Темы нашего форума по AM4 платформе:

Выбор оперативной памяти DDR-4
Процессоры AMD Ryzen 5000-й серии (Vermeer\Zen3\7nm\AM4)
Процессоры AMD Ryzen 3000-й серии (Matisse\Zen2\7nm\AM4)
AMD APU 5000 серии (Cezanne) информация и опыт пользования.
Процессоры AMD Ryzen 1000-й серии (Summit Ridge\Zen\14nm\AM4)
Процессоры AMD Ryzen 2000-й серии (Pinnacle Ridge\Zen+\12nm\AM4)
APU и Athlon линеек AMD «Bristol Ridge» & «Raven Ridge» (Socket AM4)
Выбор и обсуждение материнских плат AMD Socket AM4 (Matisse, Picasso, Summit Ridge, Raven Ridge, Pinnacle Ridge и Bristol Ridge)
Выбор материнской платы под процессоры AMD Socket TR4 (Threadripper) и обсуждение особенностей разгона

Посты с исковерканными названиями процессоров, чипов и вендоров оперативной памяти (например: Рязань, Самса, Балики и так далее), будут удаляться.
Если вам тяжело переключить раскладку и вместо ”Райзен”, напечатать Ryzen то без обид потом.

Абсолютно безграмотные пользователи, дающие вредные советы
- Флирт

приветствую, решили проблему?
собрал новую платформу, сходу получил такой сюрприз в лицо на полном стоке(биос чипсет обновил)
спустя время начал играться с разгоном\андервольтом CPU и разгоном RAM, миксуя их между собой, но всё так же ловлю эти зависания


какое максимальное значение для vddg и (как я понял из цитаты ниже с подобной проблемой) возможно vddp? или тут нужно отталкиваться от soc?
-вопрос
-ответ

какое максимальное значение для vddg и (как я понял из цитаты ниже с подобной проблемой) возможно vddp? или тут нужно отталкиваться от soc?
-вопрос
-ответ[/quote]

VDDP 1050 и VDDG 1075 - как видно на скрине сейчас стоят максимальные значения из калькулятора, разве можно и нужно больше?

Снижение ProCODT и сопротивлений позволяет уменьшить вольтаж на SoC.

так ProCODT 36.9 CAD BAS 20 20 20 20 или я что то не так понял

Был опыт на 2700x с этим биосом?

Добавлено спустя 3 минуты 40 секунд:

Результаты не мои)
Это я ответил:
Я бы рекомендовал ориентироваться на минимальный FPS, тогда увидите разницу.
Для игр самое оно подтянуть минимальные просадки.

На скрине калькулятора непонятно. Если такие как пишешь, то SoC должен даже ниже рекомендованного вольтажа работать. Но все индивидуально, кремниевую лотерею никто не отменял.

chel174

такс, всем приветствую, ламер в вопросе разгона, но уже много чего почитал



попробовал погнать чуть, по калькулятору пошло без проблем...
zen timings отображает bus по 24, но все пошли по 20ке

попробовал прыгнуть на 3800, тайминги калькулятор оставил теми же, напряжение советовал для DRAM 1.42 soc 1.12 vddg 1.075 vddp 1.05, посыпало ошибками, попробовал 1.45, ошибки, 3733-ошибки, 3666 ошибки, ну и дальше уже стабильные 3600

есть смысл пробовать поднимать тайминги и прыгать на 3800? если да, то какие?
или лучше максимально попытаться ужать имеющийся 3600, если да, то какие?

да вот тайминги пытаюсь уменьшить. тест от usmus проходит а вот в аида стабильность нет дольше 4 мин. теперь думаю какие тайминги крутить. напруга не помогает разные procODT и CAd BAS
тоже. тупо перезагрузка.

Всем привет, нужна ваша помощь по настройке вот этой ОЗУ: Corsair CMK16GX4M2D3600C18 ver 4.32, это комплект из 2х плашек по 8 Гб, XMP 3600 18-22-22-42, стоит это дело на MSI B450M PRO-VDH MAX в связке с AMD Ryzen 5 3600.


Как я понял, надписи "Samsung B-die" и "downbin" значат, что это отбракованные чипы и их разгон будет очень увлекательным занятием. Так и вышло. Но давайте по порядку...

Активация XMP профиля проходит без проблем, заявленные 3600 18-22-22-42 работают отлично, напряжение при этом в BIOS тоже стоит автоматически и равняется заявленным 1.35 V, но по факту в BIOS мониторинге отображается напряжение 1.36 V, иногда 1.376 V, HWiNFO всегда отображает 1.376 V.

Далее я решил увеличить частоты FCLK/UCLK/MCLK до 1900 MHz. На первый взгляд все прошло успешно, компьютер запустился, работает, TM5 1usmus_v3 за 120 циклов не нашел ошибок. Позже я заметил, что на таких настройках регулярно пару раз в час на экран перестает выводиться изображение и экран на секунду гаснет. Я решил протестировать разные напряжения, результаты ниже.

Первое напряжение - то, что я указываю, второе - фактическое, которое отображает мониторинг BIOS и HWiNFO.

1.29 не проходит POST
1.30 1.312 экран не гаснет, множественные ошибки в самом начале теста
1.31 1.328 экран не гаснет, ошибок за 120 циклов нет, РАБОЧИЙ ВАРИАНТ
1.32 1.344 экран периодически гаснет
1.33 1.344 экран периодически гаснет
1.34 1.360 экран периодически гаснет
1.35 1.360 (1.376) экран периодически гаснет
1.36 1.376 windows не запускается до конца из за разных ошибок
1.37 1.392 windows не запускается до конца из за разных ошибок
1.38 1.392 windows не запускается до конца из за разных ошибок
1.39 1.408 windows не запускается до конца из за разных ошибок
1.40 1.424 windows не запускается до конца из за разных ошибок
1.41 1.424 windows не запускается до конца из за разных ошибок
1.42 1.440 windows не запускается до конца из за разных ошибок
1.43 1.440 windows не запускается до конца из за разных ошибок
1.44 1.456 windows не запускается до конца из за разных ошибок
1.45 1.472 не пробовал запускать windows
1.46 1.488 не пробовал запускать windows
1.47 1.488 не пробовал запускать windows
1.48 1.504 не пробовал запускать windows

Так я нашел единственное напряжение (1.31/1.328) при котором стабильно работает FCLK/UCLK/MCLK 1900 MHz и соответственно память на 3800 MHz.

Далее я решил ужать тайминги. Т.к. DRAM Calculator for Ryzen 1.7.3 не имеет настроек для "downbin" чипов, то я решил импортировать в него отчёт с Thaiphoon Burner и получил такие рекомендации:


Я настроил Voltage Block, Misc items, Termination Block и CAD_BUS Block согласно калькулятору (за исключением DRAM Voltage по вышеназванным причинам). Касательно же таймингов - устанавливать такие значения смысла нет т.к. они выше автоматических и я решил все ужать экспериментальным путем и вот что вышло:


Детально, почему именно такие тайминги:

tCL 18, ниже не запускается пк
tRCDWR 21, ниже не запускается пк
tRCDRD 21, нельзя ниже чем RCDWR
tRP 21, ниже не запускается пк
tRAS 42, по этому таймингу есть вопросы, напишу ниже
tRC 68, ниже ошибки, на 63 не запускается пк
tRRDS 4, минимум мат. платы
tRRDL 6, ниже ошибки
tFAW 16, минимум т.к. RRDS*4
tWTRS 3, ниже не запускается пк
tWTRL 7, ниже не запускается пк
tWR 10, минимум мат. платы
tRDRDSCL 4, ниже не запускается пк
tWRWRSCL 4, ниже не запускается пк
tRFC 600, ниже ошибки
tCWL 16, ниже не запускается пк
tRTP 6, минимум мат. платы
tRDWR 8, ниже не запускается пк
tWRRD 1
tWRWR SC 1
tWRWR SD 1
tWRWR DD 1
tRDRD SC 1
tRDRD SD 1
tRDRD SD 1
tCKE 1

А теперь вопросы:

tRAS. Пробовал ставить значение 21 (минимум мат. платы) - за 120 циклов TM5 1usmus_v3 1-3 ошибки. Другие значения не пробовал т.к. неизвестно, что пробовать, в интернете есть как минимум 3 формулы для этого тайминга:
tRAS=tRCD(RD)+tCL+2* (+4 для Micron E-die) (i2hard)
tRAS=tRCD+tCL (1usmus)
tRAS=tRCD+tBL+tWR (1usmus для высоких частот)
Нужен совет.

Производительность и пережатые тайминги. Я не проводил промежуточных замеров производительности (почти), только до и после разгона т.к. точность замеров, например, через AIDA64 равна нулю - первый раз отображает 54000, например, а через несколько тестов уже 52900. Нет никакого смысла делать такие замеры после изменения одного тайминга, рандом перекроет на 1000%. Поэтому я сделал по 10 замеров до и после и вывел из них среднее, до - 50110, после - 54160. Учитывая неточность замеров в Windows я решил перейти на бенчмарк MemTest86 с загрузочной флешки т.к. там вроде не должно быть рандома, он он все равно был, благо меньше чем в AIDA64 в Windows, с помошью MemTest86 я сравнивал разницу между tRTP 8 и 6 т.к. где-то писали, что значения ниже 8 могут отрицательно повлиять на производительность, в моем случае это не так - с tRTP 6 производительность выше на 0.435% (на основе среднего за 10 замеров). Так же делал бенчмарк в Shadow of Tomb Rider на минимальных настройках графики, до - 140, после - 154. Возможно нужно отжать какие-то тайминги, которые не влияют на производительность или влияют отрицательно? Здесь тоже нужен ваш совет.

Это мой перовый разгон ОЗУ, поэтому буду благодарен любым замечаниям и рекомендациям. Спасибо.

да всё ок, разгон озу не пострадал.

MOSTCJ Да там не плохие b-die там нормальные c-die Уже до 3600 оказывается добрались ) хотя по идее даже логично, b-die же уже свернули. Для c-die вроде не плохие тайминги да и напруга тоже низкая, обычно 1.33-1.36 им требуется в не oem версиях для 3800. только twr 12 при trp 6. На счёт tRAS не знаю прокатывает такой эффект или нет но если его разжать до tRCD(RD)+tcl +4 может быть получится уменьшить на 1 шаг trc( тут уже вопрос к знающим ). Можно ещё trfc чуть уменьшить, он до 305нс точно может ужаться. Но мои хорошо так прогревались от низкого trfc. Для сверки можно ещё у немцев посмотреть результаты c-die)

Как ни странно, но вроде помогло. Благодарствую!
Это скорее всего из за вольтажа vddg и vddp было? Я почему-то думал если максимум поставить для начала, то это безпроигрышный вариант, а уже потом его опускать, если на максимуме заработало

Так правильней для данной памяти. Почему у всех самых нижних таймингов значение =1, это как? tCWL=AUTO! tWTRL=12 tWR=12 tRTP=8

Отстаньте вы от аиды, этим память не тестят, список необходимого и рабочего ПО есть в шапке.


Действительно очень странно.

tRCDRD=18 сыпит ошибками да и по калькулятору он 19 должен быть.
Стоит ли 40-20-20-24 на что то другое менять?

Нужно пробовать, но не факт что с отключенным GDM что-то получится, пробовать можно пресеты из калькулятора или из результатов разгона камрадов в шапке. 19 тогда ставь, боюсь что 18 не идёт из-за недовольтажа. Сделай тест, кинь на память 1.46v и пробуй tRCDRD=18, отпишись потом.

The KMS
tRCDRD=18 и 1.5V и через 18 секунд уже ошибки сыпит.

Представляю свой разгон зеленых плаше, разве что наклеил маленькие радиаторы 1см на 1см на чипы.
Так сказать что было под рукой. И сделал обдув. может кто посоветует что разжать по таймингам.
мамка ASUS PRIME X470-PRO
Проц Ryzen 4650g
память Kingston HP26D4U9S8ME-8 (2x8Gb) 2666MHZ CL20
DRAM voltege 1.47

Камрад, ты проделал большую работу, респект! Но при этом сделал большую ошибку. Нужно не гнаться за 3800 Мгц, а попытаться получить минимальные задержки на 3600 или 3466 Мгц.
Например стандартные для Ryzen 3600CL14 (на отборной B-Die) - это задержки 7.7 нс. Чтобы обойти их на Интел нужно гнать память до 4400CL16 - это 7.3 нс.
Насколько помню твоя память на микросхемах которые шли в OEM Samsung SEC B -Die. Для нее 3466 Мгц с хорошими таймингами потолок, но может тебе повезет и подберешь низкие тайминги на 3600. Про 3800 Мгц забудь, не трать свое время, тайминги там просто дно.

Можно пояснительную бригаду?

Speede ставь 19 тогда, IF1900 не едет?