AMT - Asus MemTweakit Asus MemTweakIt 2.02.44 При настройке памяти в BIOS ставим ОБЯЗАТЕЛЬНО MRC Fast boot=disable (включаем при этом режим тонкой тренировки, если же выставим enable, то включаем режим грубой тренировки). Оптимально при разгоне памяти использовать в биосе множитель памяти 133, а не авто или 100, что даст возможность создать комфортные условия для контроллера памяти в процессоре и снизить напряжения ио и са ! Недаром в Jedec шаг между спидбинами именно 133, а не 100! Для плат с Alder Lake напряжения VDD и VDDQ на память могут отличаться не больше, чем на 300 мВ. Для плат на основе логики z690 и b660: VDD>VDDQ VDDQ>=VDD-300mV(0.3V) Лучше на VDDQ не превышать 1.25V. Вполне возможно 1.30V. MSI дает зазор до 1.40V. Для таймингов должно выполняться требование: _dr=_dd
Разгон памяти у современной DDR4 (16 банков,RRDS=4,FAW=16,BL=8) эффективен только при tRC<=64,если каждый новый блок чтения происходит с разных банков памяти. Для 4-х слотовых плат при разгоне желательно в биосе отключить неиспользуемые слоты. Для максимальной производительности памяти значение tRFC в тактах для 8-Гбитных чипов должно быть кратно 8,а для 16-Гбитных чипов - 16. Если это правило не соблюдать, то будут вставлены лишние такты при каждом цикле обновления памяти. Для желающих максимально снизить tRFC. Делим tRFC на сумму tRCD,tRTP и tRP. Если результат ближе к 4, то снижать tRFC можно по 4 такта. Если результат ближе к 2, то снижать tRFC можно по 2 такта. Это связано с тем, что обновление происходит субмассивами, которые обязательно кратны 2.
Новая информация по tRAS
Чтение с модуля памяти у DDR4 происходит блоками. Минимальный блок сейчас составляет 64 байта, что связано с размером строки кэша у процессора. Этот блок может считываться как с одного банка, так и с разных. tRAS=tRCD+tRTP (при считывании 8 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+4 (при считывании 16 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+8 (считывание 24 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+12 (при считывании 32 байт с одного банка). Самый верный выбор для DDR4! tRAS=tRCD+tRTP+16 (считывание 40 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+20 (считывание 48 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+24 (считывание 56 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+28 (при считывании 64 байт с одного банка) Для DDR4 оптимальным выбором является 4-й или последний вариант. Но если выставить tRAS меньше, то ничего трагичного не произойдет, так как джедек придумала предохранитель (tRTP), поэтому можно не заморачиваться и выставлять минимальный tRAS (=tRCD+tRTP).
Напряжения на процессоре при разгоне памяти
SA- безопасный уровень (по данным MSI) 1.35, растет от частоты памяти и зависит от подключенной периферии к PCIE, чем больше скорость видеокарты и NVME-диска, тем выше нужно напряжение. IO (для Z590 =IO2, а просто IO можно оставлять в авто, для Z690=IVR DDQ)- обычно хорошо работает если на 50 мВ ниже SA, но чем ниже, тем лучше, стараться максимально снижать. Тоже растет с ростом частоты памяти. Для ориентира при настройке всегда рекомендую глянуть, что за напряжения SA и IO выставляет материнка в авто.
Для начала тезисно несколько правил «успешного разгона и установки памяти»:
1. Ни в коем случае не используем XMP профили – этот режим протестирован на совместимость, но не даёт оптимальную производительность. Поскольку заводская настройка не блещет идеальным подбором, можно получить до 20-25% производительности дополнительно, вручную настраивая тайминги и напряжения. Также XMP режим чреват завышениями вольтажа самой память и контроллера памяти\SOC. 2. Правильная установка модулей – А2 (для одного модуля), A2B2 (для двух модулей). 3. Самый лучший разгон по частоте достигается при использовании одного модуля, при наличии двух планок максимальная частота лишь немного хуже. У четырёх – либо хуже (на устаревающем LGA2011-3) либо такой же или лучше (LGA2066), которые могут стабильно работать с 4мя модулями на 4000CL16. 4. Если используется два модуля, то худший модуль (требующий бОльшего напряжения для стабильного разгона) должен стоять ближе к процессору в слоте A2. 5. Перед настройкой частоты и таймингов памяти отключить подсветку модулей памяти - т.к. это даёт лишний нагрев.
УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ГАЙД ПО НАСТРОЙКЕ от Agiliter
Универсальный гайд. 0. Устраните любые потенциальные проблемы с другим железом. Снимите разгон с видеокарты, снизьте частоту цп на 300 с сохранением напряжения. Не забудьте вернуть RTL в авто если сейчас не авто. 1. Крутим очень короткий мемтест, то есть если минуту живёт сразу снижать тайминг дальше. Ищите не стабильность, а явно сбойное значение тайминга, запишите его - пригодится. Гораздо проще найти явно нерабочее значение и от него плясать чем пытаться ловить нестабильность часами. Это также помогает диагностировать сбойные тайминги на ранее "стабильной памяти". Не пытайтесь найти предельные значение сразу. Сначала скрутите до +2 от минимально стабильного. Многие тайминги идут параллельно поэтому бессмысленно пытаться скрутить до упора с первого прохода. CR выставить на 2 если стоит 1. В самом конце можно попробовать скинуть до 1. 3 Ставить только на очень большую частоту или если по другому ну совсем никак.
Начните с RCD, CL. Не обязательно должны быть одинаковыми, обычно CL идёт меньше чем RCD. RAS сразу пробуйте как RCD+CL+4, до этого значения от него существенная разница, дальше меньше. CWL<=CL. Допустимые значения 9,10,11,12,14,16,18,20. RP можете выставить по RCD, если пойдёт меньше - тоже неплохо, не уверен правда насчёт смысла. RTP без формул. Если не идёт вниз можно попробовать поднять чуть чуть RP. В DDR4 явно связан с WR соотношением 2 к 1 (например WR20\RTP10), физически хранится одно значения и в зависимости от операции интерпретируется. Скрутите FAW до 16(так и оставьте если работает). С таким FAW скручивайте RRD(оба, L обычно больше чем S), возможно поедут на 4 оба. Если до 4 не удалось спустить поднимите FAW до уровня RRDL*4 и попробуйте ещё, хотя это скорее всего уже почти предел. Обычно L>=S. L - SG(Same Group). S - DG(Different Group) Напр. RRD_L>=RRD_S. CKE=5 СCDL>=4 RDRD_DD и прочие подобные можно проигнорировать если у вас нет двух планок на один канал (4 планки). DD-Different Dimm. Тоже самое с DR-Different Rank если у вас одноранговая память. RDWR_SG(DG) и подобные сочетания скручивайте до минимальных рабочих, потом накиньте сверху +2. Как уже отметил обычно SG>=DG. WTR не трогайте он сам спустится когда будете скидывать WRRD_SG(DG) и прочие подобные. Если сам меньше не стал тогда руками скидывать. WR снижать через WRPRE если есть. Если нет или не снижает WR, То скрутите его скажем до 12 или +4 от рабочего, потом дожмёте если не лень будет. RFC явных формул нет, крутить после всего списка сверху. Не пытайтесь найти его минимальное значение если не хотите чтобы память начинала сыпать ошибками от любого чиха. найдите пограничное со стабильностью значение и накиньте сверху 20 или сразу 40. Может реагировать на RAS+RP, RRD, FAW, причём в обе стороны (то есть может "сломаться" если задрать названные), а может и не реагировать... REFi больше лучше. Связан с RFC. REFI сколько память "работает" - RFC сколько "отдыхает". Оба тайминга лучше не пытаться найти предельное значение.Заметно реагируют на температуру. Многие тайминги отзываются и на температуру и на напряжение. Поскольку напряжение может как позволить снизить тайминг, так и увеличить температуру, то середину можно искать очень долго, поэтому лучше бы вовремя остановится. Тестируйте тщательно с перезагрузками, сном, холодным стартом. RTL и IOL вам кто-то другой пусть советует как настраивать, от них у меня голова болеть начинает...
tRASmin=tCL+tRCD+2 WTRS/L устанавливаются в биосе через WRRDdg/sg согласно формуле: WRRD_sg=6+CWL+WTR_L WRRD_dg=6+CWL+WTR_S WR - через WRPRE (для матплат ASUS): WRPRE=4+CWL+WR RTP - через RDPRE (для матплат ASUS) RDPRE=RTP
VDDDQ=1.5 V max по Jedec VrefCA=0.6xVDDDQ=0.9 V (max по Jedec), в даташите контроллера интел тоже разрешено максимальное vrefca=0.6xVdddq. То есть при обычной настройке биоса, когда VrefCA=0.5xVDDDQ, VDRAM<=1.8 V, чтобы уложиться в нормы по Jedec. А если при этом в биосе настроить vrefca=0.49xvdddq (разрешено по Jedec), то безопасное Vdram может быть еще выше=1.837 V. Вывод: для контроллера процессора напряжение на память <=1.8 V неопасно
CPU Name: Intel® Core™ i7-7740K CPU @ 4.30GHz Motherboard Model: MSI X299 GAMING PRO CARBON AC (MS-7A95) Total Size: 8192 MB Type: Single Channel (64 bit) DDR4-SDRAM Frequency: 2750 MHz - Ratio 1:31 Timings: 21-31-31-63-2 (tCAS-tRC-tRP-tRAS-tCR) Slot #1 Module: G.Skill 8192 MB (DDR4-2137) - XMP 2.0 - P/N: F4-3200C14-8GVR
[img]Ссылка на скрин[/img] Для сбора статистики по установленным чипам памяти просьба прикладывать скрины программы Taiphoon Burner и указывать напряжения на DIMM, IO и SA![/color]
Below are the typical tRFC in ns for the common ICs: IC tRFC (ns) Hynix 8Gb AFR 260 - 280 Hynix 8Gb CJR 260 - 280 Hynix 8Gb DJR 260 - 280 Micron 8Gb Rev. E 280 - 310 Micron 16Gb Rev. B 290 - 310 Samsung 8Gb B-Die 120 - 180 Samsung 8Gb C-Die 300 - 340
Таблица tRFC от Reous v26
#77
Расшифровка чипов, находящихся в модуле памяти у разных производителей
#77
Ревизии печатных плат. A0,A1 или A2 планки, как узнать
#77 #77 #77 #77
Статистика tRCD планок в зависимости от типов чипов
#77 #77 #77 Чем выше вы в вертикальном столбце, тем удачнее планки. Чем интенсивнее цвет, тем выше статистический процент (данные старые,теперь удачнее чипы выходят) На 1 таблице все,что выше красной линии - суперотборники.
Советы по верной тренировке
1.Поднять напряжения на VCCSA и VCCIO. 2.Включить в биосе Round Trip Latency. 3.Для гигабайтов - memory enchancement=normal.
Руководство по разгону памяти для начинающих блондинок
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 24.04.2007 Откуда: и куда? Фото: 7
xBland писал(а):
Я только за! Ты, я так понял тоже не нашел решения? RTL правил? у меня все на авто, на него и грешу.
Сейчас сижу на стоковых 3200 с ужатыми вторичками и третичками. RTL сама мп выставила верно. Всё равно safe mode проскакивает. Что-то где-то не так. Советуют поднимать напряжение на IO и SA. Вижу у тебя по 1,4 на них, а проблема не ушла. У меня 3800 14-14 грузилась и крутила тесты при DRAM-1,55 IO-1,2 SA-1,2. Правда крутила с ошибками. И также ловил при перезагрузке safe mode. Так что это от чего-то ещё зависит. Может быть от ODT, которые рекомендуют подбирать вручную на z390 при 3600 и выше
Код:
WR80, Park48, Nom34 для рбоих каналов; WR80, Park48, Nom40 для рбоих каналов; WR80, Park48, Nom0 для рбоих каналов; WR80, Park40, Nom40 для рбоих каналов; WR80, Park40, Nom34 для рбоих каналов; WR80, Park40, Nom0 для рбоих каналов.
Добавлено спустя 10 минут 9 секунд: xBland вот есть товарищ Ramforce, он мне помогал, у него в профиле скриншоты его озу, такие же гскил как у нас, только одноранговые. У него хороший разгон 3600 14-14, но RTL также на авто и кривой. А с задержками при этом у него всё в порядке. 38нс, против 45нс у меня. Мне писали, что мои высокие задержки из-за кривого RTL У меня фактически его настройки, кроме параметров WTRL и WRRDsg, у меня на них только 6/26 работает.
Добавлено спустя 10 минут 9 секунд: xBland вот есть товарищ Ramforce, он мне помогал, у него в профиле скриншоты его озу, такие же гскил как у нас, только одноранговые. У него хороший разгон 3600 14-14, но RTL также на авто и кривой. А с задержками при этом у него всё в порядке. 38нс, против 45нс у меня. Мне писали, что мои высокие задержки из-за кривого RTL У меня фактически его настройки, кроме параметров WTRL и WRRDsg, у меня на них только 6/26 работает.
Спасибо, сейчас посмотрю
Добавлено спустя 3 минуты 36 секунд: Сейчас попробую его настройки
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 24.04.2007 Откуда: и куда? Фото: 7
xBland ну и самое главное, по перезагрузкам, вот человек отписывался с такой же проблемой
garison87 писал(а):
IO SA занижены. у меня в винде может экстрим пройти на значениях 1.22/1,25, при этом не ребутается иногда и может не сразу загружаться. а при 1,25/1,3 все всегда работает с 1го раза.
При этом у него, судя по профилю, Asus Maximus Gene XI и разные плашки памяти. Видимо так на всех.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 23.11.2015 Откуда: Москва
Bloodjkee писал(а):
где необходимо задавать такие значения, как WRPRE, вручную вбить WRRD оба и еще RDPR
Да, если их задать вручную, то числа верные. Но при этом и наоборот работает, если их оставить в Авто и задавать tWR, tWTRS/L, то биос высчитывает верно, если tWR на единицу меньше указывать.
anta777 писал(а):
А для rtl на прайме нужно просто выставить два иол-оффсета в 14 (15).
Спасибо. На 15 запустилась (на 14 нет), RTL стал 60 вместо 66, латентность снизилась на 1нс... Но результаты чтения/записи/копирования не меняются. В пределах погрешности от запуска к запуску (а это около 500 Мб/с между запусками). Может, скорость копирования такой и должна быть, все же это 3333, из которых 3400 получается путем увеличения шины до 102 МГц...
Куратор темы Статус: Не в сети Регистрация: 10.06.2011
AlexRR77 писал(а):
anta777 Увеличение tREFI продлевает жизнь чипам, а не уменьшает ее, вы совсем не в теме.
Вот тут не уверен. Т.к. со временем ячейка заряд может хуже держать, и ее надо обновлять чаще. Т.е. сильно превышать паспортное время регенерации в долгосрочной перспективе может быть чревато. По крайней мере что вспоминается из институтского курса 20-летней давности. [/off]
От того, что мы реже заряжаем конденсатор ячейки (не каждые 64/8192 мс, а каждые 256/8192 мс), он быстрее выйдет из строя? Мы учили разную физику.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 23.11.2015 Откуда: Москва
anta777 писал(а):
От того, что мы реже заряжаем конденсатор ячейки (не каждые 64/8192 мс, а каждые 256/8192 мс), он быстрее выйдет из строя?
Если говорить о конденсаторах, то срок службы указывается в часах, а в не циклах заряда/разряда. Я же говорю о его деградации от времени, саморазряд со временем может увеличиться, что приведет к сбою ячейки, которую потребуется обновлять за 250мс уже. Конечно, я утрирую, это теория чистой воды. Насколько там "запас" в чипах относительно требований. Все же это не силовые цепи, где параметры могут утечь довольно быстро... PS: хотя параметры керамических конденсаторов почти не меняются и через 10 лет, если паспортные значения не превышали...
Куратор темы Статус: Не в сети Регистрация: 10.06.2011
Должно пройти время равное 4 тактам для передачи пакета данных. tBL=8/2=4, поэтому минимальный RRD=4. FAW - это упрощенно время 5-й активации, поэтому минимум 16.
Добавлено спустя 55 секунд:
Killabyte писал(а):
anta777 Я правильно понимаю что если pdd = 0 и Power Down mode = disabled , то все-равно чему равен tcke ?
Все верно. При этом также не играет роли чему равен tXP.
Добавлено спустя 1 минуту 27 секунд:
AlexRR77 писал(а):
Если говорить о конденсаторах, то срок службы указывается в часах, а в не циклах заряда/разряда. Я же говорю о его деградации от времени, саморазряд со временем может увеличиться, что приведет к сбою ячейки, которую потребуется обновлять за 250мс уже. Конечно, я утрирую, это теория чистой воды. Насколько там "запас" в чипах относительно требований. Все же это не силовые цепи, где параметры могут утечь довольно быстро... PS: хотя параметры керамических конденсаторов почти не меняются и через 10 лет, если паспортные значения не превышали...[/off]
Так со временем, когда пойдут ошибки, и уменьшите tREFI. Или вы считаете, что это произойдет через неделю?
Junior
Статус: Не в сети Регистрация: 29.10.2020 Фото: 0
Ребята, не судите строго. В первый раз разгоняю память. Что нужно подправить? Сразу по поводу tFAW - ниже 42 ошибки в лайт тесте . На текущих настройках проходит стресс-тест тм5.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 23.11.2015 Откуда: Москва
anta777 писал(а):
Так со временем, когда пойдут ошибки, и уменьшите tREFI. Или вы считаете, что это произойдет через неделю?
Дома-то я уменьшу, на домашнем компе большое выставил. А тут чужой комп... Кто его знает, что будет через пару лет, когда игры регулярно будут прогревать внутренности... PS: интересно, в даташите на микрон e-die фактически написано, что при температуре <45 градусов время обновления можно увеличить вдвое...
Куратор темы Статус: Не в сети Регистрация: 10.06.2011
zinop писал(а):
Ребята, не судите строго. В первый раз разгоняю память. Что нужно подправить? Сразу по поводу tFAW - ниже 42 ошибки в лайт тесте . На текущих настройках проходит стресс-тест тм5.
Все скинуть в авто, найти рабочие первички и напряжения при FAW=16, затем дальше настраивать.
Камрады, скажите, какой максимальный вольтаж на бидаи под обдувом можно ставить на постоянку, чтоб не деграднуло за годик-другой? А то у меня гскиллы дуалы едут 4400 16 только на 1.56-1.57v, sa io 1.37/1.35, я вот думаю, не жёстко ли? Хотя с другой стороны, увидел в даташите новых ballistix max, которые 5100 xmp, 1.55v...
расписал хорошую инструкцию. То что в шапке можешь не читать.) Статистика разгона памяти DDR-4 на платформах INTEL. Обсуждение результатов. Советы. #17071751
Камрады, скажите, какой максимальный вольтаж на бидаи под обдувом можно ставить на постоянку, чтоб не деграднуло за годик-другой? А то у меня гскиллы дуалы едут 4400 16 только на 1.56-1.57v, sa io 1.37/1.35, я вот думаю, не жёстко ли? Хотя с другой стороны, увидел в даташите новых ballistix max, которые 5100 xmp, 1.55v...
Ставь сколько хочешь, у G.Skill мировая гарантия. Через пару лет если и деграднёт - поменяешь по RMA, да и всё Ну и да, чипы разных вендоров не сравнить просто так, чисто по вольтажам
Нашел стабильные первички на частоте 3800, но вторички конские, если в режиме Авто(но все работает и тесты проходит). Ставлю вторички с помощью подвешенной таблицы от anta777 и память не заводится. Как подобрать вторички?
Сейчас этот форум просматривают: lamjob1993 и гости: 17
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения