AMT - Asus MemTweakit Asus MemTweakIt 2.02.44 При настройке памяти в BIOS ставим ОБЯЗАТЕЛЬНО MRC Fast boot=disable (включаем при этом режим тонкой тренировки, если же выставим enable, то включаем режим грубой тренировки). Оптимально при разгоне памяти использовать в биосе множитель памяти 133, а не авто или 100, что даст возможность создать комфортные условия для контроллера памяти в процессоре и снизить напряжения ио и са ! Недаром в Jedec шаг между спидбинами именно 133, а не 100! Для плат с Alder Lake напряжения VDD и VDDQ на память могут отличаться не больше, чем на 300 мВ. Для плат на основе логики z690 и b660: VDD>VDDQ VDDQ>=VDD-300mV(0.3V) Лучше на VDDQ не превышать 1.25V. Вполне возможно 1.30V. MSI дает зазор до 1.40V. Для таймингов должно выполняться требование: _dr=_dd
Разгон памяти у современной DDR4 (16 банков,RRDS=4,FAW=16,BL=8) эффективен только при tRC<=64,если каждый новый блок чтения происходит с разных банков памяти. Для 4-х слотовых плат при разгоне желательно в биосе отключить неиспользуемые слоты. Для максимальной производительности памяти значение tRFC в тактах для 8-Гбитных чипов должно быть кратно 8,а для 16-Гбитных чипов - 16. Если это правило не соблюдать, то будут вставлены лишние такты при каждом цикле обновления памяти. Для желающих максимально снизить tRFC. Делим tRFC на сумму tRCD,tRTP и tRP. Если результат ближе к 4, то снижать tRFC можно по 4 такта. Если результат ближе к 2, то снижать tRFC можно по 2 такта. Это связано с тем, что обновление происходит субмассивами, которые обязательно кратны 2.
Новая информация по tRAS
Чтение с модуля памяти у DDR4 происходит блоками. Минимальный блок сейчас составляет 64 байта, что связано с размером строки кэша у процессора. Этот блок может считываться как с одного банка, так и с разных. tRAS=tRCD+tRTP (при считывании 8 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+4 (при считывании 16 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+8 (считывание 24 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+12 (при считывании 32 байт с одного банка). Самый верный выбор для DDR4! tRAS=tRCD+tRTP+16 (считывание 40 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+20 (считывание 48 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+24 (считывание 56 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+28 (при считывании 64 байт с одного банка) Для DDR4 оптимальным выбором является 4-й или последний вариант. Но если выставить tRAS меньше, то ничего трагичного не произойдет, так как джедек придумала предохранитель (tRTP), поэтому можно не заморачиваться и выставлять минимальный tRAS (=tRCD+tRTP).
Напряжения на процессоре при разгоне памяти
SA- безопасный уровень (по данным MSI) 1.35, растет от частоты памяти и зависит от подключенной периферии к PCIE, чем больше скорость видеокарты и NVME-диска, тем выше нужно напряжение. IO (для Z590 =IO2, а просто IO можно оставлять в авто, для Z690=IVR DDQ)- обычно хорошо работает если на 50 мВ ниже SA, но чем ниже, тем лучше, стараться максимально снижать. Тоже растет с ростом частоты памяти. Для ориентира при настройке всегда рекомендую глянуть, что за напряжения SA и IO выставляет материнка в авто.
Для начала тезисно несколько правил «успешного разгона и установки памяти»:
1. Ни в коем случае не используем XMP профили – этот режим протестирован на совместимость, но не даёт оптимальную производительность. Поскольку заводская настройка не блещет идеальным подбором, можно получить до 20-25% производительности дополнительно, вручную настраивая тайминги и напряжения. Также XMP режим чреват завышениями вольтажа самой память и контроллера памяти\SOC. 2. Правильная установка модулей – А2 (для одного модуля), A2B2 (для двух модулей). 3. Самый лучший разгон по частоте достигается при использовании одного модуля, при наличии двух планок максимальная частота лишь немного хуже. У четырёх – либо хуже (на устаревающем LGA2011-3) либо такой же или лучше (LGA2066), которые могут стабильно работать с 4мя модулями на 4000CL16. 4. Если используется два модуля, то худший модуль (требующий бОльшего напряжения для стабильного разгона) должен стоять ближе к процессору в слоте A2. 5. Перед настройкой частоты и таймингов памяти отключить подсветку модулей памяти - т.к. это даёт лишний нагрев.
УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ГАЙД ПО НАСТРОЙКЕ от Agiliter
Универсальный гайд. 0. Устраните любые потенциальные проблемы с другим железом. Снимите разгон с видеокарты, снизьте частоту цп на 300 с сохранением напряжения. Не забудьте вернуть RTL в авто если сейчас не авто. 1. Крутим очень короткий мемтест, то есть если минуту живёт сразу снижать тайминг дальше. Ищите не стабильность, а явно сбойное значение тайминга, запишите его - пригодится. Гораздо проще найти явно нерабочее значение и от него плясать чем пытаться ловить нестабильность часами. Это также помогает диагностировать сбойные тайминги на ранее "стабильной памяти". Не пытайтесь найти предельные значение сразу. Сначала скрутите до +2 от минимально стабильного. Многие тайминги идут параллельно поэтому бессмысленно пытаться скрутить до упора с первого прохода. CR выставить на 2 если стоит 1. В самом конце можно попробовать скинуть до 1. 3 Ставить только на очень большую частоту или если по другому ну совсем никак.
Начните с RCD, CL. Не обязательно должны быть одинаковыми, обычно CL идёт меньше чем RCD. RAS сразу пробуйте как RCD+CL+4, до этого значения от него существенная разница, дальше меньше. CWL<=CL. Допустимые значения 9,10,11,12,14,16,18,20. RP можете выставить по RCD, если пойдёт меньше - тоже неплохо, не уверен правда насчёт смысла. RTP без формул. Если не идёт вниз можно попробовать поднять чуть чуть RP. В DDR4 явно связан с WR соотношением 2 к 1 (например WR20\RTP10), физически хранится одно значения и в зависимости от операции интерпретируется. Скрутите FAW до 16(так и оставьте если работает). С таким FAW скручивайте RRD(оба, L обычно больше чем S), возможно поедут на 4 оба. Если до 4 не удалось спустить поднимите FAW до уровня RRDL*4 и попробуйте ещё, хотя это скорее всего уже почти предел. Обычно L>=S. L - SG(Same Group). S - DG(Different Group) Напр. RRD_L>=RRD_S. CKE=5 СCDL>=4 RDRD_DD и прочие подобные можно проигнорировать если у вас нет двух планок на один канал (4 планки). DD-Different Dimm. Тоже самое с DR-Different Rank если у вас одноранговая память. RDWR_SG(DG) и подобные сочетания скручивайте до минимальных рабочих, потом накиньте сверху +2. Как уже отметил обычно SG>=DG. WTR не трогайте он сам спустится когда будете скидывать WRRD_SG(DG) и прочие подобные. Если сам меньше не стал тогда руками скидывать. WR снижать через WRPRE если есть. Если нет или не снижает WR, То скрутите его скажем до 12 или +4 от рабочего, потом дожмёте если не лень будет. RFC явных формул нет, крутить после всего списка сверху. Не пытайтесь найти его минимальное значение если не хотите чтобы память начинала сыпать ошибками от любого чиха. найдите пограничное со стабильностью значение и накиньте сверху 20 или сразу 40. Может реагировать на RAS+RP, RRD, FAW, причём в обе стороны (то есть может "сломаться" если задрать названные), а может и не реагировать... REFi больше лучше. Связан с RFC. REFI сколько память "работает" - RFC сколько "отдыхает". Оба тайминга лучше не пытаться найти предельное значение.Заметно реагируют на температуру. Многие тайминги отзываются и на температуру и на напряжение. Поскольку напряжение может как позволить снизить тайминг, так и увеличить температуру, то середину можно искать очень долго, поэтому лучше бы вовремя остановится. Тестируйте тщательно с перезагрузками, сном, холодным стартом. RTL и IOL вам кто-то другой пусть советует как настраивать, от них у меня голова болеть начинает...
tRASmin=tCL+tRCD+2 WTRS/L устанавливаются в биосе через WRRDdg/sg согласно формуле: WRRD_sg=6+CWL+WTR_L WRRD_dg=6+CWL+WTR_S WR - через WRPRE (для матплат ASUS): WRPRE=4+CWL+WR RTP - через RDPRE (для матплат ASUS) RDPRE=RTP
VDDDQ=1.5 V max по Jedec VrefCA=0.6xVDDDQ=0.9 V (max по Jedec), в даташите контроллера интел тоже разрешено максимальное vrefca=0.6xVdddq. То есть при обычной настройке биоса, когда VrefCA=0.5xVDDDQ, VDRAM<=1.8 V, чтобы уложиться в нормы по Jedec. А если при этом в биосе настроить vrefca=0.49xvdddq (разрешено по Jedec), то безопасное Vdram может быть еще выше=1.837 V. Вывод: для контроллера процессора напряжение на память <=1.8 V неопасно
CPU Name: Intel® Core™ i7-7740K CPU @ 4.30GHz Motherboard Model: MSI X299 GAMING PRO CARBON AC (MS-7A95) Total Size: 8192 MB Type: Single Channel (64 bit) DDR4-SDRAM Frequency: 2750 MHz - Ratio 1:31 Timings: 21-31-31-63-2 (tCAS-tRC-tRP-tRAS-tCR) Slot #1 Module: G.Skill 8192 MB (DDR4-2137) - XMP 2.0 - P/N: F4-3200C14-8GVR
[img]Ссылка на скрин[/img] Для сбора статистики по установленным чипам памяти просьба прикладывать скрины программы Taiphoon Burner и указывать напряжения на DIMM, IO и SA![/color]
Below are the typical tRFC in ns for the common ICs: IC tRFC (ns) Hynix 8Gb AFR 260 - 280 Hynix 8Gb CJR 260 - 280 Hynix 8Gb DJR 260 - 280 Micron 8Gb Rev. E 280 - 310 Micron 16Gb Rev. B 290 - 310 Samsung 8Gb B-Die 120 - 180 Samsung 8Gb C-Die 300 - 340
Таблица tRFC от Reous v26
#77
Расшифровка чипов, находящихся в модуле памяти у разных производителей
#77
Ревизии печатных плат. A0,A1 или A2 планки, как узнать
#77 #77 #77 #77
Статистика tRCD планок в зависимости от типов чипов
#77 #77 #77 Чем выше вы в вертикальном столбце, тем удачнее планки. Чем интенсивнее цвет, тем выше статистический процент (данные старые,теперь удачнее чипы выходят) На 1 таблице все,что выше красной линии - суперотборники.
Советы по верной тренировке
1.Поднять напряжения на VCCSA и VCCIO. 2.Включить в биосе Round Trip Latency. 3.Для гигабайтов - memory enchancement=normal.
Руководство по разгону памяти для начинающих блондинок
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 25.03.2016 Откуда: Липецк Фото: 72
anta777 писал(а):
В авто видно, что выставляет материнка?
Нет
#77
anta777 писал(а):
Cells от 7 до 15 PC от 0 до 1
72 комбинации. Это если не связанные. Если связанные, то вообще пц. Была бы стартовая точка известна, возможно удалось бы отсеять большую часть заведомо нерабочих вариантов.
_________________ i5-10600KF, MSI Z490-A Pro, NH-D15, 2 x BL16G30C15U4B.M16FE1, MSI GF GTX960Gaming2G, Samsung 970 EVO Plus 500GB, FD Define S, FD Ion+Platinum560W
Куратор темы Статус: Не в сети Регистрация: 10.06.2011
Единственное, что стабилизирует частоту памяти выше 4200 на z390, это верно подобранные слоупы. На z490 и z590 в авто платы подбирают намного лучше слоупы, проблем достичь высокой частоты памяти нет.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 09.11.2019 Откуда: Карелия|СПб
iskandar писал(а):
Стабильность это хорошо. Очень любопытны результаты по скорости/производительности/флопсам в AIDA64 и линксе на разных частотах и при изменении CR1 на CR2.
iskandar писал(а):
Двуранги два по 16GB на Z490 и CR1 на такой частоте? Очень мне интересно, какая при этом производительность памяти получится CR1 в сравнении с CR2 на той же частоте и таймингах. Тест памяти в аиде, Photoworxx и флопсы в линксе. А тот тут много любителей поспорить о влиянии CR1 на производительность памяти.
Да, именно так и есть. ПСП на 4266 17-17-1Т и сток проце 65/65/65 уже было. Нужно настроить 4400-4500 и стремиться к 70к+35 и ниже нс. Флопсы влияют. На 8700К и 9900КФ кр1 давал ощутимый буст.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 25.03.2016 Откуда: Липецк Фото: 72
odvolk10 писал(а):
ПСП на 4266 17-17-1Т и сток проце 65/65/65 уже было. Нужно настроить 4400-4500 и стремиться к 70к+35 и ниже нс. Флопсы влияют. На 8700К и 9900КФ кр1 давал ощутимый буст.
Есть конкретные цифры для сравнения? Это снимет много вопросов. Если память удалось настроить CR1, то поменять на CR2 и заново прогнать те же самые тесты - раз плюнуть.
_________________ i5-10600KF, MSI Z490-A Pro, NH-D15, 2 x BL16G30C15U4B.M16FE1, MSI GF GTX960Gaming2G, Samsung 970 EVO Plus 500GB, FD Define S, FD Ion+Platinum560W
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 09.11.2019 Откуда: Карелия|СПб
iskandar, всё будет, но позже. Сам факт того, что на ДР никто КР1 не делал выше 4133 стаб никогда для процов без инфинити фабрик. Сейчас в поисках 4400 17-17-1Т. Карху 600% прошёл.
DQ и CLK дифференциальная высокоскоростная шина, на плате они выглядят одинаково, это собственно данные и тактовая для всего ADDR, CMD недифференциальные, частота пониже , на плате они выглядят одинаково
Соответственно DQ и CLK будут похожи ADDR, CMD теоретически должны быть одинаковые
Но это в теории. Конечно реально у каждого линии оптимальные параметры немного разные.
Соответственно можно по провалу тестов судит что нужно крутить. Допустим, первые два теста в тестмеме перебирают адреса. Если у вас проваливает эти тесты, то вам нужно крутить параметры ADDR, CMD, CLK или vccio. Если адреса примерно стоят, а активно гоняет данные, то крутить DQ и CLK , vccio менее вероятно.
anta777 писал(а):
Только видел по поводу drive strength - всегда нужно выставлять максимум.
Да, но нет. В большинстве случаев да. С этого нужно начать, но максимальное не обязательно лучшее. Если упростить, то на слишком большой drive strength растут помехи на своей линии и соседям. Поэтому скорость нарастания "не побольше" , а нормируется. Другое дело, что с разгоном мы выходим за спецификацию и там уже кто победит, или недостаточная скорость нарастания или помехи которые всем мешают.
А почему у вас vccsa участвует? Оно же внутри проца и наружу не выходит. Интерфейс работы с памятью питается с vccio. Основной вклад должен быть у него. Но опять не все просто.
Про ддр4 сейчас не помню... напишу про ддр3. Там DQ и CLK пороги завязаны на vref. Которое строго половина питания памяти. Пороги ADDR, CMD к vref не привязаны. Кажется это просто логические уровни. Но они наверняка (не специально) немного плывут от питания. Т.е. проги срабытывания немного поплывут от питания памяти. А вот сам уровень ADDR, CMD завязан на процессорные vccio. На ддр4 кажется немного иначе пороги DQ и CLK и vref.
Это если коротко и упрощенно.
Этот "черный ящик" можно было бы крутить осознанно, если бы были тесты, разделяющие определенные фазы обмена ( адреса, запись, чтение). Понятно, что снаружи нам доступен только результат команда-запись-команда-чтение. Но если не тупо писать "тест провален", а провести статистическую обработку вероятности ошибок, то будет видно на каком этапе ошибки. Разумеется, ошибок нужно много, и считать это прям тестом, а не табличками в экселе.
Админы, заранее извините, если вопрос не по теме. Информации много в интернете, но хочется все-таки спросить у владельцев Z590 чипсета и процессоров 11 поколения, по работе нового контролера памяти Intel. Получается, что ОЗУ с частотой до 3600 работает в обычном режиме, все что выше делится? Нашел биос Z590, там есть три режима работы: Auto, Gear 1 и Gear 2, или без разницы, если даже выбрав Gear 1, всё равно после 3600 будет делить?
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 25.03.2016 Откуда: Липецк Фото: 72
odvolk10 писал(а):
iskandar, всё будет, но позже. Сам факт того, что на ДР никто КР1 не делал выше 4133 стаб никогда для процов без инфинити фабрик. Сейчас в поисках 4400 17-17-1Т. Карху 600% прошёл.
Круто. Респект. Насколько я знаю, до сих пор это считалось невозможным в принципе. Сознаешься, как сумел это сделать? Я смотрю, напряжения довольно высокие, а некоторые третички высокие.
_________________ i5-10600KF, MSI Z490-A Pro, NH-D15, 2 x BL16G30C15U4B.M16FE1, MSI GF GTX960Gaming2G, Samsung 970 EVO Plus 500GB, FD Define S, FD Ion+Platinum560W
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 24.03.2006 Откуда: Moscow Фото: 263
А я поставил слоупы, как иностранцы подобрали (на Апексе - и у меня Апекс) - иии... ошибки в универсале. Скинул в авто - ошибки, в итоге с tcke 8 заработало. Ой странный этот асус.
Сейчас этот форум просматривают: Bing [Bot], sg999570 и гости: 9
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения