AMT - Asus MemTweakit Asus MemTweakIt 2.02.44 При настройке памяти в BIOS ставим ОБЯЗАТЕЛЬНО MRC Fast boot=disable (включаем при этом режим тонкой тренировки, если же выставим enable, то включаем режим грубой тренировки). Оптимально при разгоне памяти использовать в биосе множитель памяти 133, а не авто или 100, что даст возможность создать комфортные условия для контроллера памяти в процессоре и снизить напряжения ио и са ! Недаром в Jedec шаг между спидбинами именно 133, а не 100! Для плат с Alder Lake напряжения VDD и VDDQ на память могут отличаться не больше, чем на 300 мВ. Для плат на основе логики z690 и b660: VDD>VDDQ VDDQ>=VDD-300mV(0.3V) Лучше на VDDQ не превышать 1.25V. Вполне возможно 1.30V. MSI дает зазор до 1.40V. Для таймингов должно выполняться требование: _dr=_dd
Разгон памяти у современной DDR4 (16 банков,RRDS=4,FAW=16,BL=8) эффективен только при tRC<=64,если каждый новый блок чтения происходит с разных банков памяти. Для 4-х слотовых плат при разгоне желательно в биосе отключить неиспользуемые слоты. Для максимальной производительности памяти значение tRFC в тактах для 8-Гбитных чипов должно быть кратно 8,а для 16-Гбитных чипов - 16. Если это правило не соблюдать, то будут вставлены лишние такты при каждом цикле обновления памяти. Для желающих максимально снизить tRFC. Делим tRFC на сумму tRCD,tRTP и tRP. Если результат ближе к 4, то снижать tRFC можно по 4 такта. Если результат ближе к 2, то снижать tRFC можно по 2 такта. Это связано с тем, что обновление происходит субмассивами, которые обязательно кратны 2.
Новая информация по tRAS
Чтение с модуля памяти у DDR4 происходит блоками. Минимальный блок сейчас составляет 64 байта, что связано с размером строки кэша у процессора. Этот блок может считываться как с одного банка, так и с разных. tRAS=tRCD+tRTP (при считывании 8 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+4 (при считывании 16 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+8 (считывание 24 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+12 (при считывании 32 байт с одного банка). Самый верный выбор для DDR4! tRAS=tRCD+tRTP+16 (считывание 40 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+20 (считывание 48 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+24 (считывание 56 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+28 (при считывании 64 байт с одного банка) Для DDR4 оптимальным выбором является 4-й или последний вариант. Но если выставить tRAS меньше, то ничего трагичного не произойдет, так как джедек придумала предохранитель (tRTP), поэтому можно не заморачиваться и выставлять минимальный tRAS (=tRCD+tRTP).
Напряжения на процессоре при разгоне памяти
SA- безопасный уровень (по данным MSI) 1.35, растет от частоты памяти и зависит от подключенной периферии к PCIE, чем больше скорость видеокарты и NVME-диска, тем выше нужно напряжение. IO (для Z590 =IO2, а просто IO можно оставлять в авто, для Z690=IVR DDQ)- обычно хорошо работает если на 50 мВ ниже SA, но чем ниже, тем лучше, стараться максимально снижать. Тоже растет с ростом частоты памяти. Для ориентира при настройке всегда рекомендую глянуть, что за напряжения SA и IO выставляет материнка в авто.
Для начала тезисно несколько правил «успешного разгона и установки памяти»:
1. Ни в коем случае не используем XMP профили – этот режим протестирован на совместимость, но не даёт оптимальную производительность. Поскольку заводская настройка не блещет идеальным подбором, можно получить до 20-25% производительности дополнительно, вручную настраивая тайминги и напряжения. Также XMP режим чреват завышениями вольтажа самой память и контроллера памяти\SOC. 2. Правильная установка модулей – А2 (для одного модуля), A2B2 (для двух модулей). 3. Самый лучший разгон по частоте достигается при использовании одного модуля, при наличии двух планок максимальная частота лишь немного хуже. У четырёх – либо хуже (на устаревающем LGA2011-3) либо такой же или лучше (LGA2066), которые могут стабильно работать с 4мя модулями на 4000CL16. 4. Если используется два модуля, то худший модуль (требующий бОльшего напряжения для стабильного разгона) должен стоять ближе к процессору в слоте A2. 5. Перед настройкой частоты и таймингов памяти отключить подсветку модулей памяти - т.к. это даёт лишний нагрев.
УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ГАЙД ПО НАСТРОЙКЕ от Agiliter
Универсальный гайд. 0. Устраните любые потенциальные проблемы с другим железом. Снимите разгон с видеокарты, снизьте частоту цп на 300 с сохранением напряжения. Не забудьте вернуть RTL в авто если сейчас не авто. 1. Крутим очень короткий мемтест, то есть если минуту живёт сразу снижать тайминг дальше. Ищите не стабильность, а явно сбойное значение тайминга, запишите его - пригодится. Гораздо проще найти явно нерабочее значение и от него плясать чем пытаться ловить нестабильность часами. Это также помогает диагностировать сбойные тайминги на ранее "стабильной памяти". Не пытайтесь найти предельные значение сразу. Сначала скрутите до +2 от минимально стабильного. Многие тайминги идут параллельно поэтому бессмысленно пытаться скрутить до упора с первого прохода. CR выставить на 2 если стоит 1. В самом конце можно попробовать скинуть до 1. 3 Ставить только на очень большую частоту или если по другому ну совсем никак.
Начните с RCD, CL. Не обязательно должны быть одинаковыми, обычно CL идёт меньше чем RCD. RAS сразу пробуйте как RCD+CL+4, до этого значения от него существенная разница, дальше меньше. CWL<=CL. Допустимые значения 9,10,11,12,14,16,18,20. RP можете выставить по RCD, если пойдёт меньше - тоже неплохо, не уверен правда насчёт смысла. RTP без формул. Если не идёт вниз можно попробовать поднять чуть чуть RP. В DDR4 явно связан с WR соотношением 2 к 1 (например WR20\RTP10), физически хранится одно значения и в зависимости от операции интерпретируется. Скрутите FAW до 16(так и оставьте если работает). С таким FAW скручивайте RRD(оба, L обычно больше чем S), возможно поедут на 4 оба. Если до 4 не удалось спустить поднимите FAW до уровня RRDL*4 и попробуйте ещё, хотя это скорее всего уже почти предел. Обычно L>=S. L - SG(Same Group). S - DG(Different Group) Напр. RRD_L>=RRD_S. CKE=5 СCDL>=4 RDRD_DD и прочие подобные можно проигнорировать если у вас нет двух планок на один канал (4 планки). DD-Different Dimm. Тоже самое с DR-Different Rank если у вас одноранговая память. RDWR_SG(DG) и подобные сочетания скручивайте до минимальных рабочих, потом накиньте сверху +2. Как уже отметил обычно SG>=DG. WTR не трогайте он сам спустится когда будете скидывать WRRD_SG(DG) и прочие подобные. Если сам меньше не стал тогда руками скидывать. WR снижать через WRPRE если есть. Если нет или не снижает WR, То скрутите его скажем до 12 или +4 от рабочего, потом дожмёте если не лень будет. RFC явных формул нет, крутить после всего списка сверху. Не пытайтесь найти его минимальное значение если не хотите чтобы память начинала сыпать ошибками от любого чиха. найдите пограничное со стабильностью значение и накиньте сверху 20 или сразу 40. Может реагировать на RAS+RP, RRD, FAW, причём в обе стороны (то есть может "сломаться" если задрать названные), а может и не реагировать... REFi больше лучше. Связан с RFC. REFI сколько память "работает" - RFC сколько "отдыхает". Оба тайминга лучше не пытаться найти предельное значение.Заметно реагируют на температуру. Многие тайминги отзываются и на температуру и на напряжение. Поскольку напряжение может как позволить снизить тайминг, так и увеличить температуру, то середину можно искать очень долго, поэтому лучше бы вовремя остановится. Тестируйте тщательно с перезагрузками, сном, холодным стартом. RTL и IOL вам кто-то другой пусть советует как настраивать, от них у меня голова болеть начинает...
tRASmin=tCL+tRCD+2 WTRS/L устанавливаются в биосе через WRRDdg/sg согласно формуле: WRRD_sg=6+CWL+WTR_L WRRD_dg=6+CWL+WTR_S WR - через WRPRE (для матплат ASUS): WRPRE=4+CWL+WR RTP - через RDPRE (для матплат ASUS) RDPRE=RTP
VDDDQ=1.5 V max по Jedec VrefCA=0.6xVDDDQ=0.9 V (max по Jedec), в даташите контроллера интел тоже разрешено максимальное vrefca=0.6xVdddq. То есть при обычной настройке биоса, когда VrefCA=0.5xVDDDQ, VDRAM<=1.8 V, чтобы уложиться в нормы по Jedec. А если при этом в биосе настроить vrefca=0.49xvdddq (разрешено по Jedec), то безопасное Vdram может быть еще выше=1.837 V. Вывод: для контроллера процессора напряжение на память <=1.8 V неопасно
CPU Name: Intel® Core™ i7-7740K CPU @ 4.30GHz Motherboard Model: MSI X299 GAMING PRO CARBON AC (MS-7A95) Total Size: 8192 MB Type: Single Channel (64 bit) DDR4-SDRAM Frequency: 2750 MHz - Ratio 1:31 Timings: 21-31-31-63-2 (tCAS-tRC-tRP-tRAS-tCR) Slot #1 Module: G.Skill 8192 MB (DDR4-2137) - XMP 2.0 - P/N: F4-3200C14-8GVR
[img]Ссылка на скрин[/img] Для сбора статистики по установленным чипам памяти просьба прикладывать скрины программы Taiphoon Burner и указывать напряжения на DIMM, IO и SA![/color]
Below are the typical tRFC in ns for the common ICs: IC tRFC (ns) Hynix 8Gb AFR 260 - 280 Hynix 8Gb CJR 260 - 280 Hynix 8Gb DJR 260 - 280 Micron 8Gb Rev. E 280 - 310 Micron 16Gb Rev. B 290 - 310 Samsung 8Gb B-Die 120 - 180 Samsung 8Gb C-Die 300 - 340
Таблица tRFC от Reous v26
#77
Расшифровка чипов, находящихся в модуле памяти у разных производителей
#77
Ревизии печатных плат. A0,A1 или A2 планки, как узнать
#77 #77 #77 #77
Статистика tRCD планок в зависимости от типов чипов
#77 #77 #77 Чем выше вы в вертикальном столбце, тем удачнее планки. Чем интенсивнее цвет, тем выше статистический процент (данные старые,теперь удачнее чипы выходят) На 1 таблице все,что выше красной линии - суперотборники.
Советы по верной тренировке
1.Поднять напряжения на VCCSA и VCCIO. 2.Включить в биосе Round Trip Latency. 3.Для гигабайтов - memory enchancement=normal.
Руководство по разгону памяти для начинающих блондинок
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 06.06.2007 Откуда: Ниоткуда Фото: 53
antiOVER писал(а):
95° включительно - рабочая температура
А почему бы и нет? На видеокартах под 90 °С на памяти и никто не парится. Но ежу понятно, что чем ниже температура, тем стабильнее и лучше разгон, вот мы и стремимся снизить температуру чипов. Очевидные вещи приходится писать.
_________________ 9900KF 5.0GHz/1.30V☻MAXIMUS XI HERO☻32GB DDR4 3700MHz/16-18-18-36 CR1/1.40V☻RTX 3080 Ti AORUS XTREME☻2TB XPG S11 Pro☻Corsair AX860☻LG 32GK850G
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 28.12.2014 Откуда: из Голливуда Фото: 0
RustamS рабочей температуре, как понятию, пофиг на снижение температуры до самого нуля. эта память будет безотказно пахать в диапазоне от 0° до 95°, это как для нашего организма 36.6°, как для мотора авто 90° и т.д. поэтому ничего понижать не нужно, особенно если рабочая температура нашей памяти находится где-то посередине между минимум и максимумом. не мешайте технике нормально жить.
Advanced member
Статус: Не в сети Регистрация: 06.03.2009 Фото: 47
RustamS Снизь чуть trefi и trfc и не будет ошибок, у меня сутками крутятся тесты без ошибок хотя горячая - обжигает. А по результату суди сам есть ли профит #77#77 На мой взгляд от всех этих rrdl до 4-х wtrl и wtrs до 6-2 и соответственно wrrd sg-dg, wrrd-dr до 6-и, trfc до 560, trfi до максимума пользы как от козла молока.
По простой таблице анта777 тайминги настройте, что-то очень уж большие вторички, особенно tRTP (надо tWR/2=8). Напоследок RTL-init = 67, iol-offset = 14 (оба)
Перепробовал кучу разных таймингов, в т.ч. из таблицы Anta RTL-init = 67, IO-L offset = 14 тоже попробовал Результат почти всегда один и тот же - на 1м или 2м цикле TM5 сбивается (см. скрины) Вольтаж на DIMM 1.4v, VCC IO/SA 1.25/1.3v
3600c18 Anta
#77
3600c16 Anta
#77
3600c16 IO-L offset 14
#77
Последний раз редактировалось IS_live 03.03.2020 9:28, всего редактировалось 1 раз.
А у кого-нить Corsair Vengeance LPX на чипах Micron D-die (2x16Gb CMK32GX4M2B3200C16R) лучше погнались?
Не знаю Но тесты точно так же сбрасываются и при стоковых 3200с16cr2 - так что, думаю, дело в каких-то настройках, а не переразгоне В принципе, модули держат и 3700с16cr1
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 04.06.2017 Фото: 6
Karats писал(а):
рабочая температура модуля 0-85 градусов
по умолчанию, до 45градусов память работает с повышенной производительностью(вернее, с пониженной потерей производительности). Вообще, память особенно зависит от температуры, так как это емкостной электрический носитель информации, и чем выше температура, тем быстрее заряд в конденсаторах достигает уровня, на котором он не может быть однозначно логически интерпретирован как "1" или "0"
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 19.03.2008 Откуда: Беларусь Фото: 2
Karats писал(а):
Снизь чуть trefi и trfc и не будет ошибок, у меня сутками крутятся тесты без ошибок хотя горячая - обжигает.
Не надо индейцам втирать свою дичь. Хоть яичницу жарь на своей памяти. У меня свой опыт, который говорит об обратном. Микрон менее восприимчив к температуре. B-die сыпется. Так что не нужно писать заведомо неверные выводы. И тебе не хамят, а опускают на землю.
Advanced member
Статус: Не в сети Регистрация: 06.03.2009 Фото: 47
nag77
Цитата:
И тебе не хамят
И жк смотрю тебе ни за что выдают с завидным постоянством, ты же просто хотел как лучше )) А чтоб на землю кого то опускать нужно иметь опыт и знания плюс аргументы а не флуд и хамство
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 04.06.2017 Фото: 6
RustamS писал(а):
40 лет живу, первый раз такое читаю.
JESD79-4B писал(а):
4.8.1 Normal temperature mode (0°C =< TCASE =< 85°C) Once this mode is enabled by setting bit A3=1 and A2=0 in MR4, Refresh commands should be issued to DDR4 SDRAM with the Average periodic refresh interval ( 7.8us for 2Gb, 4Gb, 8Gb, and 16Gb device ) which is tREFI of normal temperature range (0°C - 85°C). In this mode, the system guarantees that the DRAM temperature does not exceed 85°C. Below 45°C, DDR4 SDRAM may adjust internal Average periodic refresh interval by skipping external refresh commands with proper gear ratio. Not more than three fourths of external refresh commands are skipped at any temperature in this mode. The internal Average periodic refresh interval adjustment is automatically done inside the DRAM and user does not need to provide any additional control.
4.8.2 Extended temperature mode (0°C =< TCASE =< 95°C) Once this mode is enabled by setting bit A3=1 and A2=1 in MR4, Refresh commands should be issued to DDR4 SDRAM with the Average periodic refresh interval (3.9us for 2Gb, 4Gb, 8Gb, and 16Gb device) which is tREFI of extended temperature range (85°C - 95°C). In this mode, the system guarantees that the DRAM temperature does not exceed 95°C. In the normal temperature range (0°C - 85°C), DDR4 SDRAM adjusts its internal Average periodic refresh interval to tREFI of the normal temperature range by skipping external refresh commands with proper gear ratio. Below 45°C, DDR4 SDRAM may further adjust internal Average periodic refresh interval . Not more than seven eighths of external commands are skipped at any temperature in this mode. The internal Average periodic refresh interval adjustment is automatically done inside the DRAM and user does not need to provide any additional control.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 04.06.2017 Фото: 6
Karats писал(а):
речь про рамки заданного trefi, ну судя по перводу
не понял. TREFi у памяти есть всегда, и он также определяется по JEDEC. В биосе мы просто устанавливаем разрешенное максимальное значение интервала, но система сама решает когда посылать команды, а микросхема решает исполнять их или нет. Возможно, что значения выше 4*7,8мкс просто никогда не достигаются. Не знаю, было ли у кого так, что нестабильность была именно в диапазоне между 4*7,8мкс и 65535Т? Естественно, при условии, что 4*7,8мкс < 65535T.
п.с. ручной TREFi также может вообще отменять автоматическое изменение частоты обновления. Естественно, все зависит от того, что в итоге нахимичили производители контроллера памяти и платы.
Последний раз редактировалось Victor91rus 03.03.2020 14:23, всего редактировалось 2 раз(а).
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения