AMT - Asus MemTweakit Asus MemTweakIt 2.02.44 При настройке памяти в BIOS ставим ОБЯЗАТЕЛЬНО MRC Fast boot=disable (включаем при этом режим тонкой тренировки, если же выставим enable, то включаем режим грубой тренировки). Оптимально при разгоне памяти использовать в биосе множитель памяти 133, а не авто или 100, что даст возможность создать комфортные условия для контроллера памяти в процессоре и снизить напряжения ио и са ! Недаром в Jedec шаг между спидбинами именно 133, а не 100! Для плат с Alder Lake напряжения VDD и VDDQ на память могут отличаться не больше, чем на 300 мВ. Для плат на основе логики z690 и b660: VDD>VDDQ VDDQ>=VDD-300mV(0.3V) Лучше на VDDQ не превышать 1.25V. Вполне возможно 1.30V. MSI дает зазор до 1.40V. Для таймингов должно выполняться требование: _dr=_dd
Разгон памяти у современной DDR4 (16 банков,RRDS=4,FAW=16,BL=8) эффективен только при tRC<=64,если каждый новый блок чтения происходит с разных банков памяти. Для 4-х слотовых плат при разгоне желательно в биосе отключить неиспользуемые слоты. Для максимальной производительности памяти значение tRFC в тактах для 8-Гбитных чипов должно быть кратно 8,а для 16-Гбитных чипов - 16. Если это правило не соблюдать, то будут вставлены лишние такты при каждом цикле обновления памяти. Для желающих максимально снизить tRFC. Делим tRFC на сумму tRCD,tRTP и tRP. Если результат ближе к 4, то снижать tRFC можно по 4 такта. Если результат ближе к 2, то снижать tRFC можно по 2 такта. Это связано с тем, что обновление происходит субмассивами, которые обязательно кратны 2.
Новая информация по tRAS
Чтение с модуля памяти у DDR4 происходит блоками. Минимальный блок сейчас составляет 64 байта, что связано с размером строки кэша у процессора. Этот блок может считываться как с одного банка, так и с разных. tRAS=tRCD+tRTP (при считывании 8 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+4 (при считывании 16 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+8 (считывание 24 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+12 (при считывании 32 байт с одного банка). Самый верный выбор для DDR4! tRAS=tRCD+tRTP+16 (считывание 40 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+20 (считывание 48 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+24 (считывание 56 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+28 (при считывании 64 байт с одного банка) Для DDR4 оптимальным выбором является 4-й или последний вариант. Но если выставить tRAS меньше, то ничего трагичного не произойдет, так как джедек придумала предохранитель (tRTP), поэтому можно не заморачиваться и выставлять минимальный tRAS (=tRCD+tRTP).
Напряжения на процессоре при разгоне памяти
SA- безопасный уровень (по данным MSI) 1.35, растет от частоты памяти и зависит от подключенной периферии к PCIE, чем больше скорость видеокарты и NVME-диска, тем выше нужно напряжение. IO (для Z590 =IO2, а просто IO можно оставлять в авто, для Z690=IVR DDQ)- обычно хорошо работает если на 50 мВ ниже SA, но чем ниже, тем лучше, стараться максимально снижать. Тоже растет с ростом частоты памяти. Для ориентира при настройке всегда рекомендую глянуть, что за напряжения SA и IO выставляет материнка в авто.
Для начала тезисно несколько правил «успешного разгона и установки памяти»:
1. Ни в коем случае не используем XMP профили – этот режим протестирован на совместимость, но не даёт оптимальную производительность. Поскольку заводская настройка не блещет идеальным подбором, можно получить до 20-25% производительности дополнительно, вручную настраивая тайминги и напряжения. Также XMP режим чреват завышениями вольтажа самой память и контроллера памяти\SOC. 2. Правильная установка модулей – А2 (для одного модуля), A2B2 (для двух модулей). 3. Самый лучший разгон по частоте достигается при использовании одного модуля, при наличии двух планок максимальная частота лишь немного хуже. У четырёх – либо хуже (на устаревающем LGA2011-3) либо такой же или лучше (LGA2066), которые могут стабильно работать с 4мя модулями на 4000CL16. 4. Если используется два модуля, то худший модуль (требующий бОльшего напряжения для стабильного разгона) должен стоять ближе к процессору в слоте A2. 5. Перед настройкой частоты и таймингов памяти отключить подсветку модулей памяти - т.к. это даёт лишний нагрев.
УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ГАЙД ПО НАСТРОЙКЕ от Agiliter
Универсальный гайд. 0. Устраните любые потенциальные проблемы с другим железом. Снимите разгон с видеокарты, снизьте частоту цп на 300 с сохранением напряжения. Не забудьте вернуть RTL в авто если сейчас не авто. 1. Крутим очень короткий мемтест, то есть если минуту живёт сразу снижать тайминг дальше. Ищите не стабильность, а явно сбойное значение тайминга, запишите его - пригодится. Гораздо проще найти явно нерабочее значение и от него плясать чем пытаться ловить нестабильность часами. Это также помогает диагностировать сбойные тайминги на ранее "стабильной памяти". Не пытайтесь найти предельные значение сразу. Сначала скрутите до +2 от минимально стабильного. Многие тайминги идут параллельно поэтому бессмысленно пытаться скрутить до упора с первого прохода. CR выставить на 2 если стоит 1. В самом конце можно попробовать скинуть до 1. 3 Ставить только на очень большую частоту или если по другому ну совсем никак.
Начните с RCD, CL. Не обязательно должны быть одинаковыми, обычно CL идёт меньше чем RCD. RAS сразу пробуйте как RCD+CL+4, до этого значения от него существенная разница, дальше меньше. CWL<=CL. Допустимые значения 9,10,11,12,14,16,18,20. RP можете выставить по RCD, если пойдёт меньше - тоже неплохо, не уверен правда насчёт смысла. RTP без формул. Если не идёт вниз можно попробовать поднять чуть чуть RP. В DDR4 явно связан с WR соотношением 2 к 1 (например WR20\RTP10), физически хранится одно значения и в зависимости от операции интерпретируется. Скрутите FAW до 16(так и оставьте если работает). С таким FAW скручивайте RRD(оба, L обычно больше чем S), возможно поедут на 4 оба. Если до 4 не удалось спустить поднимите FAW до уровня RRDL*4 и попробуйте ещё, хотя это скорее всего уже почти предел. Обычно L>=S. L - SG(Same Group). S - DG(Different Group) Напр. RRD_L>=RRD_S. CKE=5 СCDL>=4 RDRD_DD и прочие подобные можно проигнорировать если у вас нет двух планок на один канал (4 планки). DD-Different Dimm. Тоже самое с DR-Different Rank если у вас одноранговая память. RDWR_SG(DG) и подобные сочетания скручивайте до минимальных рабочих, потом накиньте сверху +2. Как уже отметил обычно SG>=DG. WTR не трогайте он сам спустится когда будете скидывать WRRD_SG(DG) и прочие подобные. Если сам меньше не стал тогда руками скидывать. WR снижать через WRPRE если есть. Если нет или не снижает WR, То скрутите его скажем до 12 или +4 от рабочего, потом дожмёте если не лень будет. RFC явных формул нет, крутить после всего списка сверху. Не пытайтесь найти его минимальное значение если не хотите чтобы память начинала сыпать ошибками от любого чиха. найдите пограничное со стабильностью значение и накиньте сверху 20 или сразу 40. Может реагировать на RAS+RP, RRD, FAW, причём в обе стороны (то есть может "сломаться" если задрать названные), а может и не реагировать... REFi больше лучше. Связан с RFC. REFI сколько память "работает" - RFC сколько "отдыхает". Оба тайминга лучше не пытаться найти предельное значение.Заметно реагируют на температуру. Многие тайминги отзываются и на температуру и на напряжение. Поскольку напряжение может как позволить снизить тайминг, так и увеличить температуру, то середину можно искать очень долго, поэтому лучше бы вовремя остановится. Тестируйте тщательно с перезагрузками, сном, холодным стартом. RTL и IOL вам кто-то другой пусть советует как настраивать, от них у меня голова болеть начинает...
tRASmin=tCL+tRCD+2 WTRS/L устанавливаются в биосе через WRRDdg/sg согласно формуле: WRRD_sg=6+CWL+WTR_L WRRD_dg=6+CWL+WTR_S WR - через WRPRE (для матплат ASUS): WRPRE=4+CWL+WR RTP - через RDPRE (для матплат ASUS) RDPRE=RTP
VDDDQ=1.5 V max по Jedec VrefCA=0.6xVDDDQ=0.9 V (max по Jedec), в даташите контроллера интел тоже разрешено максимальное vrefca=0.6xVdddq. То есть при обычной настройке биоса, когда VrefCA=0.5xVDDDQ, VDRAM<=1.8 V, чтобы уложиться в нормы по Jedec. А если при этом в биосе настроить vrefca=0.49xvdddq (разрешено по Jedec), то безопасное Vdram может быть еще выше=1.837 V. Вывод: для контроллера процессора напряжение на память <=1.8 V неопасно
CPU Name: Intel® Core™ i7-7740K CPU @ 4.30GHz Motherboard Model: MSI X299 GAMING PRO CARBON AC (MS-7A95) Total Size: 8192 MB Type: Single Channel (64 bit) DDR4-SDRAM Frequency: 2750 MHz - Ratio 1:31 Timings: 21-31-31-63-2 (tCAS-tRC-tRP-tRAS-tCR) Slot #1 Module: G.Skill 8192 MB (DDR4-2137) - XMP 2.0 - P/N: F4-3200C14-8GVR
[img]Ссылка на скрин[/img] Для сбора статистики по установленным чипам памяти просьба прикладывать скрины программы Taiphoon Burner и указывать напряжения на DIMM, IO и SA![/color]
Below are the typical tRFC in ns for the common ICs: IC tRFC (ns) Hynix 8Gb AFR 260 - 280 Hynix 8Gb CJR 260 - 280 Hynix 8Gb DJR 260 - 280 Micron 8Gb Rev. E 280 - 310 Micron 16Gb Rev. B 290 - 310 Samsung 8Gb B-Die 120 - 180 Samsung 8Gb C-Die 300 - 340
Таблица tRFC от Reous v26
#77
Расшифровка чипов, находящихся в модуле памяти у разных производителей
#77
Ревизии печатных плат. A0,A1 или A2 планки, как узнать
#77 #77 #77 #77
Статистика tRCD планок в зависимости от типов чипов
#77 #77 #77 Чем выше вы в вертикальном столбце, тем удачнее планки. Чем интенсивнее цвет, тем выше статистический процент (данные старые,теперь удачнее чипы выходят) На 1 таблице все,что выше красной линии - суперотборники.
Советы по верной тренировке
1.Поднять напряжения на VCCSA и VCCIO. 2.Включить в биосе Round Trip Latency. 3.Для гигабайтов - memory enchancement=normal.
Руководство по разгону памяти для начинающих блондинок
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 25.03.2009 Откуда: сами будете?
Добрый день! Планки Crucial Ballistix 3000 CL15 RGB (с датчиками температуры, подсветка выключена), материнка MSI Z490-A PRO, процессор 10600KF (пока в стоке). Конфиг со скрина стабилен. На DRAM 1,42v TestMem уже сыпит ошибками. На 16-20-20-40 работает не стабильно. Напряжение категарически больше не хочу поднимать. Вольтаж SA 1,26v, IO 1,20v, ниже не пробовал, но они вроде как на температуру памяти особо не влияют или я не прав? Память под обдувом 140 мм, правда поток в основном попадает на одну плашку, по этому разница в темературе между плашками 3+ градуса. Без обдува температура горячей плашки доходит до 49-49,5 градусов и начинают сыпаться ошибки. tRFC 560-580 не очень стабильно, то вылазят 1-2 ошибки (обычно после часа тестов), то проходит тест нормально. Подскажите, все ли нормально, не высоковат ли вольтаж на DRAM, что еще можно подкрутить или лучше больше ничего не трогать и переходить к разгону процессора?
Куратор темы Статус: Не в сети Регистрация: 10.06.2011
CRYSTALCASTLE писал(а):
С этими прошло, все остальные параметры не стартуют С этими параметрами не стартует, со всеми остальными запускается
WTRS по стандарту 2.5 нс, что для частоты 3466 составляет 4,33 такта, которые округляем вверх до 5 тактов. Если плата не стартует на дефолтных значениях, то у вас огромнейшие проблемы или с самой платой, или с ее биосом, или бракованная память, которую нет смысла настраивать.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 02.02.2016 Фото: 4
Да оставлю уже до прихода ддр5,в любом случае может циферки в аиде не поменялись, но там где я играл пропали лаги, абсолютно все, так что громное спасибо, и всех благ в жизни, очень выручили, я уже думал менять процессор, но теперь все устраивает, спасибо!
_________________ 12400f / B660 gaming x / 2x8 3600 cl 16 36 / m2 fury renegade / dq 850 wh / sb Z / 1070 ti / Xl2566k 360 hz
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 25.03.2009 Откуда: сами будете?
anta777 писал(а):
uran83 Какое напряжение на память стоит в биосе? И я считаю, что при разгоне лучше делать sa=io.
В биосе 1,42v, получается мать завышает на 0,1v, хотя стоит dram voltage boost disable. То есть должно быть sa/io по 1,2v? Если sa не поедет на 1,2v повышать io?
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 25.03.2009 Откуда: сами будете?
anta777 писал(а):
Вы сами читали свое сообщение? На 1.42 память сыпит ошибками. С какими таймингами?
Да, я говорил о напряжении, которое отображается в винде в Aida и hwinfo. Оно на 0,1v больше, чем выставляю в биос. 1,41 в биос (1,42v в винде) на 16-21-21-41 - ошибки. 1,42 в биос (1,43v в винде) на 16-21-21-41 - все нормально.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 06.06.2007 Откуда: Ниоткуда Фото: 53
После вчерашнего обновления KB4589212: обновления Микрокода Intel для Windows 10, версии 2004 и 20H2, Windows Server версии 2004 и 20H2 результаты в бенчмарке памяти Аида упали примерно на 300 МБ/с. У всех так?
_________________ 9900KF 5.0GHz/1.30V☻MAXIMUS XI HERO☻32GB DDR4 3700MHz/16-18-18-36 CR1/1.40V☻RTX 3080 Ti AORUS XTREME☻2TB XPG S11 Pro☻Corsair AX860☻LG 32GK850G
Junior
Статус: Не в сети Регистрация: 09.03.2021 Фото: 25
KaBooo писал(а):
перед тайминги cl должна быть ещё одна вкладка, там надо выставить round trip latency - Enabled, turn around timing training - disable, после ставить другие тайминги. Снять трефи, выставить 18 20 20 44 Rrds 4 Tfaw 16 rrdl 6 - это должен быть стабильный конфиг, как я понял с ваших слов. Сюда добавить tcwl 18 и в тест, экстрим для этого не нужен, неделю будете так тайминги искать. Далее уже twr 18 rtp 9, если нет, то 20/10, следом Wtrs 4(5) Wtrl 10(12 (Wtrl>2 или = rtp)), потом dr в 1 выставить, поставить rdrdsg Wrwrsg 7, а rdrddg и wrwrdg в 4 и тест, если все ок, то добавить rdwr в 12, там 3 штуки будет, dr в 1 стоит. Если и тут все ок, то доставить _dd все в 7. Также помнить, что tWR можно выставить через wrpre, если он так руками не ставится, а Wtrs и Wtrl ставится через wrwrsg/dg
С первичными 18 20 20 44 с самого начала не пошло: при их выставлении и плюс rrds 4, tfaw 16, rrdl 6, tcwl 18 - ошибки в тесте с первых секунд. Повышал напряжение на памяти до 1,44 и sa io до 1,25, только хуже становилось. Взял и добавил к ним все остальные из вашего поста, кроме _dd, и один раз тест прошёл. Добавил _dd 7 и сразу ошибки. Убрал _dd 7, ошибка в тесте вышла на 57-ой минуте из 59. После этого вернул первичные 18 20 20 42 плюс rrds 4, tfaw 16, rrdl 6, tcwl 18 - была одиночная ошибка в начале теста, подкорректировал напряжение на памяти до 1,37 и тест прошёл. Добавил все из вашего поста, кроме _dd. Тест прошёл. Добавил _dd 7 - ошибки с первых секунд. Убираю _dd - начинает идти без ошибок. Дело оказалось в rdrd_dd, он с 7 не идёт, c 6 тест проходит. Сейчас вот такие тайминги и напряжения, и тест прошёл дважды (до установки _dd 7, и после установки rdrd_dd 6): Причем, память эта не "любит" высоких напряжений, начинает ошибки подкидывать (может перегревается), а вот в пределах 1.35-1.38 стабильнее себя ведёт.
#77
Ещё хотел спросить про параметры wrrd_sg wrrd_dg они сейчас в Auto, их так и оставить? И оставшиеся из таблицы twrpden txp twrpre заносить в биос?
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 24.03.2006 Откуда: Moscow Фото: 263
Albram Это скорее псевдостабильность. Потом будут вылезать ошибки. Если с первичками и 3 указанными таймингами не проходит - повышайтесь до 18-21-21-43. Если не пойдет - тогда CL повышать до 19
С первичными 18 20 20 44 с самого начала не пошло: при их выставлении и плюс rrds 4, tfaw 16, rrdl 6, tcwl 18 - ошибки в тесте с первых секунд
Добавлено спустя 36 секунд:
Albram писал(а):
После этого вернул первичные 18 20 20 42 плюс rrds 4, tfaw 16, rrdl 6, tcwl 18 - была одиночная ошибка в начале теста, подкорректировал напряжение на памяти до 1,37 и тест прошёл.
Добавлено спустя 1 минуту:
Добавлено спустя 3 минуты 32 секунды: Вольтаж надо ставить разу с запасом, ибо это выглядит как очередная дичь.
Добавлено спустя 1 минуту 59 секунд:
Albram писал(а):
Ещё хотел спросить про параметры wrrd_sg wrrd_dg они сейчас в Auto, их так и оставить?
Можно и руками выставить их, значения получились приемлемые
Добавлено спустя 2 минуты 10 секунд:
Albram писал(а):
И оставшиеся из таблицы twrpden txp twrpre заносить в биос?
Лучше найти power down Mode и поставить в disable, а PPD выставить в 0
Добавлено спустя 28 секунд: Теперь можно попробовать с tREFI 65024 поехать
Добавлено спустя 42 секунды: Тут уже лучше сделать вертушки корпуса потише, либо карту в паре разогреть с тестом
Junior
Статус: Не в сети Регистрация: 09.03.2021 Фото: 25
CHiCHo писал(а):
Albram Это скорее псевдостабильность. Потом будут вылезать ошибки. Если с первичками и 3 указанными таймингами не проходит - повышайтесь до 18-21-21-43. Если не пойдет - тогда CL повышать до 19
Проходит, просто я напряжения на память "пожадничал". А на стабильность потом, конечно, погоняю комп тестами и рабочими нагрузками.
Добавлено спустя 1 час 40 минут 25 секунд:
KaBooo писал(а):
Вольтаж надо ставить разу с запасом, ибо это выглядит как очередная дичь.
Да, похоже пожадничал я напряжения на память.
KaBooo писал(а):
Лучше найти power down Mode и поставить в disable, а PPD выставить в 0
ОК, выставил оба.
KaBooo писал(а):
Теперь можно попробовать с tREFI 65024 поехать
Поставил trefi 65024, подобрал минимальный trfc, при котором стартовал биос - 564, выставил 584, и напряжение на память 1,4. Тест в конце первого прохода выдал уже мелькавшую тут ошибку "Error Handled Thread, Core 0", но ошибок памяти не было. Снизил до 1.38 напряжение памяти, и тест прошел.
#77
Так и оставлять, или ещё что-то можно оптимизировать?
Сейчас этот форум просматривают: Gramzy2, SH@RK и гости: 18
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения