Member
Статус: Не в сети Регистрация: 23.06.2019 Фото: 0
shuler37 писал(а):
Ты о каком RCD говоришь? tRCDRD может сломать
О нем и речь.
shuler37 писал(а):
tRCDWR у меня 8 едет и ничего не ломает. Только от 8 толку нет вообще
Имхо, его хоть в 1 можно поставить, похоже (не делайте так, это я для красного словца). Похоже, платы не учитывают его, на текущих Agesa. Тем более, что от его ужатия не меняется ничего. Емнип, похожая тема была и на АМ4.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 12.04.2011 Откуда: LV
Настраивал память полтора года назад, все было стабильно. Каждые пол года проверял testmem5, occt cpu+ram, occt cpu avx. Сегодня очередная полугодовая проверка и два из двух раз не прошел testmem5. Уже и не знаю с чего начать, слишком давно выпал из темы, что покрутить для стабильности. Может есть какие советы ? (Vddg- 0.95)
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 23.06.2019 Фото: 0
Я ессно не стал читать многабукв, попросил DeepDeek сделать выжимку. Но исследование проводилось на DDR4. Неизвестно, насколько это применимо к DDR5.
Проблема: RowHammer — это уязвимость современных модулей памяти (DRAM), при которой многократная активация определенной строки памяти («агрессора») вызывает битовые перевороты в соседних строках («жертвах»). С новыми поколениями микросхем эта проблема усугубляется.
Гипотеза и цель исследования: Авторы выдвинули гипотезу, что снижение напряжения на линии слов (V<sub>PP</sub>), которое управляет доступом к строке памяти, может уменьшить уязвимость к RowHammer. Цель работы — впервые экспериментально проверить эту гипотезу на реальных чипах.
Методология: Эксперименты проводились на 272 реальных чипах DDR4 от трех основных производителей. Исследователи снижали только напряжение V<sub>PP</sub>, оставляя основное питание (V<sub>DD</sub>) номинальным.
Ключевые результаты:
Снижение уязвимости к RowHammer: Уменьшение V<sub>PP</sub> доказано повышает устойчивость памяти.
Количество циклов активации, необходимое для первого битового переворота (HC<sub>first</sub>), увеличилось в среднем на 7.4% (максимум — 85.8%).
Частота битовых ошибок (BER) при атаке снизилась в среднем на 15.2% (максимум — 66.9%).
Влияние на надежность работы: Снижение V<sub>PP</sub> незначительно ухудшило некоторые параметры (латентность доступа, время восстановления заряда, время удержания данных). Однако для 208 из 272 чипов это ухудшение осталось в пределах штатных запасов прочности (guardbands), и они продолжили надежную работу с номинальными таймингами.
Решение для остальных чипов: Для 64 чипов, показавших сбои, надежную работу удалось обеспечить с помощью:
Небольшого увеличения времени активации строки.
Простых кодов коррекции ошибок.
Удвоения частоты регенерации (refresh) только для 16.4% строк, что незначительно сказывается на производительности.
Вывод: Снижение напряжения V<sub>PP</sub> является эффективной и перспективной стратегией для повышения защиты от атак RowHammer в современных DRAM-системах. Этот метод не требует изменений в конструкции самих чипов, а его негативное влияние на надежность работы либо минимально, либо легко компенсируется.
Advanced member
Статус: Не в сети Регистрация: 27.02.2007 Откуда: Москва Фото: 81
Phenomenum, DDR5 это DDR4 с блэкджеком, но шлюх пока не добавили. Да и в целом применимо будет для любой динамической памяти, даже на видеокартах, ведь физические принципы одинаковы.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 23.06.2019 Фото: 0
В конце написано, что снижение VPP негативно влияет на производительность. Незначительно. Табличку их я не понял. Нужно курить.
We present the first experimental RowHammer characterization study under reduced wordline voltage (VPP). Our results, using 272 real DDR4 DRAM chips from three major manufacturers, show that RowHammer vulnerability can be reduced by reduc ing VPP. Using real-device experiments and SPICE simulations, we demonstrate that although the reduced VPP slightly wors ens DRAM access latency, charge restoration process and data retention time.
Всех приветствую , в эти нелегкие дни дефицита оперативной памяти, решился сделать небольшой апгрейд своих модулей памяти, и за хорошие деньги даже по меркам старых цен, смог обменять свою память Corsair Vengeance 2x16Gb с таймингами CL 38, 48, 48, 96, на память Crucial Pro (CP2K32G64C40U5W) 2x32Gb с таймингами CL 40, 40, 40, 84. Работа планируется в связке с процессором Ryzen 7 9800x3d , но он к сожалению пока ещё едет , и потестить лично , в том числе потенциал разгона - пока нет возможности. Кто-то сталкивался с этой памятью ? Буду рад услышать ваш опыт , советы и рекомендации !
Настраивал память полтора года назад, все было стабильно. Каждые пол года проверял testmem5, occt cpu+ram, occt cpu avx. Сегодня очередная полугодовая проверка и два из двух раз не прошел testmem5. Уже и не знаю с чего начать, слишком давно выпал из темы, что покрутить для стабильности. Думаю vddq поднять до 1.33 и vsoc 1.125, если не поможет то откатить фабрику до 2133. Может есть какие советы ? (Vddg- 0.95, vddio- 1.25)
Вложение:
ram.png
Вообще это нормально так как вы выжали из нее почти все - она на грани. Предположу что дело в пыли которая накопилась за это время, продуйте сжатым воздухом разъемы. Так же могли слегка окислиться контакты DIMM, попробуйте их очистить, например ластиком и протереть спиртом.
Скачайте последнюю версию ZenTimings, на вышем скрине не видны сопротивления и VDDIO.
Так же для стабилизации: - обновить BIOS(часто улучшают стабильность), - можно включить GDM, - подкорректировать конфигурацию Nitro. - vsoc 1.150, vddio, vddq - 1.270 - попробовать снизить ProcOdt например до 50-55, а может и ниже
Последний раз редактировалось overdm 28.12.2025 0:31, всего редактировалось 9 раз(а).
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 23.06.2019 Фото: 0
HertZ писал(а):
DDR5 это DDR4 с блэкджеком, но шлюх пока не добавили. Да и в целом применимо будет для любой динамической памяти, даже на видеокартах, ведь физические принципы одинаковы.
Ну эт да. Но я не технарь, я не знаю, мало ли в DDR5 что-то поменяли. Коррекция ошибок, например, стала более "мощная". DDR5 в принципе больше прощает, про сравнению с 4.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 20.08.2012 Откуда: Иваново Фото: 28
Phenomenum Ты конкретно описывай свои мысли. А то RCD как бы два. Что там у тебя ломает, некоторым может быть непонятно.
Phenomenum писал(а):
Имхо, его хоть в 1 можно поставить
Это твоё мнение, или можно? Слишком много похоже. Опять же вот это к чему? Я описываю конкретное значение и его преимущество. А не что то там, чего то там, может сломать, да вот я ставил, да вот систему крашнул. Всё это лишнее. Я понимаю, тебе интересно поддержать разговор, но научись как то точнее выражаться. Здесь если что могут быть люди, которым данные тайминги могут быть интересны.
Phenomenum писал(а):
Тем более, что от его ужатия не меняется ничего.
Да вот у пары как то поменялось. То что не меняется у тебя, это лично твои проблемы.
_________________ Судить меня дано лишь Богу а остальным я укажу дорогу.
Ну и? Абсолютно никак не связано. Напряжение питающих линий контролёра памяти. На нитро сильнее всего влияет напряжение на память и сопротивления. Але! VDDP нато только крутить при частотах 8000+
Я кручу VDDP и на ~6400. Некоторые платы вообще его задирают до 1.15. На 7600 мне повышение VDDP позволило стабилизировать нитро 1-2-0@6400. На 9800 уже не стабилизируется, увы
Phenomenum писал(а):
Похоже, платы не учитывают его, на текущих Agesa. Тем более, что от его ужатия не меняется ничего.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 20.08.2012 Откуда: Иваново Фото: 28
Phenomenum писал(а):
Я хотел, у меня отдельно не выставить RCDWR
Жди биос. На форуме ROG уже слёзно просят что бы на x670 выпустили побыстрее. Всё будет, но позже. А пока можешь поверить хотя бы двоим. Или думаешь это совпадение?
_________________ Судить меня дано лишь Богу а остальным я укажу дорогу.
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения