AMT - Asus MemTweakit Asus MemTweakIt 2.02.44 При настройке памяти в BIOS ставим ОБЯЗАТЕЛЬНО MRC Fast boot=disable (включаем при этом режим тонкой тренировки, если же выставим enable, то включаем режим грубой тренировки). Оптимально при разгоне памяти использовать в биосе множитель памяти 133, а не авто или 100, что даст возможность создать комфортные условия для контроллера памяти в процессоре и снизить напряжения ио и са ! Недаром в Jedec шаг между спидбинами именно 133, а не 100! Для плат с Alder Lake напряжения VDD и VDDQ на память могут отличаться не больше, чем на 300 мВ. Для плат на основе логики z690 и b660: VDD>VDDQ VDDQ>=VDD-300mV(0.3V) Лучше на VDDQ не превышать 1.25V. Вполне возможно 1.30V. MSI дает зазор до 1.40V. Для таймингов должно выполняться требование: _dr=_dd
Разгон памяти у современной DDR4 (16 банков,RRDS=4,FAW=16,BL=8) эффективен только при tRC<=64,если каждый новый блок чтения происходит с разных банков памяти. Для 4-х слотовых плат при разгоне желательно в биосе отключить неиспользуемые слоты. Для максимальной производительности памяти значение tRFC в тактах для 8-Гбитных чипов должно быть кратно 8,а для 16-Гбитных чипов - 16. Если это правило не соблюдать, то будут вставлены лишние такты при каждом цикле обновления памяти. Для желающих максимально снизить tRFC. Делим tRFC на сумму tRCD,tRTP и tRP. Если результат ближе к 4, то снижать tRFC можно по 4 такта. Если результат ближе к 2, то снижать tRFC можно по 2 такта. Это связано с тем, что обновление происходит субмассивами, которые обязательно кратны 2.
Новая информация по tRAS
Чтение с модуля памяти у DDR4 происходит блоками. Минимальный блок сейчас составляет 64 байта, что связано с размером строки кэша у процессора. Этот блок может считываться как с одного банка, так и с разных. tRAS=tRCD+tRTP (при считывании 8 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+4 (при считывании 16 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+8 (считывание 24 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+12 (при считывании 32 байт с одного банка). Самый верный выбор для DDR4! tRAS=tRCD+tRTP+16 (считывание 40 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+20 (считывание 48 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+24 (считывание 56 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+28 (при считывании 64 байт с одного банка) Для DDR4 оптимальным выбором является 4-й или последний вариант. Но если выставить tRAS меньше, то ничего трагичного не произойдет, так как джедек придумала предохранитель (tRTP), поэтому можно не заморачиваться и выставлять минимальный tRAS (=tRCD+tRTP).
Напряжения на процессоре при разгоне памяти
SA- безопасный уровень (по данным MSI) 1.35, растет от частоты памяти и зависит от подключенной периферии к PCIE, чем больше скорость видеокарты и NVME-диска, тем выше нужно напряжение. IO (для Z590 =IO2, а просто IO можно оставлять в авто, для Z690=IVR DDQ)- обычно хорошо работает если на 50 мВ ниже SA, но чем ниже, тем лучше, стараться максимально снижать. Тоже растет с ростом частоты памяти. Для ориентира при настройке всегда рекомендую глянуть, что за напряжения SA и IO выставляет материнка в авто.
Для начала тезисно несколько правил «успешного разгона и установки памяти»:
1. Ни в коем случае не используем XMP профили – этот режим протестирован на совместимость, но не даёт оптимальную производительность. Поскольку заводская настройка не блещет идеальным подбором, можно получить до 20-25% производительности дополнительно, вручную настраивая тайминги и напряжения. Также XMP режим чреват завышениями вольтажа самой память и контроллера памяти\SOC. 2. Правильная установка модулей – А2 (для одного модуля), A2B2 (для двух модулей). 3. Самый лучший разгон по частоте достигается при использовании одного модуля, при наличии двух планок максимальная частота лишь немного хуже. У четырёх – либо хуже (на устаревающем LGA2011-3) либо такой же или лучше (LGA2066), которые могут стабильно работать с 4мя модулями на 4000CL16. 4. Если используется два модуля, то худший модуль (требующий бОльшего напряжения для стабильного разгона) должен стоять ближе к процессору в слоте A2. 5. Перед настройкой частоты и таймингов памяти отключить подсветку модулей памяти - т.к. это даёт лишний нагрев.
УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ГАЙД ПО НАСТРОЙКЕ от Agiliter
Универсальный гайд. 0. Устраните любые потенциальные проблемы с другим железом. Снимите разгон с видеокарты, снизьте частоту цп на 300 с сохранением напряжения. Не забудьте вернуть RTL в авто если сейчас не авто. 1. Крутим очень короткий мемтест, то есть если минуту живёт сразу снижать тайминг дальше. Ищите не стабильность, а явно сбойное значение тайминга, запишите его - пригодится. Гораздо проще найти явно нерабочее значение и от него плясать чем пытаться ловить нестабильность часами. Это также помогает диагностировать сбойные тайминги на ранее "стабильной памяти". Не пытайтесь найти предельные значение сразу. Сначала скрутите до +2 от минимально стабильного. Многие тайминги идут параллельно поэтому бессмысленно пытаться скрутить до упора с первого прохода. CR выставить на 2 если стоит 1. В самом конце можно попробовать скинуть до 1. 3 Ставить только на очень большую частоту или если по другому ну совсем никак.
Начните с RCD, CL. Не обязательно должны быть одинаковыми, обычно CL идёт меньше чем RCD. RAS сразу пробуйте как RCD+CL+4, до этого значения от него существенная разница, дальше меньше. CWL<=CL. Допустимые значения 9,10,11,12,14,16,18,20. RP можете выставить по RCD, если пойдёт меньше - тоже неплохо, не уверен правда насчёт смысла. RTP без формул. Если не идёт вниз можно попробовать поднять чуть чуть RP. В DDR4 явно связан с WR соотношением 2 к 1 (например WR20\RTP10), физически хранится одно значения и в зависимости от операции интерпретируется. Скрутите FAW до 16(так и оставьте если работает). С таким FAW скручивайте RRD(оба, L обычно больше чем S), возможно поедут на 4 оба. Если до 4 не удалось спустить поднимите FAW до уровня RRDL*4 и попробуйте ещё, хотя это скорее всего уже почти предел. Обычно L>=S. L - SG(Same Group). S - DG(Different Group) Напр. RRD_L>=RRD_S. CKE=5 СCDL>=4 RDRD_DD и прочие подобные можно проигнорировать если у вас нет двух планок на один канал (4 планки). DD-Different Dimm. Тоже самое с DR-Different Rank если у вас одноранговая память. RDWR_SG(DG) и подобные сочетания скручивайте до минимальных рабочих, потом накиньте сверху +2. Как уже отметил обычно SG>=DG. WTR не трогайте он сам спустится когда будете скидывать WRRD_SG(DG) и прочие подобные. Если сам меньше не стал тогда руками скидывать. WR снижать через WRPRE если есть. Если нет или не снижает WR, То скрутите его скажем до 12 или +4 от рабочего, потом дожмёте если не лень будет. RFC явных формул нет, крутить после всего списка сверху. Не пытайтесь найти его минимальное значение если не хотите чтобы память начинала сыпать ошибками от любого чиха. найдите пограничное со стабильностью значение и накиньте сверху 20 или сразу 40. Может реагировать на RAS+RP, RRD, FAW, причём в обе стороны (то есть может "сломаться" если задрать названные), а может и не реагировать... REFi больше лучше. Связан с RFC. REFI сколько память "работает" - RFC сколько "отдыхает". Оба тайминга лучше не пытаться найти предельное значение.Заметно реагируют на температуру. Многие тайминги отзываются и на температуру и на напряжение. Поскольку напряжение может как позволить снизить тайминг, так и увеличить температуру, то середину можно искать очень долго, поэтому лучше бы вовремя остановится. Тестируйте тщательно с перезагрузками, сном, холодным стартом. RTL и IOL вам кто-то другой пусть советует как настраивать, от них у меня голова болеть начинает...
tRASmin=tCL+tRCD+2 WTRS/L устанавливаются в биосе через WRRDdg/sg согласно формуле: WRRD_sg=6+CWL+WTR_L WRRD_dg=6+CWL+WTR_S WR - через WRPRE (для матплат ASUS): WRPRE=4+CWL+WR RTP - через RDPRE (для матплат ASUS) RDPRE=RTP
VDDDQ=1.5 V max по Jedec VrefCA=0.6xVDDDQ=0.9 V (max по Jedec), в даташите контроллера интел тоже разрешено максимальное vrefca=0.6xVdddq. То есть при обычной настройке биоса, когда VrefCA=0.5xVDDDQ, VDRAM<=1.8 V, чтобы уложиться в нормы по Jedec. А если при этом в биосе настроить vrefca=0.49xvdddq (разрешено по Jedec), то безопасное Vdram может быть еще выше=1.837 V. Вывод: для контроллера процессора напряжение на память <=1.8 V неопасно
CPU Name: Intel® Core™ i7-7740K CPU @ 4.30GHz Motherboard Model: MSI X299 GAMING PRO CARBON AC (MS-7A95) Total Size: 8192 MB Type: Single Channel (64 bit) DDR4-SDRAM Frequency: 2750 MHz - Ratio 1:31 Timings: 21-31-31-63-2 (tCAS-tRC-tRP-tRAS-tCR) Slot #1 Module: G.Skill 8192 MB (DDR4-2137) - XMP 2.0 - P/N: F4-3200C14-8GVR
[img]Ссылка на скрин[/img] Для сбора статистики по установленным чипам памяти просьба прикладывать скрины программы Taiphoon Burner и указывать напряжения на DIMM, IO и SA![/color]
Below are the typical tRFC in ns for the common ICs: IC tRFC (ns) Hynix 8Gb AFR 260 - 280 Hynix 8Gb CJR 260 - 280 Hynix 8Gb DJR 260 - 280 Micron 8Gb Rev. E 280 - 310 Micron 16Gb Rev. B 290 - 310 Samsung 8Gb B-Die 120 - 180 Samsung 8Gb C-Die 300 - 340
Таблица tRFC от Reous v26
#77
Расшифровка чипов, находящихся в модуле памяти у разных производителей
#77
Ревизии печатных плат. A0,A1 или A2 планки, как узнать
#77 #77 #77 #77
Статистика tRCD планок в зависимости от типов чипов
#77 #77 #77 Чем выше вы в вертикальном столбце, тем удачнее планки. Чем интенсивнее цвет, тем выше статистический процент (данные старые,теперь удачнее чипы выходят) На 1 таблице все,что выше красной линии - суперотборники.
Советы по верной тренировке
1.Поднять напряжения на VCCSA и VCCIO. 2.Включить в биосе Round Trip Latency. 3.Для гигабайтов - memory enchancement=normal.
Руководство по разгону памяти для начинающих блондинок
может в фоне что то работает или качает тест сколько раз проводился?
Кучу тестов сделал. Ничего не качает. Всё отключено само собой. Я прекрасно понимаю, что такие тесты нужно делать на чистой ОС и без запущенного софта. Было бы не плохо, если бы еще кто такие замеры сделал на про и ltsc.
UndWDoG писал(а):
могу предположить, что виной всему различные патчи meltdown/spectre ( включая микрокод ).
Advanced member
Статус: Не в сети Регистрация: 06.03.2009 Фото: 47
over_tolik Явно что то не так с тем что на первом скрине, таких результатов не должно быть на 10-ке и с такой частой-таймингами, второй ближе к реальности.
У меня 4000 16-16-16 выдает около 60к по аиде, а как включаю при этих настройках 4100 и повышаю до 17-17-17 (или оставляю прежние тайминги, неважно) чтение становится 61, а запись и копирование 30, как. будто пополам режется результат
_________________ 14700kf | Asrock Z790i | 32gb a-die 8400c38 | Lian Li Sup 01 | custom loop
Advanced member
Статус: Не в сети Регистрация: 06.03.2009 Фото: 47
over_tolik
Цитата:
При чем тут тот процессор вообще? Петросян?
Ну один смотрю убил а что со вторым случилось я не в курсе )), там же тест не от одной лишь памяти зависит, точнее от памяти зависит меньше чем от процессора
Ну один смотрю убил а что со вторым случилось я не в курсе )), там же тест не от одной лишь памяти зависит, точнее от памяти зависит меньше чем от процессора
Ну убил, и че? Ну и в минусе не остался. Тебе то какое дело? Не лень же по профилям шляться. Это абсолютно другой процессор.
Вообщем, если кто сверит на разных ОС с последними обновлениями - отпишитесь, или в личку. Со своей стороны я просто поделился наблюдением. В гугле находил только на зарубежном ресурсе, что человек перешел с восьмерки на 10 и упала производительность. Если больше память гнать, то еще хуже результат становится на Pro. Память ставил на ночь на проверку, ошибок нет.
Может есть смысл или формулы их как-то ужать? Я знаю только 2, для них формулы и расписал, но в априори tREFIx9 не может быть выше 127.
anta777 писал(а):
Но тут есть неразрешимая проблема. К сожалению, на системах с Intel есть другой параметр, который ограничивает увеличение tREFI, так называемая переменная tREFIx9 – Maximum time allowed between refreshes to a rank (in intervals of 1024 DCLK cycles). Should be programmed to 8.9*tREFI/1024 (to allow for possible delays from ZQ or isoc), максимум которой возможен только 127, что не дает возможности реально повышать tREFI на эксплуатируемых частотах памяти. Из-за этого реально максимум для tREFI=14612. Для стандарта хватает, так как для частоты памяти 3200 MHz tREFI=12480. Но так как ухудшений от увеличения tREFI я не видел, то и рекомендовал выставлять его с частоты памяти 3733 в почти максимум – 65534. Если считать, что BIOS игнорирует значение tREFIx9, то реальный максимум для tREFI=65535 и то, только из‒за ограничений BIOS (выделили 2 байта на значение tREFI), а так можно было бы устанавливать еще больше. Но наличие в BIOS ограничения для tREFIx9 всего лишь в 127 (что мешало установить хотя бы 255) для меня является загадкой на сегодня.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 09.11.2019 Откуда: Карелия|СПб
Нашёл в ветке.
tRDPDEN = tCL + 5 = 15+5=20, как и стоит в авто режиме, значит, могу зафиксировать его. tWRPDEN, как я понимаю, равен tWRPRE, стоит также 32 как и tWRPRE, значит, также могу зафиксировать его.
tPD Minimum time spent in power down - tPD Минимальное время, затраченное на отключение tXP Time to exit active powerdown/ppd fast exit - tXP Время выхода из активного отключения питания / быстрого выхода из ppd (непонятно тут, исходя из гугла). tXPDLL Time to exit precharge powerdown slow exit - tXPDLL Время выхода из режима медленного выхода из режима предзарядки (непонятно тут, исходя из гугла). tACTPDEN Activate to powerdown - tACTPDEN Активировать для отключения питания. tPRPDEN Precharge to powerdown - tPRPDEN Предварительная зарядка до отключения питания. tREFPDEN Refresh to powerdown - tREFPDEN Обновить до отключения питания. tRDPDEN Read to powerdown - tRDPDEN чтение до отключения питания. tWRPDEN Write to powerdown - tWRPDEN записать до отключения питания. tWRAPDENWrite (auto precharge) to powerdown - tWRAPDENWrite (автоматическая предварительная зарядка) для отключения питания.
+
tRDPDEN= RL+4CK+1CK=tAL+tCL+5 tWRPDEN= WL+2+tWR/tCK=tAL+tCWL+2+tWR/tCK tWRAPDEN= WL+2+WR+1=tAL+tCWL+WR+3 tPD=min=tCKE(MIN) tXP=greater of 3CK tXPDLL=greater of 10CK tXS=greater of 5CK or tRFC+10ns tXSDLL=512
P.S. Поднял, может надо кому.
Только не понятно пока, чему равен RL, CK, WL. AL, как я понял, равен 1?
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 09.11.2019 Откуда: Карелия|СПб
anta777 писал(а):
Нет, AL может быть равен tCL-1.
Когда известен tRDPDEN и tCL, найду tAL: Судя по этой формуле tRDPDEN=tAL+tCL+5, мой tAL=tRDPDEN-tCL-5=20-15-5=0 ....... tAL=0
Когда нашёл tAL, найду tCK: Судя по этой формуле tWRPDEN=tAL+tCWL+2+tWR/tCK, мой tCK=tWR/(tWRPDEN-tAL-tCWL-2)=16/(32-0-14-2)=16/16=1 ....... tCK=1. Проверка: 32=0+14+2+14/1=16+2+14=32
Когда нашёл tCK, найду RL: Судя по этой формуле tRDPDEN=RL+4CK+1CK, мой RL=tRDPDEN-4CK-1CK=20-4*1+1*1=20-4-1=15 ....... RL=15. Проверка: 20=15+4*1+1*1=15+4+1=20
Найду WL: Судя по этой формуле tWRPDEN=WL+2+tWR/tCK мой WL=tWRPDEN-2-tWR/tCK=32-2-14/1=30-14=16 ....... WL=16. Проверка: 32=16+2+14/1=18+14=32
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 13.05.2006 Откуда: Москва Фото: 11
odvolk10 писал(а):
Когда известен tRDPDEN и tCL, найду tAL: Судя по этой формуле tRDPDEN=tAL+tCL+5, мой tAL=tRDPDEN-tCL-5=20-15-5=0 ....... tAL=0
Когда нашёл tAL, найду tCK: Судя по этой формуле tWRPDEN=tAL+tCWL+2+tWR/tCK, мой tCK=tWR/(tWRPDEN-tAL-tCWL-2)=16/(32-0-14-2)=16/16=1 ....... tCK=1. Проверка: 32=0+14+2+14/1=16+2+14=32
Когда нашёл tCK, найду RL: Судя по этой формуле tRDPDEN=RL+4CK+1CK, мой RL=tRDPDEN-4CK-1CK=20-4*1+1*1=20-4-1=15 ....... RL=15. Проверка: 20=15+4*1+1*1=15+4+1=20
Найду WL: Судя по этой формуле tWRPDEN=WL+2+tWR/tCK мой WL=(tWRPDEN-2-tWR)/tCK=(32-2-14)/1=16/1=16 ....... WL=16. Проверка: 32=16+2+14/1=18+14=32
Сейчас этот форум просматривают: Alim63 и гости: 10
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения