AMT - Asus MemTweakit Asus MemTweakIt 2.02.44 При настройке памяти в BIOS ставим ОБЯЗАТЕЛЬНО MRC Fast boot=disable (включаем при этом режим тонкой тренировки, если же выставим enable, то включаем режим грубой тренировки). Оптимально при разгоне памяти использовать в биосе множитель памяти 133, а не авто или 100, что даст возможность создать комфортные условия для контроллера памяти в процессоре и снизить напряжения ио и са ! Недаром в Jedec шаг между спидбинами именно 133, а не 100! Для плат с Alder Lake напряжения VDD и VDDQ на память могут отличаться не больше, чем на 300 мВ. Для плат на основе логики z690 и b660: VDD>VDDQ VDDQ>=VDD-300mV(0.3V) Лучше на VDDQ не превышать 1.25V. Вполне возможно 1.30V. MSI дает зазор до 1.40V. Для таймингов должно выполняться требование: _dr=_dd
Разгон памяти у современной DDR4 (16 банков,RRDS=4,FAW=16,BL=8) эффективен только при tRC<=64,если каждый новый блок чтения происходит с разных банков памяти. Для 4-х слотовых плат при разгоне желательно в биосе отключить неиспользуемые слоты. Для максимальной производительности памяти значение tRFC в тактах для 8-Гбитных чипов должно быть кратно 8,а для 16-Гбитных чипов - 16. Если это правило не соблюдать, то будут вставлены лишние такты при каждом цикле обновления памяти. Для желающих максимально снизить tRFC. Делим tRFC на сумму tRCD,tRTP и tRP. Если результат ближе к 4, то снижать tRFC можно по 4 такта. Если результат ближе к 2, то снижать tRFC можно по 2 такта. Это связано с тем, что обновление происходит субмассивами, которые обязательно кратны 2.
Новая информация по tRAS
Чтение с модуля памяти у DDR4 происходит блоками. Минимальный блок сейчас составляет 64 байта, что связано с размером строки кэша у процессора. Этот блок может считываться как с одного банка, так и с разных. tRAS=tRCD+tRTP (при считывании 8 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+4 (при считывании 16 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+8 (считывание 24 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+12 (при считывании 32 байт с одного банка). Самый верный выбор для DDR4! tRAS=tRCD+tRTP+16 (считывание 40 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+20 (считывание 48 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+24 (считывание 56 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+28 (при считывании 64 байт с одного банка) Для DDR4 оптимальным выбором является 4-й или последний вариант. Но если выставить tRAS меньше, то ничего трагичного не произойдет, так как джедек придумала предохранитель (tRTP), поэтому можно не заморачиваться и выставлять минимальный tRAS (=tRCD+tRTP).
Напряжения на процессоре при разгоне памяти
SA- безопасный уровень (по данным MSI) 1.35, растет от частоты памяти и зависит от подключенной периферии к PCIE, чем больше скорость видеокарты и NVME-диска, тем выше нужно напряжение. IO (для Z590 =IO2, а просто IO можно оставлять в авто, для Z690=IVR DDQ)- обычно хорошо работает если на 50 мВ ниже SA, но чем ниже, тем лучше, стараться максимально снижать. Тоже растет с ростом частоты памяти. Для ориентира при настройке всегда рекомендую глянуть, что за напряжения SA и IO выставляет материнка в авто.
Для начала тезисно несколько правил «успешного разгона и установки памяти»:
1. Ни в коем случае не используем XMP профили – этот режим протестирован на совместимость, но не даёт оптимальную производительность. Поскольку заводская настройка не блещет идеальным подбором, можно получить до 20-25% производительности дополнительно, вручную настраивая тайминги и напряжения. Также XMP режим чреват завышениями вольтажа самой память и контроллера памяти\SOC. 2. Правильная установка модулей – А2 (для одного модуля), A2B2 (для двух модулей). 3. Самый лучший разгон по частоте достигается при использовании одного модуля, при наличии двух планок максимальная частота лишь немного хуже. У четырёх – либо хуже (на устаревающем LGA2011-3) либо такой же или лучше (LGA2066), которые могут стабильно работать с 4мя модулями на 4000CL16. 4. Если используется два модуля, то худший модуль (требующий бОльшего напряжения для стабильного разгона) должен стоять ближе к процессору в слоте A2. 5. Перед настройкой частоты и таймингов памяти отключить подсветку модулей памяти - т.к. это даёт лишний нагрев.
УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ГАЙД ПО НАСТРОЙКЕ от Agiliter
Универсальный гайд. 0. Устраните любые потенциальные проблемы с другим железом. Снимите разгон с видеокарты, снизьте частоту цп на 300 с сохранением напряжения. Не забудьте вернуть RTL в авто если сейчас не авто. 1. Крутим очень короткий мемтест, то есть если минуту живёт сразу снижать тайминг дальше. Ищите не стабильность, а явно сбойное значение тайминга, запишите его - пригодится. Гораздо проще найти явно нерабочее значение и от него плясать чем пытаться ловить нестабильность часами. Это также помогает диагностировать сбойные тайминги на ранее "стабильной памяти". Не пытайтесь найти предельные значение сразу. Сначала скрутите до +2 от минимально стабильного. Многие тайминги идут параллельно поэтому бессмысленно пытаться скрутить до упора с первого прохода. CR выставить на 2 если стоит 1. В самом конце можно попробовать скинуть до 1. 3 Ставить только на очень большую частоту или если по другому ну совсем никак.
Начните с RCD, CL. Не обязательно должны быть одинаковыми, обычно CL идёт меньше чем RCD. RAS сразу пробуйте как RCD+CL+4, до этого значения от него существенная разница, дальше меньше. CWL<=CL. Допустимые значения 9,10,11,12,14,16,18,20. RP можете выставить по RCD, если пойдёт меньше - тоже неплохо, не уверен правда насчёт смысла. RTP без формул. Если не идёт вниз можно попробовать поднять чуть чуть RP. В DDR4 явно связан с WR соотношением 2 к 1 (например WR20\RTP10), физически хранится одно значения и в зависимости от операции интерпретируется. Скрутите FAW до 16(так и оставьте если работает). С таким FAW скручивайте RRD(оба, L обычно больше чем S), возможно поедут на 4 оба. Если до 4 не удалось спустить поднимите FAW до уровня RRDL*4 и попробуйте ещё, хотя это скорее всего уже почти предел. Обычно L>=S. L - SG(Same Group). S - DG(Different Group) Напр. RRD_L>=RRD_S. CKE=5 СCDL>=4 RDRD_DD и прочие подобные можно проигнорировать если у вас нет двух планок на один канал (4 планки). DD-Different Dimm. Тоже самое с DR-Different Rank если у вас одноранговая память. RDWR_SG(DG) и подобные сочетания скручивайте до минимальных рабочих, потом накиньте сверху +2. Как уже отметил обычно SG>=DG. WTR не трогайте он сам спустится когда будете скидывать WRRD_SG(DG) и прочие подобные. Если сам меньше не стал тогда руками скидывать. WR снижать через WRPRE если есть. Если нет или не снижает WR, То скрутите его скажем до 12 или +4 от рабочего, потом дожмёте если не лень будет. RFC явных формул нет, крутить после всего списка сверху. Не пытайтесь найти его минимальное значение если не хотите чтобы память начинала сыпать ошибками от любого чиха. найдите пограничное со стабильностью значение и накиньте сверху 20 или сразу 40. Может реагировать на RAS+RP, RRD, FAW, причём в обе стороны (то есть может "сломаться" если задрать названные), а может и не реагировать... REFi больше лучше. Связан с RFC. REFI сколько память "работает" - RFC сколько "отдыхает". Оба тайминга лучше не пытаться найти предельное значение.Заметно реагируют на температуру. Многие тайминги отзываются и на температуру и на напряжение. Поскольку напряжение может как позволить снизить тайминг, так и увеличить температуру, то середину можно искать очень долго, поэтому лучше бы вовремя остановится. Тестируйте тщательно с перезагрузками, сном, холодным стартом. RTL и IOL вам кто-то другой пусть советует как настраивать, от них у меня голова болеть начинает...
tRASmin=tCL+tRCD+2 WTRS/L устанавливаются в биосе через WRRDdg/sg согласно формуле: WRRD_sg=6+CWL+WTR_L WRRD_dg=6+CWL+WTR_S WR - через WRPRE (для матплат ASUS): WRPRE=4+CWL+WR RTP - через RDPRE (для матплат ASUS) RDPRE=RTP
VDDDQ=1.5 V max по Jedec VrefCA=0.6xVDDDQ=0.9 V (max по Jedec), в даташите контроллера интел тоже разрешено максимальное vrefca=0.6xVdddq. То есть при обычной настройке биоса, когда VrefCA=0.5xVDDDQ, VDRAM<=1.8 V, чтобы уложиться в нормы по Jedec. А если при этом в биосе настроить vrefca=0.49xvdddq (разрешено по Jedec), то безопасное Vdram может быть еще выше=1.837 V. Вывод: для контроллера процессора напряжение на память <=1.8 V неопасно
CPU Name: Intel® Core™ i7-7740K CPU @ 4.30GHz Motherboard Model: MSI X299 GAMING PRO CARBON AC (MS-7A95) Total Size: 8192 MB Type: Single Channel (64 bit) DDR4-SDRAM Frequency: 2750 MHz - Ratio 1:31 Timings: 21-31-31-63-2 (tCAS-tRC-tRP-tRAS-tCR) Slot #1 Module: G.Skill 8192 MB (DDR4-2137) - XMP 2.0 - P/N: F4-3200C14-8GVR
[img]Ссылка на скрин[/img] Для сбора статистики по установленным чипам памяти просьба прикладывать скрины программы Taiphoon Burner и указывать напряжения на DIMM, IO и SA![/color]
Below are the typical tRFC in ns for the common ICs: IC tRFC (ns) Hynix 8Gb AFR 260 - 280 Hynix 8Gb CJR 260 - 280 Hynix 8Gb DJR 260 - 280 Micron 8Gb Rev. E 280 - 310 Micron 16Gb Rev. B 290 - 310 Samsung 8Gb B-Die 120 - 180 Samsung 8Gb C-Die 300 - 340
Таблица tRFC от Reous v26
#77
Расшифровка чипов, находящихся в модуле памяти у разных производителей
#77
Ревизии печатных плат. A0,A1 или A2 планки, как узнать
#77 #77 #77 #77
Статистика tRCD планок в зависимости от типов чипов
#77 #77 #77 Чем выше вы в вертикальном столбце, тем удачнее планки. Чем интенсивнее цвет, тем выше статистический процент (данные старые,теперь удачнее чипы выходят) На 1 таблице все,что выше красной линии - суперотборники.
Советы по верной тренировке
1.Поднять напряжения на VCCSA и VCCIO. 2.Включить в биосе Round Trip Latency. 3.Для гигабайтов - memory enchancement=normal.
Руководство по разгону памяти для начинающих блондинок
А разве не советуют при большой частоте ставить максимальное trefi
Смотря кто советует. Если данные будут на строке, где надо будет делать рефреш, то при макс.трефи доступ будет после трфц, а если выставить размер окна трефи, которые анта посчитал, то доступ будет сразу т.к время рефреша можно отодвинуть. Там по поиску эту инфу можно найти, он и считал там.
Смотря кто советует. Если данные будут на строке, где надо будет делать рефреш, то при макс.трефи доступ будет после трфц, а если выставить размер окна трефи, которые анта посчитал, то доступ будет сразу т.к время рефреша можно отодвинуть. Там по поиску эту инфу можно найти, он и считал там.
Спасибо!Очень интересно!)но половина не понял)) То есть значит если по проще сказать,то память будет по быстрее работать?) Ещё раз спасибо! Как пройду тест с изменениями то опять скину скрин ¹
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 22.11.2007 Откуда: Вавилон-5 Фото: 0
Такой вопрос. Включил ХМР, протестил ошибок нет. Убрал все вторичные и третичные тайминги в авто, выставил желаемую частоту и первичные тайминги, выставил нужные напряжения на dram\io\sa тестирую - память работает без ошибок. Сменил ХМР на мануал, выставил ту же частоту, первичные и напряжения, вторичные и третичные все в авто - не грузится. Добавляю напряжения - не грузится. Ставлю обратно ХМР и с теми же настройками опять все работает. В чем может быть отличие? Что там такого ХМР активирует что дает стабильность при разгоне памяти?
_________________ Вот котелок, кипит на огне, места в нем хватит Лондо и мне.
А что означает OREF_RI=0? Я правильно понимаю, что он позволяет рефрешить ранг в случае его простоя до окончания REFI по истечении заданного им количества тактов простоя, а при установки "0" рефреш будет происходить строго по истечении REFI?
Я так это вижу для себя. OREF_RI - это дополнительные такты простоя памяти. Чтобы могла пойти команда REFRESH, ячейки памяти, для которых идет эта команда, должны быть предварительно заряжены (precharged)= пребывать в состоянии простоя (idle). Рефреш начнется только после того, как пройдет время OREF_RI, а не сразу, поэтому выставив 0, мы убираем эту задержку.
Сразу напишу про tREFIx9: между двумя командами REFRESH может пройти максимально время, равное этому параметру, но зато потом должны идти подряд 8 команд REFRESH. Начну издалека. За 64 мс (миллисекунды) должны быть обновлены все ячейки памяти. Это глобальное обновление разбито на 8192 мелких обновлений (обновляются разные строки памяти). Дальше речь идет о мелких обновлениях. Время одно такого мелкого обновления равно 64 мс/8192=7.8125 микросекунды. В тактах tREFI=7.8125*истинную частоту памяти (частота памяти/2). Это гарантирует, что каждая ячейка памяти будет обновлена через 64 мс. Внутри мелких обновлений для гибкости сделана возможность отложить команду REFRESH следующих строк (ячеек памяти) на время tREFIx9. Еще есть одно ограничение: на протяжении любого отрезка времени =2хtREFI можно подать максимум 16 команд REFRESH. Поэтому доступный для нас максимум для tREFIx9 в биосе для интела =127 ограничивает нас просто в окне для двух мелких команд REFRESH, не ограничивая и не влияя на глобальное время обновления (по стандарту 64 мс).
Отсюда - поднимая tREFI в биосе, мы увеличиваем время глобального обновления с 64 мс до расчетного, имея просто ограничение для окна (времени между двумя мелкими командами REFRESH). Возьму для примера частоту памяти 4000 и tREFI=65535
Глобальное время обновления у нас в этом примере равно: 64*(65535/(7.8125*(4000/2)))=268.43 мс (миллисекунды).
tREFIx9=127=130048 тактов 130048/65535=1.9844 , получается, что у нас нет окна, так как его минимум равен 2 (чтобы между двумя командами REFRESH прошло время равное tREFIx2). При tREFI=65024 у нас будет работать минимальное окно.
Вывод: нужно не бездумно увеличивать tREFI до максимума, так как мы лишаемся гибкости в обновлении памяти! В следующую версию таблицы будет внесен расчет оптимального tREFI с учетом окна.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 22.11.2007 Откуда: Вавилон-5 Фото: 0
KaBooo писал(а):
Думаю что в тренировке.
Так ведь частота, тайминги и напряжения не изменились. Фаст бут выключен, пожалуйста тренируйся заново, если смена слова хмр на мануал вынуждает к новой тренировке. Может еще у кого есть мысли?
И еще такой вопрос, если процессор неудачный по кп в какую частоту ориентировочно может упереться разгон памяти? Или просто будет требоваться большее напряжение на кп?
_________________ Вот котелок, кипит на огне, места в нем хватит Лондо и мне.
если смена слова хмр на мануал вынуждает к новой тренировке.
Там не просто слово. Ставьте все с чистого листа и будет все работать. Ещё смотря что вы за напряжения ставите. Если хотите на 1.2В везде поехать, то точно не получится.
Добавлено спустя 30 секунд:
G'Kar писал(а):
какую частоту ориентировочно может упереться разгон памяти
У каждого по-разному
Добавлено спустя 1 минуту 2 секунды:
G'Kar писал(а):
Или просто будет требоваться большее напряжение на кп?
И это тоже, но не всегда ему это поможет, если мы про высокие частоты говорим.
Продублируюсь, что еще можно сделать с текущими 3900? Не сильно ли ужал tWTR_S, tWTR_L и tRRD_S, tRRD_L? поможет ли игра с сопротивлениями, что бы переломить 4000? На АМД помогало есть какие-то наставления по доске gygabyte gaming x (кроме выбросить)?
samsung e-die DR
Вложения:
3900.jpg [ 268.25 КБ | Просмотров: 515 ]
_________________ ASUS STRIX Z490-E GAMING 10900K@5100/4900 6900XT ref@2755 410W PVS416G400C9K@4300-16-17-17-35-CR1 1.53V Odyssey G8 OLED MSI MEG Ai1300P
проблема в том, что на 3800 мать не стартует. 3866 может, но ЦЛ16 не хочет - ошибки сразу. ближайший рабочий ЦЛ16 только на 3600. При 3600 у меня все показатели ниже.
_________________ ASUS STRIX Z490-E GAMING 10900K@5100/4900 6900XT ref@2755 410W PVS416G400C9K@4300-16-17-17-35-CR1 1.53V Odyssey G8 OLED MSI MEG Ai1300P
Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей и гости: 13
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения