AMT - Asus MemTweakit Asus MemTweakIt 2.02.44 При настройке памяти в BIOS ставим ОБЯЗАТЕЛЬНО MRC Fast boot=disable (включаем при этом режим тонкой тренировки, если же выставим enable, то включаем режим грубой тренировки). Оптимально при разгоне памяти использовать в биосе множитель памяти 133, а не авто или 100, что даст возможность создать комфортные условия для контроллера памяти в процессоре и снизить напряжения ио и са ! Недаром в Jedec шаг между спидбинами именно 133, а не 100! Для плат с Alder Lake напряжения VDD и VDDQ на память могут отличаться не больше, чем на 300 мВ. Для плат на основе логики z690 и b660: VDD>VDDQ VDDQ>=VDD-300mV(0.3V) Лучше на VDDQ не превышать 1.25V. Вполне возможно 1.30V. MSI дает зазор до 1.40V. Для таймингов должно выполняться требование: _dr=_dd
Разгон памяти у современной DDR4 (16 банков,RRDS=4,FAW=16,BL=8) эффективен только при tRC<=64,если каждый новый блок чтения происходит с разных банков памяти. Для 4-х слотовых плат при разгоне желательно в биосе отключить неиспользуемые слоты. Для максимальной производительности памяти значение tRFC в тактах для 8-Гбитных чипов должно быть кратно 8,а для 16-Гбитных чипов - 16. Если это правило не соблюдать, то будут вставлены лишние такты при каждом цикле обновления памяти. Для желающих максимально снизить tRFC. Делим tRFC на сумму tRCD,tRTP и tRP. Если результат ближе к 4, то снижать tRFC можно по 4 такта. Если результат ближе к 2, то снижать tRFC можно по 2 такта. Это связано с тем, что обновление происходит субмассивами, которые обязательно кратны 2.
Новая информация по tRAS
Чтение с модуля памяти у DDR4 происходит блоками. Минимальный блок сейчас составляет 64 байта, что связано с размером строки кэша у процессора. Этот блок может считываться как с одного банка, так и с разных. tRAS=tRCD+tRTP (при считывании 8 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+4 (при считывании 16 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+8 (считывание 24 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+12 (при считывании 32 байт с одного банка). Самый верный выбор для DDR4! tRAS=tRCD+tRTP+16 (считывание 40 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+20 (считывание 48 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+24 (считывание 56 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+28 (при считывании 64 байт с одного банка) Для DDR4 оптимальным выбором является 4-й или последний вариант. Но если выставить tRAS меньше, то ничего трагичного не произойдет, так как джедек придумала предохранитель (tRTP), поэтому можно не заморачиваться и выставлять минимальный tRAS (=tRCD+tRTP).
Напряжения на процессоре при разгоне памяти
SA- безопасный уровень (по данным MSI) 1.35, растет от частоты памяти и зависит от подключенной периферии к PCIE, чем больше скорость видеокарты и NVME-диска, тем выше нужно напряжение. IO (для Z590 =IO2, а просто IO можно оставлять в авто, для Z690=IVR DDQ)- обычно хорошо работает если на 50 мВ ниже SA, но чем ниже, тем лучше, стараться максимально снижать. Тоже растет с ростом частоты памяти. Для ориентира при настройке всегда рекомендую глянуть, что за напряжения SA и IO выставляет материнка в авто.
Для начала тезисно несколько правил «успешного разгона и установки памяти»:
1. Ни в коем случае не используем XMP профили – этот режим протестирован на совместимость, но не даёт оптимальную производительность. Поскольку заводская настройка не блещет идеальным подбором, можно получить до 20-25% производительности дополнительно, вручную настраивая тайминги и напряжения. Также XMP режим чреват завышениями вольтажа самой память и контроллера памяти\SOC. 2. Правильная установка модулей – А2 (для одного модуля), A2B2 (для двух модулей). 3. Самый лучший разгон по частоте достигается при использовании одного модуля, при наличии двух планок максимальная частота лишь немного хуже. У четырёх – либо хуже (на устаревающем LGA2011-3) либо такой же или лучше (LGA2066), которые могут стабильно работать с 4мя модулями на 4000CL16. 4. Если используется два модуля, то худший модуль (требующий бОльшего напряжения для стабильного разгона) должен стоять ближе к процессору в слоте A2. 5. Перед настройкой частоты и таймингов памяти отключить подсветку модулей памяти - т.к. это даёт лишний нагрев.
УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ГАЙД ПО НАСТРОЙКЕ от Agiliter
Универсальный гайд. 0. Устраните любые потенциальные проблемы с другим железом. Снимите разгон с видеокарты, снизьте частоту цп на 300 с сохранением напряжения. Не забудьте вернуть RTL в авто если сейчас не авто. 1. Крутим очень короткий мемтест, то есть если минуту живёт сразу снижать тайминг дальше. Ищите не стабильность, а явно сбойное значение тайминга, запишите его - пригодится. Гораздо проще найти явно нерабочее значение и от него плясать чем пытаться ловить нестабильность часами. Это также помогает диагностировать сбойные тайминги на ранее "стабильной памяти". Не пытайтесь найти предельные значение сразу. Сначала скрутите до +2 от минимально стабильного. Многие тайминги идут параллельно поэтому бессмысленно пытаться скрутить до упора с первого прохода. CR выставить на 2 если стоит 1. В самом конце можно попробовать скинуть до 1. 3 Ставить только на очень большую частоту или если по другому ну совсем никак.
Начните с RCD, CL. Не обязательно должны быть одинаковыми, обычно CL идёт меньше чем RCD. RAS сразу пробуйте как RCD+CL+4, до этого значения от него существенная разница, дальше меньше. CWL<=CL. Допустимые значения 9,10,11,12,14,16,18,20. RP можете выставить по RCD, если пойдёт меньше - тоже неплохо, не уверен правда насчёт смысла. RTP без формул. Если не идёт вниз можно попробовать поднять чуть чуть RP. В DDR4 явно связан с WR соотношением 2 к 1 (например WR20\RTP10), физически хранится одно значения и в зависимости от операции интерпретируется. Скрутите FAW до 16(так и оставьте если работает). С таким FAW скручивайте RRD(оба, L обычно больше чем S), возможно поедут на 4 оба. Если до 4 не удалось спустить поднимите FAW до уровня RRDL*4 и попробуйте ещё, хотя это скорее всего уже почти предел. Обычно L>=S. L - SG(Same Group). S - DG(Different Group) Напр. RRD_L>=RRD_S. CKE=5 СCDL>=4 RDRD_DD и прочие подобные можно проигнорировать если у вас нет двух планок на один канал (4 планки). DD-Different Dimm. Тоже самое с DR-Different Rank если у вас одноранговая память. RDWR_SG(DG) и подобные сочетания скручивайте до минимальных рабочих, потом накиньте сверху +2. Как уже отметил обычно SG>=DG. WTR не трогайте он сам спустится когда будете скидывать WRRD_SG(DG) и прочие подобные. Если сам меньше не стал тогда руками скидывать. WR снижать через WRPRE если есть. Если нет или не снижает WR, То скрутите его скажем до 12 или +4 от рабочего, потом дожмёте если не лень будет. RFC явных формул нет, крутить после всего списка сверху. Не пытайтесь найти его минимальное значение если не хотите чтобы память начинала сыпать ошибками от любого чиха. найдите пограничное со стабильностью значение и накиньте сверху 20 или сразу 40. Может реагировать на RAS+RP, RRD, FAW, причём в обе стороны (то есть может "сломаться" если задрать названные), а может и не реагировать... REFi больше лучше. Связан с RFC. REFI сколько память "работает" - RFC сколько "отдыхает". Оба тайминга лучше не пытаться найти предельное значение.Заметно реагируют на температуру. Многие тайминги отзываются и на температуру и на напряжение. Поскольку напряжение может как позволить снизить тайминг, так и увеличить температуру, то середину можно искать очень долго, поэтому лучше бы вовремя остановится. Тестируйте тщательно с перезагрузками, сном, холодным стартом. RTL и IOL вам кто-то другой пусть советует как настраивать, от них у меня голова болеть начинает...
tRASmin=tCL+tRCD+2 WTRS/L устанавливаются в биосе через WRRDdg/sg согласно формуле: WRRD_sg=6+CWL+WTR_L WRRD_dg=6+CWL+WTR_S WR - через WRPRE (для матплат ASUS): WRPRE=4+CWL+WR RTP - через RDPRE (для матплат ASUS) RDPRE=RTP
VDDDQ=1.5 V max по Jedec VrefCA=0.6xVDDDQ=0.9 V (max по Jedec), в даташите контроллера интел тоже разрешено максимальное vrefca=0.6xVdddq. То есть при обычной настройке биоса, когда VrefCA=0.5xVDDDQ, VDRAM<=1.8 V, чтобы уложиться в нормы по Jedec. А если при этом в биосе настроить vrefca=0.49xvdddq (разрешено по Jedec), то безопасное Vdram может быть еще выше=1.837 V. Вывод: для контроллера процессора напряжение на память <=1.8 V неопасно
CPU Name: Intel® Core™ i7-7740K CPU @ 4.30GHz Motherboard Model: MSI X299 GAMING PRO CARBON AC (MS-7A95) Total Size: 8192 MB Type: Single Channel (64 bit) DDR4-SDRAM Frequency: 2750 MHz - Ratio 1:31 Timings: 21-31-31-63-2 (tCAS-tRC-tRP-tRAS-tCR) Slot #1 Module: G.Skill 8192 MB (DDR4-2137) - XMP 2.0 - P/N: F4-3200C14-8GVR
[img]Ссылка на скрин[/img] Для сбора статистики по установленным чипам памяти просьба прикладывать скрины программы Taiphoon Burner и указывать напряжения на DIMM, IO и SA![/color]
Below are the typical tRFC in ns for the common ICs: IC tRFC (ns) Hynix 8Gb AFR 260 - 280 Hynix 8Gb CJR 260 - 280 Hynix 8Gb DJR 260 - 280 Micron 8Gb Rev. E 280 - 310 Micron 16Gb Rev. B 290 - 310 Samsung 8Gb B-Die 120 - 180 Samsung 8Gb C-Die 300 - 340
Таблица tRFC от Reous v26
#77
Расшифровка чипов, находящихся в модуле памяти у разных производителей
#77
Ревизии печатных плат. A0,A1 или A2 планки, как узнать
#77 #77 #77 #77
Статистика tRCD планок в зависимости от типов чипов
#77 #77 #77 Чем выше вы в вертикальном столбце, тем удачнее планки. Чем интенсивнее цвет, тем выше статистический процент (данные старые,теперь удачнее чипы выходят) На 1 таблице все,что выше красной линии - суперотборники.
Советы по верной тренировке
1.Поднять напряжения на VCCSA и VCCIO. 2.Включить в биосе Round Trip Latency. 3.Для гигабайтов - memory enchancement=normal.
Руководство по разгону памяти для начинающих блондинок
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 09.11.2019 Откуда: Карелия|СПб
anta777, на асус платах я бы выставлял tCWL на 2 ниже, если tCL чётный, а tRDWR=tCL-tCWL+9. Кратко говоря: tCL-tCWL-tRDWR 16-14-11 - идеально по мне; 15-14-10 - также идеально; 16-16-9 - может банально не работать (не понял почему до сих пор); 16-16-10 - всегда работает. Просто если искать соотношения тактов-разброса, то именно 16-14-11 является оптимальным, чем 16-16-10, но если работает 16-16-9, то это ещё лучше.
По поводу tRAS: Честно, не увидел различий, tRAS=tCL+tRCD+4 или tRAS=tCL+tRCD+2, стабильно и там и там, вылетов не обнаружил. Но знаю, что в SuperPi будет быстрее minRAS=28 for Intel 1151+, но в повседневе этого не нужно, а также может вызывать нестабильность.
mcbobo, можно пробовать 16-15-15-33(35) потом. Мы же вообще 4200CL15 пробовали. До 1.55 не идёт?
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 05.08.2009 Откуда: Москва
odvolk10 я так понял все упирается в нагрев у меня. Праздники долгие) может и cl15 заведу все таки. Нашёл что даёт у меня нестабильность на этих планках
Обновил мать + проц после ryzen 1600af. В соседней теме по амд выяснилось что память моя гонится только при указания профиля samsung OEM. Если выставляю в калькуляторе 3600 - пишет что не поддерживается. По интелу вообще ничего не понятно. Память мусор или можно как то 3600 взять на ней?
_________________ Intel i5-10600KF stock/ASUS PRIME Z490-P/Crucial Ballistix White BL16G36C16U4W 32gb 3600mhz CL16/MSI GeForce RTX 3060 Ti TRIO X
А откуда нам знать? Пробовать гнать и там уже разбираться. На зен всегда хуже память гонится, даже чем на том зен2, на интеле проще взять частоту. Находите таблицу анты и пытайтесь ехать выше. Особо сложного там ничего нет.
Ребята есть смысл оставаться на 3200, чтоб не возиться с подбором напряжением на контроллер памяти на бюджетной плате , которая не особо хочет брать высокие частоты без танцев с бубном? Получу я хоть какой нибудь профит в играх от 3700
Я помню что задержки памяти на 9600kf у меня на 3700 16-19-19-39 1t были выше чем на 3200 14-17-17-35 1t По флопсам вроде тоже все норм 500гфлопс , а TM5 с профилем Анта extreme тоже без проблем проходит как на прошлом 9600kf.
Куратор темы Статус: Не в сети Регистрация: 10.06.2011
Любая память имеет предельные значения таймингов при определенном напряжении и температуре. Наша задача при разгоне - найти эти значения, а затем подобрать максимальную рабочую частоту памяти с этими значениями. Это если кратко. Проще- нужно найти минимальные стабильные первички для нашей памяти, пересчитать их в нс, затем пересчитывать их для новой частоты так, чтобы их не превышать.
Добавлено спустя 2 минуты 10 секунд: Для многих чипов памяти уже давно на практике найдены стабильные первички. Для микрон e-die стабильное tRCD при вменяемом напряжении -10-10.5 нс. Самсунг b-die - 8 нс и ниже.
Добавлено спустя 4 минуты 21 секунду: Для tCL есть калькулятор для разных напряжений. https://www.desmos.com/calculator/psisrpx3oh?lang=ru Им можно воспользоваться для ориентира, зная предельное значение при заданном напряжении. Но tCL и tRCD линейно зависят от напряжения фактически только для самсунг b-die. Для других чипов повышение напряжения позволяет снизить только tCL, а tRCD остается прежним.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 13.05.2010 Откуда: Россия, Карелия Фото: 55
Подскажи е, по какой причине после изменения и сохранения настроек памяти, они не применяются. Ну т.е. я ради эксперимента рандомно поставил 4400 (один из профилей "try it" последнего биоса msi unify). А сейчас уже поставил и сохранил более детальные настройки, но система все равно показывает, что у меня память на 4400 со старыми таймингами и напугали. Подскажите пожалуйста, что блокирует?
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 05.08.2009 Откуда: Москва
odvolk10 писал(а):
можно пробовать 16-15-15-33(35) потом. Мы же вообще 4200CL15 пробовали. До 1.55 не идёт?
Поехала память на 15-16-16-33, при 1.565 (15-15-15-32 дефолт проходит, на экстрим сыпется минут через 20-30, наверное, если ещё задрать напряжение будет норм)
Но, имхо, лучше оставлю 16-16-16-34 при 1.48 на каждый день
CHiCHo писал(а):
Колись же!
В моём случае настройка ODT помогла. ODT RTT WR (CHA) [80 DRAM Clock] ODT RTT PARK (CHA) [40 DRAM Clock] ODT RTT NOM (CHA) [0 DRAM Clock] ODT RTT WR (CHB) [80 DRAM Clock] ODT RTT PARK (CHB) [40 DRAM Clock] ODT RTT NOM (CHB) [0 DRAM Clock]
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 13.05.2010 Откуда: Россия, Карелия Фото: 55
anta777 сбросил, загрузил профиль с настройками памяти на обнуление биос, теперь память висит на дефолтных 2133, как с момента установки, разгон не применяется. Кажись это какая-то msi фишка.
Сейчас этот форум просматривают: rulik006 и гости: 16
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения