AMT - Asus MemTweakit Asus MemTweakIt 2.02.44 При настройке памяти в BIOS ставим ОБЯЗАТЕЛЬНО MRC Fast boot=disable (включаем при этом режим тонкой тренировки, если же выставим enable, то включаем режим грубой тренировки). Оптимально при разгоне памяти использовать в биосе множитель памяти 133, а не авто или 100, что даст возможность создать комфортные условия для контроллера памяти в процессоре и снизить напряжения ио и са ! Недаром в Jedec шаг между спидбинами именно 133, а не 100! Для плат с Alder Lake напряжения VDD и VDDQ на память могут отличаться не больше, чем на 300 мВ. Для плат на основе логики z690 и b660: VDD>VDDQ VDDQ>=VDD-300mV(0.3V) Лучше на VDDQ не превышать 1.25V. Вполне возможно 1.30V. MSI дает зазор до 1.40V. Для таймингов должно выполняться требование: _dr=_dd
Разгон памяти у современной DDR4 (16 банков,RRDS=4,FAW=16,BL=8) эффективен только при tRC<=64,если каждый новый блок чтения происходит с разных банков памяти. Для 4-х слотовых плат при разгоне желательно в биосе отключить неиспользуемые слоты. Для максимальной производительности памяти значение tRFC в тактах для 8-Гбитных чипов должно быть кратно 8,а для 16-Гбитных чипов - 16. Если это правило не соблюдать, то будут вставлены лишние такты при каждом цикле обновления памяти. Для желающих максимально снизить tRFC. Делим tRFC на сумму tRCD,tRTP и tRP. Если результат ближе к 4, то снижать tRFC можно по 4 такта. Если результат ближе к 2, то снижать tRFC можно по 2 такта. Это связано с тем, что обновление происходит субмассивами, которые обязательно кратны 2.
Новая информация по tRAS
Чтение с модуля памяти у DDR4 происходит блоками. Минимальный блок сейчас составляет 64 байта, что связано с размером строки кэша у процессора. Этот блок может считываться как с одного банка, так и с разных. tRAS=tRCD+tRTP (при считывании 8 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+4 (при считывании 16 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+8 (считывание 24 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+12 (при считывании 32 байт с одного банка). Самый верный выбор для DDR4! tRAS=tRCD+tRTP+16 (считывание 40 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+20 (считывание 48 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+24 (считывание 56 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+28 (при считывании 64 байт с одного банка) Для DDR4 оптимальным выбором является 4-й или последний вариант. Но если выставить tRAS меньше, то ничего трагичного не произойдет, так как джедек придумала предохранитель (tRTP), поэтому можно не заморачиваться и выставлять минимальный tRAS (=tRCD+tRTP).
Напряжения на процессоре при разгоне памяти
SA- безопасный уровень (по данным MSI) 1.35, растет от частоты памяти и зависит от подключенной периферии к PCIE, чем больше скорость видеокарты и NVME-диска, тем выше нужно напряжение. IO (для Z590 =IO2, а просто IO можно оставлять в авто, для Z690=IVR DDQ)- обычно хорошо работает если на 50 мВ ниже SA, но чем ниже, тем лучше, стараться максимально снижать. Тоже растет с ростом частоты памяти. Для ориентира при настройке всегда рекомендую глянуть, что за напряжения SA и IO выставляет материнка в авто.
Для начала тезисно несколько правил «успешного разгона и установки памяти»:
1. Ни в коем случае не используем XMP профили – этот режим протестирован на совместимость, но не даёт оптимальную производительность. Поскольку заводская настройка не блещет идеальным подбором, можно получить до 20-25% производительности дополнительно, вручную настраивая тайминги и напряжения. Также XMP режим чреват завышениями вольтажа самой память и контроллера памяти\SOC. 2. Правильная установка модулей – А2 (для одного модуля), A2B2 (для двух модулей). 3. Самый лучший разгон по частоте достигается при использовании одного модуля, при наличии двух планок максимальная частота лишь немного хуже. У четырёх – либо хуже (на устаревающем LGA2011-3) либо такой же или лучше (LGA2066), которые могут стабильно работать с 4мя модулями на 4000CL16. 4. Если используется два модуля, то худший модуль (требующий бОльшего напряжения для стабильного разгона) должен стоять ближе к процессору в слоте A2. 5. Перед настройкой частоты и таймингов памяти отключить подсветку модулей памяти - т.к. это даёт лишний нагрев.
УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ГАЙД ПО НАСТРОЙКЕ от Agiliter
Универсальный гайд. 0. Устраните любые потенциальные проблемы с другим железом. Снимите разгон с видеокарты, снизьте частоту цп на 300 с сохранением напряжения. Не забудьте вернуть RTL в авто если сейчас не авто. 1. Крутим очень короткий мемтест, то есть если минуту живёт сразу снижать тайминг дальше. Ищите не стабильность, а явно сбойное значение тайминга, запишите его - пригодится. Гораздо проще найти явно нерабочее значение и от него плясать чем пытаться ловить нестабильность часами. Это также помогает диагностировать сбойные тайминги на ранее "стабильной памяти". Не пытайтесь найти предельные значение сразу. Сначала скрутите до +2 от минимально стабильного. Многие тайминги идут параллельно поэтому бессмысленно пытаться скрутить до упора с первого прохода. CR выставить на 2 если стоит 1. В самом конце можно попробовать скинуть до 1. 3 Ставить только на очень большую частоту или если по другому ну совсем никак.
Начните с RCD, CL. Не обязательно должны быть одинаковыми, обычно CL идёт меньше чем RCD. RAS сразу пробуйте как RCD+CL+4, до этого значения от него существенная разница, дальше меньше. CWL<=CL. Допустимые значения 9,10,11,12,14,16,18,20. RP можете выставить по RCD, если пойдёт меньше - тоже неплохо, не уверен правда насчёт смысла. RTP без формул. Если не идёт вниз можно попробовать поднять чуть чуть RP. В DDR4 явно связан с WR соотношением 2 к 1 (например WR20\RTP10), физически хранится одно значения и в зависимости от операции интерпретируется. Скрутите FAW до 16(так и оставьте если работает). С таким FAW скручивайте RRD(оба, L обычно больше чем S), возможно поедут на 4 оба. Если до 4 не удалось спустить поднимите FAW до уровня RRDL*4 и попробуйте ещё, хотя это скорее всего уже почти предел. Обычно L>=S. L - SG(Same Group). S - DG(Different Group) Напр. RRD_L>=RRD_S. CKE=5 СCDL>=4 RDRD_DD и прочие подобные можно проигнорировать если у вас нет двух планок на один канал (4 планки). DD-Different Dimm. Тоже самое с DR-Different Rank если у вас одноранговая память. RDWR_SG(DG) и подобные сочетания скручивайте до минимальных рабочих, потом накиньте сверху +2. Как уже отметил обычно SG>=DG. WTR не трогайте он сам спустится когда будете скидывать WRRD_SG(DG) и прочие подобные. Если сам меньше не стал тогда руками скидывать. WR снижать через WRPRE если есть. Если нет или не снижает WR, То скрутите его скажем до 12 или +4 от рабочего, потом дожмёте если не лень будет. RFC явных формул нет, крутить после всего списка сверху. Не пытайтесь найти его минимальное значение если не хотите чтобы память начинала сыпать ошибками от любого чиха. найдите пограничное со стабильностью значение и накиньте сверху 20 или сразу 40. Может реагировать на RAS+RP, RRD, FAW, причём в обе стороны (то есть может "сломаться" если задрать названные), а может и не реагировать... REFi больше лучше. Связан с RFC. REFI сколько память "работает" - RFC сколько "отдыхает". Оба тайминга лучше не пытаться найти предельное значение.Заметно реагируют на температуру. Многие тайминги отзываются и на температуру и на напряжение. Поскольку напряжение может как позволить снизить тайминг, так и увеличить температуру, то середину можно искать очень долго, поэтому лучше бы вовремя остановится. Тестируйте тщательно с перезагрузками, сном, холодным стартом. RTL и IOL вам кто-то другой пусть советует как настраивать, от них у меня голова болеть начинает...
tRASmin=tCL+tRCD+2 WTRS/L устанавливаются в биосе через WRRDdg/sg согласно формуле: WRRD_sg=6+CWL+WTR_L WRRD_dg=6+CWL+WTR_S WR - через WRPRE (для матплат ASUS): WRPRE=4+CWL+WR RTP - через RDPRE (для матплат ASUS) RDPRE=RTP
VDDDQ=1.5 V max по Jedec VrefCA=0.6xVDDDQ=0.9 V (max по Jedec), в даташите контроллера интел тоже разрешено максимальное vrefca=0.6xVdddq. То есть при обычной настройке биоса, когда VrefCA=0.5xVDDDQ, VDRAM<=1.8 V, чтобы уложиться в нормы по Jedec. А если при этом в биосе настроить vrefca=0.49xvdddq (разрешено по Jedec), то безопасное Vdram может быть еще выше=1.837 V. Вывод: для контроллера процессора напряжение на память <=1.8 V неопасно
CPU Name: Intel® Core™ i7-7740K CPU @ 4.30GHz Motherboard Model: MSI X299 GAMING PRO CARBON AC (MS-7A95) Total Size: 8192 MB Type: Single Channel (64 bit) DDR4-SDRAM Frequency: 2750 MHz - Ratio 1:31 Timings: 21-31-31-63-2 (tCAS-tRC-tRP-tRAS-tCR) Slot #1 Module: G.Skill 8192 MB (DDR4-2137) - XMP 2.0 - P/N: F4-3200C14-8GVR
[img]Ссылка на скрин[/img] Для сбора статистики по установленным чипам памяти просьба прикладывать скрины программы Taiphoon Burner и указывать напряжения на DIMM, IO и SA![/color]
Below are the typical tRFC in ns for the common ICs: IC tRFC (ns) Hynix 8Gb AFR 260 - 280 Hynix 8Gb CJR 260 - 280 Hynix 8Gb DJR 260 - 280 Micron 8Gb Rev. E 280 - 310 Micron 16Gb Rev. B 290 - 310 Samsung 8Gb B-Die 120 - 180 Samsung 8Gb C-Die 300 - 340
Таблица tRFC от Reous v26
#77
Расшифровка чипов, находящихся в модуле памяти у разных производителей
#77
Ревизии печатных плат. A0,A1 или A2 планки, как узнать
#77 #77 #77 #77
Статистика tRCD планок в зависимости от типов чипов
#77 #77 #77 Чем выше вы в вертикальном столбце, тем удачнее планки. Чем интенсивнее цвет, тем выше статистический процент (данные старые,теперь удачнее чипы выходят) На 1 таблице все,что выше красной линии - суперотборники.
Советы по верной тренировке
1.Поднять напряжения на VCCSA и VCCIO. 2.Включить в биосе Round Trip Latency. 3.Для гигабайтов - memory enchancement=normal.
Руководство по разгону памяти для начинающих блондинок
Junior
Статус: Не в сети Регистрация: 23.03.2019 Фото: 4
Здравствуйте. Помогите настроить память на 3200, пожалуйста. Выставил все по простой таблице от anta777, выставил tCWL на 16 - комп не стартует, поставил на 15 - запустился. Из-за tCWL 15 неправильно выставляет мат.плата tWTRL и tWTRS. Что нужно выставить чтобы все было нормально?
Настраивал при VDram 1.42, IO 1.25, SA 1.3 (по мониторингу везде +0.02) Снижение любого из таймингов tRFC/tRRD_L/tRDWRsg/dg и увеличение tREFI свыше 58000 приводило к ошибкам в Extreme тесте, поэтому остановился на тех значениях что указаны на скриншоте, с ними проходит тест без ошибок и на сниженном до VDram 1.4 io 1.13 sa 1.2 вольтаже. Изменение dr/dg, несмотря на то что память одноранг, так же пагубно влияет на стабильность.
Куратор темы Статус: Не в сети Регистрация: 10.06.2011
DorveL писал(а):
anta777 не запускается комп ни на 3600 16-19, ни на 16-20, только 3200 16-19, но сейчас tCWL стоит на 16 и всё по таблице работает
WRRD_dr=9 WRWR_dr=9 И пробовать 3400, 3600, 3500. Еще RDRD_dr=7 и RDRD_sg=7 сделать для гарантии. RDWRsg/dg/dr/dd=12 попробовать
Добавлено спустя 4 минуты 44 секунды: aSq1x Какая версия биоса стоит? И тайминги должны быть 16-19-19-39 как минимум, а то и 16-20-20-40. _dr=1 и _dd=1 при правильных таймингах никак не должны влиять на стабильность
Куратор темы Статус: Не в сети Регистрация: 10.06.2011
Так проверить очень легко. Все _dr и _dd тайминги выставить =1, а первички 16-19-19-39 или 16-20-20-40 и посмотреть, где нет ошибок. Асрок оптимизация включена? Тренировка включена?
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 20.08.2010 Фото: 6
anta777 писал(а):
Так проверить очень легко. Все _dr и _dd тайминги выставить =1, а первички 16-19-19-39 или 16-20-20-40 и посмотреть, где нет ошибок. Асрок оптимизация включена? Тренировка включена?
Попробую, оптимизация вкл, mrc fast boot вкл., при изменении таймингов она ее перетренировывает как я понимаю и если значения в ртл блоке скачут я отключаю mrc fast boot для повторных тренингов.
вот что мать выставляет по дефолту и что вроде как 100% работает
Вложение:
17171739.jpg [ 396.69 КБ | Просмотров: 436 ]
вот я выставляю по таблице ( иза саб таймингов фиксированы только RW's даже если их на максимальное значение 15 поставить это не как не отражается на стабильности только если их занижать меньше этих значений то стабильность уходит, правила для них не пойму везде совет максимум то что имею ну или 7 7 7 7 все. )
Вложение:
fvvvvvf.jpg [ 343.33 КБ | Просмотров: 436 ]
са ио тут вовсе не играет роли хоть в дефолте хоть завышаю их.
Честно буду рад любым советам/догадкам , что мешает разгону и какой тайминг не правильный , причина именно в таймингах так как на операция выше 1 к FFT обвал когда в мемтесте екстрим 5 может все "3 круга ада" пройти без ошибок. С тренировкой вроде все порядке она там как будто лабораторная ровная под линеечку ( добился перестановкой планок ) , во всяком случае из доступных и видимый значений тренеровки.
Да я зациклился на этих 3000 15 17 17 , но фиг с ними главное что бы по правилу cl/freq было 200 или более .
Добавлено спустя 7 минут 43 секунды: Также вот более подробная инфа
Advanced member
Статус: Не в сети Регистрация: 30.03.2017 Откуда: Москва/Вешняки Фото: 11
mraksoll писал(а):
Делаю последнею попытку разгона
а чего с делюкса не перенёс(если там гонял эти 8шт х16GB + этот же проц и без приключений) все тайминги + отследить колебания вольтажей в нагрузке делюксовские и также(1к1) подстроить на этой мамане? + выведи(если есть такая тема) потребление ватт по памяти(DRAM SVID Support - enаbled)
интересно взглянуть в даташите второстепенные вольтажи
но на кингстоне даташит ток по новые ревизии
Код:
SPECIFICATIONS *Power will vary depending on the SDRAM used. HX430C15PB3K2/32 32GB (16GB 2G x 64-Bit x 2 pcs.) DDR4-3000 CL15 288-Pin DIMM Continued >> FEATURES HyperX HX430C15PB3K2/32 is a kit of two 2G x 64-bit (16GB) DDR4-3000 CL15 SDRAM (Synchronous DRAM) 2Rx8, memory module, based on sixteen 1G x 8-bit FBGA components per module. Each module kit supports Intel® Extreme Memory Profiles (Intel® XMP) 2.0. Total kit capacity is 32GB. Each module has been tested to run at DDR4-3000 at a low latency timing of 15-17-17 at 1.35V. The SPDs are programmed to JEDEC standard latency DDR4-2400 timing of 17-17-17 at 1.2V. Each 288-pin DIMM uses gold contact fingers. The JEDEC standard electrical and mechanical specifications are as follows: CL(IDD) Row Cycle Time (tRCmin) Refresh to Active/Refresh Command Time (tRFCmin) Row Active Time (tRASmin) Maximum Operating Power UL Rating Operating Temperature Storage Temperature 17 cycles 45.75ns(min.) 350ns(min.) 32ns(min.) TBD W* 94 V - 0 0o C to +85o C -55o C to +100o C XMP TIMING PARAMETERS •JEDEC: DDR4-2400 CL17-17-17 @1.2V •XMP Profile #1: DDR4-3000 CL15-17-17 @1.35V •XMP Profile #2: DDR4-2666 CL15-17-17 @1.35V • Power Supply: VDD = 1.2V Typical • VDDQ = 1.2V Typical • VPP - 2.5V Typical • VDDSPD = 2.25V to 3.6V • On-Die termination (ODT) • 16 internal banks; 4 groups of 4 banks each • Bi-Directional Differential Data Strobe • 8 bit pre-fetch • Burst Length (BL) switch on-the-fly BL8 or BC4(Burst Chop) • Height 1.661” (42.20mm)
одним словом думать , думать и еще раз думать , чем сложнее , тем вкуснее будет найденное решение
я щас думаю поймать снова ошибку и разобраться какие операции в памяти проходят на ней и от этого уже отталкиваться. чтение, запись или поддержание значения в ячейке летит.
Последний раз редактировалось mraksoll 14.12.2019 18:43, всего редактировалось 2 раз(а).
Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей и гости: 13
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения