AMT - Asus MemTweakit Asus MemTweakIt 2.02.44 При настройке памяти в BIOS ставим ОБЯЗАТЕЛЬНО MRC Fast boot=disable (включаем при этом режим тонкой тренировки, если же выставим enable, то включаем режим грубой тренировки). Оптимально при разгоне памяти использовать в биосе множитель памяти 133, а не авто или 100, что даст возможность создать комфортные условия для контроллера памяти в процессоре и снизить напряжения ио и са ! Недаром в Jedec шаг между спидбинами именно 133, а не 100! Для плат с Alder Lake напряжения VDD и VDDQ на память могут отличаться не больше, чем на 300 мВ. Для плат на основе логики z690 и b660: VDD>VDDQ VDDQ>=VDD-300mV(0.3V) Лучше на VDDQ не превышать 1.25V. Вполне возможно 1.30V. MSI дает зазор до 1.40V. Для таймингов должно выполняться требование: _dr=_dd
Разгон памяти у современной DDR4 (16 банков,RRDS=4,FAW=16,BL=8) эффективен только при tRC<=64,если каждый новый блок чтения происходит с разных банков памяти. Для 4-х слотовых плат при разгоне желательно в биосе отключить неиспользуемые слоты. Для максимальной производительности памяти значение tRFC в тактах для 8-Гбитных чипов должно быть кратно 8,а для 16-Гбитных чипов - 16. Если это правило не соблюдать, то будут вставлены лишние такты при каждом цикле обновления памяти. Для желающих максимально снизить tRFC. Делим tRFC на сумму tRCD,tRTP и tRP. Если результат ближе к 4, то снижать tRFC можно по 4 такта. Если результат ближе к 2, то снижать tRFC можно по 2 такта. Это связано с тем, что обновление происходит субмассивами, которые обязательно кратны 2.
Новая информация по tRAS
Чтение с модуля памяти у DDR4 происходит блоками. Минимальный блок сейчас составляет 64 байта, что связано с размером строки кэша у процессора. Этот блок может считываться как с одного банка, так и с разных. tRAS=tRCD+tRTP (при считывании 8 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+4 (при считывании 16 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+8 (считывание 24 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+12 (при считывании 32 байт с одного банка). Самый верный выбор для DDR4! tRAS=tRCD+tRTP+16 (считывание 40 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+20 (считывание 48 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+24 (считывание 56 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+28 (при считывании 64 байт с одного банка) Для DDR4 оптимальным выбором является 4-й или последний вариант. Но если выставить tRAS меньше, то ничего трагичного не произойдет, так как джедек придумала предохранитель (tRTP), поэтому можно не заморачиваться и выставлять минимальный tRAS (=tRCD+tRTP).
Напряжения на процессоре при разгоне памяти
SA- безопасный уровень (по данным MSI) 1.35, растет от частоты памяти и зависит от подключенной периферии к PCIE, чем больше скорость видеокарты и NVME-диска, тем выше нужно напряжение. IO (для Z590 =IO2, а просто IO можно оставлять в авто, для Z690=IVR DDQ)- обычно хорошо работает если на 50 мВ ниже SA, но чем ниже, тем лучше, стараться максимально снижать. Тоже растет с ростом частоты памяти. Для ориентира при настройке всегда рекомендую глянуть, что за напряжения SA и IO выставляет материнка в авто.
Для начала тезисно несколько правил «успешного разгона и установки памяти»:
1. Ни в коем случае не используем XMP профили – этот режим протестирован на совместимость, но не даёт оптимальную производительность. Поскольку заводская настройка не блещет идеальным подбором, можно получить до 20-25% производительности дополнительно, вручную настраивая тайминги и напряжения. Также XMP режим чреват завышениями вольтажа самой память и контроллера памяти\SOC. 2. Правильная установка модулей – А2 (для одного модуля), A2B2 (для двух модулей). 3. Самый лучший разгон по частоте достигается при использовании одного модуля, при наличии двух планок максимальная частота лишь немного хуже. У четырёх – либо хуже (на устаревающем LGA2011-3) либо такой же или лучше (LGA2066), которые могут стабильно работать с 4мя модулями на 4000CL16. 4. Если используется два модуля, то худший модуль (требующий бОльшего напряжения для стабильного разгона) должен стоять ближе к процессору в слоте A2. 5. Перед настройкой частоты и таймингов памяти отключить подсветку модулей памяти - т.к. это даёт лишний нагрев.
УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ГАЙД ПО НАСТРОЙКЕ от Agiliter
Универсальный гайд. 0. Устраните любые потенциальные проблемы с другим железом. Снимите разгон с видеокарты, снизьте частоту цп на 300 с сохранением напряжения. Не забудьте вернуть RTL в авто если сейчас не авто. 1. Крутим очень короткий мемтест, то есть если минуту живёт сразу снижать тайминг дальше. Ищите не стабильность, а явно сбойное значение тайминга, запишите его - пригодится. Гораздо проще найти явно нерабочее значение и от него плясать чем пытаться ловить нестабильность часами. Это также помогает диагностировать сбойные тайминги на ранее "стабильной памяти". Не пытайтесь найти предельные значение сразу. Сначала скрутите до +2 от минимально стабильного. Многие тайминги идут параллельно поэтому бессмысленно пытаться скрутить до упора с первого прохода. CR выставить на 2 если стоит 1. В самом конце можно попробовать скинуть до 1. 3 Ставить только на очень большую частоту или если по другому ну совсем никак.
Начните с RCD, CL. Не обязательно должны быть одинаковыми, обычно CL идёт меньше чем RCD. RAS сразу пробуйте как RCD+CL+4, до этого значения от него существенная разница, дальше меньше. CWL<=CL. Допустимые значения 9,10,11,12,14,16,18,20. RP можете выставить по RCD, если пойдёт меньше - тоже неплохо, не уверен правда насчёт смысла. RTP без формул. Если не идёт вниз можно попробовать поднять чуть чуть RP. В DDR4 явно связан с WR соотношением 2 к 1 (например WR20\RTP10), физически хранится одно значения и в зависимости от операции интерпретируется. Скрутите FAW до 16(так и оставьте если работает). С таким FAW скручивайте RRD(оба, L обычно больше чем S), возможно поедут на 4 оба. Если до 4 не удалось спустить поднимите FAW до уровня RRDL*4 и попробуйте ещё, хотя это скорее всего уже почти предел. Обычно L>=S. L - SG(Same Group). S - DG(Different Group) Напр. RRD_L>=RRD_S. CKE=5 СCDL>=4 RDRD_DD и прочие подобные можно проигнорировать если у вас нет двух планок на один канал (4 планки). DD-Different Dimm. Тоже самое с DR-Different Rank если у вас одноранговая память. RDWR_SG(DG) и подобные сочетания скручивайте до минимальных рабочих, потом накиньте сверху +2. Как уже отметил обычно SG>=DG. WTR не трогайте он сам спустится когда будете скидывать WRRD_SG(DG) и прочие подобные. Если сам меньше не стал тогда руками скидывать. WR снижать через WRPRE если есть. Если нет или не снижает WR, То скрутите его скажем до 12 или +4 от рабочего, потом дожмёте если не лень будет. RFC явных формул нет, крутить после всего списка сверху. Не пытайтесь найти его минимальное значение если не хотите чтобы память начинала сыпать ошибками от любого чиха. найдите пограничное со стабильностью значение и накиньте сверху 20 или сразу 40. Может реагировать на RAS+RP, RRD, FAW, причём в обе стороны (то есть может "сломаться" если задрать названные), а может и не реагировать... REFi больше лучше. Связан с RFC. REFI сколько память "работает" - RFC сколько "отдыхает". Оба тайминга лучше не пытаться найти предельное значение.Заметно реагируют на температуру. Многие тайминги отзываются и на температуру и на напряжение. Поскольку напряжение может как позволить снизить тайминг, так и увеличить температуру, то середину можно искать очень долго, поэтому лучше бы вовремя остановится. Тестируйте тщательно с перезагрузками, сном, холодным стартом. RTL и IOL вам кто-то другой пусть советует как настраивать, от них у меня голова болеть начинает...
tRASmin=tCL+tRCD+2 WTRS/L устанавливаются в биосе через WRRDdg/sg согласно формуле: WRRD_sg=6+CWL+WTR_L WRRD_dg=6+CWL+WTR_S WR - через WRPRE (для матплат ASUS): WRPRE=4+CWL+WR RTP - через RDPRE (для матплат ASUS) RDPRE=RTP
VDDDQ=1.5 V max по Jedec VrefCA=0.6xVDDDQ=0.9 V (max по Jedec), в даташите контроллера интел тоже разрешено максимальное vrefca=0.6xVdddq. То есть при обычной настройке биоса, когда VrefCA=0.5xVDDDQ, VDRAM<=1.8 V, чтобы уложиться в нормы по Jedec. А если при этом в биосе настроить vrefca=0.49xvdddq (разрешено по Jedec), то безопасное Vdram может быть еще выше=1.837 V. Вывод: для контроллера процессора напряжение на память <=1.8 V неопасно
CPU Name: Intel® Core™ i7-7740K CPU @ 4.30GHz Motherboard Model: MSI X299 GAMING PRO CARBON AC (MS-7A95) Total Size: 8192 MB Type: Single Channel (64 bit) DDR4-SDRAM Frequency: 2750 MHz - Ratio 1:31 Timings: 21-31-31-63-2 (tCAS-tRC-tRP-tRAS-tCR) Slot #1 Module: G.Skill 8192 MB (DDR4-2137) - XMP 2.0 - P/N: F4-3200C14-8GVR
[img]Ссылка на скрин[/img] Для сбора статистики по установленным чипам памяти просьба прикладывать скрины программы Taiphoon Burner и указывать напряжения на DIMM, IO и SA![/color]
Below are the typical tRFC in ns for the common ICs: IC tRFC (ns) Hynix 8Gb AFR 260 - 280 Hynix 8Gb CJR 260 - 280 Hynix 8Gb DJR 260 - 280 Micron 8Gb Rev. E 280 - 310 Micron 16Gb Rev. B 290 - 310 Samsung 8Gb B-Die 120 - 180 Samsung 8Gb C-Die 300 - 340
Таблица tRFC от Reous v26
#77
Расшифровка чипов, находящихся в модуле памяти у разных производителей
#77
Ревизии печатных плат. A0,A1 или A2 планки, как узнать
#77 #77 #77 #77
Статистика tRCD планок в зависимости от типов чипов
#77 #77 #77 Чем выше вы в вертикальном столбце, тем удачнее планки. Чем интенсивнее цвет, тем выше статистический процент (данные старые,теперь удачнее чипы выходят) На 1 таблице все,что выше красной линии - суперотборники.
Советы по верной тренировке
1.Поднять напряжения на VCCSA и VCCIO. 2.Включить в биосе Round Trip Latency. 3.Для гигабайтов - memory enchancement=normal.
Руководство по разгону памяти для начинающих блондинок
парни подскажите плыз, короче у меня проц 9600к, точно берет 5.0 Гц, но меня и 4.7 устраивало полностью, но пришлось убрать 4.7 так как при проходе линкс превышал 100 градусов на 30000, пришлось на 4.6 скинуть, так вот хотел спросить, можно ил мне на 4.7 поставить и в реальности так сильно проц не будет греться как в линкс или с моим охладом выше 4.6 не судьба, как думаете?
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 30.09.2007 Откуда: Tver Фото: 29
anta777 писал(а):
Все время в одном и том же месте? Capable в конфиге измени с 0х0 на 0х1, помтавь для тестов не 100%, а 120%, проверь.
щас лоу прошел без проблем, запустил хай. еще прикол - гена с тренировкой учудила 60/65 7/10 обычно оставляю т к она со временем иногда в лучшею сторону перетренировывается, а тут такое.... главное тесты то проходит и в бенчах норм....
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 20.04.2017 Фото: 0
garison87 писал(а):
не кажется, чутка латентность ужимает, но ограничивает по частоте - с 2т можно дальше пойти.
Вопрос не в том, что даёт "визуально" cr1. А что такое cr1 в целом. Безусловно, если с cr1 предел 3866мгц, а cr2 позволяет идти 4266+, то предпочесть стоит более высокий интервал. Но при незначительных разбежках предпочтение стоит отдать cr1. Ограничение выбора интервала обусловлено невозможностью декодирования за выделенный интервал и риском потери или повреждения данных
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 08.10.2014 Откуда: Москва Фото: 150
xyligano Многоуважаемый! Подскажите, пожалуйста, у меня дубовый Hynix MFR, ходит максимум 3333 cl15-17-17-35-1T(выше при данных таймингах не проверял(trfc 480, trefi 65535), но также ходит 3733 cl16-19-19-36-2T, 3900 cl16-20-20-36-2T, какой режим будет оптимальным? Сейчас пользуюсь 3333 сл15-1Т, всё устраивает, не много теряю? Какой режим себе бы оставили? Спасибо! С Вашим возвращением публика оживилась
_________________ Z790 EDGE; Intel® Core™ I9-13900K@;G.Skill Royal(b-die); MSI Suprim X 4090&6090; GIGABYTE FO48U(OLED);DT 1770 PRO; COLORFUL EVOL X17 Pro Max;)Genelec:)
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 20.04.2017 Фото: 0
Michailovsky писал(а):
какой режим будет оптимальным?
оптимальным будет режим, в котором память показывает самый низкий латенси в аиде при самом высоком результате фотоворкс в аиде (при условии стабильности, разумеется) т.е. мне нужно видеть хоть что-то про память, чтобы дать точный ответ первичные тайминги значат не так много при прочих равных, скорее всего лучший результат покажет 3733мгц tRCD19 c полной отстройкой таймингов. вопрос в том, какие значения RTL мать накидывает при таких первичках
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 08.10.2014 Откуда: Москва Фото: 150
xyliganohttps://funkyimg.com/view/31LVs такие показатели при 3333, стоит озадачиваться сильно? Меня устраивает, в принципе, или 3733(чуть выше псп итд, но 2Т и остальные тайминги высокие), на долгую настройку не готов!
СергейФ писал(а):
вот ответ на ваш вопрос :
Изучал...и не только эти обзоры на I2Hard...но, спасибо!
Добавлено спустя 6 минут 32 секунды: xyligano 3333 или 3733? Спасибо! Псп во втором случае выше, но летенси в 1ом! Фотовокс очень скромно! https://funkyimg.com/view/31LWa
Добавлено спустя 3 минуты 21 секунду: С 3333 жить можно? Позже, как выйдет новая A-die самсунг, возможно, память заменю! Не ловко стало, что отнимаю Ваше время! Просто скажите какой режим поставили бы себе...
xyligano писал(а):
скорее всего лучший результат покажет 3733мгц tRCD19 c полной отстройкой таймингов.
3733, всё-таки?
_________________ Z790 EDGE; Intel® Core™ I9-13900K@;G.Skill Royal(b-die); MSI Suprim X 4090&6090; GIGABYTE FO48U(OLED);DT 1770 PRO; COLORFUL EVOL X17 Pro Max;)Genelec:)
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 19.03.2008 Откуда: Беларусь Фото: 2
xyligano писал(а):
Безусловно, если с cr1 предел 3866мгц, а cr2 позволяет идти 4266+, то предпочесть стоит более высокий интервал. Но при незначительных разбежках предпочтение стоит отдать cr1. Ограничение выбора интервала обусловлено невозможностью декодирования за выделенный интервал и риском потери или повреждения данных
Пока CR1 вижу не более чем фетиш.
Дайте слепые тесты сравнения. На одной частоте. В чем и где разница.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 30.09.2007 Откуда: Tver Фото: 29
Отрубил HT и прогнал фотоворкс на стабильном разгоне 24/7 без выгрузки приложений из трея и отключения антивируса #77 а тут выгрузил все с трея и антивирь вырубил: #77 Думаю пора проц до 5000 гнать, правда не хочет ни в какую даже осст проходить с температурами ниже 100(.
С каких напряжений по DRAM, IO, SA стоит начать для разгона памяти, в частности sama b die (если что, память такая F4-3200C14D-16GTZR) что бы в них не упираться в процессе этого самого разгона и дальнейшей стабилизации?
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 09.11.2019 Откуда: Карелия|СПб
garison87 писал(а):
Камрады, кто уже тестил новые конфиги? Проверьте новый лоу плз на стабильном разгоне 4000+, мене смущает, что у меня и мид и хай проходит, а лоу ошибка в 3 тесте.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 28.12.2014 Откуда: из Голливуда Фото: 0
nag77 писал(а):
Народ, в каких тестах увижу разницу при CR1?)
PhotoWorxx
Aristo писал(а):
DRAM, IO, SA
1.45/1.20/1.20 соответственно. думаю этого достаточно.
nag77 писал(а):
CR1 требует большего напряжения
ещё он требует более точный подбор вторичных субтаймингов, когда казалось бы, что после переключения с CR2 на CR1 резко пропала стабильность... самая интересная штука для CR1. проверил, при правильном подгоне поднятие напряжения не нужно. сейчас окончательно приближаюсь к заключительному финалу. цель: стабильные 4000Mhz при 19-21-21-44 1Т 1.4V, IO/SA 1.2V для ежедневной работы моей баллистики AES. 2Т работает отлично.
так же заметил вот чего: при бестолковом постоянном накидывании где-попало вольтажей, наоборот, стабильность памяти почему-то резко теряется. как объяснить этот феномен - я не знаю. возможно что-то где-то начинает перегреваться, как вариант. а быть может теряется некий баланс заданных напряжений, ведь помимо них есть какие-то PLL-вольтажи, каждый зависящий от подаваемых изначально напруг, они единственные у меня выставлены на [авто].
подбор и перебор всего этого барахла для нахождения стабильности при 4000 1Т - это занятие не из легких, требуются неимоверные терпение и пристальное наблюдение за поведением системы от изменения тех или иных параметров настроек.
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения