AMT - Asus MemTweakit Asus MemTweakIt 2.02.44 При настройке памяти в BIOS ставим ОБЯЗАТЕЛЬНО MRC Fast boot=disable (включаем при этом режим тонкой тренировки, если же выставим enable, то включаем режим грубой тренировки). Оптимально при разгоне памяти использовать в биосе множитель памяти 133, а не авто или 100, что даст возможность создать комфортные условия для контроллера памяти в процессоре и снизить напряжения ио и са ! Недаром в Jedec шаг между спидбинами именно 133, а не 100! Для плат с Alder Lake напряжения VDD и VDDQ на память могут отличаться не больше, чем на 300 мВ. Для плат на основе логики z690 и b660: VDD>VDDQ VDDQ>=VDD-300mV(0.3V) Лучше на VDDQ не превышать 1.25V. Вполне возможно 1.30V. MSI дает зазор до 1.40V. Для таймингов должно выполняться требование: _dr=_dd
Разгон памяти у современной DDR4 (16 банков,RRDS=4,FAW=16,BL=8) эффективен только при tRC<=64,если каждый новый блок чтения происходит с разных банков памяти. Для 4-х слотовых плат при разгоне желательно в биосе отключить неиспользуемые слоты. Для максимальной производительности памяти значение tRFC в тактах для 8-Гбитных чипов должно быть кратно 8,а для 16-Гбитных чипов - 16. Если это правило не соблюдать, то будут вставлены лишние такты при каждом цикле обновления памяти. Для желающих максимально снизить tRFC. Делим tRFC на сумму tRCD,tRTP и tRP. Если результат ближе к 4, то снижать tRFC можно по 4 такта. Если результат ближе к 2, то снижать tRFC можно по 2 такта. Это связано с тем, что обновление происходит субмассивами, которые обязательно кратны 2.
Новая информация по tRAS
Чтение с модуля памяти у DDR4 происходит блоками. Минимальный блок сейчас составляет 64 байта, что связано с размером строки кэша у процессора. Этот блок может считываться как с одного банка, так и с разных. tRAS=tRCD+tRTP (при считывании 8 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+4 (при считывании 16 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+8 (считывание 24 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+12 (при считывании 32 байт с одного банка). Самый верный выбор для DDR4! tRAS=tRCD+tRTP+16 (считывание 40 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+20 (считывание 48 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+24 (считывание 56 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+28 (при считывании 64 байт с одного банка) Для DDR4 оптимальным выбором является 4-й или последний вариант. Но если выставить tRAS меньше, то ничего трагичного не произойдет, так как джедек придумала предохранитель (tRTP), поэтому можно не заморачиваться и выставлять минимальный tRAS (=tRCD+tRTP).
Напряжения на процессоре при разгоне памяти
SA- безопасный уровень (по данным MSI) 1.35, растет от частоты памяти и зависит от подключенной периферии к PCIE, чем больше скорость видеокарты и NVME-диска, тем выше нужно напряжение. IO (для Z590 =IO2, а просто IO можно оставлять в авто, для Z690=IVR DDQ)- обычно хорошо работает если на 50 мВ ниже SA, но чем ниже, тем лучше, стараться максимально снижать. Тоже растет с ростом частоты памяти. Для ориентира при настройке всегда рекомендую глянуть, что за напряжения SA и IO выставляет материнка в авто.
Для начала тезисно несколько правил «успешного разгона и установки памяти»:
1. Ни в коем случае не используем XMP профили – этот режим протестирован на совместимость, но не даёт оптимальную производительность. Поскольку заводская настройка не блещет идеальным подбором, можно получить до 20-25% производительности дополнительно, вручную настраивая тайминги и напряжения. Также XMP режим чреват завышениями вольтажа самой память и контроллера памяти\SOC. 2. Правильная установка модулей – А2 (для одного модуля), A2B2 (для двух модулей). 3. Самый лучший разгон по частоте достигается при использовании одного модуля, при наличии двух планок максимальная частота лишь немного хуже. У четырёх – либо хуже (на устаревающем LGA2011-3) либо такой же или лучше (LGA2066), которые могут стабильно работать с 4мя модулями на 4000CL16. 4. Если используется два модуля, то худший модуль (требующий бОльшего напряжения для стабильного разгона) должен стоять ближе к процессору в слоте A2. 5. Перед настройкой частоты и таймингов памяти отключить подсветку модулей памяти - т.к. это даёт лишний нагрев.
УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ГАЙД ПО НАСТРОЙКЕ от Agiliter
Универсальный гайд. 0. Устраните любые потенциальные проблемы с другим железом. Снимите разгон с видеокарты, снизьте частоту цп на 300 с сохранением напряжения. Не забудьте вернуть RTL в авто если сейчас не авто. 1. Крутим очень короткий мемтест, то есть если минуту живёт сразу снижать тайминг дальше. Ищите не стабильность, а явно сбойное значение тайминга, запишите его - пригодится. Гораздо проще найти явно нерабочее значение и от него плясать чем пытаться ловить нестабильность часами. Это также помогает диагностировать сбойные тайминги на ранее "стабильной памяти". Не пытайтесь найти предельные значение сразу. Сначала скрутите до +2 от минимально стабильного. Многие тайминги идут параллельно поэтому бессмысленно пытаться скрутить до упора с первого прохода. CR выставить на 2 если стоит 1. В самом конце можно попробовать скинуть до 1. 3 Ставить только на очень большую частоту или если по другому ну совсем никак.
Начните с RCD, CL. Не обязательно должны быть одинаковыми, обычно CL идёт меньше чем RCD. RAS сразу пробуйте как RCD+CL+4, до этого значения от него существенная разница, дальше меньше. CWL<=CL. Допустимые значения 9,10,11,12,14,16,18,20. RP можете выставить по RCD, если пойдёт меньше - тоже неплохо, не уверен правда насчёт смысла. RTP без формул. Если не идёт вниз можно попробовать поднять чуть чуть RP. В DDR4 явно связан с WR соотношением 2 к 1 (например WR20\RTP10), физически хранится одно значения и в зависимости от операции интерпретируется. Скрутите FAW до 16(так и оставьте если работает). С таким FAW скручивайте RRD(оба, L обычно больше чем S), возможно поедут на 4 оба. Если до 4 не удалось спустить поднимите FAW до уровня RRDL*4 и попробуйте ещё, хотя это скорее всего уже почти предел. Обычно L>=S. L - SG(Same Group). S - DG(Different Group) Напр. RRD_L>=RRD_S. CKE=5 СCDL>=4 RDRD_DD и прочие подобные можно проигнорировать если у вас нет двух планок на один канал (4 планки). DD-Different Dimm. Тоже самое с DR-Different Rank если у вас одноранговая память. RDWR_SG(DG) и подобные сочетания скручивайте до минимальных рабочих, потом накиньте сверху +2. Как уже отметил обычно SG>=DG. WTR не трогайте он сам спустится когда будете скидывать WRRD_SG(DG) и прочие подобные. Если сам меньше не стал тогда руками скидывать. WR снижать через WRPRE если есть. Если нет или не снижает WR, То скрутите его скажем до 12 или +4 от рабочего, потом дожмёте если не лень будет. RFC явных формул нет, крутить после всего списка сверху. Не пытайтесь найти его минимальное значение если не хотите чтобы память начинала сыпать ошибками от любого чиха. найдите пограничное со стабильностью значение и накиньте сверху 20 или сразу 40. Может реагировать на RAS+RP, RRD, FAW, причём в обе стороны (то есть может "сломаться" если задрать названные), а может и не реагировать... REFi больше лучше. Связан с RFC. REFI сколько память "работает" - RFC сколько "отдыхает". Оба тайминга лучше не пытаться найти предельное значение.Заметно реагируют на температуру. Многие тайминги отзываются и на температуру и на напряжение. Поскольку напряжение может как позволить снизить тайминг, так и увеличить температуру, то середину можно искать очень долго, поэтому лучше бы вовремя остановится. Тестируйте тщательно с перезагрузками, сном, холодным стартом. RTL и IOL вам кто-то другой пусть советует как настраивать, от них у меня голова болеть начинает...
tRASmin=tCL+tRCD+2 WTRS/L устанавливаются в биосе через WRRDdg/sg согласно формуле: WRRD_sg=6+CWL+WTR_L WRRD_dg=6+CWL+WTR_S WR - через WRPRE (для матплат ASUS): WRPRE=4+CWL+WR RTP - через RDPRE (для матплат ASUS) RDPRE=RTP
VDDDQ=1.5 V max по Jedec VrefCA=0.6xVDDDQ=0.9 V (max по Jedec), в даташите контроллера интел тоже разрешено максимальное vrefca=0.6xVdddq. То есть при обычной настройке биоса, когда VrefCA=0.5xVDDDQ, VDRAM<=1.8 V, чтобы уложиться в нормы по Jedec. А если при этом в биосе настроить vrefca=0.49xvdddq (разрешено по Jedec), то безопасное Vdram может быть еще выше=1.837 V. Вывод: для контроллера процессора напряжение на память <=1.8 V неопасно
CPU Name: Intel® Core™ i7-7740K CPU @ 4.30GHz Motherboard Model: MSI X299 GAMING PRO CARBON AC (MS-7A95) Total Size: 8192 MB Type: Single Channel (64 bit) DDR4-SDRAM Frequency: 2750 MHz - Ratio 1:31 Timings: 21-31-31-63-2 (tCAS-tRC-tRP-tRAS-tCR) Slot #1 Module: G.Skill 8192 MB (DDR4-2137) - XMP 2.0 - P/N: F4-3200C14-8GVR
[img]Ссылка на скрин[/img] Для сбора статистики по установленным чипам памяти просьба прикладывать скрины программы Taiphoon Burner и указывать напряжения на DIMM, IO и SA![/color]
Below are the typical tRFC in ns for the common ICs: IC tRFC (ns) Hynix 8Gb AFR 260 - 280 Hynix 8Gb CJR 260 - 280 Hynix 8Gb DJR 260 - 280 Micron 8Gb Rev. E 280 - 310 Micron 16Gb Rev. B 290 - 310 Samsung 8Gb B-Die 120 - 180 Samsung 8Gb C-Die 300 - 340
Таблица tRFC от Reous v26
#77
Расшифровка чипов, находящихся в модуле памяти у разных производителей
#77
Ревизии печатных плат. A0,A1 или A2 планки, как узнать
#77 #77 #77 #77
Статистика tRCD планок в зависимости от типов чипов
#77 #77 #77 Чем выше вы в вертикальном столбце, тем удачнее планки. Чем интенсивнее цвет, тем выше статистический процент (данные старые,теперь удачнее чипы выходят) На 1 таблице все,что выше красной линии - суперотборники.
Советы по верной тренировке
1.Поднять напряжения на VCCSA и VCCIO. 2.Включить в биосе Round Trip Latency. 3.Для гигабайтов - memory enchancement=normal.
Руководство по разгону памяти для начинающих блондинок
Куратор темы Статус: Не в сети Регистрация: 09.01.2007 Откуда: Москва Фото: 152
Karats писал(а):
А радиаторы вообще скорее вредны чем полезны, это же чисто модинговая штука, она не даёт текстолиту обдуваться и контактирует через толстенные термопрокладки обычно
Кстати вопрос про SoC, в авто мать его ставит 1.1 что на 3200, что на 3400, стоит ли как то корректировать? По калькулятору?
В принципе можно и не корректировать (1.1 хорошее значение, универсальное). SoC главный стартер системы, если он слишком низкий - старта не будет. Если слишком высокий - сначала будет перегрев, затем ошибки в том же мемтесте. Поэтому оптимальное значение где-то у нижней границы находится. Опять же, чем выше частота - тем выше надо поднимать SoC, также и с разгоном процессора. Я к примеру, поэтому отказался от 3600CL14 на 1м поколении Ryzen, на SoC там уже чуть не 1.23 влупить надо, дабы всё проходило без ошибок при разгоне памяти и проца до 4Ггц. Но по факту, это уже перебор.
Добрый день. Имею комплект G.Skill Ripjaws V 16GB DDR4 16GVRB F4-3200C16D-16GVKB - Ryzen 2600x - MSI Tomahawk B450, пытался добиться 3466 с вменяемыми таймингами, не преуспел. Проблема в следующем калькулятор выдает напряжение больше 1.41 после 3333. 3466 вообще уходит в 1.495. Как мне объяснили желательно держаться в рамках 1.40. В данный момент завел 3200 на таких настройках, вроде полет нормальный. Есть ли смысл пытаться дальше?
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 20.06.2017 Откуда: Ковров
а по ошибкам testmem5 можно как нибудь понять в какую сторону копать?в чем проблема и тп?
_________________ i9-9900ks , Frozen Prism 360, ASUS Maximus XI Hero,G.Skill Trident Z RGB F4-3600c17D-32GTZ, GeForce RTX 4080. 1000w dark power pro 11.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 20.06.2009 Откуда: Тюмень Фото: 5
Всем привет, вопрос такой, профильная память и конфиг в целом кто нибудь имел дело с разгоном такой под интел, можете поделиться значениями если есть такие. ХМП профили работают без проблем, но хочется ручных параметров, ибо про ХМП ходят страшные истории про сгоревшие мамки.
_________________ i7-12700kf FURY Beast DDR5 @6400 Mhz Palit Game Rock 3080Ti Fractal Meshify 2 Schiit Bifrost 2+Adam Audio A5X Super Flower 850W Leadex Gold III
здравствуйте. какие тайминги мне нужно править для быстродействия? То есть всё и так летает я бы сказал, винда на ссд, память в разгоне сейчас 3200 cl16 17 17 17 34 Сворачиваю игру (кс го), а когда возобновляются, то нужно подождать секунд 8.Это когда уже игра идёт.Если в главном меню , то быстрее. Или так и должно быть? Просто это же не какой то ведьмак. Разве моих ресурсов мало?
_________________ Gigabyte b560m aorus pro + 10400f + crucial ballistix 3000cl15 red 2x8 (micron e die)
Куратор темы Статус: Не в сети Регистрация: 09.01.2007 Откуда: Москва Фото: 152
SimoraA писал(а):
какие тайминги мне нужно править для быстродействия? То есть всё и так летает я бы сказал, винда на ссд, память в разгоне сейчас 3200 cl16 17 17 17 34
Куда еще быстрее, то: уши от скорости закладывать не будет? КСГО неспешно на любой системе разворачивается, сама игра кривая, отчасти твиками правится (чето там про SmartScreen что ли, немного убыстряет альттаб).
Добрый вечер. В соседней теме форумчанин посоветовал вручную вбить тайминги для памяти из XMP профиля, т.к. при авто настройках материнские платы любят завышать напряжение. (Из-за чего возможно сдох мой предыдущий проц) Собственно, что я сделал: загрузил в биосе профиль для частоты 3600, вручную вбил первичные и вторичные тайминги которые мне предложил биос вместо "авто", остальные не трогал (оставил в "авто"). По поводу напряжений: в XMP профиле стояло (в разделе h/w monitor): dram 1.368, vccio 1.216, vccsa 1.272; вручную изменил на: dram 1,350, vccio 1,110, vccsa 1,140; теперь в аиде отображается: dram 1,368, vccio 1,128, vccsa 1,160. память Kingston DDR4 16Gb (2x8Gb) 3600 MHz pc-28800 HyperX Predator (HX436C17PB3K2/16) (тайфун говорит что samsung b-die)
CPU-Z и тестмем5
#77
аида
#77
Частота выше мне не нужна, если кто-нибудь посоветует как снизить тайминги - буду благодарен. Также память тестировал с CR1t, ошибок также не было. Просьба умным дядькам посмотреть на тайминги/напряжения (особенно напряжения, т.к. io/sa я вбивал наобум) и вынести вердикт по значениям - нужно ли менять что-нибудь
Куратор темы Статус: Не в сети Регистрация: 09.01.2007 Откуда: Москва Фото: 152
Здорово, предки! Как вы там, всё на Самсунг Бидаях сидите? Мы тут в 2к19 на Райзенах уже Hynix CJR осваиваем, на двурангах поголовно на 3400CL14 берём и выше.
Advanced member
Статус: Не в сети Регистрация: 29.03.2017
Тайминги побольше здорово компенсируются увеличивающимся количеством рангов. Воообще чем больше у вас банков памяти суммарно, тем больше будет производительность при прочих равных, тоже самое с рангами и модулями памяти. То есть нет ничего удивительного когда 4x8 двуранга обгонят 2х16 одноранга, несмотря на что последний погнался лучше. У первого будет значительное превосходство по "таймингам" но не в тактках которые отображаются, а в том, что доля параллельных операций к которым приняются низкие задержки значительно больше. Есть конечно "предел" такого увеличения производительности, когда простая память возьмёт частотой, но это далеко не факт. Я пока не видел достаточно объёмного тестирования большого количество модулей с разной организацией памяти, в лучшем случае сравнивают лишь разные ранги наплевав на всё остальное.
Advanced member
Статус: Не в сети Регистрация: 29.03.2017
Ну серверные я точно видел. Да и никто не запрещает такую память делать в принципе, только что-то не спешат делать. Вообще это было исключительно для примера.
Заблокирован Статус: Не в сети Регистрация: 16.08.2018
rocketjump писал(а):
Частота выше мне не нужна, если кто-нибудь посоветует как снизить тайминги - буду благодарен. Также память тестировал с CR1t, ошибок также не было. Просьба умным дядькам посмотреть на тайминги/напряжения (особенно напряжения, т.к. io/sa я вбивал наобум) и вынести вердикт по значениям - нужно ли менять что-нибудь
На умного дядьку не претендую, но подсказать кое-что смогу, т.к. недавно сам поднял пропускную способность чтения/записи на ~5000 MB/s исключительно за счёт вторичных таймингов. Постараюсь сделать скрин. Кстати, и процессор у меня такой же. Даже память почти как у тебя, чуть хуже. Kingston HyperX Predator 3333CL16. Во-первых да, СR1. Он даёт очень сильный буст как и по ПСП так и по задержке. Далее tRFC - ищи значение от 250 до 450 (в зависимости от удачности чипов, советую уменьшать по 20 единиц и тестировать). tREFI - 65535 (максимальное возможное и производительное значение). tWR - влияет на скорость записи, уменьшай по единице и тестируй. tCWL - также. tRTP - тоже уменьшай на единицу, тестируй, у меня работает на 6. tFAW рекомендуют устанавливать примерно по формуле tRRD_Lx4. Первичные tRAS = tCL+tRCD+2. Если кто-что дополнит, буду рад.
Добавлено спустя 5 минут 20 секунд:
fedx писал(а):
Здорово, предки! Как вы там, всё на Самсунг Бидаях сидите? Мы тут в 2к19 на Райзенах уже Hynix CJR осваиваем, на двурангах поголовно на 3400CL14 берём и выше.
Привет, сынок! Да, CL14 при CR1 на 3450MHz это круто конечно, да только при латентности в 72ns толку от этого мало. Это на 95% медленнее чем на Интел)))
Куратор темы Статус: Не в сети Регистрация: 09.01.2007 Откуда: Москва Фото: 152
usr721 писал(а):
Не вижу на скринах и близко настоящий 14, не то что выше
А что на настоящего? Первый тайминг я 14м поставил, у нас таких куча "рекордсменов" с Б-даем, которые якобы 3600CL14 берут (а дальше 16 тайминги) либо на Интелах 4000: первый 16, а дальше в небо улетает
Зяба писал(а):
ну поздравляю, через пол года возможно догоните по производительности 3570К ))
Так уже догнали и перегнали, синие адепты уже с Хасвеллом сравнивают, а кое-где и со Скайлейком... Смотри, призову XRR в тред, мало джипегов тебе не покажется А твой скальпированный топором проц как поживает?
Davos писал(а):
Привет, сынок! Да, CL14 при CR1 на 3450MHz это круто конечно, да только при латентности в 72ns толку от этого мало. Это на 95% медленнее чем на Интел)))
А что делать, и шашечки и ехать - это уже к Зен2. Много кстати, двурангов на Интеле идёт выше 3600? А то в теме по выбору регулярно ребятки проскакивали, выше 3600 толком и не могли взять, 3800 и стенка. В теме, смотрю одни рекорды на синглах
Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей и гости: 13
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения