AMT - Asus MemTweakit Asus MemTweakIt 2.02.44 При настройке памяти в BIOS ставим ОБЯЗАТЕЛЬНО MRC Fast boot=disable (включаем при этом режим тонкой тренировки, если же выставим enable, то включаем режим грубой тренировки). Оптимально при разгоне памяти использовать в биосе множитель памяти 133, а не авто или 100, что даст возможность создать комфортные условия для контроллера памяти в процессоре и снизить напряжения ио и са ! Недаром в Jedec шаг между спидбинами именно 133, а не 100! Для плат с Alder Lake напряжения VDD и VDDQ на память могут отличаться не больше, чем на 300 мВ. Для плат на основе логики z690 и b660: VDD>VDDQ VDDQ>=VDD-300mV(0.3V) Лучше на VDDQ не превышать 1.25V. Вполне возможно 1.30V. MSI дает зазор до 1.40V. Для таймингов должно выполняться требование: _dr=_dd
Разгон памяти у современной DDR4 (16 банков,RRDS=4,FAW=16,BL=8) эффективен только при tRC<=64,если каждый новый блок чтения происходит с разных банков памяти. Для 4-х слотовых плат при разгоне желательно в биосе отключить неиспользуемые слоты. Для максимальной производительности памяти значение tRFC в тактах для 8-Гбитных чипов должно быть кратно 8,а для 16-Гбитных чипов - 16. Если это правило не соблюдать, то будут вставлены лишние такты при каждом цикле обновления памяти. Для желающих максимально снизить tRFC. Делим tRFC на сумму tRCD,tRTP и tRP. Если результат ближе к 4, то снижать tRFC можно по 4 такта. Если результат ближе к 2, то снижать tRFC можно по 2 такта. Это связано с тем, что обновление происходит субмассивами, которые обязательно кратны 2.
Новая информация по tRAS
Чтение с модуля памяти у DDR4 происходит блоками. Минимальный блок сейчас составляет 64 байта, что связано с размером строки кэша у процессора. Этот блок может считываться как с одного банка, так и с разных. tRAS=tRCD+tRTP (при считывании 8 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+4 (при считывании 16 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+8 (считывание 24 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+12 (при считывании 32 байт с одного банка). Самый верный выбор для DDR4! tRAS=tRCD+tRTP+16 (считывание 40 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+20 (считывание 48 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+24 (считывание 56 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+28 (при считывании 64 байт с одного банка) Для DDR4 оптимальным выбором является 4-й или последний вариант. Но если выставить tRAS меньше, то ничего трагичного не произойдет, так как джедек придумала предохранитель (tRTP), поэтому можно не заморачиваться и выставлять минимальный tRAS (=tRCD+tRTP).
Напряжения на процессоре при разгоне памяти
SA- безопасный уровень (по данным MSI) 1.35, растет от частоты памяти и зависит от подключенной периферии к PCIE, чем больше скорость видеокарты и NVME-диска, тем выше нужно напряжение. IO (для Z590 =IO2, а просто IO можно оставлять в авто, для Z690=IVR DDQ)- обычно хорошо работает если на 50 мВ ниже SA, но чем ниже, тем лучше, стараться максимально снижать. Тоже растет с ростом частоты памяти. Для ориентира при настройке всегда рекомендую глянуть, что за напряжения SA и IO выставляет материнка в авто.
Для начала тезисно несколько правил «успешного разгона и установки памяти»:
1. Ни в коем случае не используем XMP профили – этот режим протестирован на совместимость, но не даёт оптимальную производительность. Поскольку заводская настройка не блещет идеальным подбором, можно получить до 20-25% производительности дополнительно, вручную настраивая тайминги и напряжения. Также XMP режим чреват завышениями вольтажа самой память и контроллера памяти\SOC. 2. Правильная установка модулей – А2 (для одного модуля), A2B2 (для двух модулей). 3. Самый лучший разгон по частоте достигается при использовании одного модуля, при наличии двух планок максимальная частота лишь немного хуже. У четырёх – либо хуже (на устаревающем LGA2011-3) либо такой же или лучше (LGA2066), которые могут стабильно работать с 4мя модулями на 4000CL16. 4. Если используется два модуля, то худший модуль (требующий бОльшего напряжения для стабильного разгона) должен стоять ближе к процессору в слоте A2. 5. Перед настройкой частоты и таймингов памяти отключить подсветку модулей памяти - т.к. это даёт лишний нагрев.
УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ГАЙД ПО НАСТРОЙКЕ от Agiliter
Универсальный гайд. 0. Устраните любые потенциальные проблемы с другим железом. Снимите разгон с видеокарты, снизьте частоту цп на 300 с сохранением напряжения. Не забудьте вернуть RTL в авто если сейчас не авто. 1. Крутим очень короткий мемтест, то есть если минуту живёт сразу снижать тайминг дальше. Ищите не стабильность, а явно сбойное значение тайминга, запишите его - пригодится. Гораздо проще найти явно нерабочее значение и от него плясать чем пытаться ловить нестабильность часами. Это также помогает диагностировать сбойные тайминги на ранее "стабильной памяти". Не пытайтесь найти предельные значение сразу. Сначала скрутите до +2 от минимально стабильного. Многие тайминги идут параллельно поэтому бессмысленно пытаться скрутить до упора с первого прохода. CR выставить на 2 если стоит 1. В самом конце можно попробовать скинуть до 1. 3 Ставить только на очень большую частоту или если по другому ну совсем никак.
Начните с RCD, CL. Не обязательно должны быть одинаковыми, обычно CL идёт меньше чем RCD. RAS сразу пробуйте как RCD+CL+4, до этого значения от него существенная разница, дальше меньше. CWL<=CL. Допустимые значения 9,10,11,12,14,16,18,20. RP можете выставить по RCD, если пойдёт меньше - тоже неплохо, не уверен правда насчёт смысла. RTP без формул. Если не идёт вниз можно попробовать поднять чуть чуть RP. В DDR4 явно связан с WR соотношением 2 к 1 (например WR20\RTP10), физически хранится одно значения и в зависимости от операции интерпретируется. Скрутите FAW до 16(так и оставьте если работает). С таким FAW скручивайте RRD(оба, L обычно больше чем S), возможно поедут на 4 оба. Если до 4 не удалось спустить поднимите FAW до уровня RRDL*4 и попробуйте ещё, хотя это скорее всего уже почти предел. Обычно L>=S. L - SG(Same Group). S - DG(Different Group) Напр. RRD_L>=RRD_S. CKE=5 СCDL>=4 RDRD_DD и прочие подобные можно проигнорировать если у вас нет двух планок на один канал (4 планки). DD-Different Dimm. Тоже самое с DR-Different Rank если у вас одноранговая память. RDWR_SG(DG) и подобные сочетания скручивайте до минимальных рабочих, потом накиньте сверху +2. Как уже отметил обычно SG>=DG. WTR не трогайте он сам спустится когда будете скидывать WRRD_SG(DG) и прочие подобные. Если сам меньше не стал тогда руками скидывать. WR снижать через WRPRE если есть. Если нет или не снижает WR, То скрутите его скажем до 12 или +4 от рабочего, потом дожмёте если не лень будет. RFC явных формул нет, крутить после всего списка сверху. Не пытайтесь найти его минимальное значение если не хотите чтобы память начинала сыпать ошибками от любого чиха. найдите пограничное со стабильностью значение и накиньте сверху 20 или сразу 40. Может реагировать на RAS+RP, RRD, FAW, причём в обе стороны (то есть может "сломаться" если задрать названные), а может и не реагировать... REFi больше лучше. Связан с RFC. REFI сколько память "работает" - RFC сколько "отдыхает". Оба тайминга лучше не пытаться найти предельное значение.Заметно реагируют на температуру. Многие тайминги отзываются и на температуру и на напряжение. Поскольку напряжение может как позволить снизить тайминг, так и увеличить температуру, то середину можно искать очень долго, поэтому лучше бы вовремя остановится. Тестируйте тщательно с перезагрузками, сном, холодным стартом. RTL и IOL вам кто-то другой пусть советует как настраивать, от них у меня голова болеть начинает...
tRASmin=tCL+tRCD+2 WTRS/L устанавливаются в биосе через WRRDdg/sg согласно формуле: WRRD_sg=6+CWL+WTR_L WRRD_dg=6+CWL+WTR_S WR - через WRPRE (для матплат ASUS): WRPRE=4+CWL+WR RTP - через RDPRE (для матплат ASUS) RDPRE=RTP
VDDDQ=1.5 V max по Jedec VrefCA=0.6xVDDDQ=0.9 V (max по Jedec), в даташите контроллера интел тоже разрешено максимальное vrefca=0.6xVdddq. То есть при обычной настройке биоса, когда VrefCA=0.5xVDDDQ, VDRAM<=1.8 V, чтобы уложиться в нормы по Jedec. А если при этом в биосе настроить vrefca=0.49xvdddq (разрешено по Jedec), то безопасное Vdram может быть еще выше=1.837 V. Вывод: для контроллера процессора напряжение на память <=1.8 V неопасно
CPU Name: Intel® Core™ i7-7740K CPU @ 4.30GHz Motherboard Model: MSI X299 GAMING PRO CARBON AC (MS-7A95) Total Size: 8192 MB Type: Single Channel (64 bit) DDR4-SDRAM Frequency: 2750 MHz - Ratio 1:31 Timings: 21-31-31-63-2 (tCAS-tRC-tRP-tRAS-tCR) Slot #1 Module: G.Skill 8192 MB (DDR4-2137) - XMP 2.0 - P/N: F4-3200C14-8GVR
[img]Ссылка на скрин[/img] Для сбора статистики по установленным чипам памяти просьба прикладывать скрины программы Taiphoon Burner и указывать напряжения на DIMM, IO и SA![/color]
Below are the typical tRFC in ns for the common ICs: IC tRFC (ns) Hynix 8Gb AFR 260 - 280 Hynix 8Gb CJR 260 - 280 Hynix 8Gb DJR 260 - 280 Micron 8Gb Rev. E 280 - 310 Micron 16Gb Rev. B 290 - 310 Samsung 8Gb B-Die 120 - 180 Samsung 8Gb C-Die 300 - 340
Таблица tRFC от Reous v26
#77
Расшифровка чипов, находящихся в модуле памяти у разных производителей
#77
Ревизии печатных плат. A0,A1 или A2 планки, как узнать
#77 #77 #77 #77
Статистика tRCD планок в зависимости от типов чипов
#77 #77 #77 Чем выше вы в вертикальном столбце, тем удачнее планки. Чем интенсивнее цвет, тем выше статистический процент (данные старые,теперь удачнее чипы выходят) На 1 таблице все,что выше красной линии - суперотборники.
Советы по верной тренировке
1.Поднять напряжения на VCCSA и VCCIO. 2.Включить в биосе Round Trip Latency. 3.Для гигабайтов - memory enchancement=normal.
Руководство по разгону памяти для начинающих блондинок
Advanced member
Статус: Не в сети Регистрация: 29.03.2017
Это описание неверно. RCD - задержка от активации до выбора строки. WR- Для записи . RD - для чтения. CL - задержка от выбора строки выбора столбца. CWL - тоже самое на запись. RAS - минимальная задержка от активации строки до команды Precharge. Именно минимальная, открытой строка будет до тех пор пока КП не решит что пора закрывать. С одной строкой может быть запланировано несколько операций. RP время необходимое на Precharge. RAS+RP идут параллельно с RCD+CL. BL - непосредственно чтение или запись. RC - минимальная задержка до открытия(активации) другой\той же строки в том же банке после команды активации. RRD - минимальное задержка до открытия строки в другом банке после команды активации. FAW - минимальное окно для 4х активаций подряд. Между первой активацией и пятой не может быть меньше времени.
Что здесь стоило бы подкрутить ? Плата gigabyte z370m ds3h , Проц i5 8400 . плашки озу Crucial ballistix tactial (2x8 3000 cl15) (samsung e-die 2ух ранговые). Вольтаж на память 1.42 , IO , SA стоят auto . Дайте пожалуйста safe пресет , если это возможно
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 04.06.2017 Фото: 6
Amfu Для начала проверь держит ли плата вообще эту частоту. Потом крути тайминги. Может быть в одном-двух причина. Может быть в напряжениях. Тут ванг нет
Victor91rus проблема в том что не могу понять по какому принципу выставлять вторичные и тритичные тайминг, плата держит разгон до 4300 напруга 1,4 Нужен Хотябы образец по таймингам чтобы мне было на что ориентироваться
Victor91rus проблема в том что не могу понять по какому принципу выставлять вторичные и тритичные тайминг, плата держит разгон до 4300 напруга 1,4 Нужен Хотябы образец по таймингам чтобы мне было на что ориентироваться
Попробуй tREFI убавить или tRCD поднять, можешь и то и другое
IO 1.2v SA 1.3v Шас попробуй по вашему примеру выставить Выставил, мем тест проходит конфиг от 1usmus_v3, пока вот что получилось. 4200-4300 не берет, не буду даже пробовать, буду искать более удачный кит типа G.SKILL TRIDENT Z
Вложение:
aida.png [ 90.82 КБ | Просмотров: 946 ]
Вложение:
1.jpg [ 381.28 КБ | Просмотров: 946 ]
ЗЫ Не помогло, ошибок стало еще больше даже с завышенным вольтажом памяти IO и SA и всеми вторичками и третичками на авто, буду снижать чистоту памяти до 3600 и 15/15/32 и от этого плясать
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 03.09.2014 Откуда: SPb Фото: 35
tydrtsytdes писал(а):
лучше будет в 1t при Gear Down Mode enabled
пока искал разницу в производительности, оказалось что она и gdm dis 1t может работать, я даже не предполагал и не проверял понизил trtp до 8 чтобы убрать восьмерки в memtest pro (примерно по одной в час) поставил procodt 60 и нормальные сопротивления 24 30 24 24
В общем, не фартонуло мне с чипами, но благодаря этой теме я смог максимум выжать со своих планок. Напруга 1.35, io 1.15, sa 1.2, сами же планки Patriot PVR416G360C6K. Не стал ставить 1.4 или 1.45, так как я считаю там полнейшая кукуруза, 18-18-18-xx тайминги море ошибок при 1.4, 4133 17-19-19-34 СR 1 проходит тест рандомно то с одной ошибкой, то без, 1.45 не тестил, да и смысла наверное нет, все равно 4300 и тем более 4400 не заведется...
Не помогло, ошибок стало еще больше даже с завышенным вольтажом памяти IO и SA и всеми вторичками и третичками на авто, буду снижать чистоту памяти до 3600 и 15/15/32 и от этого плясать
Как вариант, попробовать добавить обдув VRM\памяти, из-за столь конских вольтажей могут лезть ошибки (от перегрева). На Интел это конечно, гораздо менее выражено (нежели на АМД), но я бы всё же попробовал.
Не стал ставить 1.4 или 1.45, так как я считаю там полнейшая кукуруза, 18-18-18-xx тайминги море ошибок при 1.4, 4133 17-19-19-34 СR 1 проходит тест рандомно то с одной ошибкой, то без, 1.45 не тестил, да и смысла наверное нет, все равно 4300 и тем более 4400 не заведется...
Ну при стоковых 1.35В эти планки выше вряд ли поедут
У меня такая же память, на CR1 не заводится даже на 3700 MHz, может стоит выставить CR2, тогда получится снизить тайминги.
Пробовал, я в основном пыжился на CR2, если как у тебя поставить 100500 ошибок сразу, говорят на 9 поколении процессоров планки гонятся лучше. #77
Добавлено спустя 2 минуты 59 секунд:
fedx писал(а):
Ну при стоковых 1.35В эти планки выше вряд ли поедут
Я выставил 1.35, из-за того, что такие параметры как у меня и на 1.35 заводятся, а при 1.4 и при 1.45 выставление чего либо лучше приводит к нестабильности, из-за кукурузного разгона "4133 17-19-19-xx CR2" наверное не стоят 0.04в, да и почтению и записи так же, а латентность 43 даже хуже еще)))
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 04.06.2017 Фото: 6
M0reThxnSpxce А, ну если вы для аиды хотите, то ставите тайминги в максимум и тупо частоту крутите, будут красивые цифры и производительность пентиума. Просто тут обычно ради производительности разгоняют и реальной скорости и латенси памяти, а аиды уже вторичны
Сейчас этот форум просматривают: baribalbear и гости: 15
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения