AMT - Asus MemTweakit Asus MemTweakIt 2.02.44 При настройке памяти в BIOS ставим ОБЯЗАТЕЛЬНО MRC Fast boot=disable (включаем при этом режим тонкой тренировки, если же выставим enable, то включаем режим грубой тренировки). Оптимально при разгоне памяти использовать в биосе множитель памяти 133, а не авто или 100, что даст возможность создать комфортные условия для контроллера памяти в процессоре и снизить напряжения ио и са ! Недаром в Jedec шаг между спидбинами именно 133, а не 100! Для плат с Alder Lake напряжения VDD и VDDQ на память могут отличаться не больше, чем на 300 мВ. Для плат на основе логики z690 и b660: VDD>VDDQ VDDQ>=VDD-300mV(0.3V) Лучше на VDDQ не превышать 1.25V. Вполне возможно 1.30V. MSI дает зазор до 1.40V. Для таймингов должно выполняться требование: _dr=_dd
Разгон памяти у современной DDR4 (16 банков,RRDS=4,FAW=16,BL=8) эффективен только при tRC<=64,если каждый новый блок чтения происходит с разных банков памяти. Для 4-х слотовых плат при разгоне желательно в биосе отключить неиспользуемые слоты. Для максимальной производительности памяти значение tRFC в тактах для 8-Гбитных чипов должно быть кратно 8,а для 16-Гбитных чипов - 16. Если это правило не соблюдать, то будут вставлены лишние такты при каждом цикле обновления памяти. Для желающих максимально снизить tRFC. Делим tRFC на сумму tRCD,tRTP и tRP. Если результат ближе к 4, то снижать tRFC можно по 4 такта. Если результат ближе к 2, то снижать tRFC можно по 2 такта. Это связано с тем, что обновление происходит субмассивами, которые обязательно кратны 2.
Новая информация по tRAS
Чтение с модуля памяти у DDR4 происходит блоками. Минимальный блок сейчас составляет 64 байта, что связано с размером строки кэша у процессора. Этот блок может считываться как с одного банка, так и с разных. tRAS=tRCD+tRTP (при считывании 8 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+4 (при считывании 16 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+8 (считывание 24 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+12 (при считывании 32 байт с одного банка). Самый верный выбор для DDR4! tRAS=tRCD+tRTP+16 (считывание 40 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+20 (считывание 48 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+24 (считывание 56 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+28 (при считывании 64 байт с одного банка) Для DDR4 оптимальным выбором является 4-й или последний вариант. Но если выставить tRAS меньше, то ничего трагичного не произойдет, так как джедек придумала предохранитель (tRTP), поэтому можно не заморачиваться и выставлять минимальный tRAS (=tRCD+tRTP).
Напряжения на процессоре при разгоне памяти
SA- безопасный уровень (по данным MSI) 1.35, растет от частоты памяти и зависит от подключенной периферии к PCIE, чем больше скорость видеокарты и NVME-диска, тем выше нужно напряжение. IO (для Z590 =IO2, а просто IO можно оставлять в авто, для Z690=IVR DDQ)- обычно хорошо работает если на 50 мВ ниже SA, но чем ниже, тем лучше, стараться максимально снижать. Тоже растет с ростом частоты памяти. Для ориентира при настройке всегда рекомендую глянуть, что за напряжения SA и IO выставляет материнка в авто.
Для начала тезисно несколько правил «успешного разгона и установки памяти»:
1. Ни в коем случае не используем XMP профили – этот режим протестирован на совместимость, но не даёт оптимальную производительность. Поскольку заводская настройка не блещет идеальным подбором, можно получить до 20-25% производительности дополнительно, вручную настраивая тайминги и напряжения. Также XMP режим чреват завышениями вольтажа самой память и контроллера памяти\SOC. 2. Правильная установка модулей – А2 (для одного модуля), A2B2 (для двух модулей). 3. Самый лучший разгон по частоте достигается при использовании одного модуля, при наличии двух планок максимальная частота лишь немного хуже. У четырёх – либо хуже (на устаревающем LGA2011-3) либо такой же или лучше (LGA2066), которые могут стабильно работать с 4мя модулями на 4000CL16. 4. Если используется два модуля, то худший модуль (требующий бОльшего напряжения для стабильного разгона) должен стоять ближе к процессору в слоте A2. 5. Перед настройкой частоты и таймингов памяти отключить подсветку модулей памяти - т.к. это даёт лишний нагрев.
УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ГАЙД ПО НАСТРОЙКЕ от Agiliter
Универсальный гайд. 0. Устраните любые потенциальные проблемы с другим железом. Снимите разгон с видеокарты, снизьте частоту цп на 300 с сохранением напряжения. Не забудьте вернуть RTL в авто если сейчас не авто. 1. Крутим очень короткий мемтест, то есть если минуту живёт сразу снижать тайминг дальше. Ищите не стабильность, а явно сбойное значение тайминга, запишите его - пригодится. Гораздо проще найти явно нерабочее значение и от него плясать чем пытаться ловить нестабильность часами. Это также помогает диагностировать сбойные тайминги на ранее "стабильной памяти". Не пытайтесь найти предельные значение сразу. Сначала скрутите до +2 от минимально стабильного. Многие тайминги идут параллельно поэтому бессмысленно пытаться скрутить до упора с первого прохода. CR выставить на 2 если стоит 1. В самом конце можно попробовать скинуть до 1. 3 Ставить только на очень большую частоту или если по другому ну совсем никак.
Начните с RCD, CL. Не обязательно должны быть одинаковыми, обычно CL идёт меньше чем RCD. RAS сразу пробуйте как RCD+CL+4, до этого значения от него существенная разница, дальше меньше. CWL<=CL. Допустимые значения 9,10,11,12,14,16,18,20. RP можете выставить по RCD, если пойдёт меньше - тоже неплохо, не уверен правда насчёт смысла. RTP без формул. Если не идёт вниз можно попробовать поднять чуть чуть RP. В DDR4 явно связан с WR соотношением 2 к 1 (например WR20\RTP10), физически хранится одно значения и в зависимости от операции интерпретируется. Скрутите FAW до 16(так и оставьте если работает). С таким FAW скручивайте RRD(оба, L обычно больше чем S), возможно поедут на 4 оба. Если до 4 не удалось спустить поднимите FAW до уровня RRDL*4 и попробуйте ещё, хотя это скорее всего уже почти предел. Обычно L>=S. L - SG(Same Group). S - DG(Different Group) Напр. RRD_L>=RRD_S. CKE=5 СCDL>=4 RDRD_DD и прочие подобные можно проигнорировать если у вас нет двух планок на один канал (4 планки). DD-Different Dimm. Тоже самое с DR-Different Rank если у вас одноранговая память. RDWR_SG(DG) и подобные сочетания скручивайте до минимальных рабочих, потом накиньте сверху +2. Как уже отметил обычно SG>=DG. WTR не трогайте он сам спустится когда будете скидывать WRRD_SG(DG) и прочие подобные. Если сам меньше не стал тогда руками скидывать. WR снижать через WRPRE если есть. Если нет или не снижает WR, То скрутите его скажем до 12 или +4 от рабочего, потом дожмёте если не лень будет. RFC явных формул нет, крутить после всего списка сверху. Не пытайтесь найти его минимальное значение если не хотите чтобы память начинала сыпать ошибками от любого чиха. найдите пограничное со стабильностью значение и накиньте сверху 20 или сразу 40. Может реагировать на RAS+RP, RRD, FAW, причём в обе стороны (то есть может "сломаться" если задрать названные), а может и не реагировать... REFi больше лучше. Связан с RFC. REFI сколько память "работает" - RFC сколько "отдыхает". Оба тайминга лучше не пытаться найти предельное значение.Заметно реагируют на температуру. Многие тайминги отзываются и на температуру и на напряжение. Поскольку напряжение может как позволить снизить тайминг, так и увеличить температуру, то середину можно искать очень долго, поэтому лучше бы вовремя остановится. Тестируйте тщательно с перезагрузками, сном, холодным стартом. RTL и IOL вам кто-то другой пусть советует как настраивать, от них у меня голова болеть начинает...
tRASmin=tCL+tRCD+2 WTRS/L устанавливаются в биосе через WRRDdg/sg согласно формуле: WRRD_sg=6+CWL+WTR_L WRRD_dg=6+CWL+WTR_S WR - через WRPRE (для матплат ASUS): WRPRE=4+CWL+WR RTP - через RDPRE (для матплат ASUS) RDPRE=RTP
VDDDQ=1.5 V max по Jedec VrefCA=0.6xVDDDQ=0.9 V (max по Jedec), в даташите контроллера интел тоже разрешено максимальное vrefca=0.6xVdddq. То есть при обычной настройке биоса, когда VrefCA=0.5xVDDDQ, VDRAM<=1.8 V, чтобы уложиться в нормы по Jedec. А если при этом в биосе настроить vrefca=0.49xvdddq (разрешено по Jedec), то безопасное Vdram может быть еще выше=1.837 V. Вывод: для контроллера процессора напряжение на память <=1.8 V неопасно
CPU Name: Intel® Core™ i7-7740K CPU @ 4.30GHz Motherboard Model: MSI X299 GAMING PRO CARBON AC (MS-7A95) Total Size: 8192 MB Type: Single Channel (64 bit) DDR4-SDRAM Frequency: 2750 MHz - Ratio 1:31 Timings: 21-31-31-63-2 (tCAS-tRC-tRP-tRAS-tCR) Slot #1 Module: G.Skill 8192 MB (DDR4-2137) - XMP 2.0 - P/N: F4-3200C14-8GVR
[img]Ссылка на скрин[/img] Для сбора статистики по установленным чипам памяти просьба прикладывать скрины программы Taiphoon Burner и указывать напряжения на DIMM, IO и SA![/color]
Below are the typical tRFC in ns for the common ICs: IC tRFC (ns) Hynix 8Gb AFR 260 - 280 Hynix 8Gb CJR 260 - 280 Hynix 8Gb DJR 260 - 280 Micron 8Gb Rev. E 280 - 310 Micron 16Gb Rev. B 290 - 310 Samsung 8Gb B-Die 120 - 180 Samsung 8Gb C-Die 300 - 340
Таблица tRFC от Reous v26
#77
Расшифровка чипов, находящихся в модуле памяти у разных производителей
#77
Ревизии печатных плат. A0,A1 или A2 планки, как узнать
#77 #77 #77 #77
Статистика tRCD планок в зависимости от типов чипов
#77 #77 #77 Чем выше вы в вертикальном столбце, тем удачнее планки. Чем интенсивнее цвет, тем выше статистический процент (данные старые,теперь удачнее чипы выходят) На 1 таблице все,что выше красной линии - суперотборники.
Советы по верной тренировке
1.Поднять напряжения на VCCSA и VCCIO. 2.Включить в биосе Round Trip Latency. 3.Для гигабайтов - memory enchancement=normal.
Руководство по разгону памяти для начинающих блондинок
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 28.12.2014 Откуда: из Голливуда Фото: 0
anta777 заблудился ты... в трех соснах. дерзкий-то какой... вай-вай.
Добавлено спустя 6 минут 32 секунды: anta777 идеальной поканальной тренировки с 4мя модулями добиться сложно, иногда почему то становится нереально, особенно на высоких частотах.
Куратор темы Статус: В сети Регистрация: 10.06.2011
Так и запишем: для 4-х планок (по antiOver) разрешается иметь разницу между RTL >2, так как добиться правильной тренировки сложно и иногда нереально. А можно еще расширить - там, где добиться правильной тренировки сложно, то там она не нужна.
Поэтому сгодится любая плата и любые модули, как плата их оттренирует, так и будем это считать верной тренировкой.
Но этот подход не для меня. Когда тренировка неправильная, то она неправильная, даже если 4 планки.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 28.12.2014 Откуда: из Голливуда Фото: 0
anta777 дада, давай вместе порезвимся... я не против. вся эта разница зависит от контроллера памяти... у многих плат самое лучшее соотношение составляет всего 2 единицы и ничего не получится меньше ужать. на всяких арехах и т.п. платах может и можно, но на обычных средняках не получится. ты сам не раз писал, что тренировка не превышающая значение 28 является нормой! так какого лешего в вышепреведенном скрине по твоему мнению тренировка резко стала неправильной?
Куратор темы Статус: В сети Регистрация: 10.06.2011
Для занятых DIMM памяти при правильной тренировке: RTLmax-RTLmin<=2 Для тех, кто так и не понял, или косит под дурачка, а может и не косит)): RTLmax- это то RTL, что больше всех для используемых DIMM а RTLmin- это то RTL, что меньше всех для используемых DIMM
А сумма иол и иол-оффсета занятого канала должна при этом быть <=28, так как при IOLA=13 IOLB=14 IOL-offsetA=21 IOL-offsetB=21 RTLA=66 RTLB=68 разница rtl<=2, но тренировка неправильная из-за завышенных значений rtl. Ориентироваться по сумме иол и иол-оффсета нужно для профанов, так как разбирающиеся имеют и используют формулу для нахождения верных RTL при заданной частоте памяти, tCL, CR и вида материнской платы, им видеть значения иолов и иол-оффсетов, чтобы определить правильность тренировки не нужно.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 09.11.2019 Откуда: Карелия|СПб
anta777 писал(а):
Ориентироваться по сумме иол и иол-оффсета нужно для профанов, так как разбирающиеся имеют и используют формулу для нахождения верных RTL при заданной частоте памяти, tCL, CR и вида материнской платы, им видеть значения иолов и иол-оффсетов, чтобы определить правильность тренировки не нужно.
Да, всё правильно, но не у тех, у кого гига)) Задумываюсь менять на Z390 ACE. Стоит вот ли того? Напомню, 4 плашки...
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 28.12.2014 Откуда: из Голливуда Фото: 0
anta777 писал(а):
Для тех, кто так и не понял, или косит под дурачка, а может и не косит))
ты это о себе? утверждаешь, приводишь формулы... потом сам с собой споришь. повторяю, не я выдумал... лишь прокомментировал то, о чем ты не раз сам писал. антыч, кончай! чего на меня накинулся-то?
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 09.11.2019 Откуда: Карелия|СПб
Было 4100 15-16-35 (264 tRFC) при 1.540V.
Сейчас сделал 16-16-36 (296 tRFC; 280-288 едут при 1.46+, что не значительно повлияет на производительность) при 1.440V. Сильно много не проиграю, зато снизил вольтаж на 0.100V.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 28.12.2014 Откуда: из Голливуда Фото: 0
anta777 писал(а):
ты явно не понял
да все я давно уже усвоил... не составило никакого труда со всем этим разобраться, но конечно не без вашей помощи, за что до сих пор многим тут благодарен.
anta777 писал(а):
сумма иол и иол-оффсета занятого канала должна при этом быть <=28
я об этом и говорил. у товарища выше с этим как раз все нормально было, что при расчете самой тренировки выдало как раз-таки соотв.значения - других значений просто быть не могло... а ты продолжаешь утверждать, что это все неправильно. ещё и с какими-то непонятными откровенно наездами:
anta777 писал(а):
С каких пор норма стала определяться тобой?
anta777 писал(а):
Твое согласие, слава Богу, мне не требуется.
anta777 писал(а):
Для тех, кто так и не понял, или косит под дурачка, а может и не косит)):
о, самопровозглашенный король лемуров оверов, пощади!!! не суди так строго!
Последний раз редактировалось antiOVER 27.02.2020 22:55, всего редактировалось 1 раз.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 01.02.2010 Фото: 12
antiOVER ну он прав, разница не должна быть больше 2, эта инфа уже давно известна, а если больше то это приведет либо к ошибкам (возможно и не всегда), либо к снижению производительности имхо.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 30.09.2007 Откуда: Tver Фото: 29
MeDd писал(а):
garison87 это вы как посчитали? Если считать по формулам anta777, то 3900С15 получается чуть лучше, чем 3600С14.
Опытным путем на своей памяти. Формула типа где 1 шаг по основному таймингу равен 200-250 МГц работает только с латентностью, а чтение/запись выше там, где выше частота. Мои 4200с17-16-16-36 лучше 3800 15-15-15-34 везде. при этом 3800с15 просят 1,5в
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения