AMT - Asus MemTweakit Asus MemTweakIt 2.02.44 При настройке памяти в BIOS ставим ОБЯЗАТЕЛЬНО MRC Fast boot=disable (включаем при этом режим тонкой тренировки, если же выставим enable, то включаем режим грубой тренировки). Оптимально при разгоне памяти использовать в биосе множитель памяти 133, а не авто или 100, что даст возможность создать комфортные условия для контроллера памяти в процессоре и снизить напряжения ио и са ! Недаром в Jedec шаг между спидбинами именно 133, а не 100! Для плат с Alder Lake напряжения VDD и VDDQ на память могут отличаться не больше, чем на 300 мВ. Для плат на основе логики z690 и b660: VDD>VDDQ VDDQ>=VDD-300mV(0.3V) Лучше на VDDQ не превышать 1.25V. Вполне возможно 1.30V. MSI дает зазор до 1.40V. Для таймингов должно выполняться требование: _dr=_dd
Разгон памяти у современной DDR4 (16 банков,RRDS=4,FAW=16,BL=8) эффективен только при tRC<=64,если каждый новый блок чтения происходит с разных банков памяти. Для 4-х слотовых плат при разгоне желательно в биосе отключить неиспользуемые слоты. Для максимальной производительности памяти значение tRFC в тактах для 8-Гбитных чипов должно быть кратно 8,а для 16-Гбитных чипов - 16. Если это правило не соблюдать, то будут вставлены лишние такты при каждом цикле обновления памяти. Для желающих максимально снизить tRFC. Делим tRFC на сумму tRCD,tRTP и tRP. Если результат ближе к 4, то снижать tRFC можно по 4 такта. Если результат ближе к 2, то снижать tRFC можно по 2 такта. Это связано с тем, что обновление происходит субмассивами, которые обязательно кратны 2.
Новая информация по tRAS
Чтение с модуля памяти у DDR4 происходит блоками. Минимальный блок сейчас составляет 64 байта, что связано с размером строки кэша у процессора. Этот блок может считываться как с одного банка, так и с разных. tRAS=tRCD+tRTP (при считывании 8 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+4 (при считывании 16 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+8 (считывание 24 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+12 (при считывании 32 байт с одного банка). Самый верный выбор для DDR4! tRAS=tRCD+tRTP+16 (считывание 40 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+20 (считывание 48 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+24 (считывание 56 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+28 (при считывании 64 байт с одного банка) Для DDR4 оптимальным выбором является 4-й или последний вариант. Но если выставить tRAS меньше, то ничего трагичного не произойдет, так как джедек придумала предохранитель (tRTP), поэтому можно не заморачиваться и выставлять минимальный tRAS (=tRCD+tRTP).
Напряжения на процессоре при разгоне памяти
SA- безопасный уровень (по данным MSI) 1.35, растет от частоты памяти и зависит от подключенной периферии к PCIE, чем больше скорость видеокарты и NVME-диска, тем выше нужно напряжение. IO (для Z590 =IO2, а просто IO можно оставлять в авто, для Z690=IVR DDQ)- обычно хорошо работает если на 50 мВ ниже SA, но чем ниже, тем лучше, стараться максимально снижать. Тоже растет с ростом частоты памяти. Для ориентира при настройке всегда рекомендую глянуть, что за напряжения SA и IO выставляет материнка в авто.
Для начала тезисно несколько правил «успешного разгона и установки памяти»:
1. Ни в коем случае не используем XMP профили – этот режим протестирован на совместимость, но не даёт оптимальную производительность. Поскольку заводская настройка не блещет идеальным подбором, можно получить до 20-25% производительности дополнительно, вручную настраивая тайминги и напряжения. Также XMP режим чреват завышениями вольтажа самой память и контроллера памяти\SOC. 2. Правильная установка модулей – А2 (для одного модуля), A2B2 (для двух модулей). 3. Самый лучший разгон по частоте достигается при использовании одного модуля, при наличии двух планок максимальная частота лишь немного хуже. У четырёх – либо хуже (на устаревающем LGA2011-3) либо такой же или лучше (LGA2066), которые могут стабильно работать с 4мя модулями на 4000CL16. 4. Если используется два модуля, то худший модуль (требующий бОльшего напряжения для стабильного разгона) должен стоять ближе к процессору в слоте A2. 5. Перед настройкой частоты и таймингов памяти отключить подсветку модулей памяти - т.к. это даёт лишний нагрев.
УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ГАЙД ПО НАСТРОЙКЕ от Agiliter
Универсальный гайд. 0. Устраните любые потенциальные проблемы с другим железом. Снимите разгон с видеокарты, снизьте частоту цп на 300 с сохранением напряжения. Не забудьте вернуть RTL в авто если сейчас не авто. 1. Крутим очень короткий мемтест, то есть если минуту живёт сразу снижать тайминг дальше. Ищите не стабильность, а явно сбойное значение тайминга, запишите его - пригодится. Гораздо проще найти явно нерабочее значение и от него плясать чем пытаться ловить нестабильность часами. Это также помогает диагностировать сбойные тайминги на ранее "стабильной памяти". Не пытайтесь найти предельные значение сразу. Сначала скрутите до +2 от минимально стабильного. Многие тайминги идут параллельно поэтому бессмысленно пытаться скрутить до упора с первого прохода. CR выставить на 2 если стоит 1. В самом конце можно попробовать скинуть до 1. 3 Ставить только на очень большую частоту или если по другому ну совсем никак.
Начните с RCD, CL. Не обязательно должны быть одинаковыми, обычно CL идёт меньше чем RCD. RAS сразу пробуйте как RCD+CL+4, до этого значения от него существенная разница, дальше меньше. CWL<=CL. Допустимые значения 9,10,11,12,14,16,18,20. RP можете выставить по RCD, если пойдёт меньше - тоже неплохо, не уверен правда насчёт смысла. RTP без формул. Если не идёт вниз можно попробовать поднять чуть чуть RP. В DDR4 явно связан с WR соотношением 2 к 1 (например WR20\RTP10), физически хранится одно значения и в зависимости от операции интерпретируется. Скрутите FAW до 16(так и оставьте если работает). С таким FAW скручивайте RRD(оба, L обычно больше чем S), возможно поедут на 4 оба. Если до 4 не удалось спустить поднимите FAW до уровня RRDL*4 и попробуйте ещё, хотя это скорее всего уже почти предел. Обычно L>=S. L - SG(Same Group). S - DG(Different Group) Напр. RRD_L>=RRD_S. CKE=5 СCDL>=4 RDRD_DD и прочие подобные можно проигнорировать если у вас нет двух планок на один канал (4 планки). DD-Different Dimm. Тоже самое с DR-Different Rank если у вас одноранговая память. RDWR_SG(DG) и подобные сочетания скручивайте до минимальных рабочих, потом накиньте сверху +2. Как уже отметил обычно SG>=DG. WTR не трогайте он сам спустится когда будете скидывать WRRD_SG(DG) и прочие подобные. Если сам меньше не стал тогда руками скидывать. WR снижать через WRPRE если есть. Если нет или не снижает WR, То скрутите его скажем до 12 или +4 от рабочего, потом дожмёте если не лень будет. RFC явных формул нет, крутить после всего списка сверху. Не пытайтесь найти его минимальное значение если не хотите чтобы память начинала сыпать ошибками от любого чиха. найдите пограничное со стабильностью значение и накиньте сверху 20 или сразу 40. Может реагировать на RAS+RP, RRD, FAW, причём в обе стороны (то есть может "сломаться" если задрать названные), а может и не реагировать... REFi больше лучше. Связан с RFC. REFI сколько память "работает" - RFC сколько "отдыхает". Оба тайминга лучше не пытаться найти предельное значение.Заметно реагируют на температуру. Многие тайминги отзываются и на температуру и на напряжение. Поскольку напряжение может как позволить снизить тайминг, так и увеличить температуру, то середину можно искать очень долго, поэтому лучше бы вовремя остановится. Тестируйте тщательно с перезагрузками, сном, холодным стартом. RTL и IOL вам кто-то другой пусть советует как настраивать, от них у меня голова болеть начинает...
tRASmin=tCL+tRCD+2 WTRS/L устанавливаются в биосе через WRRDdg/sg согласно формуле: WRRD_sg=6+CWL+WTR_L WRRD_dg=6+CWL+WTR_S WR - через WRPRE (для матплат ASUS): WRPRE=4+CWL+WR RTP - через RDPRE (для матплат ASUS) RDPRE=RTP
VDDDQ=1.5 V max по Jedec VrefCA=0.6xVDDDQ=0.9 V (max по Jedec), в даташите контроллера интел тоже разрешено максимальное vrefca=0.6xVdddq. То есть при обычной настройке биоса, когда VrefCA=0.5xVDDDQ, VDRAM<=1.8 V, чтобы уложиться в нормы по Jedec. А если при этом в биосе настроить vrefca=0.49xvdddq (разрешено по Jedec), то безопасное Vdram может быть еще выше=1.837 V. Вывод: для контроллера процессора напряжение на память <=1.8 V неопасно
CPU Name: Intel® Core™ i7-7740K CPU @ 4.30GHz Motherboard Model: MSI X299 GAMING PRO CARBON AC (MS-7A95) Total Size: 8192 MB Type: Single Channel (64 bit) DDR4-SDRAM Frequency: 2750 MHz - Ratio 1:31 Timings: 21-31-31-63-2 (tCAS-tRC-tRP-tRAS-tCR) Slot #1 Module: G.Skill 8192 MB (DDR4-2137) - XMP 2.0 - P/N: F4-3200C14-8GVR
[img]Ссылка на скрин[/img] Для сбора статистики по установленным чипам памяти просьба прикладывать скрины программы Taiphoon Burner и указывать напряжения на DIMM, IO и SA![/color]
Below are the typical tRFC in ns for the common ICs: IC tRFC (ns) Hynix 8Gb AFR 260 - 280 Hynix 8Gb CJR 260 - 280 Hynix 8Gb DJR 260 - 280 Micron 8Gb Rev. E 280 - 310 Micron 16Gb Rev. B 290 - 310 Samsung 8Gb B-Die 120 - 180 Samsung 8Gb C-Die 300 - 340
Таблица tRFC от Reous v26
#77
Расшифровка чипов, находящихся в модуле памяти у разных производителей
#77
Ревизии печатных плат. A0,A1 или A2 планки, как узнать
#77 #77 #77 #77
Статистика tRCD планок в зависимости от типов чипов
#77 #77 #77 Чем выше вы в вертикальном столбце, тем удачнее планки. Чем интенсивнее цвет, тем выше статистический процент (данные старые,теперь удачнее чипы выходят) На 1 таблице все,что выше красной линии - суперотборники.
Советы по верной тренировке
1.Поднять напряжения на VCCSA и VCCIO. 2.Включить в биосе Round Trip Latency. 3.Для гигабайтов - memory enchancement=normal.
Руководство по разгону памяти для начинающих блондинок
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 06.06.2007 Откуда: Ниоткуда Фото: 53
Agiliter писал(а):
Тогда не будете ловить внезапные ошибки потом
У меня такого пока не было. Внезапные ошибки на моей системе бывают исключительно в ТМ5, ЛинХ и прайм95 с AVX. Но вот что было в ТМ5 сразу после игры в БФ4: Статистика разгона памяти DDR-4 на платформах INTEL. Обсуждение результатов. Советы. #16869118 Вполне возможно, что ещё придётся снизить tREFI. А может вообще в итоге окажется, что 4000 CR1 не стабильны, я только начал тестировать эту частоту, пока ещё не запускал ТМ5 экстрим, не делал холодных стартов и т.п., к тому же в комнате сейчас прохладно.
Добавлено спустя 4 минуты 23 секунды: В БФ5 моя память греется максимум до 53 °С, в ТМ5 экстриме бывает до 58 °С.
Добавлено спустя 11 минут 33 секунды:
Agiliter писал(а):
Настоятельно рекомендую видеокартой корпус греть параллельно
FurMark подойдёт?
_________________ 9900KF 5.0GHz/1.30V☻MAXIMUS XI HERO☻32GB DDR4 3700MHz/16-18-18-36 CR1/1.40V☻RTX 3080 Ti AORUS XTREME☻2TB XPG S11 Pro☻Corsair AX860☻LG 32GK850G
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 09.11.2019 Откуда: Карелия|СПб
pakhtunov IOL 6-6, RTL 60-62 для начала, WRRD_sg=30 для начала, RDRD_sg=CCD_L=WRWR_sg=6 можно ещё на такой частоте, на 4200 тоже, 4266 и выше уже 7-ки. garison87 тогда охлад уже надо ставить, иначе никак.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 30.09.2007 Откуда: Tver Фото: 29
nag77 писал(а):
дим2 на гене режет единственный слот PCI-E x16 до x8. Так что дим2 всегда пустует)
это понятно, но на апексе не режет, а там ситуация с расстоянием между планками такая же. потока нет и если еще воздух стоит - память может и 60 греться даже с хорошо продуваемым корпусом.
odvolk10 писал(а):
garison87 тогда охлад уже надо ставить, иначе никак.
последний раз охлады на память у меня на ддр2 были с 2.5в на микронах д9гмш и д9гкх, а потом я их все продал а авито) и оцз было и 2 вида корсаров - на ддр3 было не актуально и на ддр4 в самом начале тоже. а сейчас его даже не поставить мне с Д15. но Д15 передней вертушкой дует на гребни трайдентов. и все равно из-за тишки - 250 ватт по корпусу бегает, заменю на какую нибудь 3070 и память станет холодная.
Junior
Статус: Не в сети Регистрация: 23.01.2020 Откуда: Крым Фото: 3
Итак, я должен поделиться. Все таки я смог запустить на MH8 4000 с CR1. хочу только добавить, что не одними таймингами и питанием можно это запустить. Тестил отдельно каждую планку во втором слоте, каждая по отдельности без ошибок проходит ТМ5, как только втыкаю вторую в 4 или 3 слот начинаются причуды. Кое как оставил эти тайминги и этот ртл, вроде стартует и работает. Но ложка дегтя, это ТМ5 сыпет ошибками. При прохождении суперлайта около 30 ошибок. При чем как и с 0 по 4, так и с 8 по 10. Подскажите, что можно сделать, чтоб оно перестало так надо мной издеваться, где ослабить или добавить. Так как уже не знаю, что им еще надо, этим планкам. Единственное, понимаю точно, что память упирается в матплату.
Вложения:
Screenshot_2.png [ 216.86 КБ | Просмотров: 1216 ]
_________________ 12900K@4.9Gz ASUS Z690-A|Noctua NH-D15 G.Skill DDR5 TRIDENT Z5 RGB 64GB 6000MHz Samsung 990 Pro 2tb
Junior
Статус: Не в сети Регистрация: 23.01.2020 Откуда: Крым Фото: 3
MeDd писал(а):
Dub знаете какой будет первый вопрос? А напряжения какие?)
да не менялись, вроде эти планки идут только 1,44В на такой частоте. i/o 1,21. Ну я и оставил. И они точно не перегреваются, так как ошибка может появится и в первую минуту, и после прохождения 1 цикла, то есть к 8 минуте.
_________________ 12900K@4.9Gz ASUS Z690-A|Noctua NH-D15 G.Skill DDR5 TRIDENT Z5 RGB 64GB 6000MHz Samsung 990 Pro 2tb
Junior
Статус: Не в сети Регистрация: 20.05.2020 Фото: 2
Доброго времени суток, прошу советов гуру по настройке памяти. Планки Samsung M378A5143DB0 (D-die), раньше сидел с 4х4 на 3200 16-18-18-36 cr1 в полной стабильности (TM5 и др. тесты проходились без ошибок). Задешево получилось раздобыть еще 4х4 кит, 3200 на тех же таймингах не пошло, сыпало ошибками, в принципе не критично остаться на 2666. Шину трогать не хочу, поэтому выбор между 2666 и 3200 (если вдруг кто подскажет по 3200 тоже буду рад). Еле как нашел рабочий AsRock Timing Configurator, большинство версий неверно показывало кол-во планок, тайминги и даже канальность. В настройке вторичек так себе считай никак, лол разбираюсь, заранее спасибо.
Сейчас этот форум просматривают: ubnt2020 и гости: 18
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения