AMT - Asus MemTweakit Asus MemTweakIt 2.02.44 При настройке памяти в BIOS ставим ОБЯЗАТЕЛЬНО MRC Fast boot=disable (включаем при этом режим тонкой тренировки, если же выставим enable, то включаем режим грубой тренировки). Оптимально при разгоне памяти использовать в биосе множитель памяти 133, а не авто или 100, что даст возможность создать комфортные условия для контроллера памяти в процессоре и снизить напряжения ио и са ! Недаром в Jedec шаг между спидбинами именно 133, а не 100! Для плат с Alder Lake напряжения VDD и VDDQ на память могут отличаться не больше, чем на 300 мВ. Для плат на основе логики z690 и b660: VDD>VDDQ VDDQ>=VDD-300mV(0.3V) Лучше на VDDQ не превышать 1.25V. Вполне возможно 1.30V. MSI дает зазор до 1.40V. Для таймингов должно выполняться требование: _dr=_dd
Разгон памяти у современной DDR4 (16 банков,RRDS=4,FAW=16,BL=8) эффективен только при tRC<=64,если каждый новый блок чтения происходит с разных банков памяти. Для 4-х слотовых плат при разгоне желательно в биосе отключить неиспользуемые слоты. Для максимальной производительности памяти значение tRFC в тактах для 8-Гбитных чипов должно быть кратно 8,а для 16-Гбитных чипов - 16. Если это правило не соблюдать, то будут вставлены лишние такты при каждом цикле обновления памяти. Для желающих максимально снизить tRFC. Делим tRFC на сумму tRCD,tRTP и tRP. Если результат ближе к 4, то снижать tRFC можно по 4 такта. Если результат ближе к 2, то снижать tRFC можно по 2 такта. Это связано с тем, что обновление происходит субмассивами, которые обязательно кратны 2.
Новая информация по tRAS
Чтение с модуля памяти у DDR4 происходит блоками. Минимальный блок сейчас составляет 64 байта, что связано с размером строки кэша у процессора. Этот блок может считываться как с одного банка, так и с разных. tRAS=tRCD+tRTP (при считывании 8 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+4 (при считывании 16 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+8 (считывание 24 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+12 (при считывании 32 байт с одного банка). Самый верный выбор для DDR4! tRAS=tRCD+tRTP+16 (считывание 40 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+20 (считывание 48 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+24 (считывание 56 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+28 (при считывании 64 байт с одного банка) Для DDR4 оптимальным выбором является 4-й или последний вариант. Но если выставить tRAS меньше, то ничего трагичного не произойдет, так как джедек придумала предохранитель (tRTP), поэтому можно не заморачиваться и выставлять минимальный tRAS (=tRCD+tRTP).
Напряжения на процессоре при разгоне памяти
SA- безопасный уровень (по данным MSI) 1.35, растет от частоты памяти и зависит от подключенной периферии к PCIE, чем больше скорость видеокарты и NVME-диска, тем выше нужно напряжение. IO (для Z590 =IO2, а просто IO можно оставлять в авто, для Z690=IVR DDQ)- обычно хорошо работает если на 50 мВ ниже SA, но чем ниже, тем лучше, стараться максимально снижать. Тоже растет с ростом частоты памяти. Для ориентира при настройке всегда рекомендую глянуть, что за напряжения SA и IO выставляет материнка в авто.
Для начала тезисно несколько правил «успешного разгона и установки памяти»:
1. Ни в коем случае не используем XMP профили – этот режим протестирован на совместимость, но не даёт оптимальную производительность. Поскольку заводская настройка не блещет идеальным подбором, можно получить до 20-25% производительности дополнительно, вручную настраивая тайминги и напряжения. Также XMP режим чреват завышениями вольтажа самой память и контроллера памяти\SOC. 2. Правильная установка модулей – А2 (для одного модуля), A2B2 (для двух модулей). 3. Самый лучший разгон по частоте достигается при использовании одного модуля, при наличии двух планок максимальная частота лишь немного хуже. У четырёх – либо хуже (на устаревающем LGA2011-3) либо такой же или лучше (LGA2066), которые могут стабильно работать с 4мя модулями на 4000CL16. 4. Если используется два модуля, то худший модуль (требующий бОльшего напряжения для стабильного разгона) должен стоять ближе к процессору в слоте A2. 5. Перед настройкой частоты и таймингов памяти отключить подсветку модулей памяти - т.к. это даёт лишний нагрев.
УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ГАЙД ПО НАСТРОЙКЕ от Agiliter
Универсальный гайд. 0. Устраните любые потенциальные проблемы с другим железом. Снимите разгон с видеокарты, снизьте частоту цп на 300 с сохранением напряжения. Не забудьте вернуть RTL в авто если сейчас не авто. 1. Крутим очень короткий мемтест, то есть если минуту живёт сразу снижать тайминг дальше. Ищите не стабильность, а явно сбойное значение тайминга, запишите его - пригодится. Гораздо проще найти явно нерабочее значение и от него плясать чем пытаться ловить нестабильность часами. Это также помогает диагностировать сбойные тайминги на ранее "стабильной памяти". Не пытайтесь найти предельные значение сразу. Сначала скрутите до +2 от минимально стабильного. Многие тайминги идут параллельно поэтому бессмысленно пытаться скрутить до упора с первого прохода. CR выставить на 2 если стоит 1. В самом конце можно попробовать скинуть до 1. 3 Ставить только на очень большую частоту или если по другому ну совсем никак.
Начните с RCD, CL. Не обязательно должны быть одинаковыми, обычно CL идёт меньше чем RCD. RAS сразу пробуйте как RCD+CL+4, до этого значения от него существенная разница, дальше меньше. CWL<=CL. Допустимые значения 9,10,11,12,14,16,18,20. RP можете выставить по RCD, если пойдёт меньше - тоже неплохо, не уверен правда насчёт смысла. RTP без формул. Если не идёт вниз можно попробовать поднять чуть чуть RP. В DDR4 явно связан с WR соотношением 2 к 1 (например WR20\RTP10), физически хранится одно значения и в зависимости от операции интерпретируется. Скрутите FAW до 16(так и оставьте если работает). С таким FAW скручивайте RRD(оба, L обычно больше чем S), возможно поедут на 4 оба. Если до 4 не удалось спустить поднимите FAW до уровня RRDL*4 и попробуйте ещё, хотя это скорее всего уже почти предел. Обычно L>=S. L - SG(Same Group). S - DG(Different Group) Напр. RRD_L>=RRD_S. CKE=5 СCDL>=4 RDRD_DD и прочие подобные можно проигнорировать если у вас нет двух планок на один канал (4 планки). DD-Different Dimm. Тоже самое с DR-Different Rank если у вас одноранговая память. RDWR_SG(DG) и подобные сочетания скручивайте до минимальных рабочих, потом накиньте сверху +2. Как уже отметил обычно SG>=DG. WTR не трогайте он сам спустится когда будете скидывать WRRD_SG(DG) и прочие подобные. Если сам меньше не стал тогда руками скидывать. WR снижать через WRPRE если есть. Если нет или не снижает WR, То скрутите его скажем до 12 или +4 от рабочего, потом дожмёте если не лень будет. RFC явных формул нет, крутить после всего списка сверху. Не пытайтесь найти его минимальное значение если не хотите чтобы память начинала сыпать ошибками от любого чиха. найдите пограничное со стабильностью значение и накиньте сверху 20 или сразу 40. Может реагировать на RAS+RP, RRD, FAW, причём в обе стороны (то есть может "сломаться" если задрать названные), а может и не реагировать... REFi больше лучше. Связан с RFC. REFI сколько память "работает" - RFC сколько "отдыхает". Оба тайминга лучше не пытаться найти предельное значение.Заметно реагируют на температуру. Многие тайминги отзываются и на температуру и на напряжение. Поскольку напряжение может как позволить снизить тайминг, так и увеличить температуру, то середину можно искать очень долго, поэтому лучше бы вовремя остановится. Тестируйте тщательно с перезагрузками, сном, холодным стартом. RTL и IOL вам кто-то другой пусть советует как настраивать, от них у меня голова болеть начинает...
tRASmin=tCL+tRCD+2 WTRS/L устанавливаются в биосе через WRRDdg/sg согласно формуле: WRRD_sg=6+CWL+WTR_L WRRD_dg=6+CWL+WTR_S WR - через WRPRE (для матплат ASUS): WRPRE=4+CWL+WR RTP - через RDPRE (для матплат ASUS) RDPRE=RTP
VDDDQ=1.5 V max по Jedec VrefCA=0.6xVDDDQ=0.9 V (max по Jedec), в даташите контроллера интел тоже разрешено максимальное vrefca=0.6xVdddq. То есть при обычной настройке биоса, когда VrefCA=0.5xVDDDQ, VDRAM<=1.8 V, чтобы уложиться в нормы по Jedec. А если при этом в биосе настроить vrefca=0.49xvdddq (разрешено по Jedec), то безопасное Vdram может быть еще выше=1.837 V. Вывод: для контроллера процессора напряжение на память <=1.8 V неопасно
CPU Name: Intel® Core™ i7-7740K CPU @ 4.30GHz Motherboard Model: MSI X299 GAMING PRO CARBON AC (MS-7A95) Total Size: 8192 MB Type: Single Channel (64 bit) DDR4-SDRAM Frequency: 2750 MHz - Ratio 1:31 Timings: 21-31-31-63-2 (tCAS-tRC-tRP-tRAS-tCR) Slot #1 Module: G.Skill 8192 MB (DDR4-2137) - XMP 2.0 - P/N: F4-3200C14-8GVR
[img]Ссылка на скрин[/img] Для сбора статистики по установленным чипам памяти просьба прикладывать скрины программы Taiphoon Burner и указывать напряжения на DIMM, IO и SA![/color]
Below are the typical tRFC in ns for the common ICs: IC tRFC (ns) Hynix 8Gb AFR 260 - 280 Hynix 8Gb CJR 260 - 280 Hynix 8Gb DJR 260 - 280 Micron 8Gb Rev. E 280 - 310 Micron 16Gb Rev. B 290 - 310 Samsung 8Gb B-Die 120 - 180 Samsung 8Gb C-Die 300 - 340
Таблица tRFC от Reous v26
#77
Расшифровка чипов, находящихся в модуле памяти у разных производителей
#77
Ревизии печатных плат. A0,A1 или A2 планки, как узнать
#77 #77 #77 #77
Статистика tRCD планок в зависимости от типов чипов
#77 #77 #77 Чем выше вы в вертикальном столбце, тем удачнее планки. Чем интенсивнее цвет, тем выше статистический процент (данные старые,теперь удачнее чипы выходят) На 1 таблице все,что выше красной линии - суперотборники.
Советы по верной тренировке
1.Поднять напряжения на VCCSA и VCCIO. 2.Включить в биосе Round Trip Latency. 3.Для гигабайтов - memory enchancement=normal.
Руководство по разгону памяти для начинающих блондинок
Rdrdsg 7, сделать cl чётный, желательно придерживаться четных первичек RTL почему 67? Добавлено спустя 8 минут 43 секунды: Но я ещё раз повторюсь, все эти тесты без карты сверху - ни о чем. Я писал ни 1 раз, что у меня температуры около 44 градусов без нагрузки на карту. А тут ещё тем более дуалы)
Кто может объяснит касательно tREFI по таблице от ANTA777 формула расчета идёт как 15,63*frq или 7,8125*frq При этом по умолчанию расчёт в самой материнской плате происходит по принципу 7.8*frq То есть, по таблице ANTA777, например:
Код:
2666.66666*7,8125 = 20834
, а при типовом расчёте
Код:
2666.66666*7,8 = 20800
Разница кажется достаточно несущественной, но по тесту в AIDA64 результат скорости и задержки у ANTA777 отличается в худшую сторону
И второй вопрос заметил прямое влияние tREFI на предупреждение в memtest86:
Код:
[Note] RAM may be vulnerable to high frequency row hammer bit flips
При этом остальные тесты система проходит без ошибок. В моём случае на 41600 есть ошибки, при этом на 20800 ошибок нет
Стоит ли волноваться и какое значение будет оптимально выбрать?
Куратор темы Статус: Не в сети Регистрация: 10.06.2011
St@s1987 писал(а):
anta777 Начнем с того, что это с книги и там явно не сказано, что это мин. значение и еще по твоему где tWR должен быть ? В цикле чтения и записи есть разница на тайминг (можно и без tRP, сути не меняет) Write = tRCD + tCWL + tBL + tWR + tRP Read = tRCD + tCL + tBL + tRP Так вот как ты можешь считать туда назад при разнице в один тайминг то?
По поводу того чему равен минимальный tRAS уже обсуждали не раз, напомню что везде по разному tRAS = tRCD + tBL (ихбт) tRAS = tRCD + tCL (или даже меньше) tRAS = tRCD + tBL + tRTP - tCCD (с той же книги) tRAS = tRCD + tBL + tWR последняя из статьи 1usmus, это отсюда пошло tWR = tCL видимо
Персонажу из анекдота: 1) туда и назад я считаю относительно tCL- от чувствительных усилителей до появления данных на шине и tWR - от появления данных на шине до чувствительных усилителей. Ты же tWR считаешь даже не до чувствительных усилителей, а до ячеек памяти, у тебя tWR должно быть еще больше; 2) плохо, что ты не знаешь историю моей вражды с последним персонажем и не видел первоначальную версию его статьи, тогда бы, возможно, не писал бы свою чушь и бредовые предположения.
Добавлено спустя 3 минуты 19 секунд:
sasiska писал(а):
Кто может объяснит касательно tREFI по таблице от ANTA777 формула расчета идёт как 15,63*frq или 7,8125*frq При этом по умолчанию расчёт в самой материнской плате происходит по принципу 7.8*frq То есть, по таблице ANTA777, например:
Код:
2666.66666*7,8125 = 20834
, а при типовом расчёте
Код:
2666.66666*7,8 = 20800
Разница кажется достаточно несущественной, но по тесту в AIDA64 результат скорости и задержки у ANTA777 отличается в худшую сторону
И второй вопрос заметил прямое влияние tREFI на предупреждение в memtest86:
Код:
[Note] RAM may be vulnerable to high frequency row hammer bit flips
При этом остальные тесты система проходит без ошибок. В моём случае на 41600 есть ошибки, при этом на 20800 ошибок нет
Стоит ли волноваться и какое значение будет оптимально выбрать?
Если у вас tREFI=20800 быстрее, чем tREFI=20834, то нужно быстрее сдавать такую плату.
Вроде всё сделал как надо, разогнал, но сегодня уже два раза получил Bsod с ошибкой SYSTEM_SERVICE_EXCEPTION.
При написании данного поста я вновь получил Bsod. Увеличил напряжение ОЗУ с 1.440 на 1.460 Прикреплю архив скриншоты теста от AIDA64, скриншоты из БИОСА, из ASRock Timing Configurator и TestMem5 с тестом тяжёлый, который был успешно пройден. В чём может быть причина? Ссылка на Яндекс Диск: https://yadi.sk/d/sGujJnOaGb0bqw?w=1
_________________ Intel Core i5 9600KF 4700 MHz MPG Z390 Gaming Edge AC G.Skill Trident Z DDR4 (2x8Gb) 3866 MHz Asus GeForce RTX 3080 TUF Gaming V2 LHR Corsair HX750i
XMP это профиль разгона памяти и является разгоном в том числе для модуля памяти. Не разгоном для платы является то что указано без приписки ОС. Не разгоном для 10400 явялется максимум 2666 19-19-19 CR2.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 13.11.2016 Откуда: Мск
Agiliter писал(а):
XMP это профиль разгона памяти и является разгоном в том числе для модуля памяти. Не разгоном для платы является то что указано без приписки ОС. Не разгоном для 10400 явялется максимум 2666 19-19-19 CR2.
Т.е. если при выставлении указанных на памяти 4000 @ 18-19-19-39 мемтест выдает ошибки это нормально?!
На старых CORSAIR Vengeance LED CMU16GX4M2A2666C16 при штатных 2666 @ 16-18-18-35 и 3200 @ 16-18-18-39 ошибок нет.
Куратор темы Статус: Не в сети Регистрация: 10.06.2011
sasiska писал(а):
[quote="anta777"Если у вас tREFI=20800 быстрее, чем tREFI=20834, то нужно быстрее сдавать такую плату.[/quote
Ничего не понял, почему так?
Неправильно работает биос платы, применяет не те значения, что задаем в биосе, так как при большем tREFI результаты тестов должны быть всегда лучше, а не хуже.
Неправильно работает биос платы, применяет не те значения, что задаем в биосе, так как при большем tREFI результаты тестов должны быть всегда лучше, а не хуже.
Понял, попробуй скинуть и прошить на бету
Если больше всегда лучше, то стоит ли придерживаться формулы из таблиц по tREFI?
а это значит что если мы читаем или пишем там ТОЧНО будет RCD+CL(CWL)
с записью вообще интересно получается, имею ввиду набор таймингов
Agiliter писал(а):
Но вообще я полагаю это не особо важно. хоть до 0 его спустите. Это минимальное значение на которое может быть открыта строка, полагаю контроллеру будет совершенно плевать на него если остальные параллельные тайминги дольше.
скорее всего так оно и есть, что длительность будет определяться набором таймингов для чтения/записи и тем, наверно, на сколько быстро пройдет этап Restore, который не имеет своей команды и может идти как пишут чуть ли не "одновременно" после выдачи команды Read/Write, т. е. на сколько быстро восстановится ячейка до полного напряжения, но с другой стороны полного напряжения сама ячейка ведь по идее не может достигнуть пока не прошли tCL/tCWL, в общем запутано тут все...
KaBooo писал(а):
12 14 26? 0_о Кто так говорил?
эта формула раньше мелькала в статьях
anta777 писал(а):
1) туда и назад я считаю относительно tCL- от чувствительных усилителей до появления данных на шине и tWR - от появления данных на шине до чувствительных усилителей.
погоди, появления данных на шине... раньше то ты писал от global i/o gating на сколько я помню, и где сказано, что именно шина это после global i/o gating, а не DQ например ? как впрочем и то, что tWR "проходит" такой путь ? пруф предоставишь? и для интереса распиши тоже самое для цикла чтения и записи Write = tRCD + tCWL + tBL + tWR + tRP Read = tRCD + tCL + tBL + tRP и докажи что 5 таймингов = 4 таймингам
anta777 писал(а):
плохо, что ты не знаешь историю моей вражды с последним персонажем и не видел первоначальную версию его статьи
ну служебное расследование я проводить не собираюсь и в общем то не удивлен этой вражде
anta777 писал(а):
не писал бы свою чушь и бредовые предположения
ну раз везде чушь и бред то может раскроешь нам секрет чему равен tRAS при записи ?
anta777 писал(а):
Если у вас tREFI=20800 быстрее, чем tREFI=20834, то нужно быстрее сдавать такую плату.
а ты человеку нормально изначально не можешь сказать или как всегда будешь быковать в своем стиле ?
В общем три теста подряд на другом ПК, в целом картина та же. На обоих ПК платы MSI Если tREFI != frq*7.8, то результат хуже. Явно видно по задержкам
Объясните, что я упускаю, почему такой результат
И второй вопрос. Что можно ещё улучшить во вторичках в виде лёгкой победы, без изменения напряжения, хотя, судя по всему такой прирост как tCL и tREFI ничего не даёт
p.s. это баллистики 3200@cl16, без повышения напряжения работают сейчас на 3466@cl16
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 09.11.2019 Откуда: Карелия|СПб
diadiavaniar писал(а):
Хотя Gen. Красавчик, он тебя просто так не оставит...)))
У меня модули за 15к с ргб (F4-3000C14D-32GTZR Oct2020), едут 4400 17-17-36-2Т 1.44 с задержкой 35нс на 10600кф, чего ещё надо? 4400 16-16 1.51В и 4500 16-16 1.55В лучший модуль умеет.
diadiavaniar писал(а):
Температуры в тесте без охлаждения! И это ответочка odvolk10)))
Я прогоню чуть позже без обдува, как докуплю вентили в лиан ли эир, сейчас на морде 2*120мм родных, вода и всё. Оставил без обдува.
сейчас
Вложение:
Srpyj6lHb2Q.jpg [ 324.17 КБ | Просмотров: 974 ]
diadiavaniar писал(а):
Надеюсь он поделится настройками ODT, читерить в одного нехорошо)
ODT: WR=80, Nom=0, Park=48 в двух каналах, не задействующиеся в 0 все (1 и 3 слоты). PDM=Disabled. DRAM Voltage Boost=Disabled. Rank Interleave=Enabled. Enhanced Interleave=Disabled. Ещё:
Сейчас этот форум просматривают: C783RPunk и гости: 18
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения