Member
Статус: Не в сети Регистрация: 16.05.2005 Фото: 7
V l a d Ты опять раскапываешь сложные термины, и сама суть извращается.
1). Ты написал
V l a d писал(а):
Физическая частотата работы данной памяти составляет 200Мгц, а так называемая эффективная равняется 800Мгц
2). Я ответил - то, что понимают под "физической частотой" работы оп. памяти - по отношению к SDRAM - это в два раза меньшая частота DDR. Переведи дословно DDR - и поймёшь, о чём речь. В стандарте DDR2 вообще ничего не изменилось - это всё та же Double DR, и, пользуясь терминами "физическая частота памяти" или "рыночное обозначение" - частоты по-прежнему различаются в 2, а не в 4 раза.
3). То, что ты привёл в последнем сообщении - лишь объяснение, ЗА СЧЁТ ЧЕГО память стандарта DDR2 может работать на бОльших, чем DDR1, частотах. Повнимательнее прочти начало статьи:
"DDR2 — новый стандарт памяти, утвержденный JEDEC (Joint Electronic Device Engineering Council), в состав которого входят многие производители микросхем и модулей памяти, а также чипсетов. Ранние версии стандарта были опубликованы уже в марте 2003 года, окончательно он был утвержден лишь в январе 2004 года и получил наименование DDR2 SDRAM SPECIFICATION, JESD79-2, ревизия A (JESD79-2A). DDR2 основывается на хорошо известной и зарекомендовавшей себя технологии DDR (Double Data Rate). Можно даже сказать так: «DDR2 начинается там, где заканчивается DDR». Другими словами, первые DDR2 будут работать на частотах, являющихся пределом для текущего поколения памяти DDR-400 (стандарт PC3200, тактовая частота 200 МГц), а ее дальнейшие варианты существенно его превзойдут. Первым поколением памяти DDR2, уже производимым в настоящее время такими вендорами, как Samsung, Infineon, Micron, Crucial, Kingston и Corsair, являются ее разновидности DDR2-400 и DDR2-533, работающие на частотах 200 МГц и 266 МГц, соответственно. Далее ожидается появление нового поколения модулей DDR2-667 и DDR2-800, хотя отмечается, что они вообще вряд ли появятся и, тем более, получат широкое распространение даже к концу этого года."
Всё, о чём мы здесь говорим, заключается в первом же вводном абзаце. Ты пропустил его - но опять залез в дебри. Прочти сначала это внимательно - а уже потом, по желанию, углубляйся в вопрос. Добавлено спустя 3 часа, 21 минуту, 50 секунд V l a d Вообще вопрос мутный - у меня, как и у большинства, нет чёткого понимания процессов работы памяти. Просто терминология запутанная - я понял, что ты имеешь в виду... Иногда один и тот же источник - как и в статье на ixbt, не очень удачно разграничивает разные понятия. Итого, ругая маркетологов, сами в своих статьях вносят ещё больше путаницы для end userа. Может ты прав больше, чем я - тогда извиняюсь!
Заблокирован Статус: Не в сети Регистрация: 30.08.2006
Sara Cahota Если бы у DDR2-800 физическая частота работы была 400Мгц, то посчитаай какое было бы энергопотребление, если DDR на 250Мгц уже надо обдуваать (исключая самсунги), то уж и DDR2 подавно
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 13.06.2005 Откуда: Владивосток
Ребята, спокойнее. Вообще говоря, V l a d прав. А вы, Sara Cahota, путаете частоты. Vlad говорит о физической частоте самих чипов памяти, которая составляет как раз те самые 200МГц для DDR2-800. А вот для DDR3-800 это будет уже 100МГц. А разница компенсируется вдвое большей шириной шины чипов памяти. Но поскольку по целому ряду причин увеличить ширину модуля нельзя (напоминаю, 64 бита), то бОльшую ПСП передают большей частотой интерфейса чип->контроллер. А вот частота интерфейса уже равняется 400Мгц, ибо как вы верно сказали, DDR. И расшифровывается именно интерфейс. А поколение означает n-prefetch. Подробнее я писал в своей статье о DDR3. Дальше всё решает мозг
_________________ Дайте мне даташиты и я переверну мир!
Вместе мы - www.ROM.by
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 13.08.2006 Откуда: Москва, Россия
V l a d писал(а):
если DDR на 250Мгц уже надо обдуваать (исключая самсунги)
здесь больше зависит от напряжения и тех процесса, у самсунгов 90nm процесс, и чтобы они прогнались до 250, не нужно было поднимать напряжение, а к примеру на DT43 130nm процесс и поднимали напряжения на них как минимум 2.8V
Заблокирован Статус: Не в сети Регистрация: 30.08.2006
A1BEKON писал(а):
V l a d писал(а):
если DDR на 250Мгц уже надо обдуваать (исключая самсунги)
здесь больше зависит от напряжения и тех процесса, у самсунгов 90nm процесс, и чтобы они прогнались до 250, не нужно было поднимать напряжение, а к примеру на DT43 130nm процесс и поднимали напряжения на них как минимум 2.8V
Гнал хайниксы, без поднятия напруги с номинальных 2,6В до 245Мгц и они уже были очень тёплые. Я знаю какой техпроцесс у самсунгов, поэтому и написал про них в скобках.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 23.07.2006 Откуда: Москва Фото: 0
Блин! Купил как и хотел второй модуль KVR333X64C25, а он не гонится. SAMSUNG чипы стоят, чтоб их!
На первой планке стоят Kingston и гонится с 333 до 520...а тут И чаво теперь делать? Обратно на барахолку и продавать их как 2*512 и покупать DDR400 2*512?
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 23.07.2006 Откуда: Москва Фото: 0
A1BEKON Выставил 2,65V мать так позволяет только. И все равно не пошла на делителе 1:1
Максимум разгона достинается при делителе 5:4. Выставляю как DDR320:
Итого Проц 3,9GHz а память 220MHz [2.5-3-3-7]
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 13.06.2005 Откуда: Владивосток
dimon_2 Уточните вопрос. Правильно заданный вопрос - пол ответа Если вам нужно, чтобы память работала как 667, то нужно только выбрать соответствующий пункт DRAM frequency или подобное в BIOS. И, может, подкрутить тайминги. Если же вы хотите, чтобы модуль 533 стал определяться как 667 (то бишь стал им, фактически), то вам нужно перепрограммировать SPD.
_________________ Дайте мне даташиты и я переверну мир!
Вместе мы - www.ROM.by
Здравствуйте Подскажите пожалуйста. На Hynix-800 захотел поставить 4-4-4-12-4-35-10-10-10-25, выставил 1.95V. При запуске останавливаеться перед самым началом загрузки винды. Как понимать нехватило немного ещё напруги или просто не возьмёт моя память такие тайминги? сам пробовать чё будет если больше поставить пока боюсь, может вы подскажите о чём говорит такая картина
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 02.10.2005 Откуда: Minsk
помогите плиз найти даташит на память самсунг с маркировкой K4H560838C-UCCC, сам я искал но даже памяти с похожей маркировкой не нашёл, и ещё интересует что такое деградация чипов памяти, и при каком напряжении она наступает?
A55555 попробуй до 2.0V выставить, если не получится, то значит не судьба, да и еще: напряжение лучше мерь мультиметром.
Да видно не судьба, на этот раз Винда загрузилась, но через секунд 5 в перезагруз ушла.
А это может быть связано не с памятью, а с тем что у меня пока P4 650 стоит, а не C2D?
Сейчас этот форум просматривают: Bing [Bot] и гости: 18
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения