В общем, опишу ситуацию:
- T8 второй ревизии
- 8шт 64GB DDR3 LRDIMM 1866 (куплены здесь)
- 2678v3
Что ожидалось:
512GB памяти и много радости
Что получилось:
Больше 2 плашек не запускается никак, причем только по разные стороны от проца (предполагаю что подключены к разным КП), скорость в аиде что-то около 15, т.е суровый одноканал. В не зависимости от того, куда вставлять плашки, они видны как Channel0.Dimm0 в биосе. Решил дампануть SPD и увидел, что китайса просто взял и поменял 1333 на 1778(?) в дампе, даже чексумму не пересчитал. Кое-как отредачил дамп по 1333 и пересчитал чексумму, но шить пока страшно (тем более что шить скорее всего придется программатором, с шиной SMBUS на плате какие-то приколы и памяти по положенным адресам 0x50-0x59 нет).
Поэтому слезно прошу владельцев плашек DDR3 LRDIMM 64GB SAMSUNG с буфером INPHI iMB02-GS02B (коды M386B8G70BO0-CK03 M386B8G70BO0-YF83 M386B8G70BO0-YH93) поделиться дампами

Также, если кто знает, что случилось с SMBUS и как его починить буду признателен если поделитесь информацией

З.Ы. Была попытка завести эти плашки на T8 первой ревизии + 2696v3, но т.к. тот комп должен работать, попытка была недолгая и даже картинку добыть не удалось. Если заработает на второй ревизии, проверю на первой

З.З.Ы Дампы прилагаю
З.З.З.Ы Уже писал в основную ветку, но думаю все-таки стоило сюда

Народ, помогите понять. Первый раз занимаюсь настройкой таймингов, действую пока вслепую. Проц 2690v4 на материнке Machinist x99z v102, оперативка tanbasch 2666 4x4Gb. На картинках тест aida на стоковом биосе без возможности настройки таймингов и на биосе C612RD23R от iengineer с таймингами 15-15-15-35. Почему так проседает скорость записи при ужатии таймингов?

те это не поможет если они все заводятся вообще(хоть в одном слоте) + отследить на каких таймингах заводятся
дампы твои выглядят так↓ и ничего в них не прописано кроме 1333 частотысоответствует ли это чипам над самому сверятся Обсуждение и разгон оперативной памяти на китайских Х99 #17182544
+ заводить их надо на пониженных частотах в духе 1066,1333 и trfc=240
+ осмотреть соккет на замятые ноги + процу протереть да памяти протереть контактные площадки.
далее поди пойми может и проц дефектный
до кучи Обсуждение и разгон оперативной памяти на китайских Х99 #17836914
там как раз и надо разузнать возможны ли вообще 512gb_DDR3 с 8ю 4ранговыми плашками(хоть и LR), таким, вроде, никто не баловался
до кучи https://habr.com/ru/companies/hostkey/articles/272063/

Похоже понял, максимальные скорости строго при CR = 2N. При таком command rate ужатие таймингов дает уменьшение латентности и рост скорости. Только почему-то все выкладывают скрины именно с CR = 1N. А у меня с CR1 сразу скорости валятся на 10-25 процентов. Чего я не понимаю, просветите, плз

ну, при СR1, у тя непойми какие тайминги приведены.
поставь: 16-16-16-36-16-384-4-8-4-16-52-16 для начала и потом сравнивай СR1 vs CR2
а при твоих нынешних(13-15- ...) напрашивается tCWL=12
до кучи Обсуждение и разгон оперативной памяти на китайских Х99 #17959262
Обсуждение и разгон оперативной памяти на китайских Х99 #17854501 ну теперь понятно ... что непонятно, куда дальше копать повтори(как прошьёшь) в основную тему это жизнеописание https://github.com/1a2m3/SPD-Reader-Writer/releases

Странно, я сам смотрел в тайфуне (17 версии неактивированный) и точно помню частоту 1778, он даже дамп так обозвал. В любом случае, исключить кривую чексумму плашек из возможных причин надо, прошью все-таки. Кстати, возможно Вы не поняли, тот дамп что "SAMSUNG" я ручками сделал в хекс-редакторе, ни на одной из плашек его нет.

Это было сделано, на любой частоте запускаются только 2 плашки (они даже 2133 держат), частоту 1066 хуанан ставить не дает кстати

С 8 RDIMMками по 8GB каждая оно все уже года 3 работало, но все-таки мало ли. Сниму, протру.

Ну так вроде и не ай7 у меня, и за пределы частот не выхожу? POR выключен, PPR выключен. Всевозможные Propagate warnings тоже дергал туда-сюда, даже в настройки трейнинга залез. Разницы 0. Кстати, если не выключить MEMTest, плата грузит минут 10 (но грузит). Мои подозрения все-таки на то что LRDIMM Module Delay в SPD кривой, в настройках вручную его не поставить, можно только совсем выключить, тогда 55 и писки "Нет памяти".

Ну железно они точно это умеют, видел столько памяти на 8-слотовом асроке EPC612D8T (да-да, бренд был и с ддр3). Китайцы конечно могли что-то сломать, причем как железно, так и программно.

Читал его когда только купил платформу, потом еще раз перед покупкой памяти. Про ддр3 на Хасвелл/Броадвелл там естественно ничего нет


В общем, сейчас единственным шагом вперед видится перешивка памяти, посмотрим что это даст

BOBKOC , спасибо за отправную точку
Вот таких результатов удалось добиться: 13-17-17-31-16-280-4-8-4-16-54-16_tREFI_32767

tCWL 14 или 12 - сразу виснет
12-17-17 из биос - комп уже не стартует, хотя из под винды удалось накрутить и 12-15-15..
13-16-16 из под винды всё красиво, а при загрузке таких таймингов из биос скорости валятся на 30% примерно.

Не совсем мне этот момент понятен, почему одни и те же тайминги "из биос" дают другой эффект чем "из ATC"?

нуу, я тебе приводил тайминги для биоса их там и надо выставлять.
баловаться в атс можно(на финальной стадии Обсуждение и разгон оперативной памяти на китайских Х99 #17920134 когда основное уже определено), но не с tCWL. Касаемо почему ... потому Обсуждение и разгон оперативной памяти на китайских Х99 #16868166 что выставление tCL в биосе меняет RTL, а в асроке -нет

не могу найти пункт изменения таймингов ОЗУ на такой плате, помогите пж

раз не можешь значит их там нет(в дефолтном биосе их нет) и надо искать https://github.com/Koshak1013/HuananzhiX99_BIOS_mods свой биос где есть.

Мат плата: Kllisre X99 D8003 AD12 rev 1.0

Вопросы:
1. Какие нужны тайминги чтоб она работала на 2667 а не на 2133. Там есть пункт где можно выбрать установленные варианты, но они не работают. Есть раздел ручной установки таймингов, а какие значения вписать? Нужна стабильность в первую очередь с допустимой заводской скоростью.
2. Чтоб включить ECC надо биос другой как я понял, этот я поставил непомню от куда. Пробовал даже через AMIBCP включить ECC но не получилось.
Какой биос где взять для ECC. По гуглу советуют от Koshak1013 но там не нашел X99 D8003 конкретно, какие подойдут?

1. никакие ибо от проца зависит и 2666 только на десктопных процах v4 достижимы Обсуждение и разгон оперативной памяти на китайских Х99 #18342033
2. в Китайский LGA2011-3 (X99 Huananzhi, Jingsha, Aterminer, PLEXHD) #18394825 спроси ещё

xeon 2678 v3 Мат плата: Kllisre X99 D8003 AD12 rev 1.0


Какие надо установить тайминки для памяти чтоб работала на своей обыной частоте? а то щас работает на 2100. Преднастройки не работают.
И как активировать ECC? Настроек нет, редактирование прошивки AMIBCP тоже еффекта не дало.

Скорость памяти с тем процессором не поедет выше 2133 МТ/с.

Всем добрый день. Для статистики, а также возможно гуру форума что подскажут.
Мать Huananzhi X99-BD3 (десктопный чипсет B85), Xeon e5 2696 v3. HT отключен, чистые 18 ядер. Прошит bios от BD4, анлок турба буста, андервольт -80/-50/0, ранее стояло 4x8 gb RDIMM DDR3 и latency была ~ 71 нс, что устраивало и с настройками памяти особо не заморачивался.
Поменял память на 4x32 gb LRDIMM DDR3, 4 ранговые Samsung M386B4G70DM0-CMA3, 13-13-13-32 на 1866 мгц по умолчанию и тоже заморочился..
(Андервольт по кешу убрал на время тестов.)
Остановился сейчас на: 1N, 10-11-10-29-12-240-5-6-6-22-39-8
10-10-10-28 - грузится но ошибки в TestMem5, избавится от них не удалось. (поднимать напряжение не хочу)
9-11-11-29 - не стартует, возможно потому что tWCL автоматом ставит 8 на 10-11-10, менял его на 9 в bios и все равно AIDA показывает 8. А меньше 8 он вроде быть не может.
tRAS пробовал от 21 и выше. Разницы по Фотоворкс не заметил +-, даже на 21-25 латентность на 0.1 хуже. Остановился на классике. (29)
tRFC 230 загружается, но ошибки TestMem5 и остался на 240.
tREF, ситуация интересная. Так уже было у кого-то на форуме, при увеличении tREF падали результаты в Фотоворкс. Чем дальше, тем больше.
Вылечил переключением DRAM Maintenance в bios из "AUTO" в "Disabled". Значение 32512 не взлетело, ошибки. 26009 тоже нет, 21674 - все ок, 18578 все ок, при андервольтинге -40 по кешу. Разница в латентности между ними в 0.2 нс, поэтому остановился на нем.
Также интересный нюанс. Поставил в bios OLTT вместо CLTT, на ~ 15 минутах TestMem5 с профилем extrime от "Кошака" вдруг пошли ошибки. Посмотрел и..
температура памяти в HWiNFO 110-112 градусов. От греха вернул на CLTT. Но зато убедился какая хорошая память Samsung.
А так температура 70-75 градусов в стрестестах.

ну его не поднимешь на китае(сколько не поставишь в биосе) а чего не 10-11-11-29-12-240-5-6-6-20-40-10 Обсуждение и разгон оперативной памяти на китайских Х99 #17959262 ? не только в ней погляди может это просто нюансы LR&4рангов
https://disk.yandex.ru/d/uPuiWe0Q9We1DA
DDR-5 на платформе Intel. Статистика разгона, советы, обсуждение результатов. #18400950

Не знал. Спасибо!

tRP=tRCD это строгое правило?
Попробовал:
10-11-11-29-12-240-5-6-6-20-40-10 - система не стартует.
10-11-11-29-12-240-5-6-6-20-40-9 - стартует, грузится, работает.
Помня, что когда я пробовал 9-11-11 tWСL скорее всего стоял 9, попробовал так:
9-11-11-29-12-240-5-6-6-20-40-0 - система стартует, но все виснет на загрузке windows.
Выходит неравенство tCL≥tWCL в моем случае становится строгим: tCL>tWCL. Или нюанс LRDIMM, или 4 ранговой памяти.

Таки да. Поставил "ASRock", там все отображается как ставил в biose.. Поиграюсь с ней. )
Еще открыл в bios раздел с CMD Normalization, прошил. Поставил enabled. (Пробовал и в disabled)
Эффект ноль. Вообще ничего не меняется по тестам. Выходит или нет эффекта на LRDIMM или этот раздел bios на этой материнке реально не работает.

да, такое же(незавод при tCL=tCWL), было на двуканальной системе с 4мя двуранговыми планками там он только в чутка меньшей задержке выражается ибо должны поменятся RTL&IOL(а если не меняются ... нюансы LR ) по началу, потом как своё виденье говорит

вообщем решил погонять плашки озу на досуге ради интереса в метест 86 версия 10.6 вроде бы,плашки ддр 4 есс рег 2400 самсы все из одной партий и серийным номером на материнке huanan qd 4 первой ревизии 32 гб обьем проц 2696 в3,обычных ошибок не обнаружено но вылезла такая ошибка ecc errors test 13: channel slot 1-0 стоит ли беспокоится,если система вроде норм бегает без бсодов и крашей?

в первом приближении не стоит, а так зависит от задач Обсуждение и разгон оперативной памяти на китайских Х99 #18110160 + если винда посматривай за WHEA.
а так скорее всего надо просто памяти(и процу тож желательно) протереть контактные площадки ибо маловероятно чтоб 2400 DDR4 память давала на 2133 ошибки(конечно, если ты её не оптимайзил )