Вроде, да. VT3 держит. Из моих наблюдений, VT3 греет проц, карху греет память.
Но опять же, это 14 поколение, тут всякое может быть.

Добавлено спустя 4 минуты 47 секунд:


Сразу 1.1 SA я не рискнул, пока 1.18. 60 минут полет нормальный. После двух часов перепроверю с перетренировкой.


Стабильность то есть, то ее сразу нет. Ошибка вышла на 1 часу 41 минуте. После перетренировки - сразу после 39 секунд.

Понизил SA дальше до 1.12 - 58 секунд. Попробую vddq на 1.35, потом менять плашки местами.

1.35 не помогло. Поменял плашки местами - лучше не стало. Когда менял обратно, ближняя к процу плашка была заметно горячее (проц вода), так что первоначальное положение было оптимальным.

Если не выходит по частоте вниз, попробую потом вверх. Если никак, то или проц переставлю, или 6800.



Прошил биос. Пока не знаю, помогло или нет, но пока прошивал, смотрел билдзоида про 7600адай на АпексАнкор (https://www.youtube.com/watch?v=2EqzMcmbR_I) и пришел прокомментировать, что не всегда его совету можно следовать, из за его одной фразы (на 56м30с), что при однократной проверке стабильности по карху, напряжение 1.65 «значительно более стабильно», чем при меньших VDD.

С этого надо было начать

не стоит сравнивать его видео с твоим опытом.
Он гонит 7600-32-44-38, что есть 8.42 нс на китайских палках, и это само по себе трудно даже на хорошем бине, ниже 8.5 нс уйти трудно.
Ровно поэтому он и пишет про высокий вдд.
У тебя 7600с36, это 9.47 нс, у него на 11% быстрее.

Биос - только как крайние меры. 6800, который был стабилен, 7000, 7200 не стартуют совсем. 7600 лучше не стало. И производительность проца упала с 15000 до 13200 попугаев. 6000 еще стартует. 7800 тоже, но в тесте теперь вылетает за секунды.

Я смотрю есть разные памяти UDIMM и CUDIMM и просто DIMM. Есть ли разница для 12700K

F@tality кудиммы для 2хх процов, димм обычной ддр5 и есть юдимм - небуферизированная память.

Добрый вечер. Vdd (swa) - на что влияет ?
Насколько до упора его можно опускать ?
Почему когда я ставлю VDD SWA и SBA на 1.410, то Swa на обеих планках прыгает максимум до 1.425, а вот SBA На одной планке прыгает аж до 1.440, а на второй только до 1.425 ?

7800 для игр делать или максимально ужатые 6800 ?

Напомните плиз сколько по времени нужно делать тесты для стабильности памяти: cruncher vt3-60сек, karhu, tm5?

60мин

24часа

Пока не завершится тест

VT3, TM5 проходят, а Карху: при размере проверяемой памяти по умолчанию (ок.28 ГБ) на 28 потоков - ошибка, на 8 потоков - ошибка, ставлю 24 ГБ - идет (проверял примерно тот же интервал времени, что и другие проверки).

Внимание, вопрос: может ли это быть связано с виртуальной памятью при работе именно Карху?

При 8192 МБ виртуальной памяти и при плавающем размере тоже ошибки в Карху были (меньший размер 24ГБ так пока не проверял).
зы: да, биос я вернул, как видно в мемтвикит, поставил чуть поновее, прошлогодний, но до ограничений, и 6800 снова работает, а 7600 - под вопросом.

Все чипы разные. В том числе и каждый чип на модуле тоже разный, они неодинаковые. При уменьшении тестируемого объема ты просто перестал грузить тот чип, который оказался слабее прочих и давал ошибку. Если хочется тестировать нормально, то грузись с флэшки с WinPE и запускай карху там. Хотя это не только карху касается, а любых тестов вообще.

TM1
карху - обычно нехватка вдд памяти.
Можно по хардкору отключить своп файл, и тестить карху на 90% доступной памяти, ну или оставлять в доступе системе 500 метров, подобрав объем.
скрины лучше делать с хвинфо на несколько разверток, хотя бы 2-3.

Не перестал. При уменьшении тестируемого объёма ОЗУ - не происходит автоматического исключения каких-то чипов - КП продолжит использовать все физические адреса, но в ограниченном диапазоне. Это не исключает дефектные чипы из теста. Просто падает вероятность их обнаружения.

Да, КП работает с физическими адресами, но распределение данных между чипами зависит от алгоритмов чередования и др.. Это может временно скрыть ошибки.
Кроме того, есть легко обнаруживаемые (например, Refresh-дефекты при утечке заряда >64 ms) и очень трудно обнаруживаемые ошибки (например, когерентные сбои, когда нарушаются согласованности данных между компонентами, которые должны работать синхронно).
Так вот, примерная вероятность обнаружения ошибок даже при использовании теста Y-Cruncher VT3, составляет: когерентных всего 30%, температурные дефекты 50%, Refresh-дефекты 60%. Комбинация методов тестирования сильно повышает успех обнаружения.

Аппаратные механизмы, скрывающие дефекты: On-Die ECC (корректирует 1-битные ошибки прямо на чипе), Post Package Repair (переназначает дефектные банки на резерв, это физические повреждения), чередование адресов (распределяет данные между чипами), кеширование (обходит временную ошибку).
А есть еще программные механизмы, скрывающие дефекты: Bad Block Mapping (на уровне ОС), тот же троттлинг (температурно-зависимые ошибки), страничная подкачка и т.д.

Bigsun, если выделяешь один большой и нефрагментированный блок и нет необходимости дать память кому-то ещё, то он вполне себе проецируется на физические адреса, без особых неожиданностей. Чередование не задействует магически чипы, которые задействовать просто не под что и нет необходимости этого делать. Это не SSD и выравнивание нагрузки тут не требуется, кроме как для предотвращения конкретных проблем… Вроде реализации уязвимостей, которые существуют и никуда не денутся из-за фундаментальных проблем самой DRAM, как таковой (Rowhammer, Zenhammer и далее по списку аналогов). Зависит от конкретного алгоритма, но бритву Оккама никто не отменял, а наиболее простой и легко реализуемой схемой является сценарий, в котором адреса могут быть в любой момент вычислены с помощью линейной функции.

Иное возможно, поскольку извращаться никто не запрещает. Однако же, с трудом представляю себе сценарий, в котором чередовать блоки в начале адресного пространства с блоками в его конце было бы хоть чем-то полезно. А вот возможный геморрой в результате такой «оптимизации» представляю себе вполне отчетливо, особенно когда дело дойдет до необходимости куда-то разместить служебные регионы памяти, которые не должны быть доступны никому, включая операционную систему. На практике видел всего один случай, когда гражданам пришло в голову зеркально вычислять адреса и они смогли теоретически обосновать, почему это выгодно делать именно так. Именно поэтому им дали премию, а не уволили нафиг.

В любом случае, всё это относится только к одной ситуации, когда есть сценарий и он четко воспроизводится. Условно, при 40 Гб тест пройден, при 45 Гб тест не пройден. Всегда. Без поправок и допущений, вроде «ну тут просто тест заглючил, это не считается» и без «случайных» успешных проходов. Иначе это просто стохастически проявляющаяся проблема, и её обнаружение или необнаружение в конкретном прогоне теста не говорит ни о чем. И тогда да, возможно наложение кучи самых разнообразных факторов (коррекция ошибок, алгоритмы оптимизации, разный нагрев модулей, да хоть случайное «исправление» ошибки повторной ошибкой даже) друг на друга, которые будут очень смешно влиять.

Вот пример:



Тестирование оперативной памяти и подбор настроек уже очень давно стал неформализуемым процессом, граничащим с темными искусствами.

Так что скоро будем коллективно делать поглаживания чипов во время прохода тестов.

Не зря прибарахлился F5-8200J4052F24GX2-TZ5RW на 48 по 21500 неделю назад, свою старую pvvr532g560c36k по идее могу за 20 толкнуть и считай баш на баш. В жизни есть несколько вещей на которые можно смотреть бесконечно, как течет вода, горит огонь и дорожает то что ты купил по низу рынка не по дням а по часам.

Это было случайное совпадение с 24ГБ на 7600 - ошибки тоже. Ни повышение VDD до 1.65, ни понижение VDDQ до 1.3, ни отключение файла подкачки - пока не помогли. Посижу на 6800.

Добавлено спустя 6 минут 51 секунду:


Размышляю, что хуже: DDR5 или провод 12VHPWR. Отчего разгон VRAM ддр5 в Afterburner производится легко и быстро, но в случае с DRAM требует несоизмеримо больше усилий?

Количество параметров сильно больше. Одних только напряжений 5 шт основных. А сколько таймингов, которые зависят друг от друга и от напряжений в том числе?

А еще проц, мать + BIOS.

БП свежий? Напряжение +5 В стабильно?

Если бы DRAM тестировал с той же "тщательностью", с какой чаще всего тестируют видеопамять, то у всех давно было бы всё "норм" на 8000+.

о, было такое на бидонах, и не у меня одного Тупо что-то тепловое, локальный перепад от поглаживания и привет. Как второй вариант - все же "статика"/магнетизим - любое взаимодействие электрических систем, коей является и палец, и заряд перетекает, вызывая ошибку.

Да. Но проблемный чип при этом не перестает грузиться, как ты сказал. Дефектный чип не исключается полностью из диапазона адресов.

В DDR5 нет такого понятия как "фрагментация" в обычном ее понимании (как для HDD).



В реальности адресация никогда не будет линейной из-за страничной оптимизации и работы ASLR (Address Space Layout Randomization). Линейная адресация невозможна в современных системах.

Нет.


Нет. Просто ты не разобрался. И "съехал с темы" в какие-то глубокие дебри....