AMT - Asus MemTweakit Asus MemTweakIt 2.02.44 При настройке памяти в BIOS ставим ОБЯЗАТЕЛЬНО MRC Fast boot=disable (включаем при этом режим тонкой тренировки, если же выставим enable, то включаем режим грубой тренировки). Оптимально при разгоне памяти использовать в биосе множитель памяти 133, а не авто или 100, что даст возможность создать комфортные условия для контроллера памяти в процессоре и снизить напряжения ио и са ! Недаром в Jedec шаг между спидбинами именно 133, а не 100! Для плат с Alder Lake напряжения VDD и VDDQ на память могут отличаться не больше, чем на 300 мВ. Для плат на основе логики z690 и b660: VDD>VDDQ VDDQ>=VDD-300mV(0.3V) Лучше на VDDQ не превышать 1.25V. Вполне возможно 1.30V. MSI дает зазор до 1.40V. Для таймингов должно выполняться требование: _dr=_dd
Разгон памяти у современной DDR4 (16 банков,RRDS=4,FAW=16,BL=8) эффективен только при tRC<=64,если каждый новый блок чтения происходит с разных банков памяти. Для 4-х слотовых плат при разгоне желательно в биосе отключить неиспользуемые слоты. Для максимальной производительности памяти значение tRFC в тактах для 8-Гбитных чипов должно быть кратно 8,а для 16-Гбитных чипов - 16. Если это правило не соблюдать, то будут вставлены лишние такты при каждом цикле обновления памяти. Для желающих максимально снизить tRFC. Делим tRFC на сумму tRCD,tRTP и tRP. Если результат ближе к 4, то снижать tRFC можно по 4 такта. Если результат ближе к 2, то снижать tRFC можно по 2 такта. Это связано с тем, что обновление происходит субмассивами, которые обязательно кратны 2.
Новая информация по tRAS
Чтение с модуля памяти у DDR4 происходит блоками. Минимальный блок сейчас составляет 64 байта, что связано с размером строки кэша у процессора. Этот блок может считываться как с одного банка, так и с разных. tRAS=tRCD+tRTP (при считывании 8 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+4 (при считывании 16 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+8 (считывание 24 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+12 (при считывании 32 байт с одного банка). Самый верный выбор для DDR4! tRAS=tRCD+tRTP+16 (считывание 40 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+20 (считывание 48 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+24 (считывание 56 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+28 (при считывании 64 байт с одного банка) Для DDR4 оптимальным выбором является 4-й или последний вариант. Но если выставить tRAS меньше, то ничего трагичного не произойдет, так как джедек придумала предохранитель (tRTP), поэтому можно не заморачиваться и выставлять минимальный tRAS (=tRCD+tRTP).
Напряжения на процессоре при разгоне памяти
SA- безопасный уровень (по данным MSI) 1.35, растет от частоты памяти и зависит от подключенной периферии к PCIE, чем больше скорость видеокарты и NVME-диска, тем выше нужно напряжение. IO (для Z590 =IO2, а просто IO можно оставлять в авто, для Z690=IVR DDQ)- обычно хорошо работает если на 50 мВ ниже SA, но чем ниже, тем лучше, стараться максимально снижать. Тоже растет с ростом частоты памяти. Для ориентира при настройке всегда рекомендую глянуть, что за напряжения SA и IO выставляет материнка в авто.
Для начала тезисно несколько правил «успешного разгона и установки памяти»:
1. Ни в коем случае не используем XMP профили – этот режим протестирован на совместимость, но не даёт оптимальную производительность. Поскольку заводская настройка не блещет идеальным подбором, можно получить до 20-25% производительности дополнительно, вручную настраивая тайминги и напряжения. Также XMP режим чреват завышениями вольтажа самой память и контроллера памяти\SOC. 2. Правильная установка модулей – А2 (для одного модуля), A2B2 (для двух модулей). 3. Самый лучший разгон по частоте достигается при использовании одного модуля, при наличии двух планок максимальная частота лишь немного хуже. У четырёх – либо хуже (на устаревающем LGA2011-3) либо такой же или лучше (LGA2066), которые могут стабильно работать с 4мя модулями на 4000CL16. 4. Если используется два модуля, то худший модуль (требующий бОльшего напряжения для стабильного разгона) должен стоять ближе к процессору в слоте A2. 5. Перед настройкой частоты и таймингов памяти отключить подсветку модулей памяти - т.к. это даёт лишний нагрев.
УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ГАЙД ПО НАСТРОЙКЕ от Agiliter
Универсальный гайд. 0. Устраните любые потенциальные проблемы с другим железом. Снимите разгон с видеокарты, снизьте частоту цп на 300 с сохранением напряжения. Не забудьте вернуть RTL в авто если сейчас не авто. 1. Крутим очень короткий мемтест, то есть если минуту живёт сразу снижать тайминг дальше. Ищите не стабильность, а явно сбойное значение тайминга, запишите его - пригодится. Гораздо проще найти явно нерабочее значение и от него плясать чем пытаться ловить нестабильность часами. Это также помогает диагностировать сбойные тайминги на ранее "стабильной памяти". Не пытайтесь найти предельные значение сразу. Сначала скрутите до +2 от минимально стабильного. Многие тайминги идут параллельно поэтому бессмысленно пытаться скрутить до упора с первого прохода. CR выставить на 2 если стоит 1. В самом конце можно попробовать скинуть до 1. 3 Ставить только на очень большую частоту или если по другому ну совсем никак.
Начните с RCD, CL. Не обязательно должны быть одинаковыми, обычно CL идёт меньше чем RCD. RAS сразу пробуйте как RCD+CL+4, до этого значения от него существенная разница, дальше меньше. CWL<=CL. Допустимые значения 9,10,11,12,14,16,18,20. RP можете выставить по RCD, если пойдёт меньше - тоже неплохо, не уверен правда насчёт смысла. RTP без формул. Если не идёт вниз можно попробовать поднять чуть чуть RP. В DDR4 явно связан с WR соотношением 2 к 1 (например WR20\RTP10), физически хранится одно значения и в зависимости от операции интерпретируется. Скрутите FAW до 16(так и оставьте если работает). С таким FAW скручивайте RRD(оба, L обычно больше чем S), возможно поедут на 4 оба. Если до 4 не удалось спустить поднимите FAW до уровня RRDL*4 и попробуйте ещё, хотя это скорее всего уже почти предел. Обычно L>=S. L - SG(Same Group). S - DG(Different Group) Напр. RRD_L>=RRD_S. CKE=5 СCDL>=4 RDRD_DD и прочие подобные можно проигнорировать если у вас нет двух планок на один канал (4 планки). DD-Different Dimm. Тоже самое с DR-Different Rank если у вас одноранговая память. RDWR_SG(DG) и подобные сочетания скручивайте до минимальных рабочих, потом накиньте сверху +2. Как уже отметил обычно SG>=DG. WTR не трогайте он сам спустится когда будете скидывать WRRD_SG(DG) и прочие подобные. Если сам меньше не стал тогда руками скидывать. WR снижать через WRPRE если есть. Если нет или не снижает WR, То скрутите его скажем до 12 или +4 от рабочего, потом дожмёте если не лень будет. RFC явных формул нет, крутить после всего списка сверху. Не пытайтесь найти его минимальное значение если не хотите чтобы память начинала сыпать ошибками от любого чиха. найдите пограничное со стабильностью значение и накиньте сверху 20 или сразу 40. Может реагировать на RAS+RP, RRD, FAW, причём в обе стороны (то есть может "сломаться" если задрать названные), а может и не реагировать... REFi больше лучше. Связан с RFC. REFI сколько память "работает" - RFC сколько "отдыхает". Оба тайминга лучше не пытаться найти предельное значение.Заметно реагируют на температуру. Многие тайминги отзываются и на температуру и на напряжение. Поскольку напряжение может как позволить снизить тайминг, так и увеличить температуру, то середину можно искать очень долго, поэтому лучше бы вовремя остановится. Тестируйте тщательно с перезагрузками, сном, холодным стартом. RTL и IOL вам кто-то другой пусть советует как настраивать, от них у меня голова болеть начинает...
tRASmin=tCL+tRCD+2 WTRS/L устанавливаются в биосе через WRRDdg/sg согласно формуле: WRRD_sg=6+CWL+WTR_L WRRD_dg=6+CWL+WTR_S WR - через WRPRE (для матплат ASUS): WRPRE=4+CWL+WR RTP - через RDPRE (для матплат ASUS) RDPRE=RTP
VDDDQ=1.5 V max по Jedec VrefCA=0.6xVDDDQ=0.9 V (max по Jedec), в даташите контроллера интел тоже разрешено максимальное vrefca=0.6xVdddq. То есть при обычной настройке биоса, когда VrefCA=0.5xVDDDQ, VDRAM<=1.8 V, чтобы уложиться в нормы по Jedec. А если при этом в биосе настроить vrefca=0.49xvdddq (разрешено по Jedec), то безопасное Vdram может быть еще выше=1.837 V. Вывод: для контроллера процессора напряжение на память <=1.8 V неопасно
CPU Name: Intel® Core™ i7-7740K CPU @ 4.30GHz Motherboard Model: MSI X299 GAMING PRO CARBON AC (MS-7A95) Total Size: 8192 MB Type: Single Channel (64 bit) DDR4-SDRAM Frequency: 2750 MHz - Ratio 1:31 Timings: 21-31-31-63-2 (tCAS-tRC-tRP-tRAS-tCR) Slot #1 Module: G.Skill 8192 MB (DDR4-2137) - XMP 2.0 - P/N: F4-3200C14-8GVR
[img]Ссылка на скрин[/img] Для сбора статистики по установленным чипам памяти просьба прикладывать скрины программы Taiphoon Burner и указывать напряжения на DIMM, IO и SA![/color]
Below are the typical tRFC in ns for the common ICs: IC tRFC (ns) Hynix 8Gb AFR 260 - 280 Hynix 8Gb CJR 260 - 280 Hynix 8Gb DJR 260 - 280 Micron 8Gb Rev. E 280 - 310 Micron 16Gb Rev. B 290 - 310 Samsung 8Gb B-Die 120 - 180 Samsung 8Gb C-Die 300 - 340
Таблица tRFC от Reous v26
#77
Расшифровка чипов, находящихся в модуле памяти у разных производителей
#77
Ревизии печатных плат. A0,A1 или A2 планки, как узнать
#77 #77 #77 #77
Статистика tRCD планок в зависимости от типов чипов
#77 #77 #77 Чем выше вы в вертикальном столбце, тем удачнее планки. Чем интенсивнее цвет, тем выше статистический процент (данные старые,теперь удачнее чипы выходят) На 1 таблице все,что выше красной линии - суперотборники.
Советы по верной тренировке
1.Поднять напряжения на VCCSA и VCCIO. 2.Включить в биосе Round Trip Latency. 3.Для гигабайтов - memory enchancement=normal.
Руководство по разгону памяти для начинающих блондинок
Оптимальные частоты памяти можно найти на сайте своей платы, но они для тех, кто гонит не через шину.
Вот только целые числа и стоят. 4600 пропущено, 4500 тоже, хммм. Шина же гуляет так и так, если даже в 100 стоит, тогда не совсем понимаю как лучше поступить.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 09.11.2019 Откуда: Карелия|СПб
anta777 писал(а):
Тайминги _MR должны = тем же таймингам без суффикса MR.
Ну вообще не обязательно, это же тайминги для той тренировки, если обычные не подошли, их даже можно в авто оставлять, но я всегда ставлю аналогичным без _MR.
anta777 писал(а):
tXP=4 для красоты
Тут чисто да, я вообще оставляю так (для tCL=16 и tWR=12):
Ну а здесь я обычно отталкиваюсь от стабильности и тестов (что лучше, то и оставляю). Как правило это 12 или 16, 2 варианта, 14 и 18 не ставлю.
anta777 писал(а):
Да, но я рекомендую настраивать память на такую частоту, где tCL=16, а не 17.
Чтобы был шире tRCD+tRAS для tRC? 4400 17-17 приятно на 1.42-1.45В, чем 16-16 на 1.52-1.54. На самом деле 1CL=266MHz по моим многократным тестам производительности, по вольтажу также или +5-10мВ, если память нормальная и одинаковое скалирование идёт.
Добавлено спустя 3 минуты 24 секунды:
KaBooo писал(а):
Хотел бы ещё уточнить по поводу частоты. Есть ли рекомендация, где надо придерживаться частоты: 4000, 4066,4200 и т.д? Или же можно свободно выбирать, условно 4350 или же там 4376? Спрашиваю т.к гоню через шину.
Если 4500 17-17 действительно 1.45В (что не мыслимо), то пробовать 4266 частоту + шину 102.8, 102.9 не рекомендую, т.к. может отваливаться. Там должно быть что-то около 4380 и 16-16-16-36 либо 16-17-17-37 на 1.5-1.51В должно получится, меньше навряд ли.
Добавлено спустя 6 минут 9 секунд: fedx, поправь шапку, ссылка на асрок не актуально, твикер устарел. Если интересно, забери с архива программы: Программы для настройки системы после разгона P.S. Может кому также интересно, всё собрано последних версий и очень много всего полезного.
Куратор темы Статус: Не в сети Регистрация: 10.06.2011
Я считаю = таймингов с mr и без mr обязательным, в авто лучше ничего не выставлять tCL=16, а не 17, так как нечетные значения чаще дают нестабильность, не учитывая снижения производительности при нечетном tCL (если система настроена верно), про что уже сто раз было написано.
Да, так. С нагрузкой на карту экстрим проходил неоднократно. При простом прохождении экстрима 43-45 градусов, если с видяхой, то может и до 54 дойти, от жары в комнате зависит. Можно вольтаж выше ставить, он там особо не греет пока у меня, до 1.5 так точно. Пока у меня что есть из готового - 4250. Переделаю мб в 4266,если же шиной ровно получится, хотя вряд-ли. Могу и 4300 попробовать сделать, оно тоже едет 16 16, но я без понятия что там по шине получается, если с 4200 начинать.
Добавлено спустя 1 минуту 27 секунд:
odvolk10 писал(а):
102.9
У меня так выходит где-то 4260 как раз, но отвала нет при 102.95.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 09.11.2019 Откуда: Карелия|СПб
anta777 писал(а):
Я считаю = таймингов с mr и без mr обязательным, в авто лучше ничего не выставлять
Ну это да, я тоже за это дело, а по опыту - разницы не заметил, что в авто, что ручное, равное основному.
anta777 писал(а):
tCL=16, а не 17, так как нечетные значения чаще дают нестабильность, не учитывая снижения производительности при нечетном tCL (если система настроена верно), про что уже сто раз было написано.
Ну сам же понимаешь, что нормальная память будет работать при любых таймингах. У меня были тут недавно дуалы, которые 4400 17-19 1.46В могли, но 4400 16-19/16-18/16-20 даже на 1.6В не смогли, хотя за 1CL~90-110mV скалирование на одной частоте.
Добавлено спустя 1 минуту 58 секунд: KaBooo, 103.00 даже не запустится, я всегда советую 102.8 шину, она всегда была стабильно, очень много где проверено, 102.9 у кого-то работает, у кого-то нет, нет смысла за 3-6МГц бросаться ради потери стабильности и потерянного времени. 102.8 для процов нонК и давить в пол, я бы попробовать ~4380 с 16-16 или 16-17.
Я бы поехал, но у меня тут баг ща скрин покажу, я уже скидывал сюда. Найди отличия) это конечно рандом лютый. И вообще не понятно что на это влияет. Рандомит причём в разное время, а может и все ок быть. От температур не зависит 100% от вольтажа(только поднимал), но одно пальто.
Куратор темы Статус: Не в сети Регистрация: 10.06.2011
iskandar писал(а):
[quote="anta777" И я считаю, что лучше выставлять tWR>=tCL.[/quote Тут я не согласен, но нужно ещё на стабильность проверять.
Ваше согласие меня не интересует. Изучайте, что такое tWR и что такое tCL. Правда, у блондинок электроны могут бегать с разной скоростью в зависимости от их желания, но в реальной жизни так не бывает.
Добавлено спустя 26 минут 20 секунд: Просто у вас истинный tWR совсем не тот, что стоит в биосе. Для ваших настроек реальный tWR = вашему tWR+5.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 25.03.2016 Откуда: Липецк Фото: 72
anta777 писал(а):
Изучайте, что такое tWR и что такое tCL. Правда, у блондинок электроны могут бегать с разной скоростью в зависимости от их желания, но в реальной жизни так не бывает. Просто у вас истинный tWR совсем не тот, что стоит в биосе. Для ваших настроек реальный tWR = вашему tWR+5.
Для меня биос - чёрный ящик. Мне не обязательно знать в мельчайших деталях, как работает random-access memory. Мне важно, как это работает в комплексе. Что с чем связано и как что настраивать. Потому от электронов я на этом этапе абстрагируюсь и буду про них вспоминать только когда кручу напряжения и приглядываю за температурой и мощностью. Проблема в том, что гайды по настройке DDR4 неполны и несколько противоречивы.
В Вашей же табличке tWR рекомендовалось снижать аж до 12 Я его снижаю и результаты в тесте в CPU PhotoWorxx прилично растут. Ставлю 18 и результаты падают. Это объективно.
У меня 2 критерия правильности настройки: 1. отсутствие ошибок памяти в разных тестах 2. производительность памяти в разных тестах
_________________ i5-10600KF, MSI Z490-A Pro, NH-D15, 2 x BL16G30C15U4B.M16FE1, MSI GF GTX960Gaming2G, Samsung 970 EVO Plus 500GB, FD Define S, FD Ion+Platinum560W
Сейчас этот форум просматривают: TuMko, ubnt2020 и гости: 16
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения