AMT - Asus MemTweakit Asus MemTweakIt 2.02.44 При настройке памяти в BIOS ставим ОБЯЗАТЕЛЬНО MRC Fast boot=disable (включаем при этом режим тонкой тренировки, если же выставим enable, то включаем режим грубой тренировки). Оптимально при разгоне памяти использовать в биосе множитель памяти 133, а не авто или 100, что даст возможность создать комфортные условия для контроллера памяти в процессоре и снизить напряжения ио и са ! Недаром в Jedec шаг между спидбинами именно 133, а не 100! Для плат с Alder Lake напряжения VDD и VDDQ на память могут отличаться не больше, чем на 300 мВ. Для плат на основе логики z690 и b660: VDD>VDDQ VDDQ>=VDD-300mV(0.3V) Лучше на VDDQ не превышать 1.25V. Вполне возможно 1.30V. MSI дает зазор до 1.40V. Для таймингов должно выполняться требование: _dr=_dd
Разгон памяти у современной DDR4 (16 банков,RRDS=4,FAW=16,BL=8) эффективен только при tRC<=64,если каждый новый блок чтения происходит с разных банков памяти. Для 4-х слотовых плат при разгоне желательно в биосе отключить неиспользуемые слоты. Для максимальной производительности памяти значение tRFC в тактах для 8-Гбитных чипов должно быть кратно 8,а для 16-Гбитных чипов - 16. Если это правило не соблюдать, то будут вставлены лишние такты при каждом цикле обновления памяти. Для желающих максимально снизить tRFC. Делим tRFC на сумму tRCD,tRTP и tRP. Если результат ближе к 4, то снижать tRFC можно по 4 такта. Если результат ближе к 2, то снижать tRFC можно по 2 такта. Это связано с тем, что обновление происходит субмассивами, которые обязательно кратны 2.
Новая информация по tRAS
Чтение с модуля памяти у DDR4 происходит блоками. Минимальный блок сейчас составляет 64 байта, что связано с размером строки кэша у процессора. Этот блок может считываться как с одного банка, так и с разных. tRAS=tRCD+tRTP (при считывании 8 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+4 (при считывании 16 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+8 (считывание 24 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+12 (при считывании 32 байт с одного банка). Самый верный выбор для DDR4! tRAS=tRCD+tRTP+16 (считывание 40 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+20 (считывание 48 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+24 (считывание 56 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+28 (при считывании 64 байт с одного банка) Для DDR4 оптимальным выбором является 4-й или последний вариант. Но если выставить tRAS меньше, то ничего трагичного не произойдет, так как джедек придумала предохранитель (tRTP), поэтому можно не заморачиваться и выставлять минимальный tRAS (=tRCD+tRTP).
Напряжения на процессоре при разгоне памяти
SA- безопасный уровень (по данным MSI) 1.35, растет от частоты памяти и зависит от подключенной периферии к PCIE, чем больше скорость видеокарты и NVME-диска, тем выше нужно напряжение. IO (для Z590 =IO2, а просто IO можно оставлять в авто, для Z690=IVR DDQ)- обычно хорошо работает если на 50 мВ ниже SA, но чем ниже, тем лучше, стараться максимально снижать. Тоже растет с ростом частоты памяти. Для ориентира при настройке всегда рекомендую глянуть, что за напряжения SA и IO выставляет материнка в авто.
Для начала тезисно несколько правил «успешного разгона и установки памяти»:
1. Ни в коем случае не используем XMP профили – этот режим протестирован на совместимость, но не даёт оптимальную производительность. Поскольку заводская настройка не блещет идеальным подбором, можно получить до 20-25% производительности дополнительно, вручную настраивая тайминги и напряжения. Также XMP режим чреват завышениями вольтажа самой память и контроллера памяти\SOC. 2. Правильная установка модулей – А2 (для одного модуля), A2B2 (для двух модулей). 3. Самый лучший разгон по частоте достигается при использовании одного модуля, при наличии двух планок максимальная частота лишь немного хуже. У четырёх – либо хуже (на устаревающем LGA2011-3) либо такой же или лучше (LGA2066), которые могут стабильно работать с 4мя модулями на 4000CL16. 4. Если используется два модуля, то худший модуль (требующий бОльшего напряжения для стабильного разгона) должен стоять ближе к процессору в слоте A2. 5. Перед настройкой частоты и таймингов памяти отключить подсветку модулей памяти - т.к. это даёт лишний нагрев.
УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ГАЙД ПО НАСТРОЙКЕ от Agiliter
Универсальный гайд. 0. Устраните любые потенциальные проблемы с другим железом. Снимите разгон с видеокарты, снизьте частоту цп на 300 с сохранением напряжения. Не забудьте вернуть RTL в авто если сейчас не авто. 1. Крутим очень короткий мемтест, то есть если минуту живёт сразу снижать тайминг дальше. Ищите не стабильность, а явно сбойное значение тайминга, запишите его - пригодится. Гораздо проще найти явно нерабочее значение и от него плясать чем пытаться ловить нестабильность часами. Это также помогает диагностировать сбойные тайминги на ранее "стабильной памяти". Не пытайтесь найти предельные значение сразу. Сначала скрутите до +2 от минимально стабильного. Многие тайминги идут параллельно поэтому бессмысленно пытаться скрутить до упора с первого прохода. CR выставить на 2 если стоит 1. В самом конце можно попробовать скинуть до 1. 3 Ставить только на очень большую частоту или если по другому ну совсем никак.
Начните с RCD, CL. Не обязательно должны быть одинаковыми, обычно CL идёт меньше чем RCD. RAS сразу пробуйте как RCD+CL+4, до этого значения от него существенная разница, дальше меньше. CWL<=CL. Допустимые значения 9,10,11,12,14,16,18,20. RP можете выставить по RCD, если пойдёт меньше - тоже неплохо, не уверен правда насчёт смысла. RTP без формул. Если не идёт вниз можно попробовать поднять чуть чуть RP. В DDR4 явно связан с WR соотношением 2 к 1 (например WR20\RTP10), физически хранится одно значения и в зависимости от операции интерпретируется. Скрутите FAW до 16(так и оставьте если работает). С таким FAW скручивайте RRD(оба, L обычно больше чем S), возможно поедут на 4 оба. Если до 4 не удалось спустить поднимите FAW до уровня RRDL*4 и попробуйте ещё, хотя это скорее всего уже почти предел. Обычно L>=S. L - SG(Same Group). S - DG(Different Group) Напр. RRD_L>=RRD_S. CKE=5 СCDL>=4 RDRD_DD и прочие подобные можно проигнорировать если у вас нет двух планок на один канал (4 планки). DD-Different Dimm. Тоже самое с DR-Different Rank если у вас одноранговая память. RDWR_SG(DG) и подобные сочетания скручивайте до минимальных рабочих, потом накиньте сверху +2. Как уже отметил обычно SG>=DG. WTR не трогайте он сам спустится когда будете скидывать WRRD_SG(DG) и прочие подобные. Если сам меньше не стал тогда руками скидывать. WR снижать через WRPRE если есть. Если нет или не снижает WR, То скрутите его скажем до 12 или +4 от рабочего, потом дожмёте если не лень будет. RFC явных формул нет, крутить после всего списка сверху. Не пытайтесь найти его минимальное значение если не хотите чтобы память начинала сыпать ошибками от любого чиха. найдите пограничное со стабильностью значение и накиньте сверху 20 или сразу 40. Может реагировать на RAS+RP, RRD, FAW, причём в обе стороны (то есть может "сломаться" если задрать названные), а может и не реагировать... REFi больше лучше. Связан с RFC. REFI сколько память "работает" - RFC сколько "отдыхает". Оба тайминга лучше не пытаться найти предельное значение.Заметно реагируют на температуру. Многие тайминги отзываются и на температуру и на напряжение. Поскольку напряжение может как позволить снизить тайминг, так и увеличить температуру, то середину можно искать очень долго, поэтому лучше бы вовремя остановится. Тестируйте тщательно с перезагрузками, сном, холодным стартом. RTL и IOL вам кто-то другой пусть советует как настраивать, от них у меня голова болеть начинает...
tRASmin=tCL+tRCD+2 WTRS/L устанавливаются в биосе через WRRDdg/sg согласно формуле: WRRD_sg=6+CWL+WTR_L WRRD_dg=6+CWL+WTR_S WR - через WRPRE (для матплат ASUS): WRPRE=4+CWL+WR RTP - через RDPRE (для матплат ASUS) RDPRE=RTP
VDDDQ=1.5 V max по Jedec VrefCA=0.6xVDDDQ=0.9 V (max по Jedec), в даташите контроллера интел тоже разрешено максимальное vrefca=0.6xVdddq. То есть при обычной настройке биоса, когда VrefCA=0.5xVDDDQ, VDRAM<=1.8 V, чтобы уложиться в нормы по Jedec. А если при этом в биосе настроить vrefca=0.49xvdddq (разрешено по Jedec), то безопасное Vdram может быть еще выше=1.837 V. Вывод: для контроллера процессора напряжение на память <=1.8 V неопасно
CPU Name: Intel® Core™ i7-7740K CPU @ 4.30GHz Motherboard Model: MSI X299 GAMING PRO CARBON AC (MS-7A95) Total Size: 8192 MB Type: Single Channel (64 bit) DDR4-SDRAM Frequency: 2750 MHz - Ratio 1:31 Timings: 21-31-31-63-2 (tCAS-tRC-tRP-tRAS-tCR) Slot #1 Module: G.Skill 8192 MB (DDR4-2137) - XMP 2.0 - P/N: F4-3200C14-8GVR
[img]Ссылка на скрин[/img] Для сбора статистики по установленным чипам памяти просьба прикладывать скрины программы Taiphoon Burner и указывать напряжения на DIMM, IO и SA![/color]
Below are the typical tRFC in ns for the common ICs: IC tRFC (ns) Hynix 8Gb AFR 260 - 280 Hynix 8Gb CJR 260 - 280 Hynix 8Gb DJR 260 - 280 Micron 8Gb Rev. E 280 - 310 Micron 16Gb Rev. B 290 - 310 Samsung 8Gb B-Die 120 - 180 Samsung 8Gb C-Die 300 - 340
Таблица tRFC от Reous v26
#77
Расшифровка чипов, находящихся в модуле памяти у разных производителей
#77
Ревизии печатных плат. A0,A1 или A2 планки, как узнать
#77 #77 #77 #77
Статистика tRCD планок в зависимости от типов чипов
#77 #77 #77 Чем выше вы в вертикальном столбце, тем удачнее планки. Чем интенсивнее цвет, тем выше статистический процент (данные старые,теперь удачнее чипы выходят) На 1 таблице все,что выше красной линии - суперотборники.
Советы по верной тренировке
1.Поднять напряжения на VCCSA и VCCIO. 2.Включить в биосе Round Trip Latency. 3.Для гигабайтов - memory enchancement=normal.
Руководство по разгону памяти для начинающих блондинок
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 01.02.2010 Фото: 12
anta777 писал(а):
https://www.ixbt.com/mainboard/ram-faq-2006.shtml
tRAS, min = tRCD + tBL. Ну и комментарии к статье тоже интересные по поводу этого tRAS. По книге же мин. tRAS = tRCD + tBL + tRTP - tCCD А теперь берем нашу формулу в шапке и видим, что никакого отношения к случаю Read with Auto-Precharge, «RD+AP» она не имеет по сути, да и вообще неизвестно откуда это +2. Такое впечатление, что это просто "рабочее" значение исходя из практики. Вот даже цитату с обсуждения статьи на ихбт приведу
Цитата:
Повторяю. Первым важным фактом является то, что tRAS не зависит не от tRCD ни от CL, а определяется внутренним устройством конкретного чипа.
anta777 писал(а):
А анандтеч ты так и не понял?
Так а там никакой конкретики нет, разве что команда PRE отстает на 2 такта, что намекает на preamble mode. Разве что можно глянуть еще на рисунок 6
Figure 6 shows the minimum read latency associated with a best-case page-hit scenario. For a part with a CAS Latency of 6T, the memory controller waits only six short clocks before the start of data return. During a Read with Auto-Precharge, the Read command will execute as normal except the active bank will begin precharging CAS-latency (CL) clock cycles before the end of the burst. This feature allows the precharge operation to be partially or completely hidden during periods of burst read cycles, dependent on CL. When tuning our systems we always seek to set tRTP such that tRTP + tRP equals CL + tBurst for exactly this reason. Put another way, if CL and tRP are the same set 4T for DDR3 (2T for DD2).
anta777 писал(а):
Кто сказал, что RTP идет после первой команды READ, он может идти после второй или третьей команды, если эти команды сдедуют за первой.
А как тогда это объяснить ? мне это не понятно допустим в случае READ
Вложение:
Read with Auto Precharge.JPG [ 110.35 КБ | Просмотров: 670 ]
Вложение:
READ to precharge.JPG [ 111.17 КБ | Просмотров: 670 ]
К тому же тоже самое и в книге есть - FIGURE 11.13: Read to precharge command timing. стр. 439 (та же картинка что раньше кидал) Добавлено спустя 8 минут 35 секунд:
anta777 писал(а):
И рисунок твой неправильный, tCL> tRTP, а не меньше.
Это понятно, просто для понимания обозначил, что интервал от read до появления данных на шине (data burst) есть tCL.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 16.05.2010 Откуда: Ленинград Фото: 545
Aleksandr161rus писал(а):
аж до 1.72
1.72 на sa/io есть риск выкинуть цпу в мусорку в любой момент, или значительно снизить его жизненный цикл, на азоте 1.5в макс или на воздухе допустимо 1.5в на крайне короткий период тестирования- пару часов- "аля" заводской стресс тест цпу., граница выше 1.6в на io/sa по мнению Инженеров Асрок- в любой момент возможны физические повреждения кристалла.
На воздухе в обычной эксплуатации, если не хотите деградаций контроллера или потом вопросов почему озу не гонится или ведет себя странно, выше 1.25в не стоит накручивать на sa/io для 24/7 на постоянку -во первых нет смысла,и более разумно не вылезать за 1.2- если цпу нужен на долгую эксплуатацию, или с последующей перепродажей.
Мп платы- биос которых которых автоматом с профилем xmp задирают на постоянку sa/io 1.4-.425-.450(Гигабиту привет) - убивают цпу иногда за пару недель. Обычно чаще через несколько месяцев эксплуатации, цпу отъезжает в гарантийку/мусорку.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 30.09.2007 Откуда: Tver Фото: 29
Jordan писал(а):
Память вроде как B-die, но это не точно.
Камрад, это же 100% хуниксы и их схема задержек. Максимум 4000 смогут с тем же набором таймингов, чуть влево-вправо и растрел. ну 4000 это еще в 2 планки на дейзичейн, как поведет на 4хканалке хз.
Добавлено спустя 52 секунды: Да и что мешает тайфун запустить?
Камрад, это же 100% хуниксы и их схема задержек. Максимум 4000 смогут с тем же набором таймингов, чуть влево-вправо и растрел. ну 4000 это еще в 2 планки на дейзичейн, как поведет на 4хканалке хз.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 05.12.2018 Откуда: Беларусь
garison87 писал(а):
они прям так помогают в разгоне?
Каждый раз, когда я меняю какой-либо тайминг, плата не может удачно стартануть, код bF, но как только она стартанула и включен фастбут - плата будет стабильно заводиться в дальнейшем. Все доступные тайминги зафиксированы, и только ODT я не знаю чему равны. Заметил случайно: выставил все тайминги, плата завелась, но я не включил фаст бут. Включил, перезагрузил - код bF. Я малость словил беса и начал тыкать retry_button до посинения - в результате с раза 10-15 плата стартанула и в дальнейшем заводилась без проблем, пока я не менял какой-либо из таймингов. Даже в режиме фастбут требовалось то же повторять при смене любого субтайминга, а ведь если плата не заводится - она начинает тренировать авто значения даже при фастбуте. Уверен, что при фиксированных ODT такого бы не было.
Добавлено спустя 3 минуты 21 секунду:
Jordan писал(а):
Судя по тому, что я читаю в этом форуме, B-die с очень большой вероятностью работает на 14-14-14... при 3,6 ГГц.
Бидай бывает самый разный, и только отборники, как правило, дают tRCD=tCL на высоких частотах. У меня был на отстройке бидай, который выше 3200 ни в какую не ехал - вот просто стоп и всё, даже на 1.5В, так что и среди бидаев хватает мусора.
Добавлено спустя 58 секунд:
garison87 писал(а):
Камрад, это же 100% хуниксы и их схема задержек. Максимум 4000 смогут с тем же набором таймингов, чуть влево-вправо и растрел. ну 4000 это еще в 2 планки на дейзичейн, как поведет на 4хканалке хз.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 30.09.2007 Откуда: Tver Фото: 29
Jordan писал(а):
Как точно определил?
отдельно такие киты 2 по 8 все на хуниксах у гскила (обзоры есть на двухканальные обзоры). схема Х Х+4 Х+4 не характерна для бидая, а зная, что гскилу не дают микроны(так как круциалы сами теперь рубят неплохо с едаев) - то остаются только одни чипы, которые могут 3600+ и это хуниксы и схема первичек для них характерна. Проверить можно по минимальному трфц - кроме бидаев никто не ходит сейчас ниже 500.
Проверить можно по минимальному трфц - кроме бидаев никто не ходит сейчас ниже 500.
Это я проверю чуть позже. Пока продолжаю тестировать, и в сравнении со вчерашним результатом удалось опустить tRRD_L и tRRD с 7 до 5. На 4 уже 1-2 ошибки вылетают.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 30.09.2007 Откуда: Tver Фото: 29
nucl3arlion писал(а):
Бидай бывает самый разный, и только отборники, как правило, дают tRCD=tCL на высоких частотах. У меня был на отстройке бидай, который выше 3200 ни в какую не ехал - вот просто стоп и всё, даже на 1.5В, так что и среди бидаев хватает мусора.
у гскила и текстолит четкий в 10 слоев и радики нормальные, да и у Джордана руки из правильного места... неужели теперь даже одноранговый бидай стал таким говном? я сталкивался только с 2 по 16 3000с15 и 3000с16 на бидаях, которые выше 3400 не стартовали даже на С16, но одноранги хуже 3600с17 мне не попадались даже на убогих корсарах ргб.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 30.09.2007 Откуда: Tver Фото: 29
вспомнил модули от гигабайта 3200с16 2 по 8 на бидаях, какой то обзорщик жаловался, что не смог их заставить работать выше номинала никак. Я тогда поржал, что гига даже взяв нормальные чипы сделала как обычно
у гскила и текстолит четкий в 10 слоев и радики нормальные, да и у Джордана руки из правильного места... неужели теперь даже одноранговый бидай стал таким говном?
Надо ещё на какой-нибудь заслуженной ASUS попробовать и с процессором поновее. Это я в квартальной перспективе сделаю.
Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей и гости: 32
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения