AMT - Asus MemTweakit Asus MemTweakIt 2.02.44 При настройке памяти в BIOS ставим ОБЯЗАТЕЛЬНО MRC Fast boot=disable (включаем при этом режим тонкой тренировки, если же выставим enable, то включаем режим грубой тренировки). Оптимально при разгоне памяти использовать в биосе множитель памяти 133, а не авто или 100, что даст возможность создать комфортные условия для контроллера памяти в процессоре и снизить напряжения ио и са ! Недаром в Jedec шаг между спидбинами именно 133, а не 100! Для плат с Alder Lake напряжения VDD и VDDQ на память могут отличаться не больше, чем на 300 мВ. Для плат на основе логики z690 и b660: VDD>VDDQ VDDQ>=VDD-300mV(0.3V) Лучше на VDDQ не превышать 1.25V. Вполне возможно 1.30V. MSI дает зазор до 1.40V. Для таймингов должно выполняться требование: _dr=_dd
Разгон памяти у современной DDR4 (16 банков,RRDS=4,FAW=16,BL=8) эффективен только при tRC<=64,если каждый новый блок чтения происходит с разных банков памяти. Для 4-х слотовых плат при разгоне желательно в биосе отключить неиспользуемые слоты. Для максимальной производительности памяти значение tRFC в тактах для 8-Гбитных чипов должно быть кратно 8,а для 16-Гбитных чипов - 16. Если это правило не соблюдать, то будут вставлены лишние такты при каждом цикле обновления памяти. Для желающих максимально снизить tRFC. Делим tRFC на сумму tRCD,tRTP и tRP. Если результат ближе к 4, то снижать tRFC можно по 4 такта. Если результат ближе к 2, то снижать tRFC можно по 2 такта. Это связано с тем, что обновление происходит субмассивами, которые обязательно кратны 2.
Новая информация по tRAS
Чтение с модуля памяти у DDR4 происходит блоками. Минимальный блок сейчас составляет 64 байта, что связано с размером строки кэша у процессора. Этот блок может считываться как с одного банка, так и с разных. tRAS=tRCD+tRTP (при считывании 8 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+4 (при считывании 16 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+8 (считывание 24 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+12 (при считывании 32 байт с одного банка). Самый верный выбор для DDR4! tRAS=tRCD+tRTP+16 (считывание 40 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+20 (считывание 48 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+24 (считывание 56 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+28 (при считывании 64 байт с одного банка) Для DDR4 оптимальным выбором является 4-й или последний вариант. Но если выставить tRAS меньше, то ничего трагичного не произойдет, так как джедек придумала предохранитель (tRTP), поэтому можно не заморачиваться и выставлять минимальный tRAS (=tRCD+tRTP).
Напряжения на процессоре при разгоне памяти
SA- безопасный уровень (по данным MSI) 1.35, растет от частоты памяти и зависит от подключенной периферии к PCIE, чем больше скорость видеокарты и NVME-диска, тем выше нужно напряжение. IO (для Z590 =IO2, а просто IO можно оставлять в авто, для Z690=IVR DDQ)- обычно хорошо работает если на 50 мВ ниже SA, но чем ниже, тем лучше, стараться максимально снижать. Тоже растет с ростом частоты памяти. Для ориентира при настройке всегда рекомендую глянуть, что за напряжения SA и IO выставляет материнка в авто.
Для начала тезисно несколько правил «успешного разгона и установки памяти»:
1. Ни в коем случае не используем XMP профили – этот режим протестирован на совместимость, но не даёт оптимальную производительность. Поскольку заводская настройка не блещет идеальным подбором, можно получить до 20-25% производительности дополнительно, вручную настраивая тайминги и напряжения. Также XMP режим чреват завышениями вольтажа самой память и контроллера памяти\SOC. 2. Правильная установка модулей – А2 (для одного модуля), A2B2 (для двух модулей). 3. Самый лучший разгон по частоте достигается при использовании одного модуля, при наличии двух планок максимальная частота лишь немного хуже. У четырёх – либо хуже (на устаревающем LGA2011-3) либо такой же или лучше (LGA2066), которые могут стабильно работать с 4мя модулями на 4000CL16. 4. Если используется два модуля, то худший модуль (требующий бОльшего напряжения для стабильного разгона) должен стоять ближе к процессору в слоте A2. 5. Перед настройкой частоты и таймингов памяти отключить подсветку модулей памяти - т.к. это даёт лишний нагрев.
УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ГАЙД ПО НАСТРОЙКЕ от Agiliter
Универсальный гайд. 0. Устраните любые потенциальные проблемы с другим железом. Снимите разгон с видеокарты, снизьте частоту цп на 300 с сохранением напряжения. Не забудьте вернуть RTL в авто если сейчас не авто. 1. Крутим очень короткий мемтест, то есть если минуту живёт сразу снижать тайминг дальше. Ищите не стабильность, а явно сбойное значение тайминга, запишите его - пригодится. Гораздо проще найти явно нерабочее значение и от него плясать чем пытаться ловить нестабильность часами. Это также помогает диагностировать сбойные тайминги на ранее "стабильной памяти". Не пытайтесь найти предельные значение сразу. Сначала скрутите до +2 от минимально стабильного. Многие тайминги идут параллельно поэтому бессмысленно пытаться скрутить до упора с первого прохода. CR выставить на 2 если стоит 1. В самом конце можно попробовать скинуть до 1. 3 Ставить только на очень большую частоту или если по другому ну совсем никак.
Начните с RCD, CL. Не обязательно должны быть одинаковыми, обычно CL идёт меньше чем RCD. RAS сразу пробуйте как RCD+CL+4, до этого значения от него существенная разница, дальше меньше. CWL<=CL. Допустимые значения 9,10,11,12,14,16,18,20. RP можете выставить по RCD, если пойдёт меньше - тоже неплохо, не уверен правда насчёт смысла. RTP без формул. Если не идёт вниз можно попробовать поднять чуть чуть RP. В DDR4 явно связан с WR соотношением 2 к 1 (например WR20\RTP10), физически хранится одно значения и в зависимости от операции интерпретируется. Скрутите FAW до 16(так и оставьте если работает). С таким FAW скручивайте RRD(оба, L обычно больше чем S), возможно поедут на 4 оба. Если до 4 не удалось спустить поднимите FAW до уровня RRDL*4 и попробуйте ещё, хотя это скорее всего уже почти предел. Обычно L>=S. L - SG(Same Group). S - DG(Different Group) Напр. RRD_L>=RRD_S. CKE=5 СCDL>=4 RDRD_DD и прочие подобные можно проигнорировать если у вас нет двух планок на один канал (4 планки). DD-Different Dimm. Тоже самое с DR-Different Rank если у вас одноранговая память. RDWR_SG(DG) и подобные сочетания скручивайте до минимальных рабочих, потом накиньте сверху +2. Как уже отметил обычно SG>=DG. WTR не трогайте он сам спустится когда будете скидывать WRRD_SG(DG) и прочие подобные. Если сам меньше не стал тогда руками скидывать. WR снижать через WRPRE если есть. Если нет или не снижает WR, То скрутите его скажем до 12 или +4 от рабочего, потом дожмёте если не лень будет. RFC явных формул нет, крутить после всего списка сверху. Не пытайтесь найти его минимальное значение если не хотите чтобы память начинала сыпать ошибками от любого чиха. найдите пограничное со стабильностью значение и накиньте сверху 20 или сразу 40. Может реагировать на RAS+RP, RRD, FAW, причём в обе стороны (то есть может "сломаться" если задрать названные), а может и не реагировать... REFi больше лучше. Связан с RFC. REFI сколько память "работает" - RFC сколько "отдыхает". Оба тайминга лучше не пытаться найти предельное значение.Заметно реагируют на температуру. Многие тайминги отзываются и на температуру и на напряжение. Поскольку напряжение может как позволить снизить тайминг, так и увеличить температуру, то середину можно искать очень долго, поэтому лучше бы вовремя остановится. Тестируйте тщательно с перезагрузками, сном, холодным стартом. RTL и IOL вам кто-то другой пусть советует как настраивать, от них у меня голова болеть начинает...
tRASmin=tCL+tRCD+2 WTRS/L устанавливаются в биосе через WRRDdg/sg согласно формуле: WRRD_sg=6+CWL+WTR_L WRRD_dg=6+CWL+WTR_S WR - через WRPRE (для матплат ASUS): WRPRE=4+CWL+WR RTP - через RDPRE (для матплат ASUS) RDPRE=RTP
VDDDQ=1.5 V max по Jedec VrefCA=0.6xVDDDQ=0.9 V (max по Jedec), в даташите контроллера интел тоже разрешено максимальное vrefca=0.6xVdddq. То есть при обычной настройке биоса, когда VrefCA=0.5xVDDDQ, VDRAM<=1.8 V, чтобы уложиться в нормы по Jedec. А если при этом в биосе настроить vrefca=0.49xvdddq (разрешено по Jedec), то безопасное Vdram может быть еще выше=1.837 V. Вывод: для контроллера процессора напряжение на память <=1.8 V неопасно
CPU Name: Intel® Core™ i7-7740K CPU @ 4.30GHz Motherboard Model: MSI X299 GAMING PRO CARBON AC (MS-7A95) Total Size: 8192 MB Type: Single Channel (64 bit) DDR4-SDRAM Frequency: 2750 MHz - Ratio 1:31 Timings: 21-31-31-63-2 (tCAS-tRC-tRP-tRAS-tCR) Slot #1 Module: G.Skill 8192 MB (DDR4-2137) - XMP 2.0 - P/N: F4-3200C14-8GVR
[img]Ссылка на скрин[/img] Для сбора статистики по установленным чипам памяти просьба прикладывать скрины программы Taiphoon Burner и указывать напряжения на DIMM, IO и SA![/color]
Below are the typical tRFC in ns for the common ICs: IC tRFC (ns) Hynix 8Gb AFR 260 - 280 Hynix 8Gb CJR 260 - 280 Hynix 8Gb DJR 260 - 280 Micron 8Gb Rev. E 280 - 310 Micron 16Gb Rev. B 290 - 310 Samsung 8Gb B-Die 120 - 180 Samsung 8Gb C-Die 300 - 340
Таблица tRFC от Reous v26
#77
Расшифровка чипов, находящихся в модуле памяти у разных производителей
#77
Ревизии печатных плат. A0,A1 или A2 планки, как узнать
#77 #77 #77 #77
Статистика tRCD планок в зависимости от типов чипов
#77 #77 #77 Чем выше вы в вертикальном столбце, тем удачнее планки. Чем интенсивнее цвет, тем выше статистический процент (данные старые,теперь удачнее чипы выходят) На 1 таблице все,что выше красной линии - суперотборники.
Советы по верной тренировке
1.Поднять напряжения на VCCSA и VCCIO. 2.Включить в биосе Round Trip Latency. 3.Для гигабайтов - memory enchancement=normal.
Руководство по разгону памяти для начинающих блондинок
Заблокирован Статус: Не в сети Регистрация: 26.08.2008 Откуда: Ростов-на-Дону Фото: 11
Remarc а что еще надо ?) ну до вчерашнего дня юзал XMP профиль на частоте 3600 мгц и проц был 5 ггц. потом все скинул дефолт, т.к. разгон спустя 2 года стал какой-то не стабильный. вот думаю с 0 еще раз разогнать.
_________________ 7800X3D • Asus X670E-F Gaming • 2x16Gb 6200 MHz CL30 • RTX 4070 Ti GameRock Classic OC • 27" Asus PG279Q • Win 10 LTSC x64 21H2
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 14.02.2011 Откуда: Kaliningrad Фото: 32
kimster08 писал(а):
Подсобите разгоном DDR4 32Gb (2x16Gb), 3600 MHz, G.Skill Trident Z RGB проц скальпированный 8700k мать Asus RoG Maximus X Hero
Была эта мать, было 8700к и 9900к, у нее предел 4000Mhz, в два слота, в 4 слота думаю 4200+-. И даже не важно 2х8 или 2х16, но 2х16 вообще в целом 3900-4100 в зависимости от удачи памяти. У нас не генках и апексах такая ОЗУ выше 4100 не идет(2х16)
Спасибо камрадам korn87 и tarasovjr Вроде всё, довёл я до ума свой нуборазгон Тесты проходит, вроде всё хорошо.
Отдельно спасибо korn87 за эту методичку:
Цитата:
...1) выставить IO/SA на 1,25/1,3В, подать на память 1,45В 2) найти максимальную частоту, при которой работает память при данных первичных таймингах (остальное в авто) 3) попробовать снизить тайминги, например с 19-19-19-39 до 18-19-19-38, 18-18-18-36, 17-19-19-39 и т.п. 4) снижать tRFC пока стартует, найти точку без старта, прибавить 30. tREFI = 65535, tWRWR_dq = 4 5) соблюдая зависимости tWR=2xtWTR_L tWTR_L=tRTP tWTR_L>tRRD_L tRRD_L>tRRD_S tWTR_L>tWTR_S tFAW>=4xRRD_S поджимать вторичные тайминги, как выйдет 6) tCWL снижать пока работает 7) прочие третичные тайминги в авто Далее уже начинаются дожимки последних герц, таймингов и подстройка для них IOL-offset, RTL и третичных. Как я понял tRDRD, tRDWR, tWRRD сами по себе не дают прироста попугаев, являясь правилами для адекватной работы прочих таймингов...
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 30.09.2007 Откуда: Tver Фото: 29
Камрады, дайте советы, что крутить и стоит ли)
Корсар3600с18занедорого
#77
Смущает то, что все это работает на 1.35в по памяти и 1.15 са и ио, но вот изменишь один из основных таймингов и все - не заводится, CR1 никак не заводится даже с 1.45в, с15 завелось на 1.45, но сыпет ошибками, при этом от прибавки вольтажа выше 1.35 вообще толку особо нет. Завел еще на 3733с16 при 1.4в тоже работает, дальше не едет. Вот я и думаю - то ли говно b-die достался, то ли КП в моем 7700К неудачный, то ли мать реально не едет(хотя с HOF 3866 могла), то ли руки растут не из того места.
Добавлено спустя 3 минуты 26 секунд:
Cyborg39rus писал(а):
Была эта мать, было 8700к и 9900к, у нее предел 4000Mhz, в два слота, в 4 слота думаю 4200+-
а разве в 2 слота гонится не лучше чем в 4? меньше нагрузка на КП ведь...
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 29.12.2014 Фото: 55
garison87 писал(а):
а разве в 2 слота гонится не лучше чем в 4? меньше нагрузка на КП ведь...
Это от potology плат зависит. T-potology - акцент разводки сделан на 4 слота Daisy Chain - разводка на 2 слота _________________________________ Нашел старый скрин OEM Samsung C-Die Запуск Single Channel 4000Mhz+
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 20.05.2009 Откуда: Москва Фото: 0
fly1ngh1gh писал(а):
potology
топология, а не патология.
_________________ i7-8700К, Z370-F Gaming, CMW16GX4M2C3200C14, MSI RTX 2080 Ti GAMING X TRIO, 840 EVO+970 Pro, Dark Power Pro 11 750W, CA-01B-B-SL, Acer Nitro VG270UP
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 03.09.2014 Откуда: SPb Фото: 35
garison87 писал(а):
Смущает то, что все это работает на 1.35в по памяти и 1.15 са и ио, но вот изменишь один из основных таймингов и все - не заводится, CR1 никак не заводится даже с 1.45в, с15 завелось на 1.45, но сыпет ошибками, при этом от прибавки вольтажа выше 1.35 вообще толку особо нет. Завел еще на 3733с16 при 1.4в тоже работает, дальше не едет. Вот я и думаю - то ли говно b-die достался, то ли КП в моем 7700К неудачный, то ли мать реально не едет(хотя с HOF 3866 могла), то ли руки растут не из того места.
вполне ожидаемо для данного набора 3733 cl16 1.4v это 8.57ns, не так уж и плохо 2 комплекта таких проверял, что получше может 4133 cl17 1.4v 8.22ns 4400 cl18 1.45v 8.18ns который похуже 4133 cl18 1.4v 8.71ns Можете попробовать 3900-4000 cl17 1.4-1.45v (если кп потянет на приемлемых для вас вольтажах и вторички третички не будут сильно хуже чем на зажатых 3733 cl16)
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 14.02.2011 Откуда: Kaliningrad Фото: 32
tarasovjr писал(а):
патология
Тут именно патология
Добавлено спустя 1 час 10 минут 30 секунд:
O_Marceline писал(а):
3733 cl16 1.4v это 8.57ns, не так уж и плохо 2 комплекта таких проверял, что получше может 4133 cl17 1.4v 8.22ns 4400 cl18 1.45v 8.18ns который похуже 4133 cl18 1.4v 8.71ns
M0reThxnSpxce Пожалуйста, прогоните Вашу ОЗУ через thaiphoon burner
А зачем?) Чтобы A1 или A0 чекнуть? У меня A0)))) 3900 16-17-17 двумя планками заводится, частоты выше только одной планкой на втором слоте, я так понял это означает, что память больше не едет...
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 04.06.2015 Откуда: Беларусь
Приветствую, подскажите по такому вопросу. Предлагают hyperX HX436C17PB3AK2/16 . Тайфун вещает что там b-die но производство март 19года. Стоит ли с такой заморачиваться , на что можно хотя бы примерно рассчитывать при разгоне ? проц 9900к , мать IX Extreme
Последний раз редактировалось Drov44 13.06.2019 12:10, всего редактировалось 1 раз.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 14.02.2011 Откуда: Kaliningrad Фото: 32
M0reThxnSpxce писал(а):
У меня A0
Вы все тут тогда слегка высмеяли меня, но Это все же влияет. Среди этих А0, А1, А2 есть и более менее отборные чипы. У кого то и А0 хорошо заводится. Но Все же на это стоит обратить внимание.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 01.02.2010 Фото: 12
Не могу побороть фризы в ассасине ориджине, причем в фар крае, ларе, вотч догс2 что проверял нормально, стоят на ссд. Проц пока сток, память Hynix M-die. Настройки такие, правда Command Rate стоит 2T (по скринам 1Т) т. к. примерно через час или немного меньше в фар крае были вылеты на рабочий стол с 1Т.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 24.07.2018 Фото: 1
Samsung [M378A1G43TB1-CTD] 8 ГБ Подскажите за нее. Сколько она стабильно берет на райзене? Материнку планировал ASUS TUF B450-PRO GAMING или MSI B450 GAMING PRO CARBON AC, не знаю, может на какой-то из них эта память будет лучше гнаться? Хотя по качеству врм мси уступает прилично.
_________________ i5 12400F, 2x16gb PVV532G660C34K , 860evo 500gb, GTX1660, MSI PRO B760M-E, Be quiet straight power10 700w, Meshify C Mini TG
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения