Часовой пояс: UTC + 3 часа




Куратор(ы):   anta777    fedx   



Начать новую тему Новая тема / Ответить на тему Ответить  Сообщений: 43661 • Страница 1508 из 2184<  1 ... 1505  1506  1507  1508  1509  1510  1511 ... 2184  >
  Пред. тема | След. тема 
В случае проблем с отображением форума, отключите блокировщик рекламы
Автор Сообщение
 
Прилепленное (важное) сообщение

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 18.05.2005
Откуда: Moscow
Фото: 9
Принятые в теме сокращения (и заодно необходимые утилиты для отладки и тестирования памяти)
TM5 - TestMem5
ATC=Asrock Timing Configurator 4.0.4 for z370/390
Asrock Timing Configurator 4.0.13
Asrock Timing Configurator 4.0.12 for z690
Asrock Timing Configurator 4.0.10 for z590
Asrock Timing Configurator 4.0.9 for z490
Asrock Timing Configurator 4.0.8
Asrock Timing Configurator 4.0.3 for z170/270/490

Asrock Timing Configurator 4.0.16
https://drive.google.com/file/d/1-PdgLkCf-5cA3b1kqO2CmFyhXtz-tiS3

AMT - Asus MemTweakit Asus MemTweakIt 2.02.44

При настройке памяти в BIOS ставим ОБЯЗАТЕЛЬНО MRC Fast boot=disable (включаем при этом режим тонкой тренировки, если же выставим enable, то включаем режим грубой тренировки).
Оптимально при разгоне памяти использовать в биосе множитель памяти 133, а не авто или 100, что даст возможность создать комфортные условия для контроллера памяти в процессоре и снизить напряжения ио и са !
Недаром в Jedec шаг между спидбинами именно 133, а не 100!
Для плат с Alder Lake напряжения VDD и VDDQ на память могут отличаться не больше, чем на 300 мВ.
Для плат на основе логики z690 и b660:
VDD>VDDQ
VDDQ>=VDD-300mV(0.3V)

Лучше на VDDQ не превышать 1.25V. Вполне возможно 1.30V. MSI дает зазор до 1.40V.
Для таймингов должно выполняться требование:
_dr=_dd

Разгон памяти у современной DDR4 (16 банков,RRDS=4,FAW=16,BL=8) эффективен только при tRC<=64,если каждый новый блок чтения происходит с разных банков памяти.
Для 4-х слотовых плат при разгоне желательно в биосе отключить неиспользуемые слоты.
Для максимальной производительности памяти значение tRFC в тактах для 8-Гбитных чипов должно быть кратно 8,а для 16-Гбитных чипов - 16. Если это правило не соблюдать, то будут вставлены лишние такты при каждом цикле обновления памяти.
Для желающих максимально снизить tRFC.
Делим tRFC на сумму tRCD,tRTP и tRP.
Если результат ближе к 4, то снижать tRFC можно по 4 такта.
Если результат ближе к 2, то снижать tRFC можно по 2 такта.
Это связано с тем, что обновление происходит субмассивами, которые обязательно кратны 2.

Новая информация по tRAS
Чтение с модуля памяти у DDR4 происходит блоками. Минимальный блок сейчас составляет 64 байта, что связано с размером строки кэша у процессора. Этот блок может считываться как с одного банка, так и с разных.
tRAS=tRCD+tRTP (при считывании 8 байт с одного банка)
tRAS=tRCD+tRTP+4 (при считывании 16 байт с одного банка)
tRAS=tRCD+tRTP+8 (считывание 24 байт - маловероятно)
tRAS=tRCD+tRTP+12 (при считывании 32 байт с одного банка). Самый верный выбор для DDR4!
tRAS=tRCD+tRTP+16 (считывание 40 байт - маловероятно)
tRAS=tRCD+tRTP+20 (считывание 48 байт - маловероятно)
tRAS=tRCD+tRTP+24 (считывание 56 байт - маловероятно)
tRAS=tRCD+tRTP+28 (при считывании 64 байт с одного банка)
Для DDR4 оптимальным выбором является 4-й или последний вариант.
Но если выставить tRAS меньше, то ничего трагичного не произойдет, так как джедек придумала предохранитель (tRTP), поэтому можно не заморачиваться и выставлять минимальный tRAS (=tRCD+tRTP).


Напряжения на процессоре при разгоне памяти
SA- безопасный уровень (по данным MSI) 1.35, растет от частоты памяти и зависит от подключенной периферии к PCIE, чем больше скорость видеокарты и NVME-диска, тем выше нужно напряжение.
IO (для Z590 =IO2, а просто IO можно оставлять в авто, для Z690=IVR DDQ)- обычно хорошо работает если на 50 мВ ниже SA, но чем ниже, тем лучше, стараться максимально снижать.
Тоже растет с ростом частоты памяти.
Для ориентира при настройке всегда рекомендую глянуть, что за напряжения SA и IO выставляет материнка в авто.


Для начала тезисно несколько правил «успешного разгона и установки памяти»:
1. Ни в коем случае не используем XMP профили – этот режим протестирован на совместимость, но не даёт оптимальную производительность. Поскольку заводская настройка не блещет идеальным подбором, можно получить до 20-25% производительности дополнительно, вручную настраивая тайминги и напряжения. Также XMP режим чреват завышениями вольтажа самой память и контроллера памяти\SOC.
2. Правильная установка модулей – А2 (для одного модуля), A2B2 (для двух модулей).
3. Самый лучший разгон по частоте достигается при использовании одного модуля, при наличии двух планок максимальная частота лишь немного хуже. У четырёх – либо хуже (на устаревающем LGA2011-3) либо такой же или лучше (LGA2066), которые могут стабильно работать с 4мя модулями на 4000CL16.
4. Если используется два модуля, то худший модуль (требующий бОльшего напряжения для стабильного разгона) должен стоять ближе к процессору в слоте A2.
5. Перед настройкой частоты и таймингов памяти отключить подсветку модулей памяти - т.к. это даёт лишний нагрев.

УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ГАЙД ПО НАСТРОЙКЕ от Agiliter
Универсальный гайд.
0. Устраните любые потенциальные проблемы с другим железом. Снимите разгон с видеокарты, снизьте частоту цп на 300 с сохранением напряжения. Не забудьте вернуть RTL в авто если сейчас не авто.
1. Крутим очень короткий мемтест, то есть если минуту живёт сразу снижать тайминг дальше. Ищите не стабильность, а явно сбойное значение тайминга, запишите его - пригодится. Гораздо проще найти явно нерабочее значение и от него плясать чем пытаться ловить нестабильность часами. Это также помогает диагностировать сбойные тайминги на ранее "стабильной памяти".
Не пытайтесь найти предельные значение сразу. Сначала скрутите до +2 от минимально стабильного. Многие тайминги идут параллельно поэтому бессмысленно пытаться скрутить до упора с первого прохода.
CR выставить на 2 если стоит 1. В самом конце можно попробовать скинуть до 1. 3 Ставить только на очень большую частоту или если по другому ну совсем никак.

Начните с RCD, CL. Не обязательно должны быть одинаковыми, обычно CL идёт меньше чем RCD.
RAS сразу пробуйте как RCD+CL+4, до этого значения от него существенная разница, дальше меньше.
CWL<=CL. Допустимые значения 9,10,11,12,14,16,18,20.
RP можете выставить по RCD, если пойдёт меньше - тоже неплохо, не уверен правда насчёт смысла.
RTP без формул. Если не идёт вниз можно попробовать поднять чуть чуть RP. В DDR4 явно связан с WR соотношением 2 к 1 (например WR20\RTP10), физически хранится одно значения и в зависимости от операции интерпретируется.
Скрутите FAW до 16(так и оставьте если работает). С таким FAW скручивайте RRD(оба, L обычно больше чем S), возможно поедут на 4 оба. Если до 4 не удалось спустить поднимите FAW до уровня RRDL*4 и попробуйте ещё, хотя это скорее всего уже почти предел.
Обычно L>=S. L - SG(Same Group). S - DG(Different Group) Напр. RRD_L>=RRD_S.
CKE=5
СCDL>=4
RDRD_DD и прочие подобные можно проигнорировать если у вас нет двух планок на один канал (4 планки). DD-Different Dimm. Тоже самое с DR-Different Rank если у вас одноранговая память.
RDWR_SG(DG) и подобные сочетания скручивайте до минимальных рабочих, потом накиньте сверху +2. Как уже отметил обычно SG>=DG.
WTR не трогайте он сам спустится когда будете скидывать WRRD_SG(DG) и прочие подобные. Если сам меньше не стал тогда руками скидывать.
WR снижать через WRPRE если есть. Если нет или не снижает WR, То скрутите его скажем до 12 или +4 от рабочего, потом дожмёте если не лень будет.
RFC явных формул нет, крутить после всего списка сверху. Не пытайтесь найти его минимальное значение если не хотите чтобы память начинала сыпать ошибками от любого чиха. найдите пограничное со стабильностью значение и накиньте сверху 20 или сразу 40. Может реагировать на RAS+RP, RRD, FAW, причём в обе стороны (то есть может "сломаться" если задрать названные), а может и не реагировать...
REFi больше лучше. Связан с RFC. REFI сколько память "работает" - RFC сколько "отдыхает". Оба тайминга лучше не пытаться найти предельное значение.Заметно реагируют на температуру.
Многие тайминги отзываются и на температуру и на напряжение. Поскольку напряжение может как позволить снизить тайминг, так и увеличить температуру, то середину можно искать очень долго, поэтому лучше бы вовремя остановится.
Тестируйте тщательно с перезагрузками, сном, холодным стартом.
RTL и IOL вам кто-то другой пусть советует как настраивать, от них у меня голова болеть начинает...

Таблицы от anta777
Актуальные (последние) версии:
TableDRAMIntel(simple3nov2020+simple12oct2020+обычная)
http://bit.ly/3rTIBLv
http://bit.ly/3nWJlxB
http://bit.ly/32WnkTU
Conf tm5(slight+uni@LMHz+extreme+absolut)
http://bit.ly/2Oe8R00 - суперлайт
http://bit.ly/2H9jIZH - универсальный
http://bit.ly/2MUvl6n - экстремальный
http://bit.ly/3D9TUnD - абсолют
http://bit.ly/3STH2wx - новый для интела и DDR5
http://bit.ly/3wedj8U - новый для Ryzen3D и DDR5
Тяжелый
http://bit.ly/35eKfeJ

Расчет таймингов (на материнках ASUS)

tRASmin=tCL+tRCD+2
WTRS/L устанавливаются в биосе через WRRDdg/sg согласно формуле:
WRRD_sg=6+CWL+WTR_L
WRRD_dg=6+CWL+WTR_S
WR - через WRPRE (для матплат ASUS):
WRPRE=4+CWL+WR
RTP - через RDPRE (для матплат ASUS)
RDPRE=RTP

МЕГАпост про RTL и настройку
ПРО НАПРЯЖЕНИЕ НА ПАМЯТЬ!
VDDDQ=1.5 V max по Jedec
VrefCA=0.6xVDDDQ=0.9 V (max по Jedec), в даташите контроллера интел тоже разрешено максимальное vrefca=0.6xVdddq.
То есть при обычной настройке биоса, когда VrefCA=0.5xVDDDQ, VDRAM<=1.8 V, чтобы уложиться в нормы по Jedec.
А если при этом в биосе настроить vrefca=0.49xvdddq (разрешено по Jedec), то безопасное Vdram может быть еще выше=1.837 V.
Вывод: для контроллера процессора напряжение на память <=1.8 V неопасно


МЕТОДИКА ПОДБОРА ВЕРНЫХ RTT WR, RTT PARK, RTT NOM
https://forums.overclockers.ru/viewtopic.php?p=17484594#p17484594
На OCN есть методика их подбора с помощью Passmark memtest86, использовать только 8-й тест.


ШАБЛОН ПОСТА
Код:
CPU Name: Intel® Core™ i7-7740K CPU @ 4.30GHz
Motherboard Model: MSI X299 GAMING PRO CARBON AC (MS-7A95)
Total Size: 8192 MB
Type: Single Channel (64 bit) DDR4-SDRAM
Frequency: 2750 MHz - Ratio 1:31
Timings: 21-31-31-63-2 (tCAS-tRC-tRP-tRAS-tCR)
Slot #1 Module: G.Skill 8192 MB (DDR4-2137) - XMP 2.0 - P/N: F4-3200C14-8GVR

[img]Ссылка на скрин[/img]
Для сбора статистики по установленным чипам памяти просьба прикладывать скрины программы Taiphoon Burner и указывать напряжения на DIMM, IO и SA![/color]


Расшифровка коротких наименований таймингов часть 1 и часть 2

Предварительная настройка параметров разгона в BIOS платы (на примере плат ASUS)

Пресет для поиска максимальной частоты DDR4 и расчета таймингов от Agiliter (может пригодиться тем у кого плата автоматом выставляет какую-то дичь при автоматической частоте)
Необходимо дополнительное тестирование и ваши предложения что там добавить или поменять.

Кстати, на нашем форуме есть еще и другая Таблица по расчёту таймингов


Таблица tRFC от integralfx
Below are the typical tRFC in ns for the common ICs:
IC tRFC (ns)
Hynix 8Gb AFR 260 - 280
Hynix 8Gb CJR 260 - 280
Hynix 8Gb DJR 260 - 280
Micron 8Gb Rev. E 280 - 310
Micron 16Gb Rev. B 290 - 310
Samsung 8Gb B-Die 120 - 180
Samsung 8Gb C-Die 300 - 340

Таблица tRFC от Reous v26
#77

Расшифровка чипов, находящихся в модуле памяти у разных производителей
#77

Ревизии печатных плат. A0,A1 или A2 планки, как узнать
#77
#77
#77
#77

Статистика tRCD планок в зависимости от типов чипов
#77
#77
#77
Чем выше вы в вертикальном столбце, тем удачнее планки.
Чем интенсивнее цвет, тем выше статистический процент (данные старые,теперь удачнее чипы выходят)
На 1 таблице все,что выше красной линии - суперотборники.

Советы по верной тренировке
1.Поднять напряжения на VCCSA и VCCIO.
2.Включить в биосе Round Trip Latency.
3.Для гигабайтов - memory enchancement=normal.


Программы для тестирования памяти
GSAT- https://drive.google.com/file/d/1iCj0-jQIXIlo_Zvm5jO949ZH9fClTNF3/edit
для длинных тестов добавил параметр "--pause_delay" чтоб периодически не отключались потоки


Последний раз редактировалось anta777 09.12.2024 13:52, всего редактировалось 165 раз(а).
Внесены дополнения по tRFC и tRAS.



Партнер
 

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 15.07.2020
1.6v 8-)
Вложение:
1_6v.png
1_6v.png [ 694.18 КБ | Просмотров: 2722 ]

2 недели назад Gsat не признавали а теперь признають чи шо? :?:
P.s 1ранг живёт своей жизнью :crazy:
Вложение:
MSI_SnapShot33_00.jpg
MSI_SnapShot33_00.jpg [ 206.52 КБ | Просмотров: 2722 ]


 

Куратор темы
Статус: Не в сети
Регистрация: 10.06.2011
Чтобы быстро подобрать RTT, то удобно использовать gsat.
Не вижу в этом ничего плохого.

_________________
TableDRAM(simple+обычная) bit.ly/3rTIBLv bit.ly/32WnkTU
Tm5(ddr4/5) bit.ly/2Oe8R00 bit.ly/2H9jIZH bit.ly/2MUvl6n bit.ly/3wedj8U bit.ly/3STH2wx


 

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 25.03.2016
Откуда: Липецк
Фото: 72
anta777
Единичная ошибка в тесте #2.
#77

Может так проявиться низкое IO, SA?
IO=SA=1.23V, память=1.39V
Я думаю, что это из-за чрезмерно завышенного tREFI
Уменьшу tREFI с 65024 до 60000 и на ночь оставлю гоняться.

_________________
i5-10600KF, MSI Z490-A Pro, NH-D15, 2 x BL16G30C15U4B.M16FE1, MSI GF GTX960Gaming2G, Samsung 970 EVO Plus 500GB, FD Define S, FD Ion+Platinum560W


 

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 15.07.2020
iskandar
Думаю 1 бит  по адресу 0x7f5d42a66248 был случайно изменен  под воздействием элементарной частицы , пролетавшей через него транзитом из космоса. Но беспощадный TM5 принял  данный факт за ошибку.
P.S  Смирись. Такое бывает из non-Ecc памятью.


 

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 06.06.2007
Откуда: Ниоткуда
Фото: 53
iskandar писал(а):
Соображение простое - меньше нагрев = меньше проблем

Так то да, но гоняя сотни часов ТМ5, вы такой нагрузке подвергаете память, что от выигрыша 1-2% по напряжению не будет никакого толка в плане долговечности памяти.
Контролёра памяти тоже касается. Поставили условно безопасные напруги, прогнали пару раз тесты и забыли. Ну ладно 20 часов ТМ5, но 10-ки раз по 7-8 часов, это перебер, ИМХО.
Если бред написал, думаю уважаемый anta777 поправит)

_________________
9900KF 5.0GHz/1.30V☻MAXIMUS XI HERO☻32GB DDR4 3700MHz/16-18-18-36 CR1/1.40V☻RTX 3080 Ti AORUS XTREME☻2TB XPG S11 Pro☻Corsair AX860☻LG 32GK850G


 

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 25.03.2016
Откуда: Липецк
Фото: 72
2500K_2 писал(а):
iskandar
Думаю 1 бит  по адресу 0x7f5d42a66248 был случайно изменен  под воздействием элементарной частицы , пролетавшей через него транзитом из космоса. Но беспощадный TM5 принял  данный факт за ошибку.
P.S  Смирись. Такое бывает из non-Ecc памятью.

Я должен логику происходящего понимать. Я ради этого специально загонял память в режимы с ошибками.
Если мои предположения верны, то поможет снижение tREFI.
Я же не брошу ради этого все дела. На ночь оставлю гоняться, мне это не напряжно.
PS
Очень смешно после всего этого читать опусы про "тестировал память TM5 без ошибок 100%".

_________________
i5-10600KF, MSI Z490-A Pro, NH-D15, 2 x BL16G30C15U4B.M16FE1, MSI GF GTX960Gaming2G, Samsung 970 EVO Plus 500GB, FD Define S, FD Ion+Platinum560W


 

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 06.06.2007
Откуда: Ниоткуда
Фото: 53
2500K_2 писал(а):
Думаю 1 бит  по адресу 0x7f5d42a66248 был случайно изменен  под воздействием элементарной частицы , пролетавшей через него транзитом из космоса

Кстати, вычитал в википедии:
"Электромагнитные помехи внутри компьютерной системы способны спонтанно поменять состояние ячейки компьютерной памяти. Самой частой причиной такого изменения являются нейтроны из космических лучей. Поэтому частота ошибок в компьютерных системах возрастает при увеличении высоты. Так, поток нейтронов в 3,5 раза больше на высоте 1,5 км и в 300 раз больше на высоте 10-12 км (типичной высоте полёта пассажирских самолётов), чем на уровне моря. Поэтому системы, работающие на большой высоте, требуют большей защиты".
Я например на 21 этаже живу, думаю может на 1-м этаже получится на меньших напругах проходить тесты))

_________________
9900KF 5.0GHz/1.30V☻MAXIMUS XI HERO☻32GB DDR4 3700MHz/16-18-18-36 CR1/1.40V☻RTX 3080 Ti AORUS XTREME☻2TB XPG S11 Pro☻Corsair AX860☻LG 32GK850G


 

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 25.03.2016
Откуда: Липецк
Фото: 72
RustamS
Я по диплому инженер металлург-физик. Специализировался на обслуживании систем питания йоннных имплантеров (питание до мегавольта). В аспирантуре недоучился по специальности Физика твёрдого тела. Полжизни разрабатывал и производил импульсные источники питания, особенно высоковольтные. Вот как думаешь, я сильно нуждаюсь в твоих советах по поводу перегрева , ресурса элементов и способов защиты от солнечной радиации?
PS
Защита от нейтронов - масса. Какое вещество - практически пофигу. В твоём случае это в основном атмосфера плюс ж/б плиты перекрытий.

_________________
i5-10600KF, MSI Z490-A Pro, NH-D15, 2 x BL16G30C15U4B.M16FE1, MSI GF GTX960Gaming2G, Samsung 970 EVO Plus 500GB, FD Define S, FD Ion+Platinum560W


Последний раз редактировалось iskandar 31.05.2021 12:53, всего редактировалось 1 раз.

 

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 22.03.2019
Фото: 15
RustamS писал(а):
Очень смешно после всего этого читать опусы про "тестировал память TM5 без ошибок 100%".

Всего 24 цикла Universal2? Ну какая тут 100%-я стабильность? А если на 627-м цикле вылезет ошибка?))

RustamSПора спецбункер строить для тестов)))


 

Куратор темы
Статус: Не в сети
Регистрация: 10.06.2011
tREFI проще всего тестировать, создав искусственный перегрев памяти.
Нет смысла во многих циклах универсала.
Законопатить все отверстия в корпусе, отключить корпусные вентиляторы, включить фурмарк, поднять температуру в комнате, перегрев обеспечен.
Кто-то тряпку кладет на память.

Главное при этом не выйти за 85 градусов внутри чипов.

Смысл всех тестов - это за короткое время создать нагрузки, большие за обычные.

_________________
TableDRAM(simple+обычная) bit.ly/3rTIBLv bit.ly/32WnkTU
Tm5(ddr4/5) bit.ly/2Oe8R00 bit.ly/2H9jIZH bit.ly/2MUvl6n bit.ly/3wedj8U bit.ly/3STH2wx


Последний раз редактировалось anta777 31.05.2021 13:16, всего редактировалось 1 раз.

 

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 25.08.2016
Откуда: сибирские афины
anta777 писал(а):
tREFI проще всего тестировать, создав искусственный перегрев памяти.
Нет смысла во многих циклах универсала.
Законопатить все отверстия в корпусе, отключить корпусные вентиляторы, включить фурмарк, поднять температуру в комнате, перегрев обеспечен.
Кто-то тряпку кладет на память.

Главное при этом не выйти за 85 градусов внутри чипов.



Если балистики U4 не перегреваются выше 50 под любой нагрузкой при 1.35В, можно исключить влияние температур на ошибки? Вообще, видел ролик на ютубе что micron E-die не реагируют на температуры, в то время как samsung b-die очень зависмым


 

Куратор темы
Статус: Не в сети
Регистрация: 10.06.2011
А вы не видите истинных температур внутри чипа, в этом и проблема.
Термодатчик показывает погоду на Марсе.

_________________
TableDRAM(simple+обычная) bit.ly/3rTIBLv bit.ly/32WnkTU
Tm5(ddr4/5) bit.ly/2Oe8R00 bit.ly/2H9jIZH bit.ly/2MUvl6n bit.ly/3wedj8U bit.ly/3STH2wx


 

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 25.03.2016
Откуда: Липецк
Фото: 72
anta777 писал(а):
А вы не видите истинных температур внутри чипа, в этом и проблема.
Термодатчик показывает погоду на Марсе.

Даже пирометр не поможет. Нужен термосенсор, интегрированный в сам кристалл.

Добавлено спустя 7 минут 11 секунд:
anta777 писал(а):
tREFI проще всего тестировать, создав искусственный перегрев памяти.
Нет смысла во многих циклах универсала.

Это если причина - нагрев кристаллов памяти.
Но может же быть и другая причина. Какие-нибудь внутренние утечки и т.п. Есть же какие-то технологические ограничения на tREFI.
Уж ОЧЕНЬ редкие ошибки и я пока ничем другим их не смог поймать. К тому же похолодало и я включил вентиляцию в корпусе на приличный продув. Не думаю, что причина в перегреве чего бы то ни было.

_________________
i5-10600KF, MSI Z490-A Pro, NH-D15, 2 x BL16G30C15U4B.M16FE1, MSI GF GTX960Gaming2G, Samsung 970 EVO Plus 500GB, FD Define S, FD Ion+Platinum560W


 

Куратор темы
Статус: Не в сети
Регистрация: 10.06.2011
Универсал создает локальный перегрев.

_________________
TableDRAM(simple+обычная) bit.ly/3rTIBLv bit.ly/32WnkTU
Tm5(ddr4/5) bit.ly/2Oe8R00 bit.ly/2H9jIZH bit.ly/2MUvl6n bit.ly/3wedj8U bit.ly/3STH2wx


 

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 22.03.2019
Фото: 15
anta777 писал(а):
Кто-то тряпку кладет на память.

Довольно быстрый действенный способ нахождение температурного влияния на возникновение ошибок.
G.Skill TRIDENT Z [F4-3200C14D-32GTZSK] с тряпкой в Суперлайте начинает сыпать ошибками уже при 58гр. по термодатчикам, а Экстрим без неё проходит чисто при 53-54гр. Тайминги в альбоме.


Последний раз редактировалось Ramforce 31.05.2021 17:30, всего редактировалось 1 раз.

 

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 25.03.2016
Откуда: Липецк
Фото: 72
anta777 писал(а):
Универсал создает локальный перегрев.

Нет корелляции этих ошибок с температурой в корпусе компьютера. Я не думаю, что это перегрев, пусть даже локальный.
Если бы прям сыпались ошибки, то я бы напрягся по поводу перегрева кристаллов. Я и так напряжение на памяти снизил настолько, насколько смог. Могу ещё на ступеньку снизить до 1.38V
Если я прав, то после снижения tREFI до 60000 эта ошибка пропадёт.
После этого эксперименты с памятью временно прекращу.

_________________
i5-10600KF, MSI Z490-A Pro, NH-D15, 2 x BL16G30C15U4B.M16FE1, MSI GF GTX960Gaming2G, Samsung 970 EVO Plus 500GB, FD Define S, FD Ion+Platinum560W


Последний раз редактировалось iskandar 31.05.2021 17:20, всего редактировалось 1 раз.

 

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 15.10.2019
Откуда: Moscow
Фото: 73
Немного глупый вопрос, но есть ли смысл разобрать триденты и поставить 0.5 термопрокладки с хорошей теплопроводностью?

_________________
канал: t.me/mxtekh | конфа: по запросу | спеки: bit.ly/2025cfg | гайд: bit.ly/ddr-5


 

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 22.03.2019
Фото: 15
pakhtunov писал(а):
Немного глупый вопрос, но есть ли смысл разобрать триденты и поставить 0.5 термопрокладки с хорошей теплопроводностью?

Тоже были мысли на этот счёт. Думаю там сами радиаторы не в состоянии рассеять столько тепла, лучше кастом или обдув.


 

Junior
Статус: Не в сети
Регистрация: 26.02.2020
Всем Привет. На первом фото экстрим пройден без ошибок, на втором 3,
что лучше всего сделать, tREFI убавить или еще что ?


Вложения:
T-1 3900 16-20-20 -40-56 1,41v.jpg
T-1 3900 16-20-20 -40-56 1,41v.jpg [ 582.33 КБ | Просмотров: 3036 ]
2.jpg
2.jpg [ 747.06 КБ | Просмотров: 3036 ]

_________________
ЦП: 10700kf
Материнка: Gigabyte z490 Aaorus Elite AC
Оперативка: Crucial Ballistix bl16g30c15u4b 2x16
 

Member
Статус: Не в сети
Регистрация: 08.09.2019
Фото: 130
MortTy писал(а):
или еще что ?

Всё неправильно . Нужен IO-L 7 , на гигабайт сложно но если вкл. X.M.P то легко , можешь потренироваться без многочасовых тестов . За бугром разгон памяти при вкл. Х.М.Р. на гиге популярен многие тайминги оставляют на авто у нас нет и это правильно .

_________________
I7-14700K , Z790 Master X , RTX 5080 GameRock OC , Arctic Cooling Liquid Freezer II - 420 A-RGB .


Показать сообщения за:  Поле сортировки  
Начать новую тему Новая тема / Ответить на тему Ответить  Сообщений: 43661 • Страница 1508 из 2184<  1 ... 1505  1506  1507  1508  1509  1510  1511 ... 2184  >
-

Часовой пояс: UTC + 3 часа


Кто сейчас на конференции

Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей и гости: 19


Вы не можете начинать темы
Вы не можете отвечать на сообщения
Вы не можете редактировать свои сообщения
Вы не можете удалять свои сообщения
Вы не можете добавлять вложения

Перейти:  
Создано на основе phpBB® Forum Software © phpBB Group
Русская поддержка phpBB | Kolobok smiles © Aiwan