1. Читаем одну на выбор статью от, ✔ 1usmus или ✔ i2hard, а так-же статью по работе Dram Calculator от ✔ i2hard, устанавливаем необходимое программное обеспечение из шапки темы, смотрим примерные результаты разгона памяти из шапки, для понимания пределов возможностей вашего железа. Загружаем картинки с запросами на этот форум через кнопку "spoiler=" а не просто "spoiler".

2. Не используем XMP профили, это как правило, настройки для систем на базе Intel, за очень редким исключением, соответственно режим XMP протестирован на совместимость именно для Intel, к тому же, заводская настройка не блещет идеальным подбором таймингов и напряжений и можно получить примерно до 20-30% производительности дополнительно, вручную настраивая тайминги и напряжения. Также использование профиля XMP, чревато завышенным вольтажом на контроллер памяти.

3. Правильная установка модулей – A2+B2 (для двух модулей).

4. Перед настройкой частоты и таймингов рекомендуется установить принудительное охлаждения на модули памяти, особенно для памяти с чипами Samsung B-die, повышение температуры памяти выше 48°, может сопровождаться дополнительными ошибками, не связанными с неправильной настройкой таймингов, что затруднит их поиск и общую настройку памяти.

5. tRFC2 и tRFC4 не имеют физической реализации, потому их в некоторых версиях BIOS, отсутствуют эти значения всегда, всегда оставляйте эти параметры в Авто, так-же в Авто, оставляйте tCWL.

6. Худший модуль памяти (требующий большего напряжения для стабильного разгона) должен стоять ближе к процессору в слоте A2.

7. При желании протестировать память избыточным тестом в TM5 с конфигом 1usmus_v3 меняем количество 3-х циклов в "mt.cfg", "cycles=3" скажем на 8 или более

8. Если нет бута на частоте памяти 3800Mhz, то проверяем возможности IF вашего CPU, для этого выставляем частоту памяти на 3200Mhz, а IF например на 1900, пробуем загрузиться...

9. Краткая методичка по настройке памяти от The KMS: Краткая инструкция...

Гайд по основным нововведениям DRAM Calculator for Ryzen от 1usmus

Гайд по разгону памяти для новичков от lDevilDriverl.

Сопротивления ProcODT, RttNom, RttWr, RttPark.

Для процессоров 4000 серии с APU Renoir

- Micron B-Die: https://www.hardwareluxx.de/community/t ... 4.1276765/
- Hynix CJR, Hynix 8Gbit DDR4 CJR "C-Die" (H5AN8G8NCJR): https://www.hardwareluxx.de/community/f ... 06340.html
- Crucial Ballistix DDR4-3600 32GB (2x16GB) [BL2K16G36C16U4R]: https://www.hardwareluxx.de/community/t ... w.1264873/
- Hynix MFR, AMD Radeon R7 (R748G2133U2S): https://www.overclockers.ru/lab/85777/o ... -0-6a.html
- Hynix MFR, Kingston: http://club.dns-shop.ru/hardware/%D0%94 ... -Kingston/
- Hynix AFR, AMD Radeon R9 (R948G3206U2S): https://www.overclockers.ru/lab/86046/o ... -0-6a.html
- Micron A-Die: https://www.overclockers.ru/lab/85288/o ... 0-0-6.html
- Micron D-Die / Spectek: https://www.overclockers.ru/lab/85658/o ... -0-6a.html
- Samsung C-Die: https://www.overclockers.ru/lab/84886/obzor-i-testirovanie-chetyreh-modulej-operativnoj-pamyati-ddr4-2400-samsung-m378a1k43cb2-crc-obemom-8-gbajt-kogda-amd-vystupaet-luchshe-intel.html
- Samsung E-Die: https://www.overclockers.ru/lab/84775/o ... 0-0-6.html
Таблица TRFC для разных типов памяти

xyligano - J-die
RoMiLiUs - J-die

VDDG (шина InfinityFabric) со значением 0,95 В хватает для разгона FCLK до 1800 МГц включительно. Если лимит FCLK достигнут по той или иной причине, то наваливание напряжения на VDDG просто не даст никакого результата.
Тут есть две секции:
1. cLDO VDDG IOD (is the Infinity Fabric voltage for the I/O Die or SoC IF part)
2. cLDO VDDG CCD (is the Infinity Fabric voltage for the cores IF part, inbetween the CCX/CCDs connection)

cLDO VDDP (контроллер памяти UCLK) советуют вообще не трогать = 0,9 В, которое позволяет тренировать память на частотах 2133–4333 МГц.
VDDP и VDDG выводятся из напряжения SoC с использованием линейных регуляторов, поэтому необходимо поддерживать напряжение SoC выше этих двух.

Если фактическое напряжение SoC под нагрузкой составит 1,05 В, VDDG будет оставаться максимум на ~1,01 В. Аналогично, если установить VDDG на 1,05 В и повысим напряжение SoC, то VDDG вольтаж будет также повышаться самой МП.
Но есть рекомендация держать интервал 0,05 В между VDDG и SoC, в противном случае система не будет использовать пользовательские настройки VDDG.
SoC voltage – это напряжение для IMC (контроллер памяти UCLK), тут достаточно 1,0 – 1,1 В, поднимать выше смысла нет. Достаточно, чтобы напряжение SoC было выше на 40 мВ (это достаточный минимум) чем на cLDO VDDG.
В SoC, помимо всего прочего, находятся контроллер памяти и контроллер шины PCI Express 4.0.

Увеличение VDDG до 1,05 В включительно (1,100 - 1,125 В SoC, в зависимости от нагрузки) полезно при разгоне выше 1800 FCLK.