AMT - Asus MemTweakit Asus MemTweakIt 2.02.44 При настройке памяти в BIOS ставим ОБЯЗАТЕЛЬНО MRC Fast boot=disable (включаем при этом режим тонкой тренировки, если же выставим enable, то включаем режим грубой тренировки). Оптимально при разгоне памяти использовать в биосе множитель памяти 133, а не авто или 100, что даст возможность создать комфортные условия для контроллера памяти в процессоре и снизить напряжения ио и са ! Недаром в Jedec шаг между спидбинами именно 133, а не 100! Для плат с Alder Lake напряжения VDD и VDDQ на память могут отличаться не больше, чем на 300 мВ. Для плат на основе логики z690 и b660: VDD>VDDQ VDDQ>=VDD-300mV(0.3V) Лучше на VDDQ не превышать 1.25V. Вполне возможно 1.30V. MSI дает зазор до 1.40V. Для таймингов должно выполняться требование: _dr=_dd
Разгон памяти у современной DDR4 (16 банков,RRDS=4,FAW=16,BL=8) эффективен только при tRC<=64,если каждый новый блок чтения происходит с разных банков памяти. Для 4-х слотовых плат при разгоне желательно в биосе отключить неиспользуемые слоты. Для максимальной производительности памяти значение tRFC в тактах для 8-Гбитных чипов должно быть кратно 8,а для 16-Гбитных чипов - 16. Если это правило не соблюдать, то будут вставлены лишние такты при каждом цикле обновления памяти. Для желающих максимально снизить tRFC. Делим tRFC на сумму tRCD,tRTP и tRP. Если результат ближе к 4, то снижать tRFC можно по 4 такта. Если результат ближе к 2, то снижать tRFC можно по 2 такта. Это связано с тем, что обновление происходит субмассивами, которые обязательно кратны 2.
Новая информация по tRAS
Чтение с модуля памяти у DDR4 происходит блоками. Минимальный блок сейчас составляет 64 байта, что связано с размером строки кэша у процессора. Этот блок может считываться как с одного банка, так и с разных. tRAS=tRCD+tRTP (при считывании 8 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+4 (при считывании 16 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+8 (считывание 24 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+12 (при считывании 32 байт с одного банка). Самый верный выбор для DDR4! tRAS=tRCD+tRTP+16 (считывание 40 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+20 (считывание 48 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+24 (считывание 56 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+28 (при считывании 64 байт с одного банка) Для DDR4 оптимальным выбором является 4-й или последний вариант. Но если выставить tRAS меньше, то ничего трагичного не произойдет, так как джедек придумала предохранитель (tRTP), поэтому можно не заморачиваться и выставлять минимальный tRAS (=tRCD+tRTP).
Напряжения на процессоре при разгоне памяти
SA- безопасный уровень (по данным MSI) 1.35, растет от частоты памяти и зависит от подключенной периферии к PCIE, чем больше скорость видеокарты и NVME-диска, тем выше нужно напряжение. IO (для Z590 =IO2, а просто IO можно оставлять в авто, для Z690=IVR DDQ)- обычно хорошо работает если на 50 мВ ниже SA, но чем ниже, тем лучше, стараться максимально снижать. Тоже растет с ростом частоты памяти. Для ориентира при настройке всегда рекомендую глянуть, что за напряжения SA и IO выставляет материнка в авто.
Для начала тезисно несколько правил «успешного разгона и установки памяти»:
1. Ни в коем случае не используем XMP профили – этот режим протестирован на совместимость, но не даёт оптимальную производительность. Поскольку заводская настройка не блещет идеальным подбором, можно получить до 20-25% производительности дополнительно, вручную настраивая тайминги и напряжения. Также XMP режим чреват завышениями вольтажа самой память и контроллера памяти\SOC. 2. Правильная установка модулей – А2 (для одного модуля), A2B2 (для двух модулей). 3. Самый лучший разгон по частоте достигается при использовании одного модуля, при наличии двух планок максимальная частота лишь немного хуже. У четырёх – либо хуже (на устаревающем LGA2011-3) либо такой же или лучше (LGA2066), которые могут стабильно работать с 4мя модулями на 4000CL16. 4. Если используется два модуля, то худший модуль (требующий бОльшего напряжения для стабильного разгона) должен стоять ближе к процессору в слоте A2. 5. Перед настройкой частоты и таймингов памяти отключить подсветку модулей памяти - т.к. это даёт лишний нагрев.
УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ГАЙД ПО НАСТРОЙКЕ от Agiliter
Универсальный гайд. 0. Устраните любые потенциальные проблемы с другим железом. Снимите разгон с видеокарты, снизьте частоту цп на 300 с сохранением напряжения. Не забудьте вернуть RTL в авто если сейчас не авто. 1. Крутим очень короткий мемтест, то есть если минуту живёт сразу снижать тайминг дальше. Ищите не стабильность, а явно сбойное значение тайминга, запишите его - пригодится. Гораздо проще найти явно нерабочее значение и от него плясать чем пытаться ловить нестабильность часами. Это также помогает диагностировать сбойные тайминги на ранее "стабильной памяти". Не пытайтесь найти предельные значение сразу. Сначала скрутите до +2 от минимально стабильного. Многие тайминги идут параллельно поэтому бессмысленно пытаться скрутить до упора с первого прохода. CR выставить на 2 если стоит 1. В самом конце можно попробовать скинуть до 1. 3 Ставить только на очень большую частоту или если по другому ну совсем никак.
Начните с RCD, CL. Не обязательно должны быть одинаковыми, обычно CL идёт меньше чем RCD. RAS сразу пробуйте как RCD+CL+4, до этого значения от него существенная разница, дальше меньше. CWL<=CL. Допустимые значения 9,10,11,12,14,16,18,20. RP можете выставить по RCD, если пойдёт меньше - тоже неплохо, не уверен правда насчёт смысла. RTP без формул. Если не идёт вниз можно попробовать поднять чуть чуть RP. В DDR4 явно связан с WR соотношением 2 к 1 (например WR20\RTP10), физически хранится одно значения и в зависимости от операции интерпретируется. Скрутите FAW до 16(так и оставьте если работает). С таким FAW скручивайте RRD(оба, L обычно больше чем S), возможно поедут на 4 оба. Если до 4 не удалось спустить поднимите FAW до уровня RRDL*4 и попробуйте ещё, хотя это скорее всего уже почти предел. Обычно L>=S. L - SG(Same Group). S - DG(Different Group) Напр. RRD_L>=RRD_S. CKE=5 СCDL>=4 RDRD_DD и прочие подобные можно проигнорировать если у вас нет двух планок на один канал (4 планки). DD-Different Dimm. Тоже самое с DR-Different Rank если у вас одноранговая память. RDWR_SG(DG) и подобные сочетания скручивайте до минимальных рабочих, потом накиньте сверху +2. Как уже отметил обычно SG>=DG. WTR не трогайте он сам спустится когда будете скидывать WRRD_SG(DG) и прочие подобные. Если сам меньше не стал тогда руками скидывать. WR снижать через WRPRE если есть. Если нет или не снижает WR, То скрутите его скажем до 12 или +4 от рабочего, потом дожмёте если не лень будет. RFC явных формул нет, крутить после всего списка сверху. Не пытайтесь найти его минимальное значение если не хотите чтобы память начинала сыпать ошибками от любого чиха. найдите пограничное со стабильностью значение и накиньте сверху 20 или сразу 40. Может реагировать на RAS+RP, RRD, FAW, причём в обе стороны (то есть может "сломаться" если задрать названные), а может и не реагировать... REFi больше лучше. Связан с RFC. REFI сколько память "работает" - RFC сколько "отдыхает". Оба тайминга лучше не пытаться найти предельное значение.Заметно реагируют на температуру. Многие тайминги отзываются и на температуру и на напряжение. Поскольку напряжение может как позволить снизить тайминг, так и увеличить температуру, то середину можно искать очень долго, поэтому лучше бы вовремя остановится. Тестируйте тщательно с перезагрузками, сном, холодным стартом. RTL и IOL вам кто-то другой пусть советует как настраивать, от них у меня голова болеть начинает...
tRASmin=tCL+tRCD+2 WTRS/L устанавливаются в биосе через WRRDdg/sg согласно формуле: WRRD_sg=6+CWL+WTR_L WRRD_dg=6+CWL+WTR_S WR - через WRPRE (для матплат ASUS): WRPRE=4+CWL+WR RTP - через RDPRE (для матплат ASUS) RDPRE=RTP
VDDDQ=1.5 V max по Jedec VrefCA=0.6xVDDDQ=0.9 V (max по Jedec), в даташите контроллера интел тоже разрешено максимальное vrefca=0.6xVdddq. То есть при обычной настройке биоса, когда VrefCA=0.5xVDDDQ, VDRAM<=1.8 V, чтобы уложиться в нормы по Jedec. А если при этом в биосе настроить vrefca=0.49xvdddq (разрешено по Jedec), то безопасное Vdram может быть еще выше=1.837 V. Вывод: для контроллера процессора напряжение на память <=1.8 V неопасно
CPU Name: Intel® Core™ i7-7740K CPU @ 4.30GHz Motherboard Model: MSI X299 GAMING PRO CARBON AC (MS-7A95) Total Size: 8192 MB Type: Single Channel (64 bit) DDR4-SDRAM Frequency: 2750 MHz - Ratio 1:31 Timings: 21-31-31-63-2 (tCAS-tRC-tRP-tRAS-tCR) Slot #1 Module: G.Skill 8192 MB (DDR4-2137) - XMP 2.0 - P/N: F4-3200C14-8GVR
[img]Ссылка на скрин[/img] Для сбора статистики по установленным чипам памяти просьба прикладывать скрины программы Taiphoon Burner и указывать напряжения на DIMM, IO и SA![/color]
Below are the typical tRFC in ns for the common ICs: IC tRFC (ns) Hynix 8Gb AFR 260 - 280 Hynix 8Gb CJR 260 - 280 Hynix 8Gb DJR 260 - 280 Micron 8Gb Rev. E 280 - 310 Micron 16Gb Rev. B 290 - 310 Samsung 8Gb B-Die 120 - 180 Samsung 8Gb C-Die 300 - 340
Таблица tRFC от Reous v26
#77
Расшифровка чипов, находящихся в модуле памяти у разных производителей
#77
Ревизии печатных плат. A0,A1 или A2 планки, как узнать
#77 #77 #77 #77
Статистика tRCD планок в зависимости от типов чипов
#77 #77 #77 Чем выше вы в вертикальном столбце, тем удачнее планки. Чем интенсивнее цвет, тем выше статистический процент (данные старые,теперь удачнее чипы выходят) На 1 таблице все,что выше красной линии - суперотборники.
Советы по верной тренировке
1.Поднять напряжения на VCCSA и VCCIO. 2.Включить в биосе Round Trip Latency. 3.Для гигабайтов - memory enchancement=normal.
Руководство по разгону памяти для начинающих блондинок
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 06.06.2007 Откуда: Ниоткуда Фото: 53
ego0550 писал(а):
Долго уже живут при 1.43? Сколько вообще терпят микроны
А фик его знает. У меня с декабря живут на 1.4 - 1.45 В в зависимости от частоты и таймингов. Сотни часов в БФ4 и многие 10-ки часов в ТМ5 - пока признаков деградации не наблюдается. Вентилятор на память где-то 2 месяца назад поставил, скинул таким образом температуру в ТМ5 на 12 °С (внешний датчик).
_________________ 9900KF 5.0GHz/1.30V☻MAXIMUS XI HERO☻32GB DDR4 3700MHz/16-18-18-36 CR1/1.40V☻RTX 3080 Ti AORUS XTREME☻2TB XPG S11 Pro☻Corsair AX860☻LG 32GK850G
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 02.06.2020 Откуда: Минск Фото: 1
Итог двух месяцев работы памяти на 1.37v, когда из коробки 1.35v. Контролёр памяти VCCIO 1.1 и VCCSA 1.05. Одна планка перестала опозноваться. Вот не знаю проблема с материнской платой, моими кривыми руками (статика или достал плату когда плата плохо обесточена была). Но память умирала постепенно. Вначале иногда ошибки сыпала, потом чаще, потом перестала запускаться и 55 код одной планки и красный светодиод ddr.
Купил новую планку, вот думаю если тоже сгорит значит M8H плата виновата. Тогда наверное лучше купить новую
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 20.04.2017 Фото: 0
Konstantin_by писал(а):
Итог двух месяцев работы памяти на 1.37v, когда из коробки 1.35v. Контролёр памяти VCCIO 1.1 и VCCSA 1.05.
на этих напряжениях память может ещё и охлаждать пространство вокруг))) они очень очень очень далеки от критичных и бесконечно далеки от опасных проблема не в напряжениях и не в плате - у 8героя прекрасная обвязка питания
Владельцы z490, у кого какие максимально стабильные результаты на дуалах? Давайте оценим текущее положение плат и биосов. Если есть владельцы асроков, асусов, гигабайта напишите пожалуйста и проверьте едут ли у вас стабильно дуалы на 4500 мгц? На айке вышло только так, ну можно еще 4400 17-18 стабильно с корректным ртл, но как по это мне такое себе. 4400с16 и 4500с17 не получается настроить на бете айки, на юнифи и асе под бета биосом получается 4400 16-17 у ребят настраивать
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 15.10.2019 Откуда: Moscow Фото: 73
pakhtunov писал(а):
после танцев с бубном, я установил, что это вообще не память. я поставил мои старые одноранки отстроенные, все то же самое. фриз и крэш. начинаю грешить на гпу/проц. но проц линкс проходит с разными объемами задач. друг грешит на райзер. я пока хз что с этим делать. система вся на кастоме, ртх2080ти 46гр. максимум. дрова все переставлял, биосы менял....
короче, кому интересно чем все кончилось. в итоге все-таки причиной всех проблем оказалась память. и нестабильность была не в настройке, а в расположении ее в слотах. есть два одинаковых комплекта 2х8. один комплект на микронах едаях, второй комплект на самсунгах бидаях. кривая материнка мси мег асе не приняла эти комплекты в слотах как e-die + b-die + e-die + b-die. когда поменял на e-die + e-die + b-die + b-die, все проблемы ушли.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 05.12.2018 Откуда: Беларусь
pakhtunov писал(а):
e-die + b-die + e-die + b-die
Потому что планки надо ставить от худшей к лучшей в таком порядке: 2-4-1-3 У тебя вышло почти строго наоборот сначала, а сейчас вообще косяково. P.S.: хотя я могу ошибаться, ведь такой порядок был получен на плате с т-топологией.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 06.06.2007 Откуда: Ниоткуда Фото: 53
Кто-нить наконец объяснит мне, почему у меня при FAW 16, 20, 22 и 24 одинаковая производительность в бенчмарке памяти аида, фотоворкс, ЛинХ? Скорость прохождения ТМ5 тоже одинаковая. RRDL/S 6/4 при этом.
_________________ 9900KF 5.0GHz/1.30V☻MAXIMUS XI HERO☻32GB DDR4 3700MHz/16-18-18-36 CR1/1.40V☻RTX 3080 Ti AORUS XTREME☻2TB XPG S11 Pro☻Corsair AX860☻LG 32GK850G
Последний раз редактировалось RustamS 26.07.2020 11:11, всего редактировалось 1 раз.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 20.01.2016 Фото: 2
RustamS, я себе тоже внешний датчик прикупил на M8H, но проблема в том, что охлаждение памяти нужно организовать, из-за глухой передней панели корпуса. Так, примерно после 50 градусов начинаются ошибки сыпаться в TM5 lightanta777, в BF1 вылет игры тоже примерно после достижения этой же температуры. DRAM 1.44v-ниже будут ошибки. SA/IO в биосе 1.2v, по HWinfo 1.240v.
Закончил со своим едаем, выше 4100 в 1т стабильно не едут с этой комбинацией первичек, а повышать первички смысла нет т к максимум на котором стартует 4200 в 2т, манипуляции с ВТТ успеха не принесли, поджал вторички - оставлю так. Может потом скину еще с СА ИО если прокатит.
Crucial AES у тебя? Балистики?
_________________ - MAG x670e Tomohawk Wi-Fi - AMD 7800X3D - 6800XT Red Devil - Deep Cool Assasin III - DDR 5 6000 cl 30 - БП Riotoro Enigma G2 750
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 30.09.2007 Откуда: Tver Фото: 29
Konstantin_by писал(а):
Итог двух месяцев работы памяти на 1.37v, когда из коробки 1.35v. Контролёр памяти VCCIO 1.1 и VCCSA 1.05. Одна планка перестала опозноваться. Вот не знаю проблема с материнской платой, моими кривыми руками (статика или достал плату когда плата плохо обесточена была). Но память умирала постепенно. Вначале иногда ошибки сыпала, потом чаще, потом перестала запускаться и 55 код одной планки и красный светодиод ddr.
Купил новую планку, вот думаю если тоже сгорит значит M8H плата виновата. Тогда наверное лучше купить новую
xyligano писал(а):
проблема не в напряжениях и не в плате - у 8героя прекрасная обвязка питания
может он криво закофемодил?
MexicanHead писал(а):
Так, примерно после 50 градусов начинаются ошибки сыпаться в TM5 lightanta777, в BF1 вылет игры тоже примерно после достижения этой же температуры.
планки на 60 нормально пашут, просто при высоких темпах токи утечки выше - просто накинь до 1.46в и проверяй.
Добавлено спустя 1 минуту 59 секунд:
KEHKE писал(а):
Crucial AES у тебя? Балистики?
ну других едаев, что могут так - я не знаю (были самсы, но там схема таймингов другая и не делают их сейчас), да и в профиле все есть.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 02.06.2020 Откуда: Минск Фото: 1
xyligano писал(а):
на этих напряжениях память может ещё и охлаждать пространство вокруг))) они очень очень очень далеки от критичных и бесконечно далеки от опасных проблема не в напряжениях и не в плате - у 8героя прекрасная обвязка питания
Спасибо, буду знать. То есть от выкручивания таймингов на макс, и работе стабильно при 1.37 ничего гореть, деградировать не должно в теории? На самом деле у меня причин масса. 1) проблема с сокетом от кривых рук первого владельца (пару пинов загнул, пару короче на 20%, загнутые стали на место без проблем) Можно ли визуально по пинам определить на какую логику это влияет? 2) Память стояла в ферме пару лет назад, около 2 месяцев, именно одна планка, не помню какая. 3). Просто бракованный экземпляр попался или механическое повреждение по сей вине, статика и т.д.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 09.11.2019 Откуда: Карелия|СПб
На постоянку решил оставить так: 4100MHz Cores-4100MHz Ring-102.50MHz Bus Speed-3690MHz RAM 13(14)-19-19-36-2T (tXP=4). Voltage - 1.150Vcore, 1.450VDRAM, xVCCIO, xVCCSA. Осталось IO/SA отрегулировать, но думаю 1/1.05 хватит. Третички = 6/4. что странно, как бы не было подвоха и здесь как в DRAM<4133, значит CL=CL+1.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 05.12.2018 Откуда: Беларусь
odvolk10, напомни, какой камень? На тот Прайм 490-П, что я строил, прилетела обнова биоса - теперь память едет 4000 16-21, когда на старом был потолок в 3866 16-20, а 4000 в принципе не стартовала.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 01.02.2010 Фото: 12
RustamS писал(а):
Кто-нить наконец объяснит мне, почему у меня при FAW 16, 20, 22 и 24 одиноковая производительность в бенчмарке памяти аида, фотоворкс, ЛинХ, скорость прохождент ТМ5 тоже одинаковая. RRDL/S 6/4 при этом.
А потому что на самом деле 3*RRD + x, где х >= RRD, зависит как от самой памяти, точнее тока, так и от величины tRC, которая еще и не известна... И делать по 4 раза подряд активацию в разных группах банков (4*RRD_S) это сильно маловероятный сценарий имхо.
Добавлено спустя 3 часа 46 минут 35 секунд: UPD: Осталось протестить LinX в 50 раз 42000 задача и найти минимальные IO/SA (думаю, что в районе 1/1.05).
Intel(R) LINPACK 64-bit data - LinX v0.9.7 for Intel
Current date/time: Sun Jul 26 04:24:21 2020
CPU frequency: 4.098 GHz Number of CPUs: 1 Number of cores: 6 Number of threads: 12
Parameters are set to:
Number of tests: 1
Number of equations to solve (problem size) : 42000 Leading dimension of array : 42008 Number of trials to run : 50 Data alignment value (in Kbytes) : 4 Maximum memory requested that can be used=14115532256, at the size=42000
=================== Timing linear equation system solver ===================
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения