AMT - Asus MemTweakit Asus MemTweakIt 2.02.44 При настройке памяти в BIOS ставим ОБЯЗАТЕЛЬНО MRC Fast boot=disable (включаем при этом режим тонкой тренировки, если же выставим enable, то включаем режим грубой тренировки). Оптимально при разгоне памяти использовать в биосе множитель памяти 133, а не авто или 100, что даст возможность создать комфортные условия для контроллера памяти в процессоре и снизить напряжения ио и са ! Недаром в Jedec шаг между спидбинами именно 133, а не 100! Для плат с Alder Lake напряжения VDD и VDDQ на память могут отличаться не больше, чем на 300 мВ. Для плат на основе логики z690 и b660: VDD>VDDQ VDDQ>=VDD-300mV(0.3V) Лучше на VDDQ не превышать 1.25V. Вполне возможно 1.30V. MSI дает зазор до 1.40V. Для таймингов должно выполняться требование: _dr=_dd
Разгон памяти у современной DDR4 (16 банков,RRDS=4,FAW=16,BL=8) эффективен только при tRC<=64,если каждый новый блок чтения происходит с разных банков памяти. Для 4-х слотовых плат при разгоне желательно в биосе отключить неиспользуемые слоты. Для максимальной производительности памяти значение tRFC в тактах для 8-Гбитных чипов должно быть кратно 8,а для 16-Гбитных чипов - 16. Если это правило не соблюдать, то будут вставлены лишние такты при каждом цикле обновления памяти. Для желающих максимально снизить tRFC. Делим tRFC на сумму tRCD,tRTP и tRP. Если результат ближе к 4, то снижать tRFC можно по 4 такта. Если результат ближе к 2, то снижать tRFC можно по 2 такта. Это связано с тем, что обновление происходит субмассивами, которые обязательно кратны 2.
Новая информация по tRAS
Чтение с модуля памяти у DDR4 происходит блоками. Минимальный блок сейчас составляет 64 байта, что связано с размером строки кэша у процессора. Этот блок может считываться как с одного банка, так и с разных. tRAS=tRCD+tRTP (при считывании 8 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+4 (при считывании 16 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+8 (считывание 24 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+12 (при считывании 32 байт с одного банка). Самый верный выбор для DDR4! tRAS=tRCD+tRTP+16 (считывание 40 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+20 (считывание 48 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+24 (считывание 56 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+28 (при считывании 64 байт с одного банка) Для DDR4 оптимальным выбором является 4-й или последний вариант. Но если выставить tRAS меньше, то ничего трагичного не произойдет, так как джедек придумала предохранитель (tRTP), поэтому можно не заморачиваться и выставлять минимальный tRAS (=tRCD+tRTP).
Напряжения на процессоре при разгоне памяти
SA- безопасный уровень (по данным MSI) 1.35, растет от частоты памяти и зависит от подключенной периферии к PCIE, чем больше скорость видеокарты и NVME-диска, тем выше нужно напряжение. IO (для Z590 =IO2, а просто IO можно оставлять в авто, для Z690=IVR DDQ)- обычно хорошо работает если на 50 мВ ниже SA, но чем ниже, тем лучше, стараться максимально снижать. Тоже растет с ростом частоты памяти. Для ориентира при настройке всегда рекомендую глянуть, что за напряжения SA и IO выставляет материнка в авто.
Для начала тезисно несколько правил «успешного разгона и установки памяти»:
1. Ни в коем случае не используем XMP профили – этот режим протестирован на совместимость, но не даёт оптимальную производительность. Поскольку заводская настройка не блещет идеальным подбором, можно получить до 20-25% производительности дополнительно, вручную настраивая тайминги и напряжения. Также XMP режим чреват завышениями вольтажа самой память и контроллера памяти\SOC. 2. Правильная установка модулей – А2 (для одного модуля), A2B2 (для двух модулей). 3. Самый лучший разгон по частоте достигается при использовании одного модуля, при наличии двух планок максимальная частота лишь немного хуже. У четырёх – либо хуже (на устаревающем LGA2011-3) либо такой же или лучше (LGA2066), которые могут стабильно работать с 4мя модулями на 4000CL16. 4. Если используется два модуля, то худший модуль (требующий бОльшего напряжения для стабильного разгона) должен стоять ближе к процессору в слоте A2. 5. Перед настройкой частоты и таймингов памяти отключить подсветку модулей памяти - т.к. это даёт лишний нагрев.
УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ГАЙД ПО НАСТРОЙКЕ от Agiliter
Универсальный гайд. 0. Устраните любые потенциальные проблемы с другим железом. Снимите разгон с видеокарты, снизьте частоту цп на 300 с сохранением напряжения. Не забудьте вернуть RTL в авто если сейчас не авто. 1. Крутим очень короткий мемтест, то есть если минуту живёт сразу снижать тайминг дальше. Ищите не стабильность, а явно сбойное значение тайминга, запишите его - пригодится. Гораздо проще найти явно нерабочее значение и от него плясать чем пытаться ловить нестабильность часами. Это также помогает диагностировать сбойные тайминги на ранее "стабильной памяти". Не пытайтесь найти предельные значение сразу. Сначала скрутите до +2 от минимально стабильного. Многие тайминги идут параллельно поэтому бессмысленно пытаться скрутить до упора с первого прохода. CR выставить на 2 если стоит 1. В самом конце можно попробовать скинуть до 1. 3 Ставить только на очень большую частоту или если по другому ну совсем никак.
Начните с RCD, CL. Не обязательно должны быть одинаковыми, обычно CL идёт меньше чем RCD. RAS сразу пробуйте как RCD+CL+4, до этого значения от него существенная разница, дальше меньше. CWL<=CL. Допустимые значения 9,10,11,12,14,16,18,20. RP можете выставить по RCD, если пойдёт меньше - тоже неплохо, не уверен правда насчёт смысла. RTP без формул. Если не идёт вниз можно попробовать поднять чуть чуть RP. В DDR4 явно связан с WR соотношением 2 к 1 (например WR20\RTP10), физически хранится одно значения и в зависимости от операции интерпретируется. Скрутите FAW до 16(так и оставьте если работает). С таким FAW скручивайте RRD(оба, L обычно больше чем S), возможно поедут на 4 оба. Если до 4 не удалось спустить поднимите FAW до уровня RRDL*4 и попробуйте ещё, хотя это скорее всего уже почти предел. Обычно L>=S. L - SG(Same Group). S - DG(Different Group) Напр. RRD_L>=RRD_S. CKE=5 СCDL>=4 RDRD_DD и прочие подобные можно проигнорировать если у вас нет двух планок на один канал (4 планки). DD-Different Dimm. Тоже самое с DR-Different Rank если у вас одноранговая память. RDWR_SG(DG) и подобные сочетания скручивайте до минимальных рабочих, потом накиньте сверху +2. Как уже отметил обычно SG>=DG. WTR не трогайте он сам спустится когда будете скидывать WRRD_SG(DG) и прочие подобные. Если сам меньше не стал тогда руками скидывать. WR снижать через WRPRE если есть. Если нет или не снижает WR, То скрутите его скажем до 12 или +4 от рабочего, потом дожмёте если не лень будет. RFC явных формул нет, крутить после всего списка сверху. Не пытайтесь найти его минимальное значение если не хотите чтобы память начинала сыпать ошибками от любого чиха. найдите пограничное со стабильностью значение и накиньте сверху 20 или сразу 40. Может реагировать на RAS+RP, RRD, FAW, причём в обе стороны (то есть может "сломаться" если задрать названные), а может и не реагировать... REFi больше лучше. Связан с RFC. REFI сколько память "работает" - RFC сколько "отдыхает". Оба тайминга лучше не пытаться найти предельное значение.Заметно реагируют на температуру. Многие тайминги отзываются и на температуру и на напряжение. Поскольку напряжение может как позволить снизить тайминг, так и увеличить температуру, то середину можно искать очень долго, поэтому лучше бы вовремя остановится. Тестируйте тщательно с перезагрузками, сном, холодным стартом. RTL и IOL вам кто-то другой пусть советует как настраивать, от них у меня голова болеть начинает...
tRASmin=tCL+tRCD+2 WTRS/L устанавливаются в биосе через WRRDdg/sg согласно формуле: WRRD_sg=6+CWL+WTR_L WRRD_dg=6+CWL+WTR_S WR - через WRPRE (для матплат ASUS): WRPRE=4+CWL+WR RTP - через RDPRE (для матплат ASUS) RDPRE=RTP
VDDDQ=1.5 V max по Jedec VrefCA=0.6xVDDDQ=0.9 V (max по Jedec), в даташите контроллера интел тоже разрешено максимальное vrefca=0.6xVdddq. То есть при обычной настройке биоса, когда VrefCA=0.5xVDDDQ, VDRAM<=1.8 V, чтобы уложиться в нормы по Jedec. А если при этом в биосе настроить vrefca=0.49xvdddq (разрешено по Jedec), то безопасное Vdram может быть еще выше=1.837 V. Вывод: для контроллера процессора напряжение на память <=1.8 V неопасно
CPU Name: Intel® Core™ i7-7740K CPU @ 4.30GHz Motherboard Model: MSI X299 GAMING PRO CARBON AC (MS-7A95) Total Size: 8192 MB Type: Single Channel (64 bit) DDR4-SDRAM Frequency: 2750 MHz - Ratio 1:31 Timings: 21-31-31-63-2 (tCAS-tRC-tRP-tRAS-tCR) Slot #1 Module: G.Skill 8192 MB (DDR4-2137) - XMP 2.0 - P/N: F4-3200C14-8GVR
[img]Ссылка на скрин[/img] Для сбора статистики по установленным чипам памяти просьба прикладывать скрины программы Taiphoon Burner и указывать напряжения на DIMM, IO и SA![/color]
Below are the typical tRFC in ns for the common ICs: IC tRFC (ns) Hynix 8Gb AFR 260 - 280 Hynix 8Gb CJR 260 - 280 Hynix 8Gb DJR 260 - 280 Micron 8Gb Rev. E 280 - 310 Micron 16Gb Rev. B 290 - 310 Samsung 8Gb B-Die 120 - 180 Samsung 8Gb C-Die 300 - 340
Таблица tRFC от Reous v26
#77
Расшифровка чипов, находящихся в модуле памяти у разных производителей
#77
Ревизии печатных плат. A0,A1 или A2 планки, как узнать
#77 #77 #77 #77
Статистика tRCD планок в зависимости от типов чипов
#77 #77 #77 Чем выше вы в вертикальном столбце, тем удачнее планки. Чем интенсивнее цвет, тем выше статистический процент (данные старые,теперь удачнее чипы выходят) На 1 таблице все,что выше красной линии - суперотборники.
Советы по верной тренировке
1.Поднять напряжения на VCCSA и VCCIO. 2.Включить в биосе Round Trip Latency. 3.Для гигабайтов - memory enchancement=normal.
Руководство по разгону памяти для начинающих блондинок
artemuss1990 у меня была такая фигня. Сначала разогнал прц. Потом скинул в лефолт и разогнал память. Потом к разогнаной памяти Полкинул настройки разогнаного проца. Оказалось что разогнаному процу(с памятью в дефолте) стало потом нехватать напруги с разогнаной памятью. Накинул 0.01 мв. И стало норм. Но до этого сломал голову все по новой перетестил,перепроверил. Кароч пару дней искал.
Junior
Статус: Не в сети Регистрация: 19.07.2016 Откуда: Moscow
Всем привет, погнал свою озу на очень низких напряжения и получил 4000 19-19 1.2в и 4500 19-19 1.344в. Что об этом думаете? Также если кому интересно, челендж вам, попробуйте у себя прогнать на таких напряжениях. P.S. на скриншотах винды все напряжения и название ОЗУ.
Скриншоты
#77#77
_________________ I9-14900KF 57/46/50 1.21v SP102 2x16Gb Royal Neo 6000c26 @8400C36-47 1.4V ASUS Z790 APEX 9905 HWBOT Dim0n527
Последний раз редактировалось Dimon527 30.07.2020 22:26, всего редактировалось 1 раз.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 26.05.2013 Откуда: ЗаМКАДыш
Я правильно понимаю, что VCCIO=1,328 это перебор для 3600 МГц? Выставил только первичные тайминги по XMP (16-18-36) и 1.35 по питанию. Все остальное в АВТО (ASUS PRIME Z490-A, 10600K, Ballistix U4 - 3200). При этом сильно смущает что больше 1.24 в красноте, а на 3200 автоматом выставляет 1.168.
Junior
Статус: Не в сети Регистрация: 19.07.2016 Откуда: Moscow
kkkshu писал(а):
Я правильно понимаю, что VCCIO=1,328 это перебор для 3600 МГц? Выставил только первичные тайминги по XMP (16-18-36) и 1.35 по питанию. Все остальное в АВТО (ASUS PRIME Z490-A, 10600K, Ballistix U4 - 3200). При этом сильно смущает что больше 1.24 в красноте, а на 3200 автоматом выставляет 1.168.
Да много будет. Для 3600 должно спокойно хватать в районе 1.05-1.16в на ио. Агент 1.1-1.25в. Выше точно не нужно. Высокие ио также могут жрать ошибки в коротких мемтестах.
_________________ I9-14900KF 57/46/50 1.21v SP102 2x16Gb Royal Neo 6000c26 @8400C36-47 1.4V ASUS Z790 APEX 9905 HWBOT Dim0n527
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 26.08.2012 Откуда: Мурманск Фото: 619
St@s1987 у меня RPRE = 1, т.к. RDRD_dr ходит и на "5", тут забыл снизить и уже оттренировал, после подправлю... WPRE = 2, но WRWR_dr не идет как "6", хотя был случай на 4000MHz, что прокатило... Anta777 говорил про еще одну переменную, которая тут участвует, какая - не помню. PS: запамятовал про них :)
_________________ ★ CPU ☆ Intel 10900KF ★ GPU ☆ ASUS 3080 Strix OC ★ DDR4 ☆ G.Skill Trident Z 3200C14 ★
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 30.09.2007 Откуда: Tver Фото: 29
pakhtunov писал(а):
16-20-16? это как?? не первый раз уже вижу. Прикол разгона на ХОЧУ В БАН?
естественно, там можно два тайминга регулировать, а на интеле 2й=3му, поэтому на амд едай еще ближе к бидаю.
Добавлено спустя 4 минуты 54 секунды: aggression ты специально NOMы разные выставил для разных плашек? мол сопротивление больше на одной, а на второй меньше? типа если планка хуже - ей меньше сопротивления? или наоборот? большее значение - большее сопротивление или наоборот?
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 26.08.2012 Откуда: Мурманск Фото: 619
garison87 наверное ты про ODT PARK?.. не специально, на таких значения идет запуск (для данной частоты с такими таймингами при таком напряжении), если поочередной снижать до минимума, вместо "авто".
_________________ ★ CPU ☆ Intel 10900KF ★ GPU ☆ ASUS 3080 Strix OC ★ DDR4 ☆ G.Skill Trident Z 3200C14 ★
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 17.10.2012 Откуда: Минск/Беларусь
aggression писал(а):
не специально, на таких значения идет запуск (для данной частоты с такими таймингами при таком напряжении), если поочередной снижать до минимума, вместо "авто".
аналогично, только именно NOM я оставил в авто, а WR по 80, а Park 48/60
_________________ Помощь в скальпировании процессоров (Минск). http://forums.overclockers.ru/viewtopic.php?p=1636558#p1636558 WoT: IRSS_BY_Pashka
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 10.11.2009 Откуда: Харьков, UA
Rudolf Witzig писал(а):
Всем привет! Имеется 2x8GB PATRIOT 4000 MHz Viper Steel (PVS416G400C9K) CL19-19-19-39 при 1,35V На samsung b-die, не попавших в отборные модули и с отваливающимися радиаторами, зато хоть PCB А2 Учитывая плохие радиаторы, хотелось бы обойтись без поднятия напряжения памяти или с минимальным поднятием.
В общем, предварительные тесты позволили запустить на MSI MPG Z490 GAMING PLUS + 10400F таким образом: 1,38 В (из-за отпадающих радиаторов решил ограничиться невысоким напряжением) 4000 МГц 17-18-18-36 CR2 (на 16-18-18-36 тест запускается, но сыпет ошибки, думаю не хватает напряжения) IO и SA = 1,22 В (из-за нехватки времени не стал подбирать минимум)
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 21.07.2012 Откуда: г. Тула Фото: 12
Кстати, может формулу из шапки - tRASmin=tCL+tRCD+2 переписать, не? Оно минимальное tRASmin=tCL+tRCD, и не у меня одного, тут у кого то подглядел и попробовал, всё нормально работает.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 13.05.2006 Откуда: Москва Фото: 11
aggression писал(а):
aggression
поковырял-этот блок-хз толку 0 по моему или я что то делаю не так оперативка берет частоту 4133-но сыпет ошибками уже на 3 минуте. п.с: по скринам вижу у тя тренировка включена--почему?
_________________ Слава Роботам! Убить всех человеков!
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 30.09.2007 Откуда: Tver Фото: 29
BY_Pashka писал(а):
а Park 48/60
второй модуль у тебя хуже? на него сопротивление больше? я думал на худший нужно меньше сопротивление
Добавлено спустя 3 часа 39 секунд: Давайте уже коллективно решим вопрос с блоком ODT есть 3 параметра WR NOM PARK это вроде как сопротивления, только чему они сопротивляются? вольтажу памяти или чему? Смотрел ролик, где говорилось, что для одноранга можно спокойно в авто оставлять все кроме NOM его мол подбирать, подбирал но старта на частоте выше той, что в авто работает не было ни на бидаях ни на едаях. Но вот прикол в том, что я для обоих каналов выставлял одинаковые значения, видимо нужно разные от удачности модулей? чем выше значение - тем больше сопротивление? у амд там вообще вместо цифр какие -то названия буквами
Сейчас этот форум просматривают: vladgerlav и гости: 15
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения