Чтение с модуля памяти у DDR4 происходит блоками. Минимальный блок сейчас составляет 64 байта, что связано с размером строки кэша у процессора. Этот блок может считываться как с одного банка, так и с разных.
tRAS=tRCD+tRTP (при считывании 8 байт с одного банка)
tRAS=tRCD+tRTP+4 (при считывании 16 байт с одного банка)
tRAS=tRCD+tRTP+8 (считывание 24 байт - маловероятно)
tRAS=tRCD+tRTP+12 (при считывании 32 байт с одного банка). Самый верный выбор для DDR4!
tRAS=tRCD+tRTP+16 (считывание 40 байт - маловероятно)
tRAS=tRCD+tRTP+20 (считывание 48 байт - маловероятно)
tRAS=tRCD+tRTP+24 (считывание 56 байт - маловероятно)
tRAS=tRCD+tRTP+28 (при считывании 64 байт с одного банка)
Для DDR4 оптимальным выбором является 4-й или последний вариант.
Но если выставить tRAS меньше, то ничего трагичного не произойдет, так как джедек придумала предохранитель (tRTP), поэтому можно не заморачиваться и выставлять минимальный tRAS (=tRCD+tRTP).

SA- безопасный уровень (по данным MSI) 1.35, растет от частоты памяти и зависит от подключенной периферии к PCIE, чем больше скорость видеокарты и NVME-диска, тем выше нужно напряжение.
IO (для Z590 =IO2, а просто IO можно оставлять в авто, для Z690=IVR DDQ)- обычно хорошо работает если на 50 мВ ниже SA, но чем ниже, тем лучше, стараться максимально снижать.
Тоже растет с ростом частоты памяти.
Для ориентира при настройке всегда рекомендую глянуть, что за напряжения SA и IO выставляет материнка в авто.

Универсальный гайд.
0. Устраните любые потенциальные проблемы с другим железом. Снимите разгон с видеокарты, снизьте частоту цп на 300 с сохранением напряжения. Не забудьте вернуть RTL в авто если сейчас не авто.
1. Крутим очень короткий мемтест, то есть если минуту живёт сразу снижать тайминг дальше. Ищите не стабильность, а явно сбойное значение тайминга, запишите его - пригодится. Гораздо проще найти явно нерабочее значение и от него плясать чем пытаться ловить нестабильность часами. Это также помогает диагностировать сбойные тайминги на ранее "стабильной памяти".
Не пытайтесь найти предельные значение сразу. Сначала скрутите до +2 от минимально стабильного. Многие тайминги идут параллельно поэтому бессмысленно пытаться скрутить до упора с первого прохода.
CR выставить на 2 если стоит 1. В самом конце можно попробовать скинуть до 1. 3 Ставить только на очень большую частоту или если по другому ну совсем никак.

Начните с RCD, CL. Не обязательно должны быть одинаковыми, обычно CL идёт меньше чем RCD.
RAS сразу пробуйте как RCD+CL+4, до этого значения от него существенная разница, дальше меньше.
CWL<=CL. Допустимые значения 9,10,11,12,14,16,18,20.
RP можете выставить по RCD, если пойдёт меньше - тоже неплохо, не уверен правда насчёт смысла.
RTP без формул. Если не идёт вниз можно попробовать поднять чуть чуть RP. В DDR4 явно связан с WR соотношением 2 к 1 (например WR20\RTP10), физически хранится одно значения и в зависимости от операции интерпретируется.
Скрутите FAW до 16(так и оставьте если работает). С таким FAW скручивайте RRD(оба, L обычно больше чем S), возможно поедут на 4 оба. Если до 4 не удалось спустить поднимите FAW до уровня RRDL*4 и попробуйте ещё, хотя это скорее всего уже почти предел.
Обычно L>=S. L - SG(Same Group). S - DG(Different Group) Напр. RRD_L>=RRD_S.
CKE=5
СCDL>=4
RDRD_DD и прочие подобные можно проигнорировать если у вас нет двух планок на один канал (4 планки). DD-Different Dimm. Тоже самое с DR-Different Rank если у вас одноранговая память.
RDWR_SG(DG) и подобные сочетания скручивайте до минимальных рабочих, потом накиньте сверху +2. Как уже отметил обычно SG>=DG.
WTR не трогайте он сам спустится когда будете скидывать WRRD_SG(DG) и прочие подобные. Если сам меньше не стал тогда руками скидывать.
WR снижать через WRPRE если есть. Если нет или не снижает WR, То скрутите его скажем до 12 или +4 от рабочего, потом дожмёте если не лень будет.
RFC явных формул нет, крутить после всего списка сверху. Не пытайтесь найти его минимальное значение если не хотите чтобы память начинала сыпать ошибками от любого чиха. найдите пограничное со стабильностью значение и накиньте сверху 20 или сразу 40. Может реагировать на RAS+RP, RRD, FAW, причём в обе стороны (то есть может "сломаться" если задрать названные), а может и не реагировать...
REFi больше лучше. Связан с RFC. REFI сколько память "работает" - RFC сколько "отдыхает". Оба тайминга лучше не пытаться найти предельное значение.Заметно реагируют на температуру.
Многие тайминги отзываются и на температуру и на напряжение. Поскольку напряжение может как позволить снизить тайминг, так и увеличить температуру, то середину можно искать очень долго, поэтому лучше бы вовремя остановится.
Тестируйте тщательно с перезагрузками, сном, холодным стартом.
RTL и IOL вам кто-то другой пусть советует как настраивать, от них у меня голова болеть начинает...

Актуальные (последние) версии:
TableDRAMIntel(simple3nov2020+simple12oct2020+обычная)
http://bit.ly/3rTIBLv
http://bit.ly/3nWJlxB
http://bit.ly/32WnkTU
Conf tm5(slight+uni@LMHz+extreme+absolut)
http://bit.ly/2Oe8R00 - суперлайт
http://bit.ly/2H9jIZH - универсальный
http://bit.ly/2MUvl6n - экстремальный
http://bit.ly/3D9TUnD - абсолют
http://bit.ly/3STH2wx - новый для интела и DDR5
http://bit.ly/3wedj8U - новый для Ryzen3D и DDR5
Тяжелый
http://bit.ly/35eKfeJ

VDDDQ=1.5 V max по Jedec
VrefCA=0.6xVDDDQ=0.9 V (max по Jedec), в даташите контроллера интел тоже разрешено максимальное vrefca=0.6xVdddq.
То есть при обычной настройке биоса, когда VrefCA=0.5xVDDDQ, VDRAM<=1.8 V, чтобы уложиться в нормы по Jedec.
А если при этом в биосе настроить vrefca=0.49xvdddq (разрешено по Jedec), то безопасное Vdram может быть еще выше=1.837 V.
Вывод: для контроллера процессора напряжение на память <=1.8 V неопасно

https://forums.overclockers.ru/viewtopic.php?p=17484594#p17484594
На OCN есть методика их подбора с помощью Passmark memtest86, использовать только 8-й тест.

Below are the typical tRFC in ns for the common ICs:
IC tRFC (ns)
Hynix 8Gb AFR 260 - 280
Hynix 8Gb CJR 260 - 280
Hynix 8Gb DJR 260 - 280
Micron 8Gb Rev. E 280 - 310
Micron 16Gb Rev. B 290 - 310
Samsung 8Gb B-Die 120 - 180
Samsung 8Gb C-Die 300 - 340

#77
#77
#77
Чем выше вы в вертикальном столбце, тем удачнее планки.
Чем интенсивнее цвет, тем выше статистический процент (данные старые,теперь удачнее чипы выходят)
На 1 таблице все,что выше красной линии - суперотборники.

1.Поднять напряжения на VCCSA и VCCIO.
2.Включить в биосе Round Trip Latency.
3.Для гигабайтов - memory enchancement=normal.

https://docs.google.com/document/d/15qsrwUxGbKtqjeyEhmCear2kN9hCt2noKK5z14Webhg/edit?usp=sharing
https://docs.google.com/document/u/0/d/1QacU405kVV10-qBdrqQKOY0v-FKlBFpLcEDn0QpriSE/mobilebasic на русском
Мобильная версия
https://docs.google.com/document/u/0/d/15qsrwUxGbKtqjeyEhmCear2kN9hCt2noKK5z14Webhg/mobilebasic

GSAT- https://drive.google.com/file/d/1iCj0-jQIXIlo_Zvm5jO949ZH9fClTNF3/edit
для длинных тестов добавил параметр "--pause_delay" чтоб периодически не отключались потоки

Что до самого теста MemTest86, то, при всём уважении (искренне), хочется отметить, что тестовые модули в нем обновлялись при Царе Горохе.
Какой у них самый эффективный тест, шестой? (кажется, не помню - "перемещение блока"). Суть этого действа перенесена один из модулей в TM5 (по договоренности с разработчиком). Впрочем, перенесена с модификацией, поэтому тесты не синонимы друг друга (у меня настраивается).
Остальные тесты MemTest86 меня не вдохновили, прогоны на плохой памяти показывали эффективную работу только этого теста и слабую всех остальных. Может я что пропустил и существует еще эффективные тесты - тогда это может быть интересным.

По самой идеалогии MemTest86 - она тестирует в DOS'e (условно говоря, вдействительности в PM32 с включенной страничной организацией, кажется). Дело в том, что Windows собирает память юзера по кусочкам и постоянно их тасует. Сложность в том, что (непроверено) блоки памяти собираются не последовательно 1-2-3, а прямо наоборот, 3-2-1. Контроллер памяти переключает страницы DRAM при переходе адресов этих страниц через их границы. Если бы блоки собирались 1-2-3, то контроллер общался бы с памятью в линейном режиме. Но, из-за перетасованности памяти 3-2-1 на границе смена блоков происходит разрыв адресации и контроллер вынужден закрывать и открывть страницы в интенсивном режиме.
Иначе говоря, MemTest86 с его 'линейной' работой тестирует память не так, как она работает в Windows. И, как следствие, находит сбои, которых не будет в Win и, с другой стороны, тупо не видит сбоев из-за частой смены страниц.
И еще, если при линейной организации тест памяти записывает 1-2-3-...999999 в последовательные ячейки и при этом подразумевает, что 1-257-513 биты находятся в соседних столбцах, в DRAM накопительная МАТРИЦА (я утрирую), то при перемешивании страниц он получит общение не в соседних столбцах, а 'где-то-там'. Т.е., если тест ориентирован именно на такое, то в Win и в DOS он получит РАЗНОЕ. Например, в RST(программа RAM Stress Test) есть тесты, которые прыгают по адресам в виде 0-1-2-30-31-32-5-12- ... примерно так-же, как ходит конь. При этом действительно лучше ловятся некоторые ошибки (взаимовлияние бит при хранении и передаче). При переходе в Win тест уже работает не так и его эффективность 'ой'.
Поэтому, я хочу отметить еще раз - MemTest86 работает с памятью не так, как она организована в Win, а потому потенциально не способен видеть некоторые ошибки.