AMT - Asus MemTweakit Asus MemTweakIt 2.02.44 При настройке памяти в BIOS ставим ОБЯЗАТЕЛЬНО MRC Fast boot=disable (включаем при этом режим тонкой тренировки, если же выставим enable, то включаем режим грубой тренировки). Оптимально при разгоне памяти использовать в биосе множитель памяти 133, а не авто или 100, что даст возможность создать комфортные условия для контроллера памяти в процессоре и снизить напряжения ио и са ! Недаром в Jedec шаг между спидбинами именно 133, а не 100! Для плат с Alder Lake напряжения VDD и VDDQ на память могут отличаться не больше, чем на 300 мВ. Для плат на основе логики z690 и b660: VDD>VDDQ VDDQ>=VDD-300mV(0.3V) Лучше на VDDQ не превышать 1.25V. Вполне возможно 1.30V. MSI дает зазор до 1.40V. Для таймингов должно выполняться требование: _dr=_dd
Разгон памяти у современной DDR4 (16 банков,RRDS=4,FAW=16,BL=8) эффективен только при tRC<=64,если каждый новый блок чтения происходит с разных банков памяти. Для 4-х слотовых плат при разгоне желательно в биосе отключить неиспользуемые слоты. Для максимальной производительности памяти значение tRFC в тактах для 8-Гбитных чипов должно быть кратно 8,а для 16-Гбитных чипов - 16. Если это правило не соблюдать, то будут вставлены лишние такты при каждом цикле обновления памяти. Для желающих максимально снизить tRFC. Делим tRFC на сумму tRCD,tRTP и tRP. Если результат ближе к 4, то снижать tRFC можно по 4 такта. Если результат ближе к 2, то снижать tRFC можно по 2 такта. Это связано с тем, что обновление происходит субмассивами, которые обязательно кратны 2.
Новая информация по tRAS
Чтение с модуля памяти у DDR4 происходит блоками. Минимальный блок сейчас составляет 64 байта, что связано с размером строки кэша у процессора. Этот блок может считываться как с одного банка, так и с разных. tRAS=tRCD+tRTP (при считывании 8 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+4 (при считывании 16 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+8 (считывание 24 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+12 (при считывании 32 байт с одного банка). Самый верный выбор для DDR4! tRAS=tRCD+tRTP+16 (считывание 40 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+20 (считывание 48 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+24 (считывание 56 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+28 (при считывании 64 байт с одного банка) Для DDR4 оптимальным выбором является 4-й или последний вариант. Но если выставить tRAS меньше, то ничего трагичного не произойдет, так как джедек придумала предохранитель (tRTP), поэтому можно не заморачиваться и выставлять минимальный tRAS (=tRCD+tRTP).
Напряжения на процессоре при разгоне памяти
SA- безопасный уровень (по данным MSI) 1.35, растет от частоты памяти и зависит от подключенной периферии к PCIE, чем больше скорость видеокарты и NVME-диска, тем выше нужно напряжение. IO (для Z590 =IO2, а просто IO можно оставлять в авто, для Z690=IVR DDQ)- обычно хорошо работает если на 50 мВ ниже SA, но чем ниже, тем лучше, стараться максимально снижать. Тоже растет с ростом частоты памяти. Для ориентира при настройке всегда рекомендую глянуть, что за напряжения SA и IO выставляет материнка в авто.
Для начала тезисно несколько правил «успешного разгона и установки памяти»:
1. Ни в коем случае не используем XMP профили – этот режим протестирован на совместимость, но не даёт оптимальную производительность. Поскольку заводская настройка не блещет идеальным подбором, можно получить до 20-25% производительности дополнительно, вручную настраивая тайминги и напряжения. Также XMP режим чреват завышениями вольтажа самой память и контроллера памяти\SOC. 2. Правильная установка модулей – А2 (для одного модуля), A2B2 (для двух модулей). 3. Самый лучший разгон по частоте достигается при использовании одного модуля, при наличии двух планок максимальная частота лишь немного хуже. У четырёх – либо хуже (на устаревающем LGA2011-3) либо такой же или лучше (LGA2066), которые могут стабильно работать с 4мя модулями на 4000CL16. 4. Если используется два модуля, то худший модуль (требующий бОльшего напряжения для стабильного разгона) должен стоять ближе к процессору в слоте A2. 5. Перед настройкой частоты и таймингов памяти отключить подсветку модулей памяти - т.к. это даёт лишний нагрев.
УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ГАЙД ПО НАСТРОЙКЕ от Agiliter
Универсальный гайд. 0. Устраните любые потенциальные проблемы с другим железом. Снимите разгон с видеокарты, снизьте частоту цп на 300 с сохранением напряжения. Не забудьте вернуть RTL в авто если сейчас не авто. 1. Крутим очень короткий мемтест, то есть если минуту живёт сразу снижать тайминг дальше. Ищите не стабильность, а явно сбойное значение тайминга, запишите его - пригодится. Гораздо проще найти явно нерабочее значение и от него плясать чем пытаться ловить нестабильность часами. Это также помогает диагностировать сбойные тайминги на ранее "стабильной памяти". Не пытайтесь найти предельные значение сразу. Сначала скрутите до +2 от минимально стабильного. Многие тайминги идут параллельно поэтому бессмысленно пытаться скрутить до упора с первого прохода. CR выставить на 2 если стоит 1. В самом конце можно попробовать скинуть до 1. 3 Ставить только на очень большую частоту или если по другому ну совсем никак.
Начните с RCD, CL. Не обязательно должны быть одинаковыми, обычно CL идёт меньше чем RCD. RAS сразу пробуйте как RCD+CL+4, до этого значения от него существенная разница, дальше меньше. CWL<=CL. Допустимые значения 9,10,11,12,14,16,18,20. RP можете выставить по RCD, если пойдёт меньше - тоже неплохо, не уверен правда насчёт смысла. RTP без формул. Если не идёт вниз можно попробовать поднять чуть чуть RP. В DDR4 явно связан с WR соотношением 2 к 1 (например WR20\RTP10), физически хранится одно значения и в зависимости от операции интерпретируется. Скрутите FAW до 16(так и оставьте если работает). С таким FAW скручивайте RRD(оба, L обычно больше чем S), возможно поедут на 4 оба. Если до 4 не удалось спустить поднимите FAW до уровня RRDL*4 и попробуйте ещё, хотя это скорее всего уже почти предел. Обычно L>=S. L - SG(Same Group). S - DG(Different Group) Напр. RRD_L>=RRD_S. CKE=5 СCDL>=4 RDRD_DD и прочие подобные можно проигнорировать если у вас нет двух планок на один канал (4 планки). DD-Different Dimm. Тоже самое с DR-Different Rank если у вас одноранговая память. RDWR_SG(DG) и подобные сочетания скручивайте до минимальных рабочих, потом накиньте сверху +2. Как уже отметил обычно SG>=DG. WTR не трогайте он сам спустится когда будете скидывать WRRD_SG(DG) и прочие подобные. Если сам меньше не стал тогда руками скидывать. WR снижать через WRPRE если есть. Если нет или не снижает WR, То скрутите его скажем до 12 или +4 от рабочего, потом дожмёте если не лень будет. RFC явных формул нет, крутить после всего списка сверху. Не пытайтесь найти его минимальное значение если не хотите чтобы память начинала сыпать ошибками от любого чиха. найдите пограничное со стабильностью значение и накиньте сверху 20 или сразу 40. Может реагировать на RAS+RP, RRD, FAW, причём в обе стороны (то есть может "сломаться" если задрать названные), а может и не реагировать... REFi больше лучше. Связан с RFC. REFI сколько память "работает" - RFC сколько "отдыхает". Оба тайминга лучше не пытаться найти предельное значение.Заметно реагируют на температуру. Многие тайминги отзываются и на температуру и на напряжение. Поскольку напряжение может как позволить снизить тайминг, так и увеличить температуру, то середину можно искать очень долго, поэтому лучше бы вовремя остановится. Тестируйте тщательно с перезагрузками, сном, холодным стартом. RTL и IOL вам кто-то другой пусть советует как настраивать, от них у меня голова болеть начинает...
tRASmin=tCL+tRCD+2 WTRS/L устанавливаются в биосе через WRRDdg/sg согласно формуле: WRRD_sg=6+CWL+WTR_L WRRD_dg=6+CWL+WTR_S WR - через WRPRE (для матплат ASUS): WRPRE=4+CWL+WR RTP - через RDPRE (для матплат ASUS) RDPRE=RTP
VDDDQ=1.5 V max по Jedec VrefCA=0.6xVDDDQ=0.9 V (max по Jedec), в даташите контроллера интел тоже разрешено максимальное vrefca=0.6xVdddq. То есть при обычной настройке биоса, когда VrefCA=0.5xVDDDQ, VDRAM<=1.8 V, чтобы уложиться в нормы по Jedec. А если при этом в биосе настроить vrefca=0.49xvdddq (разрешено по Jedec), то безопасное Vdram может быть еще выше=1.837 V. Вывод: для контроллера процессора напряжение на память <=1.8 V неопасно
CPU Name: Intel® Core™ i7-7740K CPU @ 4.30GHz Motherboard Model: MSI X299 GAMING PRO CARBON AC (MS-7A95) Total Size: 8192 MB Type: Single Channel (64 bit) DDR4-SDRAM Frequency: 2750 MHz - Ratio 1:31 Timings: 21-31-31-63-2 (tCAS-tRC-tRP-tRAS-tCR) Slot #1 Module: G.Skill 8192 MB (DDR4-2137) - XMP 2.0 - P/N: F4-3200C14-8GVR
[img]Ссылка на скрин[/img] Для сбора статистики по установленным чипам памяти просьба прикладывать скрины программы Taiphoon Burner и указывать напряжения на DIMM, IO и SA![/color]
Below are the typical tRFC in ns for the common ICs: IC tRFC (ns) Hynix 8Gb AFR 260 - 280 Hynix 8Gb CJR 260 - 280 Hynix 8Gb DJR 260 - 280 Micron 8Gb Rev. E 280 - 310 Micron 16Gb Rev. B 290 - 310 Samsung 8Gb B-Die 120 - 180 Samsung 8Gb C-Die 300 - 340
Таблица tRFC от Reous v26
#77
Расшифровка чипов, находящихся в модуле памяти у разных производителей
#77
Ревизии печатных плат. A0,A1 или A2 планки, как узнать
#77 #77 #77 #77
Статистика tRCD планок в зависимости от типов чипов
#77 #77 #77 Чем выше вы в вертикальном столбце, тем удачнее планки. Чем интенсивнее цвет, тем выше статистический процент (данные старые,теперь удачнее чипы выходят) На 1 таблице все,что выше красной линии - суперотборники.
Советы по верной тренировке
1.Поднять напряжения на VCCSA и VCCIO. 2.Включить в биосе Round Trip Latency. 3.Для гигабайтов - memory enchancement=normal.
Руководство по разгону памяти для начинающих блондинок
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 19.03.2008 Откуда: Беларусь Фото: 2
antiOVER писал(а):
какие значения в итоге лучшими оказались для разгона?
"Содрал" значения, рекомендуемые O_Marceline для asus на предыдущей странице . Ибо самостоятельно я устал их перебирать, хотя видел их влияние на разгон. Каких либо пояснений в инете на тему ODT для интел ноль. Для райзенов 1usmus этот вопрос подробно раскрыл, к примеру в обзоре Threadripper 3960X пишет: рабочий procODT (на любой материнской плате) находится в переделах 28–36,9 Ом для одноранговой памяти и 36,9–53,3 Ом для двуранговой.
Последний раз редактировалось nag77 17.02.2020 23:46, всего редактировалось 2 раз(а).
Куратор темы Статус: Не в сети Регистрация: 10.06.2011
nag77 писал(а):
Для райзенов 1usmus этот вопрос подробно раскрыл, к примеру в обзоре Threadripper 3960X пишет: рабочий procODT (на любой материнской плате) находится в переделах 28–36,9 Ом для одноранговой памяти и 36,9–53,3 Ом для двуранговой.
Это не тот ODT. Наш ODT - это для райзенов RTT, описание годится и для интела.
Добавлено спустя 4 минуты 45 секунд: Есть рекомендация от микрона для RTT_park=ODT_park: 1 ранг - отключить 2 ранга - включить
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 01.02.2010 Фото: 12
anta777 писал(а):
1) команда PRE может быть выдана еще во время передачи данных Еще раз прочти текст с анандтеч, у тебя неправильная трактовка
Но это не отменяет того факта, что tBL будет присутствовать в формулах...или я не понимаю фразы "выдана еще во время передачи данных"...либо интервал между командами не соответствует таймингам, я уже сомневаюсь... А то как то странно ты это все пытаешься объяснить, вот смотрим было +4, решили, что это tBL, ну да, логично. Потом увидели +2 и дали этому объяснение - "команда PRE может быть выдана еще во время передачи данных" и возникает вопрос, а что мы прервали передачу данных на половине ? с ихбт
Цитата:
Возвращаясь к чтению данных, заметим, что существует две разновидности команды чтения. Первая из них является «обычным» чтением (READ), вторая называется «чтением с автоматической подзарядкой» (Read with Auto-Precharge, «RD+AP»). Последняя отличается тем, что после завершения пакетной передачи данных по шине данных микросхемы автоматически будет подана команда подзарядки строки (PRECHARGE), тогда как в первом случае выбранная строка микросхемы памяти останется «открытой» для осуществления дальнейших операций.
Видишь "после", а не "во время".
Цитата:
Важно заметить, что микросхемы SDRAM позволяют осуществлять третью и четвертую операции в некотором смысле «параллельно». Чтобы быть точным — команду подзарядки строки PRECHARGE можно подавать за некоторое количество тактов x до наступления того момента, на котором происходит выдача последнего элемента данных запрашиваемого пакета, не опасаясь при этом возникновения ситуации «обрыва» передаваемого пакета (последняя возникнет, если команду PRECHARGE подать после команды READ с временным промежутком, меньшим x). Не вдаваясь в подробности, отметим, что этот промежуток времени составляет величину, равную величине задержки сигнала CAS# за вычетом единицы (x = tCL — 1).
Вот в этом «параллельно» и возникают эти все вопросы. А x это и есть дополнительная задержка tAL.
абсолютно такое же поведение на apex xi + dr 2x16 память (либо синька при входе в винду, либо куча ошибок в tm5 и последующий вылет), если не прописать termination block вообще tweak auto/mod 1/ mod 2 - это 3 абсолютно разных режима mod1 - пресет тренинга памяти, mod2 - еще более навороченный тренинг + возможно поджимает тайминги, которые не отображаются в bios (позволяет запускаться на более высокой частоте, помогает при перезагрузке и снижает лэйтенси)
так вот, для 4000mhz это всё нафиг не нужно и если не получится, оставляйте tm auto.
Я так и сделал, спасибо, поставил на авто, но смущает латентность около 38.5-38.7, когда на схожих(16-18) таймингах на односторонних плашках у меня было около 37. Пробовал разные варианты, пока что ниже не получается.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 01.02.2010 Фото: 12
anta777 писал(а):
Нет, все не так. tRASmin>tRCD+tCL
Соотношение...ну ок, это уже давно очевидно. Кстати если взглянуть на SPD то что мы там видим, а видим то, что интервал идет от +2 до +6 (а может быть и больше где то, не знаю). Это тоже дает намек откуда пошло это +2.
anta777 писал(а):
Еще почитай диссертацию доктора Ли.
Кроме как экспериментов с памятью, какой то новой информации там не заметил.
anta777 писал(а):
Про RTP - в Jedec на рисунке не приведена команда ACT, есть только READ.
Т. е. имеешь ввиду, что это не первая команда ? ну допустим. Возвращаемся к книге и видим, что после команды read 0 идет tRTP (FIGURE 11.13: Read to precharge command timing. стр. 439) вот это я не понимаю, зачем после обычной команды read (причем первой) идет tRTP. Хотя само назначение tRTP еще как понимаю нужно для того чтобы поддерживать чувствительные усилители в открытом состоянии. Только вот разобрать бы еще назначение tRTP в команде READ и READ with Auto-Precharge, именно разницу в нахождении времени активности строки, и связь с таймингом tCL, даже вернее tAL применительно для нашей DDR4. И можешь написать свои варианты таймингов (для мин. tRAS) для команд: 1) ACT - READ - PRE 2) ACT - RDA (with Auto-Precharge) - PRE
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 14.09.2012 Откуда: Москва Фото: 1
Redmedved писал(а):
Материнская плата ASUS ROG MAXIMUS XI APEX у тебя такая стоит?
Именно она, проблем с работой и разгоном памяти на этой мп нет, от слова совсем.
Redmedved писал(а):
При всём моём к Вам уважении...
Взаимно.
Michailovsky писал(а):
но карбонище легко заводит память на 4400+ и работает с ней(проходит ТМ5 от Сержа)...Возможно, старые биосы и косячили, на новых всё работает...я уже выкладывал скрин с 4400+ по памяти на карбоне.
Возможно действительно проблема была в старых версиях биос, тем не менее тесты tm5 от anta777 и карху память выше 4000 не проходила, биос 7B17v15. Собственно из-за этого мп была благополучна продана, а так в принципе плата неплохая по соотношению цена\качество, но не более того, имхо.
_________________ i7-14700kf, asus rog strix Z790-E gaming wi-fi II , t-force xtreem 2х16gb 6400cl32, asus 3080Ti strix oc
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 05.12.2018 Откуда: Беларусь
O_Marceline, а для одноранков есть советы по odt? 4200 17-17-17-38-1. Каждая смена тайминга при авто-ODT вынуждает делать retry 10-15 раз, после чего плата стартует и далее стабильно грузится до следующей смены таймингов. 80/48/0 вообще никак не стартует.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 28.12.2014 Откуда: из Голливуда Фото: 0
nag77 бро, так это для 4100 подобрал после успешного взятия... 4133 пока вообще не грузится. походу все таки предел для баллистики 3000/CL15... у тебя комплект 3200/CL16, может поэтому и поехал чуток получше. но блин, я и так доволен... вообще не ожидал всего этого от своего камня с мамкой.
Добавлено спустя 3 минуты 51 секунду: хотя вспомнил, пару раз был замечен бут 4133Мгц, но это было кратковременно... при последующем старте больше никогда не повторялось.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 19.03.2008 Откуда: Беларусь Фото: 2
antiOVER писал(а):
но блин, я и так доволен...
А я удивлен) При цене комплекта микрона, почти в два раза дешевле гскила, и такие результаты. Правда, с учетом выпуска линейки MAX, микрон начал отбор лучших чипов, так что "халява" может прекратится.
Личный рейтинг PhotoWorrxx. Зеленые строки - лучшие результаты элитного гскила)
Сейчас этот форум просматривают: Bing [Bot], shvedx, ubnt2020 и гости: 23
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения