AMT - Asus MemTweakit Asus MemTweakIt 2.02.44 При настройке памяти в BIOS ставим ОБЯЗАТЕЛЬНО MRC Fast boot=disable (включаем при этом режим тонкой тренировки, если же выставим enable, то включаем режим грубой тренировки). Оптимально при разгоне памяти использовать в биосе множитель памяти 133, а не авто или 100, что даст возможность создать комфортные условия для контроллера памяти в процессоре и снизить напряжения ио и са ! Недаром в Jedec шаг между спидбинами именно 133, а не 100! Для плат с Alder Lake напряжения VDD и VDDQ на память могут отличаться не больше, чем на 300 мВ. Для плат на основе логики z690 и b660: VDD>VDDQ VDDQ>=VDD-300mV(0.3V) Лучше на VDDQ не превышать 1.25V. Вполне возможно 1.30V. MSI дает зазор до 1.40V. Для таймингов должно выполняться требование: _dr=_dd
Разгон памяти у современной DDR4 (16 банков,RRDS=4,FAW=16,BL=8) эффективен только при tRC<=64,если каждый новый блок чтения происходит с разных банков памяти. Для 4-х слотовых плат при разгоне желательно в биосе отключить неиспользуемые слоты. Для максимальной производительности памяти значение tRFC в тактах для 8-Гбитных чипов должно быть кратно 8,а для 16-Гбитных чипов - 16. Если это правило не соблюдать, то будут вставлены лишние такты при каждом цикле обновления памяти. Для желающих максимально снизить tRFC. Делим tRFC на сумму tRCD,tRTP и tRP. Если результат ближе к 4, то снижать tRFC можно по 4 такта. Если результат ближе к 2, то снижать tRFC можно по 2 такта. Это связано с тем, что обновление происходит субмассивами, которые обязательно кратны 2.
Новая информация по tRAS
Чтение с модуля памяти у DDR4 происходит блоками. Минимальный блок сейчас составляет 64 байта, что связано с размером строки кэша у процессора. Этот блок может считываться как с одного банка, так и с разных. tRAS=tRCD+tRTP (при считывании 8 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+4 (при считывании 16 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+8 (считывание 24 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+12 (при считывании 32 байт с одного банка). Самый верный выбор для DDR4! tRAS=tRCD+tRTP+16 (считывание 40 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+20 (считывание 48 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+24 (считывание 56 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+28 (при считывании 64 байт с одного банка) Для DDR4 оптимальным выбором является 4-й или последний вариант. Но если выставить tRAS меньше, то ничего трагичного не произойдет, так как джедек придумала предохранитель (tRTP), поэтому можно не заморачиваться и выставлять минимальный tRAS (=tRCD+tRTP).
Напряжения на процессоре при разгоне памяти
SA- безопасный уровень (по данным MSI) 1.35, растет от частоты памяти и зависит от подключенной периферии к PCIE, чем больше скорость видеокарты и NVME-диска, тем выше нужно напряжение. IO (для Z590 =IO2, а просто IO можно оставлять в авто, для Z690=IVR DDQ)- обычно хорошо работает если на 50 мВ ниже SA, но чем ниже, тем лучше, стараться максимально снижать. Тоже растет с ростом частоты памяти. Для ориентира при настройке всегда рекомендую глянуть, что за напряжения SA и IO выставляет материнка в авто.
Для начала тезисно несколько правил «успешного разгона и установки памяти»:
1. Ни в коем случае не используем XMP профили – этот режим протестирован на совместимость, но не даёт оптимальную производительность. Поскольку заводская настройка не блещет идеальным подбором, можно получить до 20-25% производительности дополнительно, вручную настраивая тайминги и напряжения. Также XMP режим чреват завышениями вольтажа самой память и контроллера памяти\SOC. 2. Правильная установка модулей – А2 (для одного модуля), A2B2 (для двух модулей). 3. Самый лучший разгон по частоте достигается при использовании одного модуля, при наличии двух планок максимальная частота лишь немного хуже. У четырёх – либо хуже (на устаревающем LGA2011-3) либо такой же или лучше (LGA2066), которые могут стабильно работать с 4мя модулями на 4000CL16. 4. Если используется два модуля, то худший модуль (требующий бОльшего напряжения для стабильного разгона) должен стоять ближе к процессору в слоте A2. 5. Перед настройкой частоты и таймингов памяти отключить подсветку модулей памяти - т.к. это даёт лишний нагрев.
УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ГАЙД ПО НАСТРОЙКЕ от Agiliter
Универсальный гайд. 0. Устраните любые потенциальные проблемы с другим железом. Снимите разгон с видеокарты, снизьте частоту цп на 300 с сохранением напряжения. Не забудьте вернуть RTL в авто если сейчас не авто. 1. Крутим очень короткий мемтест, то есть если минуту живёт сразу снижать тайминг дальше. Ищите не стабильность, а явно сбойное значение тайминга, запишите его - пригодится. Гораздо проще найти явно нерабочее значение и от него плясать чем пытаться ловить нестабильность часами. Это также помогает диагностировать сбойные тайминги на ранее "стабильной памяти". Не пытайтесь найти предельные значение сразу. Сначала скрутите до +2 от минимально стабильного. Многие тайминги идут параллельно поэтому бессмысленно пытаться скрутить до упора с первого прохода. CR выставить на 2 если стоит 1. В самом конце можно попробовать скинуть до 1. 3 Ставить только на очень большую частоту или если по другому ну совсем никак.
Начните с RCD, CL. Не обязательно должны быть одинаковыми, обычно CL идёт меньше чем RCD. RAS сразу пробуйте как RCD+CL+4, до этого значения от него существенная разница, дальше меньше. CWL<=CL. Допустимые значения 9,10,11,12,14,16,18,20. RP можете выставить по RCD, если пойдёт меньше - тоже неплохо, не уверен правда насчёт смысла. RTP без формул. Если не идёт вниз можно попробовать поднять чуть чуть RP. В DDR4 явно связан с WR соотношением 2 к 1 (например WR20\RTP10), физически хранится одно значения и в зависимости от операции интерпретируется. Скрутите FAW до 16(так и оставьте если работает). С таким FAW скручивайте RRD(оба, L обычно больше чем S), возможно поедут на 4 оба. Если до 4 не удалось спустить поднимите FAW до уровня RRDL*4 и попробуйте ещё, хотя это скорее всего уже почти предел. Обычно L>=S. L - SG(Same Group). S - DG(Different Group) Напр. RRD_L>=RRD_S. CKE=5 СCDL>=4 RDRD_DD и прочие подобные можно проигнорировать если у вас нет двух планок на один канал (4 планки). DD-Different Dimm. Тоже самое с DR-Different Rank если у вас одноранговая память. RDWR_SG(DG) и подобные сочетания скручивайте до минимальных рабочих, потом накиньте сверху +2. Как уже отметил обычно SG>=DG. WTR не трогайте он сам спустится когда будете скидывать WRRD_SG(DG) и прочие подобные. Если сам меньше не стал тогда руками скидывать. WR снижать через WRPRE если есть. Если нет или не снижает WR, То скрутите его скажем до 12 или +4 от рабочего, потом дожмёте если не лень будет. RFC явных формул нет, крутить после всего списка сверху. Не пытайтесь найти его минимальное значение если не хотите чтобы память начинала сыпать ошибками от любого чиха. найдите пограничное со стабильностью значение и накиньте сверху 20 или сразу 40. Может реагировать на RAS+RP, RRD, FAW, причём в обе стороны (то есть может "сломаться" если задрать названные), а может и не реагировать... REFi больше лучше. Связан с RFC. REFI сколько память "работает" - RFC сколько "отдыхает". Оба тайминга лучше не пытаться найти предельное значение.Заметно реагируют на температуру. Многие тайминги отзываются и на температуру и на напряжение. Поскольку напряжение может как позволить снизить тайминг, так и увеличить температуру, то середину можно искать очень долго, поэтому лучше бы вовремя остановится. Тестируйте тщательно с перезагрузками, сном, холодным стартом. RTL и IOL вам кто-то другой пусть советует как настраивать, от них у меня голова болеть начинает...
tRASmin=tCL+tRCD+2 WTRS/L устанавливаются в биосе через WRRDdg/sg согласно формуле: WRRD_sg=6+CWL+WTR_L WRRD_dg=6+CWL+WTR_S WR - через WRPRE (для матплат ASUS): WRPRE=4+CWL+WR RTP - через RDPRE (для матплат ASUS) RDPRE=RTP
VDDDQ=1.5 V max по Jedec VrefCA=0.6xVDDDQ=0.9 V (max по Jedec), в даташите контроллера интел тоже разрешено максимальное vrefca=0.6xVdddq. То есть при обычной настройке биоса, когда VrefCA=0.5xVDDDQ, VDRAM<=1.8 V, чтобы уложиться в нормы по Jedec. А если при этом в биосе настроить vrefca=0.49xvdddq (разрешено по Jedec), то безопасное Vdram может быть еще выше=1.837 V. Вывод: для контроллера процессора напряжение на память <=1.8 V неопасно
CPU Name: Intel® Core™ i7-7740K CPU @ 4.30GHz Motherboard Model: MSI X299 GAMING PRO CARBON AC (MS-7A95) Total Size: 8192 MB Type: Single Channel (64 bit) DDR4-SDRAM Frequency: 2750 MHz - Ratio 1:31 Timings: 21-31-31-63-2 (tCAS-tRC-tRP-tRAS-tCR) Slot #1 Module: G.Skill 8192 MB (DDR4-2137) - XMP 2.0 - P/N: F4-3200C14-8GVR
[img]Ссылка на скрин[/img] Для сбора статистики по установленным чипам памяти просьба прикладывать скрины программы Taiphoon Burner и указывать напряжения на DIMM, IO и SA![/color]
Below are the typical tRFC in ns for the common ICs: IC tRFC (ns) Hynix 8Gb AFR 260 - 280 Hynix 8Gb CJR 260 - 280 Hynix 8Gb DJR 260 - 280 Micron 8Gb Rev. E 280 - 310 Micron 16Gb Rev. B 290 - 310 Samsung 8Gb B-Die 120 - 180 Samsung 8Gb C-Die 300 - 340
Таблица tRFC от Reous v26
#77
Расшифровка чипов, находящихся в модуле памяти у разных производителей
#77
Ревизии печатных плат. A0,A1 или A2 планки, как узнать
#77 #77 #77 #77
Статистика tRCD планок в зависимости от типов чипов
#77 #77 #77 Чем выше вы в вертикальном столбце, тем удачнее планки. Чем интенсивнее цвет, тем выше статистический процент (данные старые,теперь удачнее чипы выходят) На 1 таблице все,что выше красной линии - суперотборники.
Советы по верной тренировке
1.Поднять напряжения на VCCSA и VCCIO. 2.Включить в биосе Round Trip Latency. 3.Для гигабайтов - memory enchancement=normal.
Руководство по разгону памяти для начинающих блондинок
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 01.09.2011 Фото: 184
nag77 писал(а):
Встречал такую фразу Также обратите внимание, что увеличение значения уклонов даст VCCIO лучшее масштабирование.
Там и про вольтаж B-die пишется; Учитывая, что масштабирование напряжения B-die составляет примерно 0,1 В на каждые 133 МГц в TCL12(например, DDR4-3733 12 12 12 требуется 1.67, DDR4-3866 требует 1.77, DDR4-4000 требует 1.87 на той же палочке) ясно, что цель состоит в том, чтобы найти палочки, которые прилично в требовании напряжения на DDR4-4000 (под 1.95 V), но допускают 2.05 .
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 19.03.2008 Откуда: Беларусь Фото: 2
anta777, у вас в таблице для Dual Rank tRDRD_dr=6. Пояснений, предостережений по этому параметру нет. Может есть какие либо рекомендации по tRDRD_dr для частот выше 4000+?
Куратор темы Статус: Не в сети Регистрация: 10.06.2011
Я же написал недавно все формулы для _dr и _dd таймингов. RDRDdr/dd=4+tRPRE От частоты не зависит. RPRE=1 или 2, но иногда нужно ставить RDRDdr/dd=7, чтобы не было ошибок. Может плата требует добавлять 1, не знаю.
Подскажите пожалуйста. Добился нормальных показателей, судя по тестам. Они делались на винде LTSB, была необходимость перейти на Win10 Pro. Показатели значительно хуже стали. При тех же таймингах. Могла ли винда этому поспособствовать?
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 22.03.2019 Фото: 15
anta777 Хотел выразить безграничную благодарность за вашу отзывчивость в просьбах о помощи, грамотные пояснения вплоть до углублённой теоретической части. Не часто встретишь на форумах таких людей, которые вникают в суть твоей проблемы, указывают на ошибки, предлагают варианты особенно новичкам, а не просто отбрасываются фразами "Читай в шапке", "Не знаю, должно работать" и т.д! P.S. Ни в коёй мере не умиляя достоинств других оверов, которые тоже помогают и делятся опытом.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 01.02.2006 Откуда: Москва Фото: 0
Всем привет!
Вот что получилось с разгоном двух комплектов HX434C16FB3K2/32 ( в первом ките оказались micron j-die, во втором - hynix cjr ).
#77
Первичные ниже не идут. Как и выше частота на них же. С таймингами выше данных не пробовал поднимать частоту. Потом попробую. Наверное .
По вторичным: tWR/tRTP и tCWL ниже не пробовал, поставил согласно таблице anta777. tCWL автоматом ставилось 16, tWR биос ставил 29, tRTP - 15. tRRD_L на 4 не идет. Мать автоматом выставляла оба tRRD на 7 ( странный рейндж в биосе для обоих tRRD: min 4 и max 7. Хотя, возможно, везде так ). tWTR_L не идет ниже 14 ( на 12 редкие ошибки ( от 3 до 5 ) в полном тесте memtest86 ( около 6-7 часов получается ) ). tWTR_S мать автоматом выставляла 5, так и оставил, ниже не дает биос и, наверное, стандарт ( у tWTR_* min:5, max:15, для _L мать выставляла максимальный - 15 ). tRFC и tREFI еще не трогал. По tREFI тоже странный рейндж - максимальное возможное значение в биос 32767. Переменная явно 16 битная, почему не сделать unsigned и получить те самые 65к максимальные - не понятно. Может быть оплошность разрабов. А возможно и специально сделали.
Третичные: Пока поставил только tCKE с автоматических 10 на 8. Не тестировал. Возможно, стоит попробовать 6? По остальным вообще темный лес. Во всех таблицах нашел упоминание вроде только о tCCD_*. Это спицифика платформы? У других людей на скринах совсем другие названия таймингов.
Подскажите, пожалуйста, что с ними можно сделать?
PS: Ах да, напряжение на память - 1.41. Работало и на 1.4, для уверенности поставил пока так, в дальнейшем попробую спустить. Повышение до 1.45 вроде не дало ничего для первичных и частоты. Потом все же еще раз попробую. На io и sa напряжение 1.15. Работало так же и на 1.1. После полной настройки попробую максимально спустить.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 01.02.2010 Фото: 12
anta777 писал(а):
Может плата требует добавлять 1, не знаю.
Тоже интересный момент, например когда идет речь о tRDWR, то к tWPRE как минимум всегда будет прибавляться +1, т. е. всегда как минимум будет идти дополнительный такт перед tWPRE (что и видно на примерах jedec). По логике тоже самое должно быть и при tRPRE, учитывая формулы tWRRD/tWTR. Да, я до сих пор считаю что +2 к tWRRD именно из-за этого (write to read). Вот есть забавный пример по этому поводу. И здесь значение tCL = 16; tCWL = 15, которое по идее не применяется если верить jedec. tWRRD_dr = 5, а при этом tRDRD_dr = 6 А по формулам: tWRRD_dr/dd = tCWL - tCL + 4 + tRPRE tRDRD_dr/dd = 4 + tRPRE Было бы интересно узнать, что будет при tCWL = 16. И возможно ли снизить при изначальном варианте tRDRD_dr до 5. Тогда бы и часть вопросов отпала, наверно.
Advanced member
Статус: Не в сети Регистрация: 06.03.2009 Фото: 47
Это разумный мой максимум по крушалам чтоб стабильно и на высокие напряжения не выходить #77 nag77 По производству спрашивал - Manufacturing Date January 6-10 / Week 02, 2020 Manufacturing Location Boise, USA (SIG)
Куратор темы Статус: Не в сети Регистрация: 10.06.2011
St@s1987 писал(а):
Тоже интересный момент, например когда идет речь о tRDWR, то к tWPRE как минимум всегда будет прибавляться +1, т. е. всегда как минимум будет идти дополнительный такт перед tWPRE (что и видно на примерах jedec). По логике тоже самое должно быть и при tRPRE, учитывая формулы tWRRD/tWTR. Да, я до сих пор считаю что +2 к tWRRD именно из-за этого (write to read). .
RDWR=CL-CWL+4(BL/2)+1(RPST)+1 или 2 (WPRE). 1-это постамбула для чтения, она по Jedec =0.5, а в тактах она 1, смотри картинку внимательней.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 01.02.2010 Фото: 12
anta777 писал(а):
RDWR=CL-CWL+4(BL/2)+1(RPST)+1 или 2 (WPRE). 1-это постамбула для чтения, она по Jedec =0.5, а в тактах она 1, смотри картинку внимательней.
Ну да, как раз и идет перед tWPRE. А там где write to read tWRRD - tWPST и tRPRE, т. е. наоборот и увеличение этого tRPRE на формулу не влияет...что странно..
Сейчас этот форум просматривают: Bigsun, Mishel и гости: 15
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения