AMT - Asus MemTweakit Asus MemTweakIt 2.02.44 При настройке памяти в BIOS ставим ОБЯЗАТЕЛЬНО MRC Fast boot=disable (включаем при этом режим тонкой тренировки, если же выставим enable, то включаем режим грубой тренировки). Оптимально при разгоне памяти использовать в биосе множитель памяти 133, а не авто или 100, что даст возможность создать комфортные условия для контроллера памяти в процессоре и снизить напряжения ио и са ! Недаром в Jedec шаг между спидбинами именно 133, а не 100! Для плат с Alder Lake напряжения VDD и VDDQ на память могут отличаться не больше, чем на 300 мВ. Для плат на основе логики z690 и b660: VDD>VDDQ VDDQ>=VDD-300mV(0.3V) Лучше на VDDQ не превышать 1.25V. Вполне возможно 1.30V. MSI дает зазор до 1.40V. Для таймингов должно выполняться требование: _dr=_dd
Разгон памяти у современной DDR4 (16 банков,RRDS=4,FAW=16,BL=8) эффективен только при tRC<=64,если каждый новый блок чтения происходит с разных банков памяти. Для 4-х слотовых плат при разгоне желательно в биосе отключить неиспользуемые слоты. Для максимальной производительности памяти значение tRFC в тактах для 8-Гбитных чипов должно быть кратно 8,а для 16-Гбитных чипов - 16. Если это правило не соблюдать, то будут вставлены лишние такты при каждом цикле обновления памяти. Для желающих максимально снизить tRFC. Делим tRFC на сумму tRCD,tRTP и tRP. Если результат ближе к 4, то снижать tRFC можно по 4 такта. Если результат ближе к 2, то снижать tRFC можно по 2 такта. Это связано с тем, что обновление происходит субмассивами, которые обязательно кратны 2.
Новая информация по tRAS
Чтение с модуля памяти у DDR4 происходит блоками. Минимальный блок сейчас составляет 64 байта, что связано с размером строки кэша у процессора. Этот блок может считываться как с одного банка, так и с разных. tRAS=tRCD+tRTP (при считывании 8 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+4 (при считывании 16 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+8 (считывание 24 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+12 (при считывании 32 байт с одного банка). Самый верный выбор для DDR4! tRAS=tRCD+tRTP+16 (считывание 40 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+20 (считывание 48 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+24 (считывание 56 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+28 (при считывании 64 байт с одного банка) Для DDR4 оптимальным выбором является 4-й или последний вариант. Но если выставить tRAS меньше, то ничего трагичного не произойдет, так как джедек придумала предохранитель (tRTP), поэтому можно не заморачиваться и выставлять минимальный tRAS (=tRCD+tRTP).
Напряжения на процессоре при разгоне памяти
SA- безопасный уровень (по данным MSI) 1.35, растет от частоты памяти и зависит от подключенной периферии к PCIE, чем больше скорость видеокарты и NVME-диска, тем выше нужно напряжение. IO (для Z590 =IO2, а просто IO можно оставлять в авто, для Z690=IVR DDQ)- обычно хорошо работает если на 50 мВ ниже SA, но чем ниже, тем лучше, стараться максимально снижать. Тоже растет с ростом частоты памяти. Для ориентира при настройке всегда рекомендую глянуть, что за напряжения SA и IO выставляет материнка в авто.
Для начала тезисно несколько правил «успешного разгона и установки памяти»:
1. Ни в коем случае не используем XMP профили – этот режим протестирован на совместимость, но не даёт оптимальную производительность. Поскольку заводская настройка не блещет идеальным подбором, можно получить до 20-25% производительности дополнительно, вручную настраивая тайминги и напряжения. Также XMP режим чреват завышениями вольтажа самой память и контроллера памяти\SOC. 2. Правильная установка модулей – А2 (для одного модуля), A2B2 (для двух модулей). 3. Самый лучший разгон по частоте достигается при использовании одного модуля, при наличии двух планок максимальная частота лишь немного хуже. У четырёх – либо хуже (на устаревающем LGA2011-3) либо такой же или лучше (LGA2066), которые могут стабильно работать с 4мя модулями на 4000CL16. 4. Если используется два модуля, то худший модуль (требующий бОльшего напряжения для стабильного разгона) должен стоять ближе к процессору в слоте A2. 5. Перед настройкой частоты и таймингов памяти отключить подсветку модулей памяти - т.к. это даёт лишний нагрев.
УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ГАЙД ПО НАСТРОЙКЕ от Agiliter
Универсальный гайд. 0. Устраните любые потенциальные проблемы с другим железом. Снимите разгон с видеокарты, снизьте частоту цп на 300 с сохранением напряжения. Не забудьте вернуть RTL в авто если сейчас не авто. 1. Крутим очень короткий мемтест, то есть если минуту живёт сразу снижать тайминг дальше. Ищите не стабильность, а явно сбойное значение тайминга, запишите его - пригодится. Гораздо проще найти явно нерабочее значение и от него плясать чем пытаться ловить нестабильность часами. Это также помогает диагностировать сбойные тайминги на ранее "стабильной памяти". Не пытайтесь найти предельные значение сразу. Сначала скрутите до +2 от минимально стабильного. Многие тайминги идут параллельно поэтому бессмысленно пытаться скрутить до упора с первого прохода. CR выставить на 2 если стоит 1. В самом конце можно попробовать скинуть до 1. 3 Ставить только на очень большую частоту или если по другому ну совсем никак.
Начните с RCD, CL. Не обязательно должны быть одинаковыми, обычно CL идёт меньше чем RCD. RAS сразу пробуйте как RCD+CL+4, до этого значения от него существенная разница, дальше меньше. CWL<=CL. Допустимые значения 9,10,11,12,14,16,18,20. RP можете выставить по RCD, если пойдёт меньше - тоже неплохо, не уверен правда насчёт смысла. RTP без формул. Если не идёт вниз можно попробовать поднять чуть чуть RP. В DDR4 явно связан с WR соотношением 2 к 1 (например WR20\RTP10), физически хранится одно значения и в зависимости от операции интерпретируется. Скрутите FAW до 16(так и оставьте если работает). С таким FAW скручивайте RRD(оба, L обычно больше чем S), возможно поедут на 4 оба. Если до 4 не удалось спустить поднимите FAW до уровня RRDL*4 и попробуйте ещё, хотя это скорее всего уже почти предел. Обычно L>=S. L - SG(Same Group). S - DG(Different Group) Напр. RRD_L>=RRD_S. CKE=5 СCDL>=4 RDRD_DD и прочие подобные можно проигнорировать если у вас нет двух планок на один канал (4 планки). DD-Different Dimm. Тоже самое с DR-Different Rank если у вас одноранговая память. RDWR_SG(DG) и подобные сочетания скручивайте до минимальных рабочих, потом накиньте сверху +2. Как уже отметил обычно SG>=DG. WTR не трогайте он сам спустится когда будете скидывать WRRD_SG(DG) и прочие подобные. Если сам меньше не стал тогда руками скидывать. WR снижать через WRPRE если есть. Если нет или не снижает WR, То скрутите его скажем до 12 или +4 от рабочего, потом дожмёте если не лень будет. RFC явных формул нет, крутить после всего списка сверху. Не пытайтесь найти его минимальное значение если не хотите чтобы память начинала сыпать ошибками от любого чиха. найдите пограничное со стабильностью значение и накиньте сверху 20 или сразу 40. Может реагировать на RAS+RP, RRD, FAW, причём в обе стороны (то есть может "сломаться" если задрать названные), а может и не реагировать... REFi больше лучше. Связан с RFC. REFI сколько память "работает" - RFC сколько "отдыхает". Оба тайминга лучше не пытаться найти предельное значение.Заметно реагируют на температуру. Многие тайминги отзываются и на температуру и на напряжение. Поскольку напряжение может как позволить снизить тайминг, так и увеличить температуру, то середину можно искать очень долго, поэтому лучше бы вовремя остановится. Тестируйте тщательно с перезагрузками, сном, холодным стартом. RTL и IOL вам кто-то другой пусть советует как настраивать, от них у меня голова болеть начинает...
tRASmin=tCL+tRCD+2 WTRS/L устанавливаются в биосе через WRRDdg/sg согласно формуле: WRRD_sg=6+CWL+WTR_L WRRD_dg=6+CWL+WTR_S WR - через WRPRE (для матплат ASUS): WRPRE=4+CWL+WR RTP - через RDPRE (для матплат ASUS) RDPRE=RTP
VDDDQ=1.5 V max по Jedec VrefCA=0.6xVDDDQ=0.9 V (max по Jedec), в даташите контроллера интел тоже разрешено максимальное vrefca=0.6xVdddq. То есть при обычной настройке биоса, когда VrefCA=0.5xVDDDQ, VDRAM<=1.8 V, чтобы уложиться в нормы по Jedec. А если при этом в биосе настроить vrefca=0.49xvdddq (разрешено по Jedec), то безопасное Vdram может быть еще выше=1.837 V. Вывод: для контроллера процессора напряжение на память <=1.8 V неопасно
CPU Name: Intel® Core™ i7-7740K CPU @ 4.30GHz Motherboard Model: MSI X299 GAMING PRO CARBON AC (MS-7A95) Total Size: 8192 MB Type: Single Channel (64 bit) DDR4-SDRAM Frequency: 2750 MHz - Ratio 1:31 Timings: 21-31-31-63-2 (tCAS-tRC-tRP-tRAS-tCR) Slot #1 Module: G.Skill 8192 MB (DDR4-2137) - XMP 2.0 - P/N: F4-3200C14-8GVR
[img]Ссылка на скрин[/img] Для сбора статистики по установленным чипам памяти просьба прикладывать скрины программы Taiphoon Burner и указывать напряжения на DIMM, IO и SA![/color]
Below are the typical tRFC in ns for the common ICs: IC tRFC (ns) Hynix 8Gb AFR 260 - 280 Hynix 8Gb CJR 260 - 280 Hynix 8Gb DJR 260 - 280 Micron 8Gb Rev. E 280 - 310 Micron 16Gb Rev. B 290 - 310 Samsung 8Gb B-Die 120 - 180 Samsung 8Gb C-Die 300 - 340
Таблица tRFC от Reous v26
#77
Расшифровка чипов, находящихся в модуле памяти у разных производителей
#77
Ревизии печатных плат. A0,A1 или A2 планки, как узнать
#77 #77 #77 #77
Статистика tRCD планок в зависимости от типов чипов
#77 #77 #77 Чем выше вы в вертикальном столбце, тем удачнее планки. Чем интенсивнее цвет, тем выше статистический процент (данные старые,теперь удачнее чипы выходят) На 1 таблице все,что выше красной линии - суперотборники.
Советы по верной тренировке
1.Поднять напряжения на VCCSA и VCCIO. 2.Включить в биосе Round Trip Latency. 3.Для гигабайтов - memory enchancement=normal.
Руководство по разгону памяти для начинающих блондинок
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 24.03.2006 Откуда: Moscow Фото: 263
odvolk10 писал(а):
ODT RTT WR (CHA) [80 DRAM Clock] ODT RTT PARK (CHA) [48 DRAM Clock] ODT RTT NOM (CHA) [0 DRAM Clock] ODT RTT WR (CHB) [80 DRAM Clock] ODT RTT PARK (CHB) [48 DRAM Clock] ODT RTT NOM (CHB) [0 DRAM Clock]
Это не поставлено, все по умолчанию в этой секции. Поставлю.
odvolk10 писал(а):
RRD_S=4/RRD_L=6/FAW=16 с хорошей тренировкой
odvolk10 писал(а):
Round Trip Latency [Enabled] Turn Around Timing Training [Disabled] Rank Margin Tool [Enabled]
Это все выставлено, да.
Сегодня попробую перевернуть кулер, чтобы память была окружена 2 140-ками вместо обдува допвентилем. Все равно мне ХДД ставить, пока без них комп для тестов.
TXP=4, PPD=0 Это надо выставить? Есть такие параметры.
И сделать перетрениворку сбросом биоса в дефлот и настройкой по-новой или не стоит?
Добавлено спустя 5 минут 18 секунд:
al81ru писал(а):
на стабильных 4200@17 при 1.42, 1.2/1.2
Не уверен, что 1,2/1,2 потянет мой проц. Обдув есть памяти? Вода?
Не уверен, что 1,2/1,2 потянет мой проц. Обдув есть памяти? Вода?
Вода, поэтому корпус почти не продувается. На проце 1.4v при 5100. Дополнительного обдува памяти нет, так что при прогоне TM5 температура памяти до 58-59 доходит, поэтому tREFI не стал задирать, сделал x2 от авто - 32774
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 09.11.2019 Откуда: Карелия|СПб
CHiCHo писал(а):
Поставлю.
Ага.
CHiCHo писал(а):
TXP=4, PPD=0
Это надо выставить? Есть такие параметры. Да, лучше сделать сразу.
CHiCHo писал(а):
И сделать перетрениворку сбросом биоса в дефлот и настройкой по-новой или не стоит?
Я бы сбросил биос и заново всё ввёл.
NabiOS писал(а):
Вот эти данные на z390 msi подскажите куда надо внести?
Куда вы стремитесь ввести и сделать всё так, как я говорю другому человеку? Для ваших модулей другие ODT нужны. Какие On-Die Termition ставит вам плата? Вообще можно в авто спокойно оставлять.
Может кому сгодится. Взял для Z490 MSI - Crucial DDR4 16Gb 3600 Mhz pc- 28800 Ballistix Black RGB (BL16G36C16U4BL) . 4100 выставляется в Bios и прекрасно работает. Правда пока одна. Сразу не взял вторую. Под НГ всё пропало.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 13.11.2020 Откуда: Москва
Подскажите прохожу экстрим(3раза уже) прайм 1 верхний самый 30 минут с вкл авх, также large с авх 45 минут. Но линкс 0.9 35000 никак, из 15 продов максимум 14 удавалось, затнм стоп. Ничего неменял - то сразу ошибка, то 2-3 теста. 50 0 47 при 1.34 llc4 , 4000 16 16 16 34 sa/io 1.20 1.15 dram 1.40. Так оставить?
_________________ 13700К / Z790 MSI EDGE DDR4 / F4-4000C16D-32GTRSA / Arctic 420 / palit 4090 OC SSD 980 PRO / Super Flower Leadex SE 1000W / BQ SILENT BASE 802
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 24.03.2006 Откуда: Moscow Фото: 263
odvolk10 писал(а):
Ага.
Перевернул Нокту 14 обратно, теперь первый вентиль обдувает плашки. Косяк - тепловые трубки близко к первой плашке памяти, и греют её, разница при ТМ5 в 4 градуса, на 1,52 В это около 49 гр., на обдуваемой - 45. Плашки поменял местами, забегая вперед - стало хуже.
Выставил ODT как написано - ошибки в течение первых 10 минут( Началось с теста 9, потом 7, потом, 2, 4 в общем, по удаленности, если проходила 9 и 7, то ошибка далее по тесту.
Ни напряжение на драм, ни на ио/са - ничего не добавляло стабильности. Немного увеличивало стабильность WR/RTP 16/8, но ошибки все равно.
Максимально стабильный реузультат получился при снижении CKE до 5, при этом WR/RTP 12/6, WTR_L/S 6/4. Так ошибки возникали позже всего - на 9-10 минуте. Но не более того. Поменяю завтра обратно местами, и верну обратно нокту, как была, просто первый вентиль поставлю на каких-нибудь спейсерах, чтобы он мог зайти на модуль, а для обдува второго изготовлю из прозрачного пластика отражающий экран. И наверное буду воду выбирать, а на память куплю обдув. Только вот не знаю, надо ли. Говорил, не выигрываю я лотерею с железом...
odvolk10 писал(а):
Я бы сбросил биос и заново всё ввёл.
Сбросил при перестановке модулей. Сохранил лимиты, когда биос спросил.
Ставил даже на авто напруги ио/са - это 1,4+/1,5+ в реальности - не помогает стабилизировать. Плашки амно видимо, второй с гскиллом не везет.
Cyborg39rus писал(а):
Есть балансные плашки ОЗУ
Эт че такое?
telogreykin писал(а):
Так оставить?
Если с XMP модулем проходит, то вывод один - снижать разгон памяти. Ну или искать стабильный. Если не проходит с XMP, то то тогда проблема с настройкой частот/напруг проца. Кэп
Подскажите прохожу экстрим(3раза уже) прайм 1 верхний самый 30 минут с вкл авх, также large с авх 45 минут. Но линкс 0.9 35000 никак, из 15 продов максимум 14 удавалось, затнм стоп. Ничего неменял - то сразу ошибка, то 2-3 теста. 50 0 47 при 1.34 llc4 , 4000 16 16 16 34 sa/io 1.20 1.15 dram 1.40. Так оставить?
При разогнанном кэше я бы сначала IO поднял до 1.2 Не обошлось - тогда и всё остальное: 1.44, 1.22/1.22
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 13.11.2020 Откуда: Москва
CHiCHo писал(а):
Если с XMP модулем проходит, то вывод один - снижать разгон памяти. Ну или искать стабильный. Если не проходит с XMP, то то тогда проблема с настройкой частот/напруг проца. Кэп
Хмр профиль я нетрогал
Добавлено спустя 1 минуту 13 секунд:
al81ru писал(а):
При разогнанном кэше я бы сначала IO поднял до 1.2 Не обошлось - тогда и всё остальное: 1.44, 1.22/1.22
Спасибо. Попробую
_________________ 13700К / Z790 MSI EDGE DDR4 / F4-4000C16D-32GTRSA / Arctic 420 / palit 4090 OC SSD 980 PRO / Super Flower Leadex SE 1000W / BQ SILENT BASE 802
Народ,имеется память Gskill TridentZ 3200c14 2x16 и мать z390 Taichi.Данная память гонится только на ср1 и мамксимум на 3900.При попытках поставить ср2 4000 с любыми таймингами и напряжениями нивкакую не хочет стартовать ,что бы я только не делал.Вопрос:я может что то не так делаю или чего то не знаю,но я думаю память может в ср2,и я склонен предполагать что материнка уже не вывозит?Подскажите,вдруг я что то упустил.
Народ,имеется память Gskill TridentZ 3200c14 2x16 и мать z390 Taichi.Данная память гонится только на ср1 и мамксимум на 3900.При попытках поставить ср2 4000 с любыми таймингами и напряжениями нивкакую не хочет стартовать ,что бы я только не делал.Вопрос:я может что то не так делаю или чего то не знаю,но я думаю память может в ср2,и я склонен предполагать что материнка уже не вывозит?Подскажите,вдруг я что то упустил.
Текущий вариант и так крутой, я бы его оставил, если напряжения при этом вменяемые.
Для 4000+ скорее всего RTL слишком затянут. Попробуй RTL Init=69 при tCL=16
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения