Сообщения без ответов | Активные темы


Список форумов » Тематические форумы » Оперативная память

Часовой пояс: UTC + 3 часа




Куратор(ы):   anta777   



Начать новую тему Новая тема / Ответить на тему Ответить  Сообщений: 17342 • Страница 708 из 868 • <  1 ... 705  706  707  708  709  710  711 ... 868  >
  Пред. тема | След. тема 
В случае проблем с отображением форума, отключите блокировщик рекламы
Автор Сообщение
  Hermes_Conrad

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 04.05.2024
Фото: 8
Temirtausec писал(а):
В гайдах писали что можно свой XMP зашить, так что думаю проблем не составит.

Опять же странно...
Так-то гайдов не много, зато блогеры (сборщики и не только) и в видосах и особенно на стримах не один год постоянно говорят одно и то же - для ryzen берите 2х16 с xmp 6000 cl30 (там точно hynix), и лучше не берите 6400, а в сторону 6800 вообще не смотрите. Так минуточку, а какая тогда разница, если например 6000cl28 стоят дороже 6400cl32, можно получается взять их или сl30 и записать профиль от 6000cl28. Посмотрел на втором комплекте (A-die), точно так есть возможность записи:
hynix A-die
Вложение:
Screenshot_1.jpg
Screenshot_1.jpg [ 454.33 КБ | Просмотров: 4666 ]

_________________
https://valid.x86.fr/vynwaz

Реклама

Партнер
  Temirtausec

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 25.01.2023
Откуда: Казахстан
Фото: 3
Hermes_Conrad писал(а):
Опять же странно...
Так-то гайдов не много, зато блогеры (сборщики и не только) и в видосах и особенно на стримах не один год постоянно говорят одно и то же - для ryzen берите 2х16 с xmp 6000 cl30 (там точно hynix), и лучше не берите 6400, а в сторону 6800 вообще не смотрите. Так минуточку, а какая тогда разница, если например 6000cl28 стоят дороже 6400cl32, можно получается взять их или сl30 и записать профиль от 6000cl28. Посмотрел на втором комплекте (A-die), точно так есть возможность записи:

Да это чисто маркетинг, выпустим много разной по названию и профилями XMP, а по факту одни и теже планки скорее всего.
Мало кто будет наверное зашивать свой профиль в память. Проще руками настроить как надо, да сохранить профиль в биосе. Там не только тайминги, еще и напруги надо прописать.
У меня память 6800 cl 34, хотя легко едет на cl 32, а на cl34 в 7600 запускается. CL28 на 6000 не смог загрузиться в биос

_________________
Lian LI OD11 EVO XL/SL140INF|Apex Encore Z790|14900KS|T-Force Xtreem 2*24GB|LF3 420|MSI Trio 4080 Super|512GB KC3000+2TB 990PRO|EVGA G6 1000W

  KrabKley

Junior
Статус: Не в сети
Регистрация: 16.12.2010
CHiCHo писал(а):
KrabKley писал(а):
некачественной или испорченной памяти?

ну, патриоты. Я не уверен, что там за чипы, и можно ли старый мдай поставить в 64 гига, и если это технически возможно, не удивлюсь, если так.
KrabKley писал(а):
CTCED564G6400HC34BDC01

по идее да.
А почему не 48 гиг?
С ними сильно проще и выше частоты
https://28bit.ru/category/operativnaya- ... B%5D=25889
как тестировать ТМ5 - в шапке есть указания. Пресет нужен экстрим


Ну наконец-то тест пройден. Дело было в багованной памяти! а не в процце! Можно было не менять проц).
CTCED564G6400HC34BDC01 24 год 45 неделя SK hynix. Какие именно ХЗ. тупо по хмп на 6400 и нет проблем. Гнать не пробовал! В стресс тесте на 3 часа максимум память нагрелась до 60 градусов без обдува. Хорошие радиаторы.
ЗЫ. Доволен как слон. Хотя бюджет увеличения с 32 до 64 рам был 10к а получился 40 + ещё для нового процца 14700кф надо летом будет брать водянку или кондей в комнату ))) + Надо будет с таймингами пошаманить )
Спасибо за подсказки!


Вложения:
2024-11-28_23-51-24.png
2024-11-28_23-51-24.png [ 464.71 КБ | Просмотров: 4511 ]
2024-11-28_23-32-28.png
2024-11-28_23-32-28.png [ 370.24 КБ | Просмотров: 4513 ]
  joint831

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 07.12.2019
Фото: 1
KrabKley

А в Аиде что показывает?

_________________
285K, Noctua NH-D15 G2, ASUS 4080 Noctua Edition, Z890 AORUS ELITE WIFI7, 96GB (2x48GB) DDR5-6800 CL34-46-46-108 1.35V, Seasonic PRIME TX ATX 3.0 1300 W

  TeXtremeT

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 26.09.2008
Откуда: Samara
Фото: 0
KrabKley
Никакой водянки не надо. Оттестил один раз на анлиме с кульками на всю.
Потом поставить tmax на 75-85, ну сбросит частоту на 300 мгц, ничего не поменяется в игре вообще и тишина.

_________________
Если твой компьютер работает нормально, но охота просто так поковыряться - лучше не надо. ;-D

  KrabKley

Junior
Статус: Не в сети
Регистрация: 16.12.2010
joint831 писал(а):
KrabKley

А в Аиде что показывает?

Вся инфа из аиды.
Оперативная память Team Group DDR5 64Gb (2x32Gb) 6400MHz pc-51200 T-Create Expert CL34 1.35V (CTCED564G6400HC34BDC01)

Код:
--------[ AIDA64 Extreme ]----------------------------------------------------------------------------------------------

    Версия                                            AIDA64 v7.40.7100/ru
    Тестовый модуль                                   4.7.907.8-x64
    Домашняя страница                                 http://www.aida64.com/
    Тип отчёта                                        Быстрый отчёт
    Компьютер                                         KRABKLEY-PC
    Генератор                                         KrabKley
    Операционная система                              Microsoft Windows 11 Pro 10.0.26100.2314 (Win11 24H2 2024 Update)
    Дата                                              2024-11-29
    Время                                             12:24


--------[ SPD ]---------------------------------------------------------------------------------------------------------

  [ DIMM2: Team Group UD5-6400 ]

    Свойства модуля памяти:
      Имя модуля                                        Team Group UD5-6400
      Дата выпуска                                      Неделя 45 / 2024
      Размер модуля                                     32 ГБ (32 banks)
      Тип модуля                                        Unbuffered DIMM
      Тип памяти                                        DDR5 SDRAM
      Скорость памяти (EXPO)                            DDR5-6400 (3200 МГц)
      Скорость памяти                                   DDR5-5200 (2600 МГц)
      Ширина модуля                                     64 bit
      Напряжение модуля (EXPO)                          1.35 V
      Напряжение модуля (VDD)                           1.1 V
      Напряжение модуля (VDDQ)                          1.1 V
      Напряжение модуля (VPP)                           1.8 V
      Метод обнаружения ошибок                          Нет
      Производитель DRAM                                SK hynix
      SDRAM Die Count                                   1

    Тайминги памяти:
      @ 3205 МГц (EXPO)                                 34-44-44-84  (CL-RCD-RP-RAS)
      @ 2604 МГц                                        46-42-42-84  (CL-RCD-RP-RAS) / 125-769-417-339-79  (RC-RFC1-RFC2-RFCSB-WR)
      @ 2604 МГц                                        42-42-42-84  (CL-RCD-RP-RAS) / 125-769-417-339-79  (RC-RFC1-RFC2-RFCSB-WR)
      @ 2500 МГц                                        40-40-40-80  (CL-RCD-RP-RAS) / 120-738-400-325-75  (RC-RFC1-RFC2-RFCSB-WR)
      @ 2250 МГц                                        36-36-36-72  (CL-RCD-RP-RAS) / 108-664-360-293-68  (RC-RFC1-RFC2-RFCSB-WR)
      @ 2000 МГц                                        32-32-32-64  (CL-RCD-RP-RAS) / 96-590-320-260-60  (RC-RFC1-RFC2-RFCSB-WR)
      @ 1875 МГц                                        30-30-30-60  (CL-RCD-RP-RAS) / 90-554-300-244-57  (RC-RFC1-RFC2-RFCSB-WR)
      @ 1750 МГц                                        28-28-28-56  (CL-RCD-RP-RAS) / 84-517-280-228-53  (RC-RFC1-RFC2-RFCSB-WR)
      @ 1624 МГц                                        26-26-26-52  (CL-RCD-RP-RAS) / 78-480-260-212-49  (RC-RFC1-RFC2-RFCSB-WR)
      @ 1374 МГц                                        22-22-22-44  (CL-RCD-RP-RAS) / 66-406-220-179-42  (RC-RFC1-RFC2-RFCSB-WR)

    Extreme Memory Profile v3.0:
      Имя профиля                                       TG-6400-34-44-84
      Скорость памяти                                   DDR5-6400 (3200 МГц)
      Напряжение питания (VDD)                          1.35 V
      Напряжение питания (VDDQ)                         1.35 V
      Напряжение питания (VPP)                          1.80 V
      Напряжение питания (Контроллер памяти)            1.10 V
      Рекомендуется DIMM на канал                       1
      Dynamic Memory Boost                              Не поддерживается
      Real-Time Memory Frequency Overclocking           Не поддерживается
      @ 3205 МГц                                        34-44-44-84  (CL-RCD-RP-RAS) / 128-946-513-417-97  (RC-RFC1-RFC2-RFCSB-WR)

    Extreme Memory Profile v3.0:
      Имя профиля                                       TG-6000-42-46-76
      Скорость памяти                                   DDR5-6000 (3000 МГц)
      Напряжение питания (VDD)                          1.30 V
      Напряжение питания (VDDQ)                         1.30 V
      Напряжение питания (VPP)                          1.80 V
      Напряжение питания (Контроллер памяти)            1.10 V
      Рекомендуется DIMM на канал                       1
      Dynamic Memory Boost                              Не поддерживается
      Real-Time Memory Frequency Overclocking           Не поддерживается
      @ 3003 МГц                                        42-46-46-76  (CL-RCD-RP-RAS) / 122-886-481-391-91  (RC-RFC1-RFC2-RFCSB-WR)

    EXtended Profiles for Overclocking v1.0:
      Скорость памяти                                   DDR5-6400 (3200 МГц)
      Напряжение питания (VDD)                          1.35 V
      Напряжение питания (VDDQ)                         1.35 V
      Напряжение питания (VPP)                          1.80 V
      Рекомендуется DIMM на канал                       1
      Тайминги памяти                                   34-44-44-84  (CL-RCD-RP-RAS) / 128-946-513-417-97  (RC-RFC1-RFC2-RFCSB-WR)
      CAS To CAS Delay (tCCD)                           Same Bank Group: 17T
      RAS To RAS Delay (tRRD)                           Same Bank Group: 17T
      Write To Read Delay (tWTR)                        Same Bank Group: 33T, Diff. Bank Group: 9T
      Read To Precharge Delay (tRTP)                    25T
      Four Activate Window Delay (tFAW)                 33T
      Write CAS To CAS Delay (tCCDW)                    Same Bank Group: 65T

    EXtended Profiles for Overclocking v1.0:
      Скорость памяти                                   DDR5-6000 (3000 МГц)
      Напряжение питания (VDD)                          1.30 V
      Напряжение питания (VDDQ)                         1.30 V
      Напряжение питания (VPP)                          1.80 V
      Рекомендуется DIMM на канал                       1
      Тайминги памяти                                   42-46-46-76  (CL-RCD-RP-RAS) / 122-886-481-391-91  (RC-RFC1-RFC2-RFCSB-WR)
      CAS To CAS Delay (tCCD)                           Same Bank Group: 16T
      RAS To RAS Delay (tRRD)                           Same Bank Group: 16T
      Write To Read Delay (tWTR)                        Same Bank Group: 31T, Diff. Bank Group: 8T
      Read To Precharge Delay (tRTP)                    23T
      Four Activate Window Delay (tFAW)                 33T
      Write CAS To CAS Delay (tCCDW)                    Same Bank Group: 61T

    Функции модуля памяти:
      Asymmetrical Module                               Нет
      HeatSpreader                                      Нет

    Производитель модуля памяти:
      Фирма                                             Team Group Inc.
      Информация о продукте                             http://www.teamgroup.com.tw/filterable_product/filterable_catalog/data/en/9/0/278724.html

  [ DIMM4: Team Group UD5-6400 ]

    Свойства модуля памяти:
      Имя модуля                                        Team Group UD5-6400
      Серийный номер                                    0202A9B7h (3081306626)
      Дата выпуска                                      Неделя 45 / 2024
      Размер модуля                                     32 ГБ (32 banks)
      Тип модуля                                        Unbuffered DIMM
      Тип памяти                                        DDR5 SDRAM
      Скорость памяти (EXPO)                            DDR5-6400 (3200 МГц)
      Скорость памяти                                   DDR5-5200 (2600 МГц)
      Ширина модуля                                     64 bit
      Напряжение модуля (EXPO)                          1.35 V
      Напряжение модуля (VDD)                           1.1 V
      Напряжение модуля (VDDQ)                          1.1 V
      Напряжение модуля (VPP)                           1.8 V
      Метод обнаружения ошибок                          Нет
      Производитель DRAM                                SK hynix
      SDRAM Die Count                                   1

    Тайминги памяти:
      @ 3205 МГц (EXPO)                                 34-44-44-84  (CL-RCD-RP-RAS)
      @ 2604 МГц                                        46-42-42-84  (CL-RCD-RP-RAS) / 125-769-417-339-79  (RC-RFC1-RFC2-RFCSB-WR)
      @ 2604 МГц                                        42-42-42-84  (CL-RCD-RP-RAS) / 125-769-417-339-79  (RC-RFC1-RFC2-RFCSB-WR)
      @ 2500 МГц                                        40-40-40-80  (CL-RCD-RP-RAS) / 120-738-400-325-75  (RC-RFC1-RFC2-RFCSB-WR)
      @ 2250 МГц                                        36-36-36-72  (CL-RCD-RP-RAS) / 108-664-360-293-68  (RC-RFC1-RFC2-RFCSB-WR)
      @ 2000 МГц                                        32-32-32-64  (CL-RCD-RP-RAS) / 96-590-320-260-60  (RC-RFC1-RFC2-RFCSB-WR)
      @ 1875 МГц                                        30-30-30-60  (CL-RCD-RP-RAS) / 90-554-300-244-57  (RC-RFC1-RFC2-RFCSB-WR)
      @ 1750 МГц                                        28-28-28-56  (CL-RCD-RP-RAS) / 84-517-280-228-53  (RC-RFC1-RFC2-RFCSB-WR)
      @ 1624 МГц                                        26-26-26-52  (CL-RCD-RP-RAS) / 78-480-260-212-49  (RC-RFC1-RFC2-RFCSB-WR)
      @ 1374 МГц                                        22-22-22-44  (CL-RCD-RP-RAS) / 66-406-220-179-42  (RC-RFC1-RFC2-RFCSB-WR)

    Extreme Memory Profile v3.0:
      Имя профиля                                       TG-6400-34-44-84
      Скорость памяти                                   DDR5-6400 (3200 МГц)
      Напряжение питания (VDD)                          1.35 V
      Напряжение питания (VDDQ)                         1.35 V
      Напряжение питания (VPP)                          1.80 V
      Напряжение питания (Контроллер памяти)            1.10 V
      Рекомендуется DIMM на канал                       1
      Dynamic Memory Boost                              Не поддерживается
      Real-Time Memory Frequency Overclocking           Не поддерживается
      @ 3205 МГц                                        34-44-44-84  (CL-RCD-RP-RAS) / 128-946-513-417-97  (RC-RFC1-RFC2-RFCSB-WR)

    Extreme Memory Profile v3.0:
      Имя профиля                                       TG-6000-42-46-76
      Скорость памяти                                   DDR5-6000 (3000 МГц)
      Напряжение питания (VDD)                          1.30 V
      Напряжение питания (VDDQ)                         1.30 V
      Напряжение питания (VPP)                          1.80 V
      Напряжение питания (Контроллер памяти)            1.10 V
      Рекомендуется DIMM на канал                       1
      Dynamic Memory Boost                              Не поддерживается
      Real-Time Memory Frequency Overclocking           Не поддерживается
      @ 3003 МГц                                        42-46-46-76  (CL-RCD-RP-RAS) / 122-886-481-391-91  (RC-RFC1-RFC2-RFCSB-WR)

    EXtended Profiles for Overclocking v1.0:
      Скорость памяти                                   DDR5-6400 (3200 МГц)
      Напряжение питания (VDD)                          1.35 V
      Напряжение питания (VDDQ)                         1.35 V
      Напряжение питания (VPP)                          1.80 V
      Рекомендуется DIMM на канал                       1
      Тайминги памяти                                   34-44-44-84  (CL-RCD-RP-RAS) / 128-946-513-417-97  (RC-RFC1-RFC2-RFCSB-WR)
      CAS To CAS Delay (tCCD)                           Same Bank Group: 17T
      RAS To RAS Delay (tRRD)                           Same Bank Group: 17T
      Write To Read Delay (tWTR)                        Same Bank Group: 33T, Diff. Bank Group: 9T
      Read To Precharge Delay (tRTP)                    25T
      Four Activate Window Delay (tFAW)                 33T
      Write CAS To CAS Delay (tCCDW)                    Same Bank Group: 65T

    EXtended Profiles for Overclocking v1.0:
      Скорость памяти                                   DDR5-6000 (3000 МГц)
      Напряжение питания (VDD)                          1.30 V
      Напряжение питания (VDDQ)                         1.30 V
      Напряжение питания (VPP)                          1.80 V
      Рекомендуется DIMM на канал                       1
      Тайминги памяти                                   42-46-46-76  (CL-RCD-RP-RAS) / 122-886-481-391-91  (RC-RFC1-RFC2-RFCSB-WR)
      CAS To CAS Delay (tCCD)                           Same Bank Group: 16T
      RAS To RAS Delay (tRRD)                           Same Bank Group: 16T
      Write To Read Delay (tWTR)                        Same Bank Group: 31T, Diff. Bank Group: 8T
      Read To Precharge Delay (tRTP)                    23T
      Four Activate Window Delay (tFAW)                 33T
      Write CAS To CAS Delay (tCCDW)                    Same Bank Group: 61T

    Функции модуля памяти:
      Asymmetrical Module                               Нет
      HeatSpreader                                      Нет

    Производитель модуля памяти:
      Фирма                                             Team Group Inc.
      Информация о продукте                             http://www.teamgroup.com.tw/filterable_product/filterable_catalog/data/en/9/0/278724.html


Вложения:
CTCED564G6400HC34BDC01.txt [13.27 КБ]
Скачиваний: 36
  heonic

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 23.10.2024
Откуда: Красногорск
Вчера было для меня откровением прочитал на форуме DNS, что мою память и не надо было гнать, особо по вольтажу DDR VDD и DDR VDDQ до 1.50-1.40В, J-SkaR пишет и да, у него Апекс - Сейчас едем 8000 cl40: vdd=1,35, vddq=1,35, MC=1,4, vddq TX=1,35, SA=1,16, по сути память у него работает на стоке, я сам сегодня по пробовал опустить вольтаж и нашел новые В для DDR VDD и DDR VDDQ, первичные тайминги CL у меня на 36 по этому вольтаж вышел не много другим, но все равно, на 1В от первых настроек уронил вольтаж, теперь и память греться меньше будет, DDR VDD было 1.49,5 - стало 1.39,5 (сток 1.35В), DDR VDDQ было 1.40В стало 1.370 В, успел поймать стаб на 7600, 7800 в процессе, в 8000 на стаб не рассчитываю, но все равно на родных первичка CL 40-48-48-128 по пробую с подъемом вольтажа , здесь вопрос: вольтаж DDR VDD поднимать параллельной с VDD2? То есть по одному вольту там и там накидываю и так до 1.5В ползу вверх, пытаюсь 8000 запустить, так правильно буду проводить настройку?
  joint831

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 07.12.2019
Фото: 1
KrabKley писал(а):
Вся инфа из аиды.

Да я имею в виду testmem. Скорость чтения, записи, задержки.
У меня похожая TEAMGROUP T-Create Expert 96GB (2x48GB) DDR5-6400 (CTCED596G6400HC32BDC01). Вчера попробовал 6800 - не завелась. Думаю тайминги подтянуть на 6400, хочу задержку меньше 80 получить.

_________________
285K, Noctua NH-D15 G2, ASUS 4080 Noctua Edition, Z890 AORUS ELITE WIFI7, 96GB (2x48GB) DDR5-6800 CL34-46-46-108 1.35V, Seasonic PRIME TX ATX 3.0 1300 W

  CHiCHo

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 24.03.2006
Откуда: Moscow
Фото: 263
heonic писал(а):
DDR VDD поднимать параллельной с VDD2?

не, вдд2 зависит от вддк памяти.
Для начала, чтобы попробовать 8000, можно поднимать только вдд памяти. Потом, если нет стаба, уже и вддк. ВДД2 подбирать потом заново.
heonic писал(а):
успел поймать стаб на 7600

7600с36 1.4 на памяти - вполне себе хорошо.
Для 7800с34 ориентиром бери вот этот мой скрин:
Вложение:
2024-09-25_112919.png
2024-09-25_112919.png [ 853.41 КБ | Просмотров: 4253 ]

Если 7800с36, то что-то около 1.45-1.47 должно хватить, вддк - 1.41-1.44, так же примерно.
  xzqtr

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 20.08.2009
Откуда: Краснодар
Фото: 11
Развеваем миф о том, что мутанты 13950HX плохо работают c памятью, XMP профиль
Вложение:
7600.png
7600.png [ 1.15 МБ | Просмотров: 4188 ]


Надо ставить обдув, а ещё лучше воду на память)

_________________
Ultra 7-265K\Z890M AORUS ELITE\T-Force Xtreem (2x16Gb) DDR5-8000\MSI 5070ti VANGUARD\1STPLAYER NGDP 1000W Platinum\Samsung 9100 PRO\Montech HS01

  heonic

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 23.10.2024
Откуда: Красногорск
CHiCHo писал(а):
ВДД2 подбирать потом заново.

Благодарю, пробую

Добавлено спустя 5 минут 16 секунд:
xzqtr писал(а):
Если 7800с36, то что-то около 1.45-1.47

не, меньше, 1.39,5В
CHiCHo писал(а):
должно хватить, вддк - 1.41-1.44, так же примерно.

тогда пробую, должно ведь 8000 заработать

Добавлено спустя 2 минуты 57 секунд:
CHiCHo писал(а):
Для 7800с34 ориентиром бери вот этот мой скрин:

у меня практически такой :)
скрин
Вложение:
29_11_24_скрин.jpg
29_11_24_скрин.jpg [ 123.73 КБ | Просмотров: 4178 ]


Добавлено спустя 1 минуту 45 секунд:
Я только на CL34 уйти не могу, не получается
  CHiCHo

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 24.03.2006
Откуда: Moscow
Фото: 263
heonic писал(а):
меньше, 1.39,5В

забыл, что у тебя небинары...
heonic писал(а):
CL34 уйти не могу, не получается


вопрос только вольтажа на память. 1.47/141-144 должны взять, по идее. Может еще Тх надо накинуть и вдд2 заново. СЛ - самый требовательный к напругам тайминг, конечно.
  max77

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 19.12.2020
Откуда: Россия
Фото: 0
heonic ты все в процессе еще.
я уже игру прошел.другую начал а ты еще здесь:)))

_________________
13600kf@Arctic iii 360@Z790 AORUS ELITE AX-W@Adata-XPG@Asus_TUF_RX7900GRE

  heonic

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 23.10.2024
Откуда: Красногорск
max77 писал(а):
ты все в процессе еще

Как говорится дым в трубу, дрова на место, убрал разгон, вольтажы вернулись практически к дефолту, память не греется, нашёл заново вольтажы, 7600 память 1.395 вольта на 7800 после последних замер 1.41 вольта но нормального стаба нет, постоянно, что-то куда-то отъезжает, ушёл на 7600 особо не чего не теряю, главное в Аиде в тесте латенси ддр2 делаю а это главное :D

Добавлено спустя 11 минут 14 секунд:
CHiCHo
Спасибо тебе за помощь, за твои дельные советы :beer: 7600 это пока моё, ты так мне сразу и написал, 7800 и то не факт, так оно и получилось, может с обновлением биоса будет у меня шанс 8000 покрутить но а пока я и так доволен результатом
  heonic

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 23.10.2024
Откуда: Красногорск
Финиш 7600 с кархой, время гонять хватит или на ночь оставлять? CL на 34 не завелся, в таймингах ужал, все что можно было ужать, проверял через Аидовских попугаев, может, что еще надо подкрутить своя фантазия уже закончилась :D
финиш
Вложение:
Финиш_7600_01_12_24.png
Финиш_7600_01_12_24.png [ 366.47 КБ | Просмотров: 3737 ]

тест_N63_V3
Вложение:
тест_N63_ VT3_01_12_24.jpg
тест_N63_ VT3_01_12_24.jpg [ 115.62 КБ | Просмотров: 3737 ]


  vladgerlav

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 26.02.2017
heonic писал(а):
Финиш 7600 с кархой, время гонять хватит или на ночь оставлять?

Так у вас какой процессор, что стоит 64 потока? Память надо было ставить хотя бы 42000 мбайт. Ну и рекомендуют тестировать 10000%.
  heonic

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 23.10.2024
Откуда: Красногорск
vladgerlav писал(а):
что стоит 64 потока?

Точно... у меня 20 потоков, переделываю

Добавлено спустя 54 секунды:
vladgerlav писал(а):
Ну и рекомендуют тестировать 10000%.

Значит до утра оставлю
  Hermes_Conrad

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 04.05.2024
Фото: 8
Привет народ!
Подскажите если tREFI из каких-то ничтожных значений xmp задрать до предела (262143), это чревато чем-то? :?:
Сам мало память гнал, смотрю на разные разгоны, не все так делают, слышал что-то про это говорили, но кто, где уже не помню...

_________________
https://valid.x86.fr/vynwaz

  vladgerlav

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 26.02.2017
Hermes_Conrad писал(а):
Подскажите если tREFI из каких-то ничтожных значений xmp задрать до предела (262143), это чревато чем-то?

Да, чревато. Нулевым профитом, ошибками по памяти. Лучше прописать вручную первичные, вторичные и третичные тайминги, и даже с trefi 32767 будет колоссальная разница, чем xmp с trefi 252143
  Hermes_Conrad

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 04.05.2024
Фото: 8
vladgerlav писал(а):
Да, чревато. Нулевым профитом, ошибками по памяти. Лучше прописать вручную первичные, вторичные и третичные тайминги, и даже с trefi 32767 будет колоссальная разница, чем xmp с trefi 252143

Ок, попробую понизить и посмотрю что в aide-е изменится. Ошибок вроде не было хотя не до конца проверял, говорят что сильно греется из за этого, проверю без обдува еще...

_________________
https://valid.x86.fr/vynwaz

Показать сообщения за:  Поле сортировки  
Начать новую тему Новая тема / Ответить на тему Ответить  Сообщений: 17342 • Страница 708 из 868 • <  1 ... 705  706  707  708  709  710  711 ... 868  >
-

Список форумов » Тематические форумы » Оперативная память

Часовой пояс: UTC + 3 часа


Кто сейчас на конференции

Сейчас этот форум просматривают: Litmus, Дядь Виша и гости: 18

Вы не можете начинать темы
Вы не можете отвечать на сообщения
Вы не можете редактировать свои сообщения
Вы не можете удалять свои сообщения
Вы не можете добавлять вложения

Перейти:  
Создано на основе phpBB® Forum Software © phpBB Group
Русская поддержка phpBB | Kolobok smiles © Aiwan