AMT - Asus MemTweakit Asus MemTweakIt 2.02.44 При настройке памяти в BIOS ставим ОБЯЗАТЕЛЬНО MRC Fast boot=disable (включаем при этом режим тонкой тренировки, если же выставим enable, то включаем режим грубой тренировки). Оптимально при разгоне памяти использовать в биосе множитель памяти 133, а не авто или 100, что даст возможность создать комфортные условия для контроллера памяти в процессоре и снизить напряжения ио и са ! Недаром в Jedec шаг между спидбинами именно 133, а не 100! Для плат с Alder Lake напряжения VDD и VDDQ на память могут отличаться не больше, чем на 300 мВ. Для плат на основе логики z690 и b660: VDD>VDDQ VDDQ>=VDD-300mV(0.3V) Лучше на VDDQ не превышать 1.25V. Вполне возможно 1.30V. MSI дает зазор до 1.40V. Для таймингов должно выполняться требование: _dr=_dd
Разгон памяти у современной DDR4 (16 банков,RRDS=4,FAW=16,BL=8) эффективен только при tRC<=64,если каждый новый блок чтения происходит с разных банков памяти. Для 4-х слотовых плат при разгоне желательно в биосе отключить неиспользуемые слоты. Для максимальной производительности памяти значение tRFC в тактах для 8-Гбитных чипов должно быть кратно 8,а для 16-Гбитных чипов - 16. Если это правило не соблюдать, то будут вставлены лишние такты при каждом цикле обновления памяти. Для желающих максимально снизить tRFC. Делим tRFC на сумму tRCD,tRTP и tRP. Если результат ближе к 4, то снижать tRFC можно по 4 такта. Если результат ближе к 2, то снижать tRFC можно по 2 такта. Это связано с тем, что обновление происходит субмассивами, которые обязательно кратны 2.
Новая информация по tRAS
Чтение с модуля памяти у DDR4 происходит блоками. Минимальный блок сейчас составляет 64 байта, что связано с размером строки кэша у процессора. Этот блок может считываться как с одного банка, так и с разных. tRAS=tRCD+tRTP (при считывании 8 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+4 (при считывании 16 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+8 (считывание 24 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+12 (при считывании 32 байт с одного банка). Самый верный выбор для DDR4! tRAS=tRCD+tRTP+16 (считывание 40 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+20 (считывание 48 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+24 (считывание 56 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+28 (при считывании 64 байт с одного банка) Для DDR4 оптимальным выбором является 4-й или последний вариант. Но если выставить tRAS меньше, то ничего трагичного не произойдет, так как джедек придумала предохранитель (tRTP), поэтому можно не заморачиваться и выставлять минимальный tRAS (=tRCD+tRTP).
Напряжения на процессоре при разгоне памяти
SA- безопасный уровень (по данным MSI) 1.35, растет от частоты памяти и зависит от подключенной периферии к PCIE, чем больше скорость видеокарты и NVME-диска, тем выше нужно напряжение. IO (для Z590 =IO2, а просто IO можно оставлять в авто, для Z690=IVR DDQ)- обычно хорошо работает если на 50 мВ ниже SA, но чем ниже, тем лучше, стараться максимально снижать. Тоже растет с ростом частоты памяти. Для ориентира при настройке всегда рекомендую глянуть, что за напряжения SA и IO выставляет материнка в авто.
Для начала тезисно несколько правил «успешного разгона и установки памяти»:
1. Ни в коем случае не используем XMP профили – этот режим протестирован на совместимость, но не даёт оптимальную производительность. Поскольку заводская настройка не блещет идеальным подбором, можно получить до 20-25% производительности дополнительно, вручную настраивая тайминги и напряжения. Также XMP режим чреват завышениями вольтажа самой память и контроллера памяти\SOC. 2. Правильная установка модулей – А2 (для одного модуля), A2B2 (для двух модулей). 3. Самый лучший разгон по частоте достигается при использовании одного модуля, при наличии двух планок максимальная частота лишь немного хуже. У четырёх – либо хуже (на устаревающем LGA2011-3) либо такой же или лучше (LGA2066), которые могут стабильно работать с 4мя модулями на 4000CL16. 4. Если используется два модуля, то худший модуль (требующий бОльшего напряжения для стабильного разгона) должен стоять ближе к процессору в слоте A2. 5. Перед настройкой частоты и таймингов памяти отключить подсветку модулей памяти - т.к. это даёт лишний нагрев.
УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ГАЙД ПО НАСТРОЙКЕ от Agiliter
Универсальный гайд. 0. Устраните любые потенциальные проблемы с другим железом. Снимите разгон с видеокарты, снизьте частоту цп на 300 с сохранением напряжения. Не забудьте вернуть RTL в авто если сейчас не авто. 1. Крутим очень короткий мемтест, то есть если минуту живёт сразу снижать тайминг дальше. Ищите не стабильность, а явно сбойное значение тайминга, запишите его - пригодится. Гораздо проще найти явно нерабочее значение и от него плясать чем пытаться ловить нестабильность часами. Это также помогает диагностировать сбойные тайминги на ранее "стабильной памяти". Не пытайтесь найти предельные значение сразу. Сначала скрутите до +2 от минимально стабильного. Многие тайминги идут параллельно поэтому бессмысленно пытаться скрутить до упора с первого прохода. CR выставить на 2 если стоит 1. В самом конце можно попробовать скинуть до 1. 3 Ставить только на очень большую частоту или если по другому ну совсем никак.
Начните с RCD, CL. Не обязательно должны быть одинаковыми, обычно CL идёт меньше чем RCD. RAS сразу пробуйте как RCD+CL+4, до этого значения от него существенная разница, дальше меньше. CWL<=CL. Допустимые значения 9,10,11,12,14,16,18,20. RP можете выставить по RCD, если пойдёт меньше - тоже неплохо, не уверен правда насчёт смысла. RTP без формул. Если не идёт вниз можно попробовать поднять чуть чуть RP. В DDR4 явно связан с WR соотношением 2 к 1 (например WR20\RTP10), физически хранится одно значения и в зависимости от операции интерпретируется. Скрутите FAW до 16(так и оставьте если работает). С таким FAW скручивайте RRD(оба, L обычно больше чем S), возможно поедут на 4 оба. Если до 4 не удалось спустить поднимите FAW до уровня RRDL*4 и попробуйте ещё, хотя это скорее всего уже почти предел. Обычно L>=S. L - SG(Same Group). S - DG(Different Group) Напр. RRD_L>=RRD_S. CKE=5 СCDL>=4 RDRD_DD и прочие подобные можно проигнорировать если у вас нет двух планок на один канал (4 планки). DD-Different Dimm. Тоже самое с DR-Different Rank если у вас одноранговая память. RDWR_SG(DG) и подобные сочетания скручивайте до минимальных рабочих, потом накиньте сверху +2. Как уже отметил обычно SG>=DG. WTR не трогайте он сам спустится когда будете скидывать WRRD_SG(DG) и прочие подобные. Если сам меньше не стал тогда руками скидывать. WR снижать через WRPRE если есть. Если нет или не снижает WR, То скрутите его скажем до 12 или +4 от рабочего, потом дожмёте если не лень будет. RFC явных формул нет, крутить после всего списка сверху. Не пытайтесь найти его минимальное значение если не хотите чтобы память начинала сыпать ошибками от любого чиха. найдите пограничное со стабильностью значение и накиньте сверху 20 или сразу 40. Может реагировать на RAS+RP, RRD, FAW, причём в обе стороны (то есть может "сломаться" если задрать названные), а может и не реагировать... REFi больше лучше. Связан с RFC. REFI сколько память "работает" - RFC сколько "отдыхает". Оба тайминга лучше не пытаться найти предельное значение.Заметно реагируют на температуру. Многие тайминги отзываются и на температуру и на напряжение. Поскольку напряжение может как позволить снизить тайминг, так и увеличить температуру, то середину можно искать очень долго, поэтому лучше бы вовремя остановится. Тестируйте тщательно с перезагрузками, сном, холодным стартом. RTL и IOL вам кто-то другой пусть советует как настраивать, от них у меня голова болеть начинает...
tRASmin=tCL+tRCD+2 WTRS/L устанавливаются в биосе через WRRDdg/sg согласно формуле: WRRD_sg=6+CWL+WTR_L WRRD_dg=6+CWL+WTR_S WR - через WRPRE (для матплат ASUS): WRPRE=4+CWL+WR RTP - через RDPRE (для матплат ASUS) RDPRE=RTP
VDDDQ=1.5 V max по Jedec VrefCA=0.6xVDDDQ=0.9 V (max по Jedec), в даташите контроллера интел тоже разрешено максимальное vrefca=0.6xVdddq. То есть при обычной настройке биоса, когда VrefCA=0.5xVDDDQ, VDRAM<=1.8 V, чтобы уложиться в нормы по Jedec. А если при этом в биосе настроить vrefca=0.49xvdddq (разрешено по Jedec), то безопасное Vdram может быть еще выше=1.837 V. Вывод: для контроллера процессора напряжение на память <=1.8 V неопасно
CPU Name: Intel® Core™ i7-7740K CPU @ 4.30GHz Motherboard Model: MSI X299 GAMING PRO CARBON AC (MS-7A95) Total Size: 8192 MB Type: Single Channel (64 bit) DDR4-SDRAM Frequency: 2750 MHz - Ratio 1:31 Timings: 21-31-31-63-2 (tCAS-tRC-tRP-tRAS-tCR) Slot #1 Module: G.Skill 8192 MB (DDR4-2137) - XMP 2.0 - P/N: F4-3200C14-8GVR
[img]Ссылка на скрин[/img] Для сбора статистики по установленным чипам памяти просьба прикладывать скрины программы Taiphoon Burner и указывать напряжения на DIMM, IO и SA![/color]
Below are the typical tRFC in ns for the common ICs: IC tRFC (ns) Hynix 8Gb AFR 260 - 280 Hynix 8Gb CJR 260 - 280 Hynix 8Gb DJR 260 - 280 Micron 8Gb Rev. E 280 - 310 Micron 16Gb Rev. B 290 - 310 Samsung 8Gb B-Die 120 - 180 Samsung 8Gb C-Die 300 - 340
Таблица tRFC от Reous v26
#77
Расшифровка чипов, находящихся в модуле памяти у разных производителей
#77
Ревизии печатных плат. A0,A1 или A2 планки, как узнать
#77 #77 #77 #77
Статистика tRCD планок в зависимости от типов чипов
#77 #77 #77 Чем выше вы в вертикальном столбце, тем удачнее планки. Чем интенсивнее цвет, тем выше статистический процент (данные старые,теперь удачнее чипы выходят) На 1 таблице все,что выше красной линии - суперотборники.
Советы по верной тренировке
1.Поднять напряжения на VCCSA и VCCIO. 2.Включить в биосе Round Trip Latency. 3.Для гигабайтов - memory enchancement=normal.
Руководство по разгону памяти для начинающих блондинок
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 29.12.2014 Фото: 55
odvolk10 писал(а):
Вот моё, борюсь понемногу. 1.535В.
odvolk10 писал(а):
Неплохо, RCD=CL+2?
Даже 17-17-17 не тянет на этой частоте, только 4266 17-17-17(давненько как-то тестировал). Я кстати пару дней назад гонял на Apex X+Galaxy 4400Mhz 16-17-17 2T в Extreme1 не большое время(без ошибок и с первой подборки таймингов и вольтажей), но потом было принято решения вернуть ее в магазин) Там некоторые моменты меня не устраивали(хотя до этого у меня уже бывал Apex X), в частности 2 не большие царапки на обратной стороне платы, одна из которых была аж до дорожки
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 09.11.2019 Откуда: Карелия|СПб
fly1ngh1gh У тебя было 4100 16-16 CR=1 помню точно, попробуй С16 на 4133-4200 с CR=1, компенсация даст ~166 МГц. То есть, я с 4400 16-16-1Т~4566 16-16-1T~4700-4800 17-17-2T. Кстати, 4500 тоже могу, но надо 1.575В уже.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 05.12.2018 Откуда: Мозырь, РБ
odvolk10, по комманд рэйт неверная теория. У меня было 4200 17-17-17-36-1 и сейчас 4400 17-17-17-36-2. При более-менее равных субтаймингах ПСП на 4400 выше и задержка ниже на 1.5нс.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 29.12.2014 Фото: 55
odvolk10 писал(а):
У тебя было 4100 16-16 CR=1
Так у меня умеет Galaxy, Corsair силен в другом) Хотя Galaxy(сейчас я пока играюсь с Corsair) полностью лидирует на платах Apex X и MSI Z390I MPG GAMING EDGE AC, но на плате Taichi по общим показателям отдает лидерство Corsair'y) В общем то многого интересного для себя узнал, как бывает в мире разгона памяти) Влияние слойности, ревизий и тп на разных платах)))
Добавлено спустя 13 минут 37 секунд:
odvolk10 писал(а):
Кстати, 4500 тоже могу, но надо 1.575В уже.
Пробуй потом, а почему нет) Corsair на taichi у меня стабилен на 4500Mhz CL 19-19-19. Galaxy и не снилось такое на Taichi, зато был стабилен 4500Mhz 17-19(18)-19(18) на MSI Z390I MPG GAMING EDGE AC, где уже Corsair'y такое не снилось, даже на CL 19. Короче это Санта Барбара
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 09.11.2019 Откуда: Карелия|СПб
nucl3arlion , потому что больше 166 MHz + я писал примерно равно "~". От частоты будет выше ПСП, да, но латенси не должно быть... И то, судить по показателям аиды тоже не всегда верно. fly1ngh1gh , ну я сейчас проверил, выше 4700 не могу стартануть, 4600 нормально ешё 17-17, а дальше всё. 4700 запускал как-то, 4800 вообще никак. К слову, я завис на 1.300/1.350 IO/SA 4500 17-17, поднял до 1.350/1.400 - всё ок. Слабоват КП для 4400+ будет... Надо менять на 8086K или 8700K получше. У меня линкс 0.9.6 только 5000/4600 1.38-1.40 проходит и то, я только 3 прогона гонял, всё, что ниже = BSOD или невязки или ошибки. garison87 , ничего не будет, со знакомыми тут 1.65 гоняем даже, всё окей. Paradox42 да, не вопрос. При том, что вертушки на авто и тишина полная. Надо разбирать комп полностью и выкидывать гигу. P.S. Жду Corsair AirFlow, скоро закажу воду 360 мм на первое время, потом мб воду кастом ставить. Посмотрим, как себя LGA1200 проявит.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 19.05.2019 Откуда: Кемерово
odvolk10 Благодарю) Уточните что-за плашки то у вас? Еще я дико извиняюсь, но Corsair AirFlow это и новый корпус и активный кулер памяти) Что из этого?
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 09.11.2019 Откуда: Карелия|СПб
Paradox42 писал(а):
odvolk10 Благодарю) Уточните что-за плашки то у вас? Еще я дико извиняюсь, но Corsair AirFlow это и новый корпус и активный кулер памяти) Что из этого?
Кит F4-3600C16Q-32GTZKK (отобранны 2 лучшие планки, потом тестану ещё 2 (они хуже в плане RCD; 4100 15-15 1.51V лучший кит, 4100 15-16 1.51V (или 1.52V, не помню уже) - худший кит). Охлад для ОЗУ. Взял новые.
Добавлено спустя 16 минут 20 секунд: Что-то типа того, надо CR=1 пробовать.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 06.06.2007 Откуда: Ниоткуда Фото: 53
ТМ5 экстрим с правленым конфигом (Time (%)=200, Cycles=2, Reserved Memory for Windows (Mb)=512) у меня обычно идёт 51-52 минуты. Но вот сегодня прошёл за 42 минуты, потому что на втором цикле на 36-й минуте память вдруг почти вся освободилась, а загрузка проца упала со 100 до 13%:
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 06.06.2007 Откуда: Ниоткуда Фото: 53
Короче, для частоты 3866 МГц tREFI стоял сначала 65160, для ТМ5 экстрима снизил до 64440, вроде продержался 42 минуты, как видно на скрине в предыдущем сообщении. После Батлфилд 4, пока в корпусе всё тёплое, запустил стандартный ТМ5, получил ошибку на сдвиге на 7 минуте, смотрю температура памяти 59 °С, хотя если не запускать сразу после игры, то максимум 57 °С в стандартном ТМ5 и 58 °С в экстриме. Решил убедиться, что из-за tREFI, поставил 65520 - на первом же сдвиге в первом цикле стандартного ТМ5 ошибки посыпались одна за другой - штук 10 за 20 сек. Поставил 63720 - пока полёт нормальный:
Видимо при большей производительности и более высокой температуре конденсаторы быстрее теряют необходимый заряд и необходим меньший промежуток времени между их подзарядками.
_________________ 9900KF 5.0GHz/1.30V☻MAXIMUS XI HERO☻32GB DDR4 3700MHz/16-18-18-36 CR1/1.40V☻RTX 3080 Ti AORUS XTREME☻2TB XPG S11 Pro☻Corsair AX860☻LG 32GK850G
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 06.06.2007 Откуда: Ниоткуда Фото: 53
Victor91rus На частоте 3866 МГц при tREFI 63720 tRET = 270 мс. Вроде норм теперь, правда уже не сразу после игры, температура только до 57 °С поднялась:
На 3866 и 3900 МГц CR1 tRDWR ниже 12 не идут, что на 10, что на 11 - сразу куча ошибок на первом зеркальном сдвиге, хотя на 3800 МГц CR1 идут по 10 без проблем.
_________________ 9900KF 5.0GHz/1.30V☻MAXIMUS XI HERO☻32GB DDR4 3700MHz/16-18-18-36 CR1/1.40V☻RTX 3080 Ti AORUS XTREME☻2TB XPG S11 Pro☻Corsair AX860☻LG 32GK850G
Подскажите, пожалуйста, где взять ТестМем (ТМ, TestMem)? А то перстеты от Анта в шапке есть, а корректной версии тестмема нету и какой актуальный не понятно. Спаисбо!
Куратор темы Статус: Не в сети Регистрация: 10.06.2011
Acdsee писал(а):
Подскажите, пожалуйста, где взять ТестМем (ТМ, TestMem)? А то перстеты от Анта в шапке есть, а корректной версии тестмема нету и какой актуальный не понятно. Спаисбо!
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 09.11.2019 Откуда: Карелия|СПб
miwa писал(а):
давай уже 4400 на 15 таймингах
Тяжело 4200 даётся на 15-15, 1Т же всё-таки. 4400 16-16-1Т ~1.530-1.540 - оптимально. Запуск 4600 17-17-1Т есть, в винде сидеть можно, но сыпит, не понятно, КП это или память уже не может. 4700 запуск есть, 4800 - уже нет, даже с DRAM 1.6/IO 1.45/SA 1.55 - видимо, хилый проц... Ищу замену ему пока что. Ожидаю 4400 16-16-1Т ~ 4533 17-17-1T (16-16-1T или 16-17-1T тоже можно, но там в районе 1.6В, 1Т требует напруги всё равно, как ни крути).
Сейчас этот форум просматривают: Неоклассик и гости: 6
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения