Проблему низких показателей DDR3 решает Параметр SET Throttlling Mode -> OLTT
СРАВНИТЕЛЬНЫЕ ТЕСТЫ DDR3 ECC REG на частотах 1866 и 2133 МГц и КАК ПРОВЕРИТЬ память (ОЗУ) на ошибки WHEA
Какая оперативная память (ОЗУ) работает на китайских платах x99. Выбор между DDR4 и DDR3. Процессоры c поддержкой DDR3
Таблица таймингов для разгона DDR3
Особенности таймингов DDR3 ВОВКОС TCWL&tCL (внимание, вы переходите в другую ветку!)
Программы для тюнинга памяти от ВОВКОС (внимание, вы переходите в другую ветку!)
Тайминги, 2 (внимание, вы переходите в другую ветку!)
Видео мануал по настройке таймингов Kllisre X99 D8 (англ с субтитрами)
Разница двух и четырех канала ОЗУ lga 2011 v3
Подбираем тайминги для DDR3 ECC \ non-ECC
Тайминги на x99z v102 mashinist
Как подобрать обычную DDR4 для Китайских материнских плат на Х99

"Чтение с модуля памяти у DDR4&DDR3 происходит блоками. Минимальный блок сейчас составляет 64 байта, что связано с размером строки кэша у процессора. Этот блок может считываться как с одного банка, так и с разных.
1. tRAS=tRCD+tRTP (при считывании 8 байт с одного банка)
2. tRAS=tRCD+tRTP+4 (при считывании 16 байт с одного банка)
3. tRAS=tRCD+tRTP+12 (при считывании 32 байт с одного банка)
4. tRAS=tRCD+tRTP+28 (при считывании 64 байт с одного банка)
оптимальным выбором является 3-й вариант.
tRC≥tRAS+tRP(RAS# PRE Time) & 2*tFAW≥tRC Статистика разгона памяти DDR3. Обсуждение результатов. Советы. #17384103
_______________________________
tCL(CAS# Latency)≥tWCL
tWR(WRITE Recovery Time)≥tCL
tWR=tRTP+tWTR
tWR - 6,8,10,12,14,16, ...
tWR=2xtRTP=2хtWTR aka tRTP(READ to PRE TIME)=tWTR;
tRRD(RAS# to RAS# Delay)≥4
tFAW(FOUR ACT WIN Time)≥tRRD*4
tWTR(Write to Read Delay)≥4
tWTR≥tRRD
tWCL( CAS# Write Latency)=tCL для двурангов или -1,2 для однорангов & смотри по результатам в CPUPhotoworxx
+ при нечётном tCL tWCL=tCL-1
tWTP = tWR+tWCL+4
tRFC и tREF трогать после всех таймингов
tRFC(REF Cуcle Time) = *X & зависит от чипов samsung 2G= +-120@2133; 4G=+-240@2133 Обсуждение и разгон оперативной памяти на китайских Х99 #17519558
tREF(Refresh Interval)=>max , но иногда это невозможно Обсуждение и разгон оперативной памяти на китайских Х99 #17019512

"Чтение с модуля памяти у DDR4&DDR3 происходит блоками. Минимальный блок сейчас составляет 64 байта, что связано с размером строки кэша у процессора. Этот блок может считываться как с одного банка, так и с разных.
1. tRAS=tRCD+tRTP (при считывании 8 байт с одного банка)
2. tRAS=tRCD+tRTP+4 (при считывании 16 байт с одного банка)
3. tRAS=tRCD+tRTP+12 (при считывании 32 байт с одного банка)
4. tRAS=tRCD+tRTP+28 (при считывании 64 байт с одного банка)
оптимальным выбором является 3-й вариант.
tCL≥tCWL ака tCWL ≤ tCL
+приход смотреть по СPUPhotoWorxx
для двурангов лучшее tCL=tCWL(если tCL - чётный или tCWL=tCL-1 при нечетном tCL)
для однорангов можно пробовать до tCL-4 поглядеть.
tWR≥tCL
tWR к tRTP завязано соотношением 2 к 1 (например tWR12\RTP6)
tRRD≥4
tRRD_L≥4 через Asrock Timing Configurator
tWTR≥3
tWTR_L=+-(2*tWTR) через Asrock Timing Configurator
tFAW≥tRRD*4
tRC≥tRAS+tRP
tСCDL>=4 через Asrock Timing Configurator
"tRFC явных формул нет, но кратно 8!!!(или кратно 4 т.к если 4gb одноранги или 8гб двуранги) и крутить после всех. Не пытайтесь найти его минимальное значение если не хотите чтобы память начинала сыпать ошибками от любого чиха. найдите пограничное со стабильностью значение и накиньте сверху 24 или сразу 40. Может реагировать на RAS+RP, RRD, FAW, причём в обе стороны (то есть может "сломаться" если задрать названные), а может и не реагировать...
tREFi(Refresh rate) больше лучше. Связан с tRFC. tREFI сколько память "работает" - tRFC сколько "отдыхает". Оба тайминга лучше не пытаться найти предельное значение. Заметно реагируют на температуру.
Многие тайминги отзываются и на температуру и на напряжение(китаю пока не грозит ). Поскольку напряжение может, как позволить снизить тайминг, так и увеличить температуру, то середину можно искать очень долго, поэтому лучше бы вовремя остановится.
Тестируйте тщательно с перезагрузками, сном, холодным стартом.