AMT - Asus MemTweakit Asus MemTweakIt 2.02.44 При настройке памяти в BIOS ставим ОБЯЗАТЕЛЬНО MRC Fast boot=disable (включаем при этом режим тонкой тренировки, если же выставим enable, то включаем режим грубой тренировки). Оптимально при разгоне памяти использовать в биосе множитель памяти 133, а не авто или 100, что даст возможность создать комфортные условия для контроллера памяти в процессоре и снизить напряжения ио и са ! Недаром в Jedec шаг между спидбинами именно 133, а не 100! Для плат с Alder Lake напряжения VDD и VDDQ на память могут отличаться не больше, чем на 300 мВ. Для плат на основе логики z690 и b660: VDD>VDDQ VDDQ>=VDD-300mV(0.3V) Лучше на VDDQ не превышать 1.25V. Вполне возможно 1.30V. MSI дает зазор до 1.40V. Для таймингов должно выполняться требование: _dr=_dd
Разгон памяти у современной DDR4 (16 банков,RRDS=4,FAW=16,BL=8) эффективен только при tRC<=64,если каждый новый блок чтения происходит с разных банков памяти. Для 4-х слотовых плат при разгоне желательно в биосе отключить неиспользуемые слоты. Для максимальной производительности памяти значение tRFC в тактах для 8-Гбитных чипов должно быть кратно 8,а для 16-Гбитных чипов - 16. Если это правило не соблюдать, то будут вставлены лишние такты при каждом цикле обновления памяти. Для желающих максимально снизить tRFC. Делим tRFC на сумму tRCD,tRTP и tRP. Если результат ближе к 4, то снижать tRFC можно по 4 такта. Если результат ближе к 2, то снижать tRFC можно по 2 такта. Это связано с тем, что обновление происходит субмассивами, которые обязательно кратны 2.
Новая информация по tRAS
Чтение с модуля памяти у DDR4 происходит блоками. Минимальный блок сейчас составляет 64 байта, что связано с размером строки кэша у процессора. Этот блок может считываться как с одного банка, так и с разных. tRAS=tRCD+tRTP (при считывании 8 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+4 (при считывании 16 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+8 (считывание 24 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+12 (при считывании 32 байт с одного банка). Самый верный выбор для DDR4! tRAS=tRCD+tRTP+16 (считывание 40 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+20 (считывание 48 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+24 (считывание 56 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+28 (при считывании 64 байт с одного банка) Для DDR4 оптимальным выбором является 4-й или последний вариант. Но если выставить tRAS меньше, то ничего трагичного не произойдет, так как джедек придумала предохранитель (tRTP), поэтому можно не заморачиваться и выставлять минимальный tRAS (=tRCD+tRTP).
Напряжения на процессоре при разгоне памяти
SA- безопасный уровень (по данным MSI) 1.35, растет от частоты памяти и зависит от подключенной периферии к PCIE, чем больше скорость видеокарты и NVME-диска, тем выше нужно напряжение. IO (для Z590 =IO2, а просто IO можно оставлять в авто, для Z690=IVR DDQ)- обычно хорошо работает если на 50 мВ ниже SA, но чем ниже, тем лучше, стараться максимально снижать. Тоже растет с ростом частоты памяти. Для ориентира при настройке всегда рекомендую глянуть, что за напряжения SA и IO выставляет материнка в авто.
Для начала тезисно несколько правил «успешного разгона и установки памяти»:
1. Ни в коем случае не используем XMP профили – этот режим протестирован на совместимость, но не даёт оптимальную производительность. Поскольку заводская настройка не блещет идеальным подбором, можно получить до 20-25% производительности дополнительно, вручную настраивая тайминги и напряжения. Также XMP режим чреват завышениями вольтажа самой память и контроллера памяти\SOC. 2. Правильная установка модулей – А2 (для одного модуля), A2B2 (для двух модулей). 3. Самый лучший разгон по частоте достигается при использовании одного модуля, при наличии двух планок максимальная частота лишь немного хуже. У четырёх – либо хуже (на устаревающем LGA2011-3) либо такой же или лучше (LGA2066), которые могут стабильно работать с 4мя модулями на 4000CL16. 4. Если используется два модуля, то худший модуль (требующий бОльшего напряжения для стабильного разгона) должен стоять ближе к процессору в слоте A2. 5. Перед настройкой частоты и таймингов памяти отключить подсветку модулей памяти - т.к. это даёт лишний нагрев.
УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ГАЙД ПО НАСТРОЙКЕ от Agiliter
Универсальный гайд. 0. Устраните любые потенциальные проблемы с другим железом. Снимите разгон с видеокарты, снизьте частоту цп на 300 с сохранением напряжения. Не забудьте вернуть RTL в авто если сейчас не авто. 1. Крутим очень короткий мемтест, то есть если минуту живёт сразу снижать тайминг дальше. Ищите не стабильность, а явно сбойное значение тайминга, запишите его - пригодится. Гораздо проще найти явно нерабочее значение и от него плясать чем пытаться ловить нестабильность часами. Это также помогает диагностировать сбойные тайминги на ранее "стабильной памяти". Не пытайтесь найти предельные значение сразу. Сначала скрутите до +2 от минимально стабильного. Многие тайминги идут параллельно поэтому бессмысленно пытаться скрутить до упора с первого прохода. CR выставить на 2 если стоит 1. В самом конце можно попробовать скинуть до 1. 3 Ставить только на очень большую частоту или если по другому ну совсем никак.
Начните с RCD, CL. Не обязательно должны быть одинаковыми, обычно CL идёт меньше чем RCD. RAS сразу пробуйте как RCD+CL+4, до этого значения от него существенная разница, дальше меньше. CWL<=CL. Допустимые значения 9,10,11,12,14,16,18,20. RP можете выставить по RCD, если пойдёт меньше - тоже неплохо, не уверен правда насчёт смысла. RTP без формул. Если не идёт вниз можно попробовать поднять чуть чуть RP. В DDR4 явно связан с WR соотношением 2 к 1 (например WR20\RTP10), физически хранится одно значения и в зависимости от операции интерпретируется. Скрутите FAW до 16(так и оставьте если работает). С таким FAW скручивайте RRD(оба, L обычно больше чем S), возможно поедут на 4 оба. Если до 4 не удалось спустить поднимите FAW до уровня RRDL*4 и попробуйте ещё, хотя это скорее всего уже почти предел. Обычно L>=S. L - SG(Same Group). S - DG(Different Group) Напр. RRD_L>=RRD_S. CKE=5 СCDL>=4 RDRD_DD и прочие подобные можно проигнорировать если у вас нет двух планок на один канал (4 планки). DD-Different Dimm. Тоже самое с DR-Different Rank если у вас одноранговая память. RDWR_SG(DG) и подобные сочетания скручивайте до минимальных рабочих, потом накиньте сверху +2. Как уже отметил обычно SG>=DG. WTR не трогайте он сам спустится когда будете скидывать WRRD_SG(DG) и прочие подобные. Если сам меньше не стал тогда руками скидывать. WR снижать через WRPRE если есть. Если нет или не снижает WR, То скрутите его скажем до 12 или +4 от рабочего, потом дожмёте если не лень будет. RFC явных формул нет, крутить после всего списка сверху. Не пытайтесь найти его минимальное значение если не хотите чтобы память начинала сыпать ошибками от любого чиха. найдите пограничное со стабильностью значение и накиньте сверху 20 или сразу 40. Может реагировать на RAS+RP, RRD, FAW, причём в обе стороны (то есть может "сломаться" если задрать названные), а может и не реагировать... REFi больше лучше. Связан с RFC. REFI сколько память "работает" - RFC сколько "отдыхает". Оба тайминга лучше не пытаться найти предельное значение.Заметно реагируют на температуру. Многие тайминги отзываются и на температуру и на напряжение. Поскольку напряжение может как позволить снизить тайминг, так и увеличить температуру, то середину можно искать очень долго, поэтому лучше бы вовремя остановится. Тестируйте тщательно с перезагрузками, сном, холодным стартом. RTL и IOL вам кто-то другой пусть советует как настраивать, от них у меня голова болеть начинает...
tRASmin=tCL+tRCD+2 WTRS/L устанавливаются в биосе через WRRDdg/sg согласно формуле: WRRD_sg=6+CWL+WTR_L WRRD_dg=6+CWL+WTR_S WR - через WRPRE (для матплат ASUS): WRPRE=4+CWL+WR RTP - через RDPRE (для матплат ASUS) RDPRE=RTP
VDDDQ=1.5 V max по Jedec VrefCA=0.6xVDDDQ=0.9 V (max по Jedec), в даташите контроллера интел тоже разрешено максимальное vrefca=0.6xVdddq. То есть при обычной настройке биоса, когда VrefCA=0.5xVDDDQ, VDRAM<=1.8 V, чтобы уложиться в нормы по Jedec. А если при этом в биосе настроить vrefca=0.49xvdddq (разрешено по Jedec), то безопасное Vdram может быть еще выше=1.837 V. Вывод: для контроллера процессора напряжение на память <=1.8 V неопасно
CPU Name: Intel® Core™ i7-7740K CPU @ 4.30GHz Motherboard Model: MSI X299 GAMING PRO CARBON AC (MS-7A95) Total Size: 8192 MB Type: Single Channel (64 bit) DDR4-SDRAM Frequency: 2750 MHz - Ratio 1:31 Timings: 21-31-31-63-2 (tCAS-tRC-tRP-tRAS-tCR) Slot #1 Module: G.Skill 8192 MB (DDR4-2137) - XMP 2.0 - P/N: F4-3200C14-8GVR
[img]Ссылка на скрин[/img] Для сбора статистики по установленным чипам памяти просьба прикладывать скрины программы Taiphoon Burner и указывать напряжения на DIMM, IO и SA![/color]
Below are the typical tRFC in ns for the common ICs: IC tRFC (ns) Hynix 8Gb AFR 260 - 280 Hynix 8Gb CJR 260 - 280 Hynix 8Gb DJR 260 - 280 Micron 8Gb Rev. E 280 - 310 Micron 16Gb Rev. B 290 - 310 Samsung 8Gb B-Die 120 - 180 Samsung 8Gb C-Die 300 - 340
Таблица tRFC от Reous v26
#77
Расшифровка чипов, находящихся в модуле памяти у разных производителей
#77
Ревизии печатных плат. A0,A1 или A2 планки, как узнать
#77 #77 #77 #77
Статистика tRCD планок в зависимости от типов чипов
#77 #77 #77 Чем выше вы в вертикальном столбце, тем удачнее планки. Чем интенсивнее цвет, тем выше статистический процент (данные старые,теперь удачнее чипы выходят) На 1 таблице все,что выше красной линии - суперотборники.
Советы по верной тренировке
1.Поднять напряжения на VCCSA и VCCIO. 2.Включить в биосе Round Trip Latency. 3.Для гигабайтов - memory enchancement=normal.
Руководство по разгону памяти для начинающих блондинок
Advanced member
Статус: Не в сети Регистрация: 06.03.2009 Фото: 45
После тренировки io/sa лучше не менять(точнее нужно тренировать на нужном напряжении), тренироваться с первого или пятого раза вовсе не обязано и это ничего не значит, можно туда-сюда 0.01v крутить чтобы процесс ускорить.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 15.10.2019 Откуда: Moscow Фото: 73
Karats писал(а):
точнее нужно тренировать на нужном напряжении
каким образом надо понять какое нужное и какое не нужное? иногда следует взять с запасом, чтобы встал ртл блок. потом уже необходимо постепенно опускать до появления ошибок в тестах.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 16.05.2010 Откуда: Ленинград Фото: 545
pakhtunov писал(а):
или тайминги слишком ужато
ну по сравнению с вашими супер турбо вариантами)) или как у Рустамуса, у меня то как раз есть куда ужимать , T-ras не запредельный для 3200, тем более бидая- до 28-30 точно можно пробовать, Trfc- то-же с запасом вверх на этих частотах и таймингах, Trefi- 12480*3, баланс вариант между скоростью и стабильностью, и третички ещё можно поджать.
В данном случае это баланс вариант для моих двухрангов-не слишком ужатый,производительности и так хватает вполне + температуры до 48-50С в приложениях
3600 это уже будет 52-54+С возможно и больше. А скорости прироста по сравнению с 3200 я уже особо и не увижу.
Добавлено спустя 2 минуты 2 секунды:
Karats писал(а):
0.01v
10 милливольт?, и что это даст с 1.264 в минус? -НИЧЕГО. Не информативно.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 06.06.2007 Откуда: Ниоткуда Фото: 53
kiberman писал(а):
когда перевод MRC Fast boot из enable в disable - не выравнивает rtl- c первой перезагрузки, значит уже не хватает, не вижу смысла в 5-6 перезагрузок-при одинаковых таймингах, это означает не хватка напряжения ИМХО
А я вижу, иначе не видать мне стабильных 4000 МГц CR1 в ТМ5 СуперЛайт с ровной тренировкой. Тренирую я на IO = 1.25, SA = 1.325, DRAM = 1.50, затем выключаю тренировку, фиксирую RTL блок, перезагружаюсь, снижаю напряжения.
_________________ 9900KF 5.0GHz/1.30V☻MAXIMUS XI HERO☻32GB DDR4 3700MHz/16-18-18-36 CR1/1.40V☻RTX 3080 Ti AORUS XTREME☻2TB XPG S11 Pro☻Corsair AX860☻LG 32GK850G
Advanced member
Статус: Не в сети Регистрация: 06.03.2009 Фото: 45
pakhtunov Изменение может к ошибкам приводить у меня обычно сразу и приводит, а понять какое - искать придел загрузки windows, а потом тестировать, у меня как синие экраны пропадают 99% рабочие значения io/sa, на dram тестировать как ошибки в testmem пропадут
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 16.05.2010 Откуда: Ленинград Фото: 545
RustamS писал(а):
А я вижу
Вы тренируете на предельных режимах -с хорошим разгоном, и плата плате рознь, если бы я наваливал 4000 на однорангах и подстраивал, возможно стоит и там 2-3 раза "лишних" "пощёлкать ресетом, на 3600 с cr1 у меня уже КП "капризничает" на тренировке.
Тут в своём случае на 3200 я вижу что лишние 3-5 перезагрузок на всём диапазоне "занижений", конкретно на Асроке и моём наборе озу и настроек: ничего не решает, если с первого раза у меня блок не "оттренировался",то 2-3-5 перезагрузок уже не решают- перезагружаю,а ничего не меняется.
Только "навалив" 20-30мв с этого найденого порога в плюс, с момента когда тренировка сползла, и вуаля, достаточно 1-ой перезагрузки. я имею ввиду что и занижения каждый проход имхо стоит проверять через mrfc fastboot проходом вкл/выкл, а не просто снизить, а потом искать ошибки через тестмем5, в моём случае получается так -если ртл стабилен и не сползает- то и ошибок нет в экстрим тесте.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 16.05.2010 Откуда: Ленинград Фото: 545
Karats писал(а):
54-55; 6-6
это я понимаю, но такого варианта у меня нет , Надежда вся на новый биос 1.30/1.60, Кит памяти от Гскилл, такой же как и мой только Нео с подсветкой, тестируется производителем для моей платы. Посмотрим что это даст.
Добавлено спустя 1 минуту 25 секунд:
Karats писал(а):
Вот от оффсетов и ошибки
Какова вероятность этого что я занизил сильно?, есть какие то данные?, Линкс проходит, ни невязок ни ошибок.
Advanced member
Статус: Не в сети Регистрация: 06.03.2009 Фото: 45
kiberman У меня с минусовыми оффсетами не дружит разгон памяти совсем - спонтанные единичные ошибки в testmem иногда после третьего запуска подряд, только фиксировать и там не важно насколько занизите скорее линкс в ошибку выпадет(зависнет) чем тест на память.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 16.05.2010 Откуда: Ленинград Фото: 545
Karats писал(а):
У меня с минусовыми оффсетами не дружит разгон памяти совсем - спонтанные единичные ошибки в testmem иногда после третьего запуска подряд, только фиксировать и там не важно насколько занизите скорее линкс в ошибку выпадет(зависнет) чем тест на память.
Линкс без ошибок, ОССТ c АВX 2 то-же, оффсета на множитель на авх у меня нет.
Убрал негативный проверить, но тренировка так-же ползёт, у меня не хочет 4/6 выбивать без поднятия io/sa - на моём 3200 ките с таймингами что на скрине. При DLL Bandwidth 0-1-2-2
Advanced member
Статус: Не в сети Регистрация: 06.03.2009 Фото: 45
kiberman
Цитата:
у меня не хочет 4/6 выбивать без поднятия io/sa
Меняйте туда сюда напряжение dram как уже писал на 0.01v скажем 1.35-1.36 или на контроллере в таких же приделах, должно помочь, иногда в ступор входит и можно часами перезагружаться, либо тайминги не те, проверяйте все включая trfc, что то плате не нравится.
Ребята всем привет! Материнка Asrock fatality z370 gaming k6 8700k, 4.9 по ядру, кольцо 4600, Память Corsair Vengeance RGB CMR16GX4M2C3600C18 VCCIO 1.25-1.264 DRAM 1.35 вольта. Гнал по табличке от Анта777. Есть какие либо варианты что можно улучшить? тест мем прогон полностью проходит без ошибок. Работает тоже вроде стабильно.
Вложения:
4000 18 18.jpg [ 856.99 КБ | Просмотров: 668 ]
_________________ Apex X +9900k -Gskill 2*16 3866 15-15 1.45V -RTX3080TI HOF -LIAN LI dynamic XL case- VA 2k 240hz Samsung Odyssey G7 32
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 16.05.2010 Откуда: Ленинград Фото: 545
Karats писал(а):
Меняйте туда сюда напряжение dram как уже писал на 0.01v скажем 1.35-1.36 или на контроллере в таких же приделах, должно помочь, иногда в ступор входит и можно часами перезагружаться, либо тайминги не те, проверяйте все включая trfc, что то плате не нравится.
это всё понятно , на trfc 560 и trefi 12480- достаточно 1.032/1.032 на контроллёр при 0 0 0 0 dll bandwith. Но тогда и задержки выше, 41.5 вместо 39.5,мы же на оверах всё-таки - я за разумный разгон,но и покупать би-дай кит cl14 что-бы его не юзать совсем -какой тогда смысл.. Спасибо в любом случае за участие, и ваше мнение с практическими советами.
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения