1. Читаем одну на выбор статью от, ✔ 1usmus или ✔ i2hard, а так-же статью по работе Dram Calculator от ✔ i2hard, устанавливаем необходимое программное обеспечение из шапки темы, смотрим примерные результаты разгона памяти из шапки, для понимания пределов возможностей вашего железа. Загружаем картинки с запросами на этот форум через кнопку "spoiler=" а не просто "spoiler".

2. Не используем XMP профили, это как правило, настройки для систем на базе Intel, за очень редким исключением, соответственно режим XMP протестирован на совместимость именно для Intel, к тому же, заводская настройка не блещет идеальным подбором таймингов и напряжений и можно получить примерно до 20-30% производительности дополнительно, вручную настраивая тайминги и напряжения. Также использование профиля XMP, чревато завышенным вольтажом на контроллер памяти.

3. Правильная установка модулей – A2+B2 (для двух модулей).

4. Перед настройкой частоты и таймингов рекомендуется установить принудительное охлаждения на модули памяти, особенно для памяти с чипами Samsung B-die, повышение температуры памяти выше 48°, может сопровождаться дополнительными ошибками, не связанными с неправильной настройкой таймингов, что затруднит их поиск и общую настройку памяти.

5. tRFC2 и tRFC4 не имеют физической реализации, потому их в некоторых версиях BIOS, отсутствуют эти значения всегда, всегда оставляйте эти параметры в Авто, так-же в Авто, оставляйте tCWL.

6. Худший модуль памяти (требующий большего напряжения для стабильного разгона) должен стоять ближе к процессору в слоте A2.

7. При желании протестировать память избыточным тестом в TM5 с конфигом 1usmus_v3 меняем количество 3-х циклов в "mt.cfg", "cycles=3" скажем на 8 или более

8. Если нет бута на частоте памяти 3800Mhz, то проверяем возможности IF вашего CPU, для этого выставляем частоту памяти на 3200Mhz, а IF например на 1900, пробуем загрузиться...

9. Краткая методичка по настройке памяти от The KMS: Краткая инструкция...

Гайд по основным нововведениям DRAM Calculator for Ryzen от 1usmus

Гайд по разгону памяти для новичков от lDevilDriverl.

Сопротивления ProcODT, RttNom, RttWr, RttPark.

Для процессоров 4000 серии с APU Renoir

- Micron B-Die: https://www.hardwareluxx.de/community/t ... 4.1276765/
- Hynix CJR, Hynix 8Gbit DDR4 CJR "C-Die" (H5AN8G8NCJR): https://www.hardwareluxx.de/community/f ... 06340.html
- Crucial Ballistix DDR4-3600 32GB (2x16GB) [BL2K16G36C16U4R]: https://www.hardwareluxx.de/community/t ... w.1264873/
- Hynix MFR, AMD Radeon R7 (R748G2133U2S): https://www.overclockers.ru/lab/85777/o ... -0-6a.html
- Hynix MFR, Kingston: http://club.dns-shop.ru/hardware/%D0%94 ... -Kingston/
- Hynix AFR, AMD Radeon R9 (R948G3206U2S): https://www.overclockers.ru/lab/86046/o ... -0-6a.html
- Micron A-Die: https://www.overclockers.ru/lab/85288/o ... 0-0-6.html
- Micron D-Die / Spectek: https://www.overclockers.ru/lab/85658/o ... -0-6a.html
- Samsung C-Die: https://www.overclockers.ru/lab/84886/obzor-i-testirovanie-chetyreh-modulej-operativnoj-pamyati-ddr4-2400-samsung-m378a1k43cb2-crc-obemom-8-gbajt-kogda-amd-vystupaet-luchshe-intel.html
- Samsung E-Die: https://www.overclockers.ru/lab/84775/o ... 0-0-6.html
Таблица TRFC для разных типов памяти

xyligano - J-die
RoMiLiUs - J-die

3200 1.35V, 18-20-20-38
3200 остальное Auto
3400 1.38V, 16-19-19-38
3400 1.38V, 16-21-21-42
3600 1.38V, 16-20-20-40
3600 1.35V 1.1V (SoC), 16-20-20-40, tCWL 16

Для Ryzen 3000 и 5000 пользователь 1usmus предлагает значения в диапазоне 28-40 Ом. Более низкие значения не гарантируют безотказную работу, но теоретически позволяют снизить требования к напряжению. Более высокие же значения могут способствовать стабильности, хотя, по словам Micron, увеличивать значения ODT более 60 Ом имеет смысл только если контроллер памяти уж очень слабый, а некоторое повышение энергопотребления не окажет негативного влияния на систему в целом.