AMT - Asus MemTweakit Asus MemTweakIt 2.02.44 При настройке памяти в BIOS ставим ОБЯЗАТЕЛЬНО MRC Fast boot=disable (включаем при этом режим тонкой тренировки, если же выставим enable, то включаем режим грубой тренировки). Оптимально при разгоне памяти использовать в биосе множитель памяти 133, а не авто или 100, что даст возможность создать комфортные условия для контроллера памяти в процессоре и снизить напряжения ио и са ! Недаром в Jedec шаг между спидбинами именно 133, а не 100! Для плат с Alder Lake напряжения VDD и VDDQ на память могут отличаться не больше, чем на 300 мВ. Для плат на основе логики z690 и b660: VDD>VDDQ VDDQ>=VDD-300mV(0.3V) Лучше на VDDQ не превышать 1.25V. Вполне возможно 1.30V. MSI дает зазор до 1.40V. Для таймингов должно выполняться требование: _dr=_dd
Разгон памяти у современной DDR4 (16 банков,RRDS=4,FAW=16,BL=8) эффективен только при tRC<=64,если каждый новый блок чтения происходит с разных банков памяти. Для 4-х слотовых плат при разгоне желательно в биосе отключить неиспользуемые слоты. Для максимальной производительности памяти значение tRFC в тактах для 8-Гбитных чипов должно быть кратно 8,а для 16-Гбитных чипов - 16. Если это правило не соблюдать, то будут вставлены лишние такты при каждом цикле обновления памяти. Для желающих максимально снизить tRFC. Делим tRFC на сумму tRCD,tRTP и tRP. Если результат ближе к 4, то снижать tRFC можно по 4 такта. Если результат ближе к 2, то снижать tRFC можно по 2 такта. Это связано с тем, что обновление происходит субмассивами, которые обязательно кратны 2.
Новая информация по tRAS
Чтение с модуля памяти у DDR4 происходит блоками. Минимальный блок сейчас составляет 64 байта, что связано с размером строки кэша у процессора. Этот блок может считываться как с одного банка, так и с разных. tRAS=tRCD+tRTP (при считывании 8 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+4 (при считывании 16 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+8 (считывание 24 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+12 (при считывании 32 байт с одного банка). Самый верный выбор для DDR4! tRAS=tRCD+tRTP+16 (считывание 40 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+20 (считывание 48 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+24 (считывание 56 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+28 (при считывании 64 байт с одного банка) Для DDR4 оптимальным выбором является 4-й или последний вариант. Но если выставить tRAS меньше, то ничего трагичного не произойдет, так как джедек придумала предохранитель (tRTP), поэтому можно не заморачиваться и выставлять минимальный tRAS (=tRCD+tRTP).
Напряжения на процессоре при разгоне памяти
SA- безопасный уровень (по данным MSI) 1.35, растет от частоты памяти и зависит от подключенной периферии к PCIE, чем больше скорость видеокарты и NVME-диска, тем выше нужно напряжение. IO (для Z590 =IO2, а просто IO можно оставлять в авто, для Z690=IVR DDQ)- обычно хорошо работает если на 50 мВ ниже SA, но чем ниже, тем лучше, стараться максимально снижать. Тоже растет с ростом частоты памяти. Для ориентира при настройке всегда рекомендую глянуть, что за напряжения SA и IO выставляет материнка в авто.
Для начала тезисно несколько правил «успешного разгона и установки памяти»:
1. Ни в коем случае не используем XMP профили – этот режим протестирован на совместимость, но не даёт оптимальную производительность. Поскольку заводская настройка не блещет идеальным подбором, можно получить до 20-25% производительности дополнительно, вручную настраивая тайминги и напряжения. Также XMP режим чреват завышениями вольтажа самой память и контроллера памяти\SOC. 2. Правильная установка модулей – А2 (для одного модуля), A2B2 (для двух модулей). 3. Самый лучший разгон по частоте достигается при использовании одного модуля, при наличии двух планок максимальная частота лишь немного хуже. У четырёх – либо хуже (на устаревающем LGA2011-3) либо такой же или лучше (LGA2066), которые могут стабильно работать с 4мя модулями на 4000CL16. 4. Если используется два модуля, то худший модуль (требующий бОльшего напряжения для стабильного разгона) должен стоять ближе к процессору в слоте A2. 5. Перед настройкой частоты и таймингов памяти отключить подсветку модулей памяти - т.к. это даёт лишний нагрев.
УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ГАЙД ПО НАСТРОЙКЕ от Agiliter
Универсальный гайд. 0. Устраните любые потенциальные проблемы с другим железом. Снимите разгон с видеокарты, снизьте частоту цп на 300 с сохранением напряжения. Не забудьте вернуть RTL в авто если сейчас не авто. 1. Крутим очень короткий мемтест, то есть если минуту живёт сразу снижать тайминг дальше. Ищите не стабильность, а явно сбойное значение тайминга, запишите его - пригодится. Гораздо проще найти явно нерабочее значение и от него плясать чем пытаться ловить нестабильность часами. Это также помогает диагностировать сбойные тайминги на ранее "стабильной памяти". Не пытайтесь найти предельные значение сразу. Сначала скрутите до +2 от минимально стабильного. Многие тайминги идут параллельно поэтому бессмысленно пытаться скрутить до упора с первого прохода. CR выставить на 2 если стоит 1. В самом конце можно попробовать скинуть до 1. 3 Ставить только на очень большую частоту или если по другому ну совсем никак.
Начните с RCD, CL. Не обязательно должны быть одинаковыми, обычно CL идёт меньше чем RCD. RAS сразу пробуйте как RCD+CL+4, до этого значения от него существенная разница, дальше меньше. CWL<=CL. Допустимые значения 9,10,11,12,14,16,18,20. RP можете выставить по RCD, если пойдёт меньше - тоже неплохо, не уверен правда насчёт смысла. RTP без формул. Если не идёт вниз можно попробовать поднять чуть чуть RP. В DDR4 явно связан с WR соотношением 2 к 1 (например WR20\RTP10), физически хранится одно значения и в зависимости от операции интерпретируется. Скрутите FAW до 16(так и оставьте если работает). С таким FAW скручивайте RRD(оба, L обычно больше чем S), возможно поедут на 4 оба. Если до 4 не удалось спустить поднимите FAW до уровня RRDL*4 и попробуйте ещё, хотя это скорее всего уже почти предел. Обычно L>=S. L - SG(Same Group). S - DG(Different Group) Напр. RRD_L>=RRD_S. CKE=5 СCDL>=4 RDRD_DD и прочие подобные можно проигнорировать если у вас нет двух планок на один канал (4 планки). DD-Different Dimm. Тоже самое с DR-Different Rank если у вас одноранговая память. RDWR_SG(DG) и подобные сочетания скручивайте до минимальных рабочих, потом накиньте сверху +2. Как уже отметил обычно SG>=DG. WTR не трогайте он сам спустится когда будете скидывать WRRD_SG(DG) и прочие подобные. Если сам меньше не стал тогда руками скидывать. WR снижать через WRPRE если есть. Если нет или не снижает WR, То скрутите его скажем до 12 или +4 от рабочего, потом дожмёте если не лень будет. RFC явных формул нет, крутить после всего списка сверху. Не пытайтесь найти его минимальное значение если не хотите чтобы память начинала сыпать ошибками от любого чиха. найдите пограничное со стабильностью значение и накиньте сверху 20 или сразу 40. Может реагировать на RAS+RP, RRD, FAW, причём в обе стороны (то есть может "сломаться" если задрать названные), а может и не реагировать... REFi больше лучше. Связан с RFC. REFI сколько память "работает" - RFC сколько "отдыхает". Оба тайминга лучше не пытаться найти предельное значение.Заметно реагируют на температуру. Многие тайминги отзываются и на температуру и на напряжение. Поскольку напряжение может как позволить снизить тайминг, так и увеличить температуру, то середину можно искать очень долго, поэтому лучше бы вовремя остановится. Тестируйте тщательно с перезагрузками, сном, холодным стартом. RTL и IOL вам кто-то другой пусть советует как настраивать, от них у меня голова болеть начинает...
tRASmin=tCL+tRCD+2 WTRS/L устанавливаются в биосе через WRRDdg/sg согласно формуле: WRRD_sg=6+CWL+WTR_L WRRD_dg=6+CWL+WTR_S WR - через WRPRE (для матплат ASUS): WRPRE=4+CWL+WR RTP - через RDPRE (для матплат ASUS) RDPRE=RTP
VDDDQ=1.5 V max по Jedec VrefCA=0.6xVDDDQ=0.9 V (max по Jedec), в даташите контроллера интел тоже разрешено максимальное vrefca=0.6xVdddq. То есть при обычной настройке биоса, когда VrefCA=0.5xVDDDQ, VDRAM<=1.8 V, чтобы уложиться в нормы по Jedec. А если при этом в биосе настроить vrefca=0.49xvdddq (разрешено по Jedec), то безопасное Vdram может быть еще выше=1.837 V. Вывод: для контроллера процессора напряжение на память <=1.8 V неопасно
CPU Name: Intel® Core™ i7-7740K CPU @ 4.30GHz Motherboard Model: MSI X299 GAMING PRO CARBON AC (MS-7A95) Total Size: 8192 MB Type: Single Channel (64 bit) DDR4-SDRAM Frequency: 2750 MHz - Ratio 1:31 Timings: 21-31-31-63-2 (tCAS-tRC-tRP-tRAS-tCR) Slot #1 Module: G.Skill 8192 MB (DDR4-2137) - XMP 2.0 - P/N: F4-3200C14-8GVR
[img]Ссылка на скрин[/img] Для сбора статистики по установленным чипам памяти просьба прикладывать скрины программы Taiphoon Burner и указывать напряжения на DIMM, IO и SA![/color]
Below are the typical tRFC in ns for the common ICs: IC tRFC (ns) Hynix 8Gb AFR 260 - 280 Hynix 8Gb CJR 260 - 280 Hynix 8Gb DJR 260 - 280 Micron 8Gb Rev. E 280 - 310 Micron 16Gb Rev. B 290 - 310 Samsung 8Gb B-Die 120 - 180 Samsung 8Gb C-Die 300 - 340
Таблица tRFC от Reous v26
#77
Расшифровка чипов, находящихся в модуле памяти у разных производителей
#77
Ревизии печатных плат. A0,A1 или A2 планки, как узнать
#77 #77 #77 #77
Статистика tRCD планок в зависимости от типов чипов
#77 #77 #77 Чем выше вы в вертикальном столбце, тем удачнее планки. Чем интенсивнее цвет, тем выше статистический процент (данные старые,теперь удачнее чипы выходят) На 1 таблице все,что выше красной линии - суперотборники.
Советы по верной тренировке
1.Поднять напряжения на VCCSA и VCCIO. 2.Включить в биосе Round Trip Latency. 3.Для гигабайтов - memory enchancement=normal.
Руководство по разгону памяти для начинающих блондинок
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 30.09.2007 Откуда: Tver Фото: 29
healboi писал(а):
Плашки Corsair 2x16gb(ver. 4.31) b-die. Выше 3000
не нужно говняный бидай покупать, я сам как то пару китов таких купил - думал повезло, что урвал. В итоге оба обратно отдал т к это помойный бидай. 3200с14 и 3600с15/16 - вот где хороший бидай стоит из адекватного ценника.
Температура поднялась до 58 °С на первом цикле, так как перед тестом хорошо прогрел системник фурмарком, ко второму циклу опустилась до 55-56 °С. Вот напруги:
При SA 1.28125 в биосе (по мониторингу HWiNFO64 от 1.280 до 1.296) были ошибки через 5 минут.
Добавлено спустя 5 минут 45 секунд: Кстати, раз 5 комп перезагружал, пока ровную тренировку РТL блока не поймал, затем всё зафиксировал и отключил тренировку.
_________________ 9900KF 5.0GHz/1.30V☻MAXIMUS XI HERO☻32GB DDR4 3700MHz/16-18-18-36 CR1/1.40V☻RTX 3080 Ti AORUS XTREME☻2TB XPG S11 Pro☻Corsair AX860☻LG 32GK850G
Последний раз редактировалось RustamS 28.05.2020 1:41, всего редактировалось 1 раз.
Junior
Статус: Не в сети Регистрация: 23.01.2020 Откуда: Крым Фото: 3
MexicanHead писал(а):
Dub это уже много.
хз, сказать не могу. Вроде ошибок не наблюдал. Вот прогрел праймом до 80 градусов. Кстати о глючности моего камня. Одно ядро в скрине видно сразу отвалилось, другие 2 спустя 2 минуты. Остальные 5 работали.
Вложения:
1.JPG [ 1.2 МБ | Просмотров: 576 ]
_________________ 12900K@4.9Gz ASUS Z690-A|Noctua NH-D15 G.Skill DDR5 TRIDENT Z5 RGB 64GB 6000MHz Samsung 990 Pro 2tb
где найти этот iol-offset (просто iol есть, а вот "смещения" не найду). Может есть что то типа практического руководства по этим настройкам где то - ткните пожалуйста?
Память C-die Hynix. 1,4В. 3600 - сыпет ошибки в ТМ5 на этих таймингах.
Меш спустил до 2600, - не помогло. Вероятно ошибка есть в инициализации этих изначальных пороговых значениях при тренировке.. конфигурация в подписи - Твич от Асуса - не работает с моей платой.
Junior
Статус: Не в сети Регистрация: 23.01.2020 Откуда: Крым Фото: 3
MexicanHead писал(а):
Dub если VRM выше 60 градусов греется, то не прохожу LinX 4.9 ГГц и 1.3v. Не претендую на истину, может это с чем-то другим связано.
в корне не согласен, но для доказательства сделал тест. Да есть малые невязки, но это мелочи. Здесь мы видим, что ядро выше 1,36v и 97 С не поднялось при 4700 по всем ядрам. И самое главное врм прогрелся больше чем в линксе, 83 градуса.
Вложения:
2.JPG [ 713.67 КБ | Просмотров: 514 ]
_________________ 12900K@4.9Gz ASUS Z690-A|Noctua NH-D15 G.Skill DDR5 TRIDENT Z5 RGB 64GB 6000MHz Samsung 990 Pro 2tb
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 24.09.2016 Фото: 1
Народ. Какой вариант лучше? 1) Cr1 3900.16.16.16.36/320 скорость по аиде чуть хуже 2 варианта. Задержка тажа. 2) Cr2 4000.16.16.16.36/360 3) Cr1 4000.17.17.17.38/360 скорость хуже. Задержка больше. Чем лучше сравнить по производительности и задержки?
_________________ Intel 10700k, Gigabyte Z490 Vision G, G.Skill Trident Z F4-3200C14D, Palit 3080 Gaming Pro
Junior
Статус: Не в сети Регистрация: 20.05.2020 Фото: 2
Снова здравствуйте. И снова я про свои многострадальные Samsung D-die M378A5143DB0 планки. 3200 учитывая ссылку гуглдокса из шапки завелись ажно на 20-22-22-50, что меня вообще не устроило, поэтому пошел "вниз" и добрался до пикрелейтид, все норм в принципе, ошибок нет, но хотелось бы советов по вторичкам. Заранее спасибо.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 14.12.2013 Откуда: СПБ Фото: 30
коллеги подскажите
покрутил память и в часовом тесте testmem5 от анта777 на 3 проходе вылезает одна ошибка в номере 2.. насколько это плохо? и о чем говорит эта ошибка? в более коротких тестах ошибка не находится...
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 16.05.2010 Откуда: Ленинград Фото: 545
Alexshanghai писал(а):
покрутил память и в часовом тесте testmem5 от анта777 на 3 проходе вылезает одна ошибка в номере 2.. насколько это плохо? и о чем говорит эта ошибка? в более коротких тестах ошибка не находится...
Здорова
Память разогревается - меняется сопротивление- есть тайминги которые реагируют на температуру.
у меня экстрим конфиг выбивал ошибку на первом часе -1 цикл при vciio 0.940/ sa 1.0, на 1.08/1.1 всё хорошо.
Смотри -тайминги TRFC/TREFI в первую очередь- они чувствительны на корреляцию ошибок при разогреве , напругу на озу-может добавить чутка надо, и на контроллёр, иногда и меньше полезнее
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 08.07.2016 Фото: 8
garison87 благодарю никогда этот параметр не трогал, на "авто" ходило все отлично 4300с17т1 и 4500с17т2 (на асрок фармуле z170), на текущей мамке мне такое и не светит сейчас играюсь, пытаюсь 4х8 вывести в стабильные 4333с17т2 но чето не идет пока (по qvl написано максимум 4266с17, но я пошел выше 4300с17 уже стабильно )
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 02.04.2020 Фото: 10
grandrush писал(а):
Народ. Какой вариант лучше? 1) Cr1 3900.16.16.16.36/320 скорость по аиде чуть хуже 2 варианта. Задержка тажа. 2) Cr2 4000.16.16.16.36/360 3) Cr1 4000.17.17.17.38/360 скорость хуже. Задержка больше. Чем лучше сравнить по производительности и задержки?
Запусти какой нибудь бенч на минималках типо ларки или атсасина, и сразу станет понятно. Если результаты одинаковые - оставляй где меньше напруги надо.
Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей и гости: 6
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения