AMT - Asus MemTweakit Asus MemTweakIt 2.02.44 При настройке памяти в BIOS ставим ОБЯЗАТЕЛЬНО MRC Fast boot=disable (включаем при этом режим тонкой тренировки, если же выставим enable, то включаем режим грубой тренировки). Оптимально при разгоне памяти использовать в биосе множитель памяти 133, а не авто или 100, что даст возможность создать комфортные условия для контроллера памяти в процессоре и снизить напряжения ио и са ! Недаром в Jedec шаг между спидбинами именно 133, а не 100! Для плат с Alder Lake напряжения VDD и VDDQ на память могут отличаться не больше, чем на 300 мВ. Для плат на основе логики z690 и b660: VDD>VDDQ VDDQ>=VDD-300mV(0.3V) Лучше на VDDQ не превышать 1.25V. Вполне возможно 1.30V. MSI дает зазор до 1.40V. Для таймингов должно выполняться требование: _dr=_dd
Разгон памяти у современной DDR4 (16 банков,RRDS=4,FAW=16,BL=8) эффективен только при tRC<=64,если каждый новый блок чтения происходит с разных банков памяти. Для 4-х слотовых плат при разгоне желательно в биосе отключить неиспользуемые слоты. Для максимальной производительности памяти значение tRFC в тактах для 8-Гбитных чипов должно быть кратно 8,а для 16-Гбитных чипов - 16. Если это правило не соблюдать, то будут вставлены лишние такты при каждом цикле обновления памяти. Для желающих максимально снизить tRFC. Делим tRFC на сумму tRCD,tRTP и tRP. Если результат ближе к 4, то снижать tRFC можно по 4 такта. Если результат ближе к 2, то снижать tRFC можно по 2 такта. Это связано с тем, что обновление происходит субмассивами, которые обязательно кратны 2.
Новая информация по tRAS
Чтение с модуля памяти у DDR4 происходит блоками. Минимальный блок сейчас составляет 64 байта, что связано с размером строки кэша у процессора. Этот блок может считываться как с одного банка, так и с разных. tRAS=tRCD+tRTP (при считывании 8 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+4 (при считывании 16 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+8 (считывание 24 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+12 (при считывании 32 байт с одного банка). Самый верный выбор для DDR4! tRAS=tRCD+tRTP+16 (считывание 40 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+20 (считывание 48 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+24 (считывание 56 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+28 (при считывании 64 байт с одного банка) Для DDR4 оптимальным выбором является 4-й или последний вариант. Но если выставить tRAS меньше, то ничего трагичного не произойдет, так как джедек придумала предохранитель (tRTP), поэтому можно не заморачиваться и выставлять минимальный tRAS (=tRCD+tRTP).
Напряжения на процессоре при разгоне памяти
SA- безопасный уровень (по данным MSI) 1.35, растет от частоты памяти и зависит от подключенной периферии к PCIE, чем больше скорость видеокарты и NVME-диска, тем выше нужно напряжение. IO (для Z590 =IO2, а просто IO можно оставлять в авто, для Z690=IVR DDQ)- обычно хорошо работает если на 50 мВ ниже SA, но чем ниже, тем лучше, стараться максимально снижать. Тоже растет с ростом частоты памяти. Для ориентира при настройке всегда рекомендую глянуть, что за напряжения SA и IO выставляет материнка в авто.
Для начала тезисно несколько правил «успешного разгона и установки памяти»:
1. Ни в коем случае не используем XMP профили – этот режим протестирован на совместимость, но не даёт оптимальную производительность. Поскольку заводская настройка не блещет идеальным подбором, можно получить до 20-25% производительности дополнительно, вручную настраивая тайминги и напряжения. Также XMP режим чреват завышениями вольтажа самой память и контроллера памяти\SOC. 2. Правильная установка модулей – А2 (для одного модуля), A2B2 (для двух модулей). 3. Самый лучший разгон по частоте достигается при использовании одного модуля, при наличии двух планок максимальная частота лишь немного хуже. У четырёх – либо хуже (на устаревающем LGA2011-3) либо такой же или лучше (LGA2066), которые могут стабильно работать с 4мя модулями на 4000CL16. 4. Если используется два модуля, то худший модуль (требующий бОльшего напряжения для стабильного разгона) должен стоять ближе к процессору в слоте A2. 5. Перед настройкой частоты и таймингов памяти отключить подсветку модулей памяти - т.к. это даёт лишний нагрев.
УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ГАЙД ПО НАСТРОЙКЕ от Agiliter
Универсальный гайд. 0. Устраните любые потенциальные проблемы с другим железом. Снимите разгон с видеокарты, снизьте частоту цп на 300 с сохранением напряжения. Не забудьте вернуть RTL в авто если сейчас не авто. 1. Крутим очень короткий мемтест, то есть если минуту живёт сразу снижать тайминг дальше. Ищите не стабильность, а явно сбойное значение тайминга, запишите его - пригодится. Гораздо проще найти явно нерабочее значение и от него плясать чем пытаться ловить нестабильность часами. Это также помогает диагностировать сбойные тайминги на ранее "стабильной памяти". Не пытайтесь найти предельные значение сразу. Сначала скрутите до +2 от минимально стабильного. Многие тайминги идут параллельно поэтому бессмысленно пытаться скрутить до упора с первого прохода. CR выставить на 2 если стоит 1. В самом конце можно попробовать скинуть до 1. 3 Ставить только на очень большую частоту или если по другому ну совсем никак.
Начните с RCD, CL. Не обязательно должны быть одинаковыми, обычно CL идёт меньше чем RCD. RAS сразу пробуйте как RCD+CL+4, до этого значения от него существенная разница, дальше меньше. CWL<=CL. Допустимые значения 9,10,11,12,14,16,18,20. RP можете выставить по RCD, если пойдёт меньше - тоже неплохо, не уверен правда насчёт смысла. RTP без формул. Если не идёт вниз можно попробовать поднять чуть чуть RP. В DDR4 явно связан с WR соотношением 2 к 1 (например WR20\RTP10), физически хранится одно значения и в зависимости от операции интерпретируется. Скрутите FAW до 16(так и оставьте если работает). С таким FAW скручивайте RRD(оба, L обычно больше чем S), возможно поедут на 4 оба. Если до 4 не удалось спустить поднимите FAW до уровня RRDL*4 и попробуйте ещё, хотя это скорее всего уже почти предел. Обычно L>=S. L - SG(Same Group). S - DG(Different Group) Напр. RRD_L>=RRD_S. CKE=5 СCDL>=4 RDRD_DD и прочие подобные можно проигнорировать если у вас нет двух планок на один канал (4 планки). DD-Different Dimm. Тоже самое с DR-Different Rank если у вас одноранговая память. RDWR_SG(DG) и подобные сочетания скручивайте до минимальных рабочих, потом накиньте сверху +2. Как уже отметил обычно SG>=DG. WTR не трогайте он сам спустится когда будете скидывать WRRD_SG(DG) и прочие подобные. Если сам меньше не стал тогда руками скидывать. WR снижать через WRPRE если есть. Если нет или не снижает WR, То скрутите его скажем до 12 или +4 от рабочего, потом дожмёте если не лень будет. RFC явных формул нет, крутить после всего списка сверху. Не пытайтесь найти его минимальное значение если не хотите чтобы память начинала сыпать ошибками от любого чиха. найдите пограничное со стабильностью значение и накиньте сверху 20 или сразу 40. Может реагировать на RAS+RP, RRD, FAW, причём в обе стороны (то есть может "сломаться" если задрать названные), а может и не реагировать... REFi больше лучше. Связан с RFC. REFI сколько память "работает" - RFC сколько "отдыхает". Оба тайминга лучше не пытаться найти предельное значение.Заметно реагируют на температуру. Многие тайминги отзываются и на температуру и на напряжение. Поскольку напряжение может как позволить снизить тайминг, так и увеличить температуру, то середину можно искать очень долго, поэтому лучше бы вовремя остановится. Тестируйте тщательно с перезагрузками, сном, холодным стартом. RTL и IOL вам кто-то другой пусть советует как настраивать, от них у меня голова болеть начинает...
tRASmin=tCL+tRCD+2 WTRS/L устанавливаются в биосе через WRRDdg/sg согласно формуле: WRRD_sg=6+CWL+WTR_L WRRD_dg=6+CWL+WTR_S WR - через WRPRE (для матплат ASUS): WRPRE=4+CWL+WR RTP - через RDPRE (для матплат ASUS) RDPRE=RTP
VDDDQ=1.5 V max по Jedec VrefCA=0.6xVDDDQ=0.9 V (max по Jedec), в даташите контроллера интел тоже разрешено максимальное vrefca=0.6xVdddq. То есть при обычной настройке биоса, когда VrefCA=0.5xVDDDQ, VDRAM<=1.8 V, чтобы уложиться в нормы по Jedec. А если при этом в биосе настроить vrefca=0.49xvdddq (разрешено по Jedec), то безопасное Vdram может быть еще выше=1.837 V. Вывод: для контроллера процессора напряжение на память <=1.8 V неопасно
CPU Name: Intel® Core™ i7-7740K CPU @ 4.30GHz Motherboard Model: MSI X299 GAMING PRO CARBON AC (MS-7A95) Total Size: 8192 MB Type: Single Channel (64 bit) DDR4-SDRAM Frequency: 2750 MHz - Ratio 1:31 Timings: 21-31-31-63-2 (tCAS-tRC-tRP-tRAS-tCR) Slot #1 Module: G.Skill 8192 MB (DDR4-2137) - XMP 2.0 - P/N: F4-3200C14-8GVR
[img]Ссылка на скрин[/img] Для сбора статистики по установленным чипам памяти просьба прикладывать скрины программы Taiphoon Burner и указывать напряжения на DIMM, IO и SA![/color]
Below are the typical tRFC in ns for the common ICs: IC tRFC (ns) Hynix 8Gb AFR 260 - 280 Hynix 8Gb CJR 260 - 280 Hynix 8Gb DJR 260 - 280 Micron 8Gb Rev. E 280 - 310 Micron 16Gb Rev. B 290 - 310 Samsung 8Gb B-Die 120 - 180 Samsung 8Gb C-Die 300 - 340
Таблица tRFC от Reous v26
#77
Расшифровка чипов, находящихся в модуле памяти у разных производителей
#77
Ревизии печатных плат. A0,A1 или A2 планки, как узнать
#77 #77 #77 #77
Статистика tRCD планок в зависимости от типов чипов
#77 #77 #77 Чем выше вы в вертикальном столбце, тем удачнее планки. Чем интенсивнее цвет, тем выше статистический процент (данные старые,теперь удачнее чипы выходят) На 1 таблице все,что выше красной линии - суперотборники.
Советы по верной тренировке
1.Поднять напряжения на VCCSA и VCCIO. 2.Включить в биосе Round Trip Latency. 3.Для гигабайтов - memory enchancement=normal.
Руководство по разгону памяти для начинающих блондинок
Куратор темы Статус: Не в сети Регистрация: 09.01.2007 Откуда: Москва Фото: 152
Оказалось MemTweak старый тупо вис и всё, накатил из шапки темы - всё заработало. tXP и PPD даёт менять на GENE XI (выставил PPD=0). Зажал дуалы насколько смог, если есть мысли какие-то по поводу "что еще покрутить" - буду признателен. C HT в Фотоворкс результат на скрине, без HT 39500.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 30.09.2007 Откуда: Tver Фото: 29
OlIGaTR писал(а):
CL быть равным 15 на этом вольтаже,только 1.490(на 1.470-1.480 тоже фурычит ,но при заходе в винду синий экран),но при этом trcp и trp спокойно едут на 14 В первый раз такое вижу.
у меня на GSkill 3600c17 была подобная тема, ехали 4200 17-16-16-36 ) а с CL16 могли только на 3900 частоте, даже на 1.5в на 4000с16 не работали.
Добавлено спустя 3 минуты 4 секунды:
Negroni писал(а):
Подскажите пожалуйста, какую версию Asus TurboV core используете?
у меня 1.0.4.0 до этого стояло какое то старье и работало, так что пофиг)
Добавлено спустя 29 минут 10 секунд:
Olegdjus писал(а):
думаю, что скоро сделаю сравнение на форуме по 2х8, 4х8 и 2х16 ГБ
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 26.08.2012 Откуда: Мурманск Фото: 619
E1nher1 WR=16, WTRL=8, WTRS=4, CWL=16, RDRDdr=6, WRWRdr=7, RDWRall=12. RTL-блок под тренировку, должно быть примерно 59-61-6-6 или 60-62-7-7 или около того.
_________________ ★ CPU ☆ Intel 10900KF ★ GPU ☆ ASUS 3080 Strix OC ★ DDR4 ☆ G.Skill Trident Z 3200C14 ★
Продавец
Статус: Не в сети Регистрация: 26.10.2019
aggression tWR отображается в биосе на 16, все остальное исправил. И возникает вопрос: проблема сырых биосов или утилиты? Третичные тайминги вообще на авто выставил, возиться с ними не хочу.
Мать странно себя ведет: иногда проходит писк, как будто память посты не прошла, но при этом система загружается.
Сейчас ошибки в тестах 0 и 4. 6 ошибок высыпало. Может вольтаж поднять? LLC я не выставлял.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 30.09.2007 Откуда: Tver Фото: 29
Я тут приболел и чет дернуло меня на фоне крутых результатов камрадов - заняться едаями плотнее. Вторички еще не ужимал, может и RDWRы на 10 поедут. Пока так прикидки. Что самое интересное - раньше на 4200 в 1т не было старта вообще, на 4266 и выше пока не едет даже с CL17/18. Завтра еще займусь, пойду андромеду наконец допройду
Добавлено спустя 2 минуты 57 секунд:
E1nher1 писал(а):
tWR отображается в биосе на 16, все остальное исправил.
Ты из тех, кто шапку не читает?
WR - через WRPRE (для матплат ASUS): WRPRE=4+CWL+WR
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 30.09.2007 Откуда: Tver Фото: 29
E1nher1 писал(а):
SA и IO по 1.2 , не хочу большие вольтажи выставлять
Ты не хочешь, а Z490 сам может по 1.5-1.6 выставить
E1nher1 писал(а):
от разгона памяти особо ничего не меняется
у домохозяек ничего не меняется - ролики про уборку и готовку на ютьюбе как не тормозили - так и не тормозят. если играть на пк - то прирост есть везде, особенно по минимальному фпс. Это ты в блогах про расположение вентиляторов в корпусе писал статью, где чисто теория?
E1nher1 писал(а):
Без вторичек с ходу и до 4000 разогнал Cl18
вот проверь показатели в играх между настроенными 3600 и этим разгоном.
Добавлено спустя 5 минут 4 секунды:
E1nher1 писал(а):
garison87 много вольтажа для E-die, я выше 1.45 не ставлю, и то снижаю. 1.43 4000Cl18.
Почему много? Статистика смертей есть? В даташитах есть информация что 1.48 много? Или это опять теоретика как в статье?) Тогда нужно это производителям памяти отправить, а то они глупые дают в XMP 1.5v и гарантию пожизненную... 4000с18 - куда мне до такого разгона. Хочешь 1.45:
Продавец
Статус: Не в сети Регистрация: 26.10.2019
garison87
Ну вот тебе замеры в радуге, бенчмарк. Конечно, карта 1060, но это минималки, минимальное разрешение и 1/4 рендера. На более высоких настройках тестить нет смысла - упор в карту.
Разницы вообще никакой нет практически. На AMD разница была даже между 3333CL14 и 3000XMP, причем явная.
Других игр у меня нет из новых. Единственное, что установлено, могу протестировать в Чистом небе. Латентность 50. Всегда. На XMP 55. Растут лишь чтение/запись.
По поводу температур - я мерил пирометром модули, еще давно в какой-то статье. На них было около 50 градусов в закрытом корпусе. И это при 1.45 3400Cl14, еще на ризене разгонял.
Вложение:
Сохраненное изображение 2020-8-17_17-1-25.733.jpg [ 181.34 КБ | Просмотров: 618 ]
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 30.09.2007 Откуда: Tver Фото: 29
E1nher1 писал(а):
Ну вот тебе замеры в радуге, бенчмарк. Конечно, карта 1060, но это минималки, минимальное разрешение и 1/4 рендера
1) по одной игре вывод делать нельзя - в танках например на память положить, в ведьмаке и ларке - видна большая разница по минималкам, а в одиссее дропы исключить можно только настройкой памяти.
E1nher1 писал(а):
Латентность 50. Всегда. На XMP 55. Растут лишь чтение/запись
потому что не настраиваешь модули.
E1nher1 писал(а):
По поводу температур - я мерил пирометром модули, еще давно в какой-то статье. На них было около 50 градусов в закрытом корпусе. И это при 1.45 3400Cl14, еще на ризене разгонял.
у меня 60+ было и что? на 3950 у другана вообще мои модули до 67 кочегарятся т к корпус дно со стеклами и ргб, а ему нравится. в даташитах рабочая температура памяти выше 80 точно. да и вольтаж не дает такой нагрев, как врм карты под памятью- дело не в вольтаже.
Добавлено спустя 2 минуты 56 секунд: Мой комплект TridentZ 3600c17 год отработал на 1.46в с температурами 53-63 и спокойно продолжил работать в другом компе. Если не поменяю память - попробую год на e-die поработать с 1.45-1.48в, чтобы не быть теоретиком.
Продавец
Статус: Не в сети Регистрация: 26.10.2019
garison87 Не, я не спорю и не пытаюсь никого убедить как-то по-другому гнать. Я просто для себя решил, что даже 1.45 - это много. Мне даже 3600 CL16 достаточно, я не особо в игры играю, тем более в новинки, а 50 латентность по сравнению с 65 на моем райзене - это вообще подарок.
Добавлено спустя 3 минуты 12 секунд: garison87 Ну, у вас TridentZ - это B-die, эта память стоит на 50% больше, чем мои 32 гига балистиксов. Самсунги можно и на 1.5 держать, а вот микроны выше 1.45 ставить - чисто ради экспериментов. Зачем покупать бюджетную память, чтобы ее спалить?
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения