AMT - Asus MemTweakit Asus MemTweakIt 2.02.44 При настройке памяти в BIOS ставим ОБЯЗАТЕЛЬНО MRC Fast boot=disable (включаем при этом режим тонкой тренировки, если же выставим enable, то включаем режим грубой тренировки). Оптимально при разгоне памяти использовать в биосе множитель памяти 133, а не авто или 100, что даст возможность создать комфортные условия для контроллера памяти в процессоре и снизить напряжения ио и са ! Недаром в Jedec шаг между спидбинами именно 133, а не 100! Для плат с Alder Lake напряжения VDD и VDDQ на память могут отличаться не больше, чем на 300 мВ. Для плат на основе логики z690 и b660: VDD>VDDQ VDDQ>=VDD-300mV(0.3V) Лучше на VDDQ не превышать 1.25V. Вполне возможно 1.30V. MSI дает зазор до 1.40V. Для таймингов должно выполняться требование: _dr=_dd
Разгон памяти у современной DDR4 (16 банков,RRDS=4,FAW=16,BL=8) эффективен только при tRC<=64,если каждый новый блок чтения происходит с разных банков памяти. Для 4-х слотовых плат при разгоне желательно в биосе отключить неиспользуемые слоты. Для максимальной производительности памяти значение tRFC в тактах для 8-Гбитных чипов должно быть кратно 8,а для 16-Гбитных чипов - 16. Если это правило не соблюдать, то будут вставлены лишние такты при каждом цикле обновления памяти. Для желающих максимально снизить tRFC. Делим tRFC на сумму tRCD,tRTP и tRP. Если результат ближе к 4, то снижать tRFC можно по 4 такта. Если результат ближе к 2, то снижать tRFC можно по 2 такта. Это связано с тем, что обновление происходит субмассивами, которые обязательно кратны 2.
Новая информация по tRAS
Чтение с модуля памяти у DDR4 происходит блоками. Минимальный блок сейчас составляет 64 байта, что связано с размером строки кэша у процессора. Этот блок может считываться как с одного банка, так и с разных. tRAS=tRCD+tRTP (при считывании 8 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+4 (при считывании 16 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+8 (считывание 24 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+12 (при считывании 32 байт с одного банка). Самый верный выбор для DDR4! tRAS=tRCD+tRTP+16 (считывание 40 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+20 (считывание 48 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+24 (считывание 56 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+28 (при считывании 64 байт с одного банка) Для DDR4 оптимальным выбором является 4-й или последний вариант. Но если выставить tRAS меньше, то ничего трагичного не произойдет, так как джедек придумала предохранитель (tRTP), поэтому можно не заморачиваться и выставлять минимальный tRAS (=tRCD+tRTP).
Напряжения на процессоре при разгоне памяти
SA- безопасный уровень (по данным MSI) 1.35, растет от частоты памяти и зависит от подключенной периферии к PCIE, чем больше скорость видеокарты и NVME-диска, тем выше нужно напряжение. IO (для Z590 =IO2, а просто IO можно оставлять в авто, для Z690=IVR DDQ)- обычно хорошо работает если на 50 мВ ниже SA, но чем ниже, тем лучше, стараться максимально снижать. Тоже растет с ростом частоты памяти. Для ориентира при настройке всегда рекомендую глянуть, что за напряжения SA и IO выставляет материнка в авто.
Для начала тезисно несколько правил «успешного разгона и установки памяти»:
1. Ни в коем случае не используем XMP профили – этот режим протестирован на совместимость, но не даёт оптимальную производительность. Поскольку заводская настройка не блещет идеальным подбором, можно получить до 20-25% производительности дополнительно, вручную настраивая тайминги и напряжения. Также XMP режим чреват завышениями вольтажа самой память и контроллера памяти\SOC. 2. Правильная установка модулей – А2 (для одного модуля), A2B2 (для двух модулей). 3. Самый лучший разгон по частоте достигается при использовании одного модуля, при наличии двух планок максимальная частота лишь немного хуже. У четырёх – либо хуже (на устаревающем LGA2011-3) либо такой же или лучше (LGA2066), которые могут стабильно работать с 4мя модулями на 4000CL16. 4. Если используется два модуля, то худший модуль (требующий бОльшего напряжения для стабильного разгона) должен стоять ближе к процессору в слоте A2. 5. Перед настройкой частоты и таймингов памяти отключить подсветку модулей памяти - т.к. это даёт лишний нагрев.
УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ГАЙД ПО НАСТРОЙКЕ от Agiliter
Универсальный гайд. 0. Устраните любые потенциальные проблемы с другим железом. Снимите разгон с видеокарты, снизьте частоту цп на 300 с сохранением напряжения. Не забудьте вернуть RTL в авто если сейчас не авто. 1. Крутим очень короткий мемтест, то есть если минуту живёт сразу снижать тайминг дальше. Ищите не стабильность, а явно сбойное значение тайминга, запишите его - пригодится. Гораздо проще найти явно нерабочее значение и от него плясать чем пытаться ловить нестабильность часами. Это также помогает диагностировать сбойные тайминги на ранее "стабильной памяти". Не пытайтесь найти предельные значение сразу. Сначала скрутите до +2 от минимально стабильного. Многие тайминги идут параллельно поэтому бессмысленно пытаться скрутить до упора с первого прохода. CR выставить на 2 если стоит 1. В самом конце можно попробовать скинуть до 1. 3 Ставить только на очень большую частоту или если по другому ну совсем никак.
Начните с RCD, CL. Не обязательно должны быть одинаковыми, обычно CL идёт меньше чем RCD. RAS сразу пробуйте как RCD+CL+4, до этого значения от него существенная разница, дальше меньше. CWL<=CL. Допустимые значения 9,10,11,12,14,16,18,20. RP можете выставить по RCD, если пойдёт меньше - тоже неплохо, не уверен правда насчёт смысла. RTP без формул. Если не идёт вниз можно попробовать поднять чуть чуть RP. В DDR4 явно связан с WR соотношением 2 к 1 (например WR20\RTP10), физически хранится одно значения и в зависимости от операции интерпретируется. Скрутите FAW до 16(так и оставьте если работает). С таким FAW скручивайте RRD(оба, L обычно больше чем S), возможно поедут на 4 оба. Если до 4 не удалось спустить поднимите FAW до уровня RRDL*4 и попробуйте ещё, хотя это скорее всего уже почти предел. Обычно L>=S. L - SG(Same Group). S - DG(Different Group) Напр. RRD_L>=RRD_S. CKE=5 СCDL>=4 RDRD_DD и прочие подобные можно проигнорировать если у вас нет двух планок на один канал (4 планки). DD-Different Dimm. Тоже самое с DR-Different Rank если у вас одноранговая память. RDWR_SG(DG) и подобные сочетания скручивайте до минимальных рабочих, потом накиньте сверху +2. Как уже отметил обычно SG>=DG. WTR не трогайте он сам спустится когда будете скидывать WRRD_SG(DG) и прочие подобные. Если сам меньше не стал тогда руками скидывать. WR снижать через WRPRE если есть. Если нет или не снижает WR, То скрутите его скажем до 12 или +4 от рабочего, потом дожмёте если не лень будет. RFC явных формул нет, крутить после всего списка сверху. Не пытайтесь найти его минимальное значение если не хотите чтобы память начинала сыпать ошибками от любого чиха. найдите пограничное со стабильностью значение и накиньте сверху 20 или сразу 40. Может реагировать на RAS+RP, RRD, FAW, причём в обе стороны (то есть может "сломаться" если задрать названные), а может и не реагировать... REFi больше лучше. Связан с RFC. REFI сколько память "работает" - RFC сколько "отдыхает". Оба тайминга лучше не пытаться найти предельное значение.Заметно реагируют на температуру. Многие тайминги отзываются и на температуру и на напряжение. Поскольку напряжение может как позволить снизить тайминг, так и увеличить температуру, то середину можно искать очень долго, поэтому лучше бы вовремя остановится. Тестируйте тщательно с перезагрузками, сном, холодным стартом. RTL и IOL вам кто-то другой пусть советует как настраивать, от них у меня голова болеть начинает...
tRASmin=tCL+tRCD+2 WTRS/L устанавливаются в биосе через WRRDdg/sg согласно формуле: WRRD_sg=6+CWL+WTR_L WRRD_dg=6+CWL+WTR_S WR - через WRPRE (для матплат ASUS): WRPRE=4+CWL+WR RTP - через RDPRE (для матплат ASUS) RDPRE=RTP
VDDDQ=1.5 V max по Jedec VrefCA=0.6xVDDDQ=0.9 V (max по Jedec), в даташите контроллера интел тоже разрешено максимальное vrefca=0.6xVdddq. То есть при обычной настройке биоса, когда VrefCA=0.5xVDDDQ, VDRAM<=1.8 V, чтобы уложиться в нормы по Jedec. А если при этом в биосе настроить vrefca=0.49xvdddq (разрешено по Jedec), то безопасное Vdram может быть еще выше=1.837 V. Вывод: для контроллера процессора напряжение на память <=1.8 V неопасно
CPU Name: Intel® Core™ i7-7740K CPU @ 4.30GHz Motherboard Model: MSI X299 GAMING PRO CARBON AC (MS-7A95) Total Size: 8192 MB Type: Single Channel (64 bit) DDR4-SDRAM Frequency: 2750 MHz - Ratio 1:31 Timings: 21-31-31-63-2 (tCAS-tRC-tRP-tRAS-tCR) Slot #1 Module: G.Skill 8192 MB (DDR4-2137) - XMP 2.0 - P/N: F4-3200C14-8GVR
[img]Ссылка на скрин[/img] Для сбора статистики по установленным чипам памяти просьба прикладывать скрины программы Taiphoon Burner и указывать напряжения на DIMM, IO и SA![/color]
Below are the typical tRFC in ns for the common ICs: IC tRFC (ns) Hynix 8Gb AFR 260 - 280 Hynix 8Gb CJR 260 - 280 Hynix 8Gb DJR 260 - 280 Micron 8Gb Rev. E 280 - 310 Micron 16Gb Rev. B 290 - 310 Samsung 8Gb B-Die 120 - 180 Samsung 8Gb C-Die 300 - 340
Таблица tRFC от Reous v26
#77
Расшифровка чипов, находящихся в модуле памяти у разных производителей
#77
Ревизии печатных плат. A0,A1 или A2 планки, как узнать
#77 #77 #77 #77
Статистика tRCD планок в зависимости от типов чипов
#77 #77 #77 Чем выше вы в вертикальном столбце, тем удачнее планки. Чем интенсивнее цвет, тем выше статистический процент (данные старые,теперь удачнее чипы выходят) На 1 таблице все,что выше красной линии - суперотборники.
Советы по верной тренировке
1.Поднять напряжения на VCCSA и VCCIO. 2.Включить в биосе Round Trip Latency. 3.Для гигабайтов - memory enchancement=normal.
Руководство по разгону памяти для начинающих блондинок
Advanced member
Статус: Не в сети Регистрация: 30.04.2013 Откуда: Москва Фото: 0
ssdtm писал(а):
C каждым поколением (6-7-8 кроме 9 потому что тоже самое что 8 ) понижалось напряжение vccio/sa на одних и тех же частотах памяти, аналогично понижалось напряжение на ядрах на тех же частотах проца.
а есть такая же таблица для всех поколений,ну или несколько таблиц для разных поколений как та что выше?
Advanced member
Статус: Не в сети Регистрация: 29.03.2017
ssdtm Вы в оффтоп скатились. Вы ничего не прочитали и понятия не имеете что такое IPC раз приводите графики к IPC отношения не имеющие. Учите матчасть прежде чем нажимать капс на других. Прочитайте на викичипе скайлэйк-кэбилэйк-коффилэйк. ВНИМАТЕЛЬНО.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 30.09.2007 Откуда: Tver Фото: 29
Вот столкнулся с приколом на новый бдаях - с напругой выше 1.37 перестали стартовать, зато 3733с16 заработали на 1.36в..... странно, я 1.5 планировал подавать, а тут такое.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 15.08.2018 Фото: 24
Agiliter писал(а):
Прочитайте на викичипе скайлэйк-кэбилэйк-коффилэйк. ВНИМАТЕЛЬНО.
У них разный частотный потенциал. У всех 3 поколений, никто не будет их сравнивать на 1 частоте, только *****ы. Буст от памяти на всех 3 тоже учитывай.
лулз
#77
иди повтори это на 6700k , я пока попкорн себе сделаю.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 15.08.2018 Фото: 24
Agiliter писал(а):
Ну так расскажите, что же именно там изменилось раз вы их наизусть знаете.
Не меня напряжений: vcore io sa 6th gen 3866 память / 4800-5000 ядра ---> 7th gen 4250 память / 5000-5200 ядра---> 8/9 gen 4500 память / 5200-5400 ядра
Advanced member
Статус: Не в сети Регистрация: 29.03.2017
ssdtm Вы какой-то фанатичный бред несёте. Я вас про КП в интел спрашиваю, вы мне про райзен затирать начинаете, линкуете картинку с графиком роста частоты и температуры в зависимости от напряжения у скальпированного юбилейника, график с утечками тока в зависимости от техпроцесса, картинки со "схемой" ядра ещё не вышедшего цп. Кроме того что у вас частоты выросли вы ничего не написали. НИЧЕГО по делу. Только подтверждаете моё предположение, что они НИЧЕГО не меняли кроме вылизывания техпроцесса начиная со скайлэйка и до кофилэйк. Так и скажите, что у вас выросли частоты, но почему вы понятия не имеете. То что Кофи в среднем несколько лучше чем Скайлэк гонится и так известно. Позовите уже когда раскажите, что же именно они там поменяли, хотя бы поверхностно, КРОМЕ уже названных изменений в техпроцессе.
Заблокирован Статус: Не в сети Регистрация: 01.05.2019
WalterWhite писал(а):
Самсунг стоил около 7к за плашку на тот момент, сейчас 7190
на момент написания твоего поста про круциал самсунг висел по 5900 с копейками в мегабите,грубо говоря 12к за куда более гонибельный комплект. щас вон за 5680 лежит.если че, я имел ввиду c-die
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 08.08.2018 Фото: 6
tydrtsytdes на момент написания моего поста многое могло поменяться, а озу я получил недели 2 назад еще, и тогда получалось 11100 против 13800 или около того, цены на самсунг рандомные и его постоянно нет в наличии. В ситилинке так вообще 16 гиговых плашек нет никогда, но надо признать, 8 гиговые там лежат уже меньше чем за 3к, для 16 гиговых сборок норм.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 20.05.2009 Откуда: Москва Фото: 0
Ребят, подскажите плиз, на профильной системе 3900-15-15-15-35 вообще легко, а 4000 ну никак, на памяти 1.5, са и ио по 1.3, первички конские ставил, пост проходит но винда10 уже ни в какую, несколько раз загружался до синьки Это память или мама? И еще подскажите сколько по времени может тренироваться память? один раз отошел от компа, думал там зависон мертвый, а минуты через 3 все загрузилось. Подскажите сколько ждать, как понять идет там процесс или все висит уже?
_________________ i7-8700К, Z370-F Gaming, CMW16GX4M2C3200C14, MSI RTX 2080 Ti GAMING X TRIO, 840 EVO+970 Pro, Dark Power Pro 11 750W, CA-01B-B-SL, Acer Nitro VG270UP
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 15.08.2018 Фото: 24
tarasovjr писал(а):
на памяти 1.5
Dram capability 110% Dram vFSW-500Khz memory voltage 1.570 попробуй Вообще советую тестировать так : Dram capability 110% ставишь 1.59 и пошёл в низ с шагом 0.01v. в плоть до 1.485v. В самой винде заходишь в turboV core и меняешь напряжение на памяти на + / - 0.010v с ( шагом 0.005mv ) , например 1.570 загрузился -> вкл тм5 ,если ошибки +0.005mv , потом минус 0.005, потом ещё в минус 0.005 до 1.56. Если не нашёл стабильных - ребуtаешься, снижаешь напругу на 0.01 и дальше тоже самое делаешь. И так все напруги проходишь. Ребут, тест, смена напруги и так пока не найдешь стабильные напряжения. Потом в тетрадку записываешь все рабочие настройки от высоких до низких напруг и используешь в зависимости от температуры и погоды Потом тоже самое с Dram capability 120% делаешь. 100% и 130% не рекомендую использовать. 130% сильно завышает, а 100% наоборот. Вообще в мониторинге напругу криво отображает, лучше мультиметр втыкать в контактную площадку, если она есть конечно. Материнка не всегда тренинг памяти с первого раза делает верный, перекос по RTL/IOL бывает. Лучше 2 раза ребутаться всегда после смены таймингов, либо следить за этим.
Добавлено спустя 10 минут 6 секунд:
tarasovjr писал(а):
3900-15-15-15-35
У тебя достаточно агресивные тайминги. Даже для 3900, а 4000 на 15-15 мне каждется прям тяжко будет.Попробуй TWRRD_sg/dg поднять , что нибудь там 37/30 или 38/31
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 20.05.2009 Откуда: Москва Фото: 0
ssdtm писал(а):
У тебя достаточно агресивные тайминги. Даже для 3900, а 4000 на 15-15 мне каждется прям тяжко будет.Попробуй TWRRD_sg/dg поднять , что нибудь там 37/30 или 38/31
Спасибо за подробный ответ, но вы пропустили, что я писал про конские первички для 4000. Я ставил 19-23-23-45 (брал из комплекта бидая на 4000), не взлетает. Причем на 3900 вручную на 19-19 не едет, ставишь авто, мать запускает на 15-15, руками фиксируешь и все ок. Жесть короче.
_________________ i7-8700К, Z370-F Gaming, CMW16GX4M2C3200C14, MSI RTX 2080 Ti GAMING X TRIO, 840 EVO+970 Pro, Dark Power Pro 11 750W, CA-01B-B-SL, Acer Nitro VG270UP
Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей и гости: 15
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения