Со старым набором памяти разгон моего проца был 3Ghz,а теперь гонится макс.до 2.70Ghz!(333 против 300)

В чём трабла? Он вообще то должен до 3.6Ghz гнаться.

А в где в биосе выставить тайминги?

Смущает что у памяти указано 2.1в, а на материнке 1.8в.

Вопрос: Что такое тайминги?
Ответ: Тайминги – это задержки между отдельными операциями, производимыми контроллером при обращении к памяти.
Некоторые тайминги нам недоступны для настройки, например – время выставления CS# (Crystal Select; по этому сигналу выбирается кристалл (чип) на модуле, с которым будет производиться операция), некоторые – можно менять. Вот те, что обычно доступны:
RAS-to-CAS Delay (RCD) – задержка между сигналами RAS# и CAS#. Необходима для того, чтобы было достаточно времени для однозначного определения строки и столбца адреса ячейки. Иными словами, данный параметр характеризует интервал между выставлением на шину контроллером памяти сигналов RAS# и CAS#.
RAS# (Row Address Srobe) и CAS# (Column Address Strobe) – сигналы, подтверждающие выставление на шину двух составляющих адреса ячейки – строки и столбца соответственно.
CAS Latency (CL) – задержка между командой чтения и доступностью к чтению первого слова. Введена для набора адресными регистрами гарантированно устойчивого уровня сигнала. Обычно на коробках, в которых поставляются модули памяти обозначают именно CAS latency C3, C4, C5 и т.д.
RAS Precharge (RP) – время повторной выдачи (период накопления заряда, подзаряд) сигнала RAS#, то есть – через какое время контроллер памяти будет способен снова выдать сигнал инициализации адреса строки.
Примечание: порядок операций именно таков (RCD-CL-RP), но зачастую тайминги записывают не по порядку, а по "важности" –CL-RCD-RP (или даже CL-RP-RCD).
Precharge Delay (или Active Precharge Delay; чаще обозначается как Tras) – время активности строки. То есть – период, в течение которого "закрывается" строка, если следующая требуемая ячейка находится в другой строке.
SDRAM Idle Timer (или SDRAM Idle Cycle Limit) – количество тактов, в течение которого страница может оставаться открытой, после чего следует её принудительное закрытие (для доступа к другой странице или операции обновления содержимого).
Для произвольных обращений в память бОльшую пользу приносит использование частого закрытия страниц (чем быстрее закроется одна страница, тем быстрее возможен доступ в другую), тогда как для операций "сплошных" чтения-записи выгоднее дольше держать страницу открытой.
Этот параметр позволяет установить размер конвейера для памяти. Конвейер памяти - это технология, при которой ОЗУ самостоятельно вычисляет следующий адрес при последовательном считывании. Чтобы использовать эту технологию, необходимо: 1.определить длину конвейера, которая соответствует количеству считываемых последовательных данных, 2.начальный адрес данных, 3.разрешить внутреннему счетчику вычислять последовательные адреса. Чем больше размер конвейера, тем выше производительность
последовательного чтения.

Вопрос: Что такое 1T/2T?
Ответ: Это тайминг контроллера command rate, CR, CMD Rate.
Подробнее тут
Также если установить значение данного параметра в значение 1Т, то можно получить ощутимый прирост производительности по сравнению с 2Т, но при 2Т память имеет более сильный разгон, следовательно, если хотите получить более высокою частоту оперативной памяти, то выставите данный параметр в значение 2Т.

лучше те у кого значение

меньше 4-4-4-12

Смущает что у памяти указано 2.1в, а на материнке 1.8в.

Какие тайминги под FSB333 мне выставить?

Как включить двухканальную?

Почему при увеличении частоты памяти тайминги увеличиваются?

напруга стандартная 1.9.

Охлождение если,что норм.

Command rate: 1Т или 2Т ?

У кого охлаждение лучше и тише.

Видеокарта PCI-E 512МБ Zotac "GeForce 8800GT ZT-88TES3P-FSR"

Command rate: 1Т или 2Т ?