одинаковыми, обычно CL идёт меньше чем RCD. RAS сразу пробуйте как RCD+CL+4, до этого значения от него существенная разница, дальше меньше. CWL<=CL. Допустимые значения 9,10,11,12,14,16,18,20. RP можете выставить по RCD, если пойдёт меньше - тоже неплохо, не уверен правда насчёт смысла. RTP без формул. Если не идёт вниз можно попробовать поднять чуть чуть RP. В DDR4 явно связан с WR соотношением 2 к 1 (например WR20\RTP10), физически хранится одно значения и в зависимости от операции интерпретируется. Скрутите FAW до 16(так и оставьте если работает). С таким FAW скручивайте RRD(оба, L обычно больше чем S), возможно поедут на 4 оба. Если до 4 не удалось спустить поднимите FAW до уровня RRDL*4 и попробуйте ещё, хотя это скорее всего уже почти предел. Обычно L>=S. L - SG(Same Group). S - DG(Different Group) Напр. RRD_L>=RRD_S. CKE=5 СCDL>=4 RDRD_DD и прочие подобные можно проигнорировать если у вас нет двух планок на один канал (4 планки). DD-Different Dimm. Тоже самое с DR-Different Rank если у вас одноранговая память. RDWR_SG(DG) и подобные сочетания скручивайте до минимальных рабочих, потом накиньте сверху +2. Как уже отметил обычно SG>=DG. WTR не трогайте он сам спустится когда будете скидывать WRRD_SG(DG) и прочие подобные. Если сам меньше не стал тогда руками скидывать. WR снижать через WRPRE если есть. Если нет или не снижает WR, То скрутите его скажем до 12 или +4 от рабочего, потом дожмёте если не лень будет. RFC явных формул нет, крутить после всего списка сверху. Не пытайтесь найти его минимальное значение если не хотите чтобы память начинала сыпать ошибками от любого чиха. найдите пограничное со стабильностью значение и накиньте сверху 20 или сразу 40. Может реагировать на RAS+RP, RRD, FAW, причём в обе стороны (то есть может "сломаться" если задрать названные), а может и не реагировать... REFi больше лучше. Связан с RFC. REFI сколько память "работает" - RFC сколько "отдыхает". Оба тайминга лучше не пытаться найти предельное значение.Заметно реагируют на температуру. Многие тайминги отзываются и на температуру и на напряжение. Поскольку напряжение может как позволить снизить тайминг, так и увеличить температуру, то середину можно искать очень долго, поэтому лучше бы вовремя остановится. Тестируйте тщательно с перезагрузками, сном, холодным стартом. RTL и IOL вам кто-то другой пусть советует как настраивать, от них у меня голова болеть начинает...
tRASmin=tCL+tRCD+2 WTRS/L устанавливаются в биосе через WRRDdg/sg согласно формуле: WRRD_sg=6+CWL+WTR_L WRRD_dg=6+CWL+WTR_S WR - через WRPRE (для матплат ASUS): WRPRE=4+CWL+WR RTP - через RDPRE (для матплат ASUS) RDPRE=RTP
VDDDQ=1.5 V max по Jedec VrefCA=0.6xVDDDQ=0.9 V (max по Jedec), в даташите контроллера интел тоже разрешено максимальное vrefca=0.6xVdddq. То есть при обычной настройке биоса, когда VrefCA=0.5xVDDDQ, VDRAM<=1.8 V, чтобы уложиться в нормы по Jedec. А если при этом в биосе настроить vrefca=0.49xvdddq (разрешено по Jedec), то безопасное Vdram может быть еще выше=1.837 V. Вывод: для контроллера процессора напряжение на память <=1.8 V неопасно
CPU Name: Intel® Core™ i7-7740K CPU @ 4.30GHz Motherboard Model: MSI X299 GAMING PRO CARBON AC (MS-7A95) Total Size: 8192 MB Type: Single Channel (64 bit) DDR4-SDRAM Frequency: 2750 MHz - Ratio 1:31 Timings: 21-31-31-63-2 (tCAS-tRC-tRP-tRAS-tCR) Slot #1 Module: G.Skill 8192 MB (DDR4-2137) - XMP 2.0 - P/N: F4-3200C14-8GVR
[img]Ссылка на скрин[/img] Для сбора статистики по установленным чипам памяти просьба прикладывать скрины программы Taiphoon Burner и указывать напряжения на DIMM, IO и SA![/color]
Below are the typical tRFC in ns for the common ICs: IC tRFC (ns) Hynix 8Gb AFR 260 - 280 Hynix 8Gb CJR 260 - 280 Hynix 8Gb DJR 260 - 280 Micron 8Gb Rev. E 280 - 310 Micron 16Gb Rev. B 290 - 310 Samsung 8Gb B-Die 120 - 180 Samsung 8Gb C-Die 300 - 340
Таблица tRFC от Reous v26
#77
Расшифровка чипов, находящихся в модуле памяти у разных производителей
#77
Ревизии печатных плат. A0,A1 или A2 планки, как узнать
#77 #77 #77 #77
Статистика tRCD планок в зависимости от типов чипов
#77 #77 #77 Чем выше вы в вертикальном столбце, тем удачнее планки. Чем интенсивнее цвет, тем выше статистический процент (данные старые,теперь удачнее чипы выходят) На 1 таблице все,что выше красной линии - суперотборники.
Советы по верной тренировке
1.Поднять напряжения на VCCSA и VCCIO. 2.Включить в биосе Round Trip Latency. 3.Для гигабайтов - memory enchancement=normal.
Руководство по разгону памяти для начинающих блондинок
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 01.02.2010 Фото: 12
Agiliter писал(а):
Варианты типа RRD_S=4, RRD_L=4-6 FAW=16, кто-то даже писал, что производительность падала, хотя у меня нет идей почему.
the tFAW parameter applies across different bank groups five ACTIVATE commands issued at tRRD_L (MIN) to the same bank group would be limited by tRC. А вообще до сих пор вроде тут никто не проверял *4 и *5.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 01.02.2010 Фото: 12
anta777 а вот оно че, а меня еще и смутило до этого ранее предложение - Another timing restriction for consecutive ACTIVATE commands [issued at tRRD (MIN)] is tFAW (fifth activate window). Хотя tFAW - four activate windows.
Добавлено спустя 8 минут 47 секунд: А как тогда быть с табличными значениями где берется для разных случаев (размер страницы, у нас то по идее 1 КБ?) *4 и *5 ? и скрины здесь проскакивали вроде где как раз было *5. Вот например
Куратор темы Статус: Не в сети Регистрация: 10.06.2011
Объясню еще раз, потом уже не буду, так как надоело. FAW-минимальное время между первой командой ACT и 5-й командой ACT, ограничением выступают максимальные токи, которые может выдержать микросхема памяти. А так ее можно выставлять хоть равным 0, что снимает все ограничения. <=16 тоже снимает все ограничения, если "умный" биос при выставлении значений FAW<16 не применяет сам какое-то среднее (безопасное) свое значение. Минимальное время между двумя командами ACT - это RRDS, которое на данном этапе развития памяти (с ее BL=8)=BL/2=4. FAW определяет, когда раньше всего можно послать 5-ю команду ACT. Для 1К FAW=21 ns по стандарту. Если запас по току позволяет, то лучше всего выставлять FAW=16, так как тем самым мы этим снимаем ограничение со стороны FAW для работы памяти.
Advanced member
Статус: Не в сети Регистрация: 29.03.2017
FAW один из самых простых и однозначных таймингов суть которого в его названии. Не надо пытаться придумывать ему ничего сложного. Вы неправильно переводите или понимаете перевод поэтому и возникает путаница.
#77
Размер страницы никакого отношения к этому не имеет. В большой странице больше ячеек, поэтому и времени на неё надо больше, там больше и RRD.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 01.02.2010 Фото: 12
Agiliter писал(а):
Вы неправильно переводите или понимаете перевод поэтому и возникает путаница.
Да, путал команду активации с окном активации, признаю.
Agiliter писал(а):
Размер страницы никакого отношения к этому не имеет.
так а на что тогда ориентироваться при выставлении FAW ? по "правильному" 4 * RRD_L получается, идет и 4*RRD_S, остается узнать разницу в производительности
anta777 писал(а):
то я с вами не в первый раз в корне не согласен
а в чем в данном случае нет согласия?
Agiliter писал(а):
У нас разве есть разное мнение по поводу FAW?
на данный момент меня смущают разве что разные случаи page size т. е. в каких случаях применяются 1/2 и 2 КБ
Advanced member
Статус: Не в сети Регистрация: 29.03.2017
По правильному это любые активации, без разницы какие. Там может быть мешанина(и будет) из RRD_S, RRD_L а в особо кривом разгоне ещё и RC может поместиться. В реальной работе количество доступов в секунду измеряется миллионами(300млн в сек текущий предел для DDR4). Поэтому я вообще не вижу смысла крутить RRD если FAW не идёт вниз.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 18.09.2017 Откуда: Москва Фото: 4
Ну вот, в конце концов получилось, как Anta сразу и говорил:
#77
Вроде жить можно.
Я попробовал выставить tRC=54 и поймал ошибку на 14-й минуте экстрим конфига. Интересно то, что фиксация tRC заметно ускорила тренировку. Может стоит все-таки подобрать? А может и tWTR_L/S, заодно, заневолить?
Advanced member
Статус: Не в сети Регистрация: 29.03.2017
Рабочее значение RC где-то между RAS+RP и RAS+RP+10. Чем оно больше, тем больше смысла попробовать поднять что-то другое чтобы его понизить, вероятно это RCD.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 18.09.2017 Откуда: Москва Фото: 4
Agiliter писал(а):
Рабочее значение RC где-то между RAS+RP и RAS+RP+10. Чем оно больше, тем больше смысла попробовать поднять что-то другое чтобы его понизить, вероятно это RCD.
Т.е. может быть смысл откатиться к 16-17-17-37 ради меньшего RC?
Advanced member
Статус: Не в сети Регистрация: 29.03.2017
sdvuh Только смотрите что лучше в производительности, PhotoWorxx, линпак, y-cruncher, игры, архиваторы. Короче что угодно реагирующее на память кроме обычного теста кэша и памяти аиды, он не на все изменения реагирует.
St@s1987 Если у вас будет огромный FAW и низкие RC и RRD. то может получиться что FAW перекроет RC. Я приводил пример на позапрошлой странице.
Кому обязан и почему? смотрите на это в большем масштабе чем одно окно. Я уже написал, что активаций миллионы в секунду. Есть огромная разница будет у вас их 100млн или 300млн.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 18.09.2017 Откуда: Москва Фото: 4
Agiliter писал(а):
Только смотрите что лучше в производительности, PhotoWorxx, линпак, y-cruncher, игры, архиваторы. Короче что угодно реагирующее на память кроме обычного теста кэша и памяти аиды, он не на все изменения реагирует.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 01.02.2010 Фото: 12
Agiliter писал(а):
Кому обязан и почему? смотрите на это в большем масштабе чем одно окно. Я уже написал, что активаций миллионы в секунду. Есть огромная разница будет у вас их 100млн или 300млн.
ну у нас же и задержки в нс, и судя по этой фразе нет смысла как будто вообще FAW трогать
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 22.11.2007 Откуда: Вавилон-5 Фото: 0
MeDd писал(а):
это на какой напруге и частоте на проц такой жор 295вт? Обычно вроде в 200-220 можно уложиться даже с 5ггц.
Если память не гнать можно конечно, но у меня с увеличением скорости памяти проц жрет все больше, чем больше гфлопс. 5.0 avx не реально, на 4.9 линкс проходит, 1.4v с просадкой до 1.22 пока идет avx, llc5, 530 гфлопс. И 295 ватт это именно в период когда напряжение минимально, так что я не знаю как тут уменьшить жор, io sa 1.28 видимо из-за них. Ослаблять память только. Меньше Vcore - ниже просадка и линкс не проходит, llc6 - начинается вообще жесть.
_________________ Вот котелок, кипит на огне, места в нем хватит Лондо и мне.
Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей и гости: 28
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения