AMT - Asus MemTweakit Asus MemTweakIt 2.02.44 При настройке памяти в BIOS ставим ОБЯЗАТЕЛЬНО MRC Fast boot=disable (включаем при этом режим тонкой тренировки, если же выставим enable, то включаем режим грубой тренировки). Оптимально при разгоне памяти использовать в биосе множитель памяти 133, а не авто или 100, что даст возможность создать комфортные условия для контроллера памяти в процессоре и снизить напряжения ио и са ! Недаром в Jedec шаг между спидбинами именно 133, а не 100! Для плат с Alder Lake напряжения VDD и VDDQ на память могут отличаться не больше, чем на 300 мВ. Для плат на основе логики z690 и b660: VDD>VDDQ VDDQ>=VDD-300mV(0.3V) Лучше на VDDQ не превышать 1.25V. Вполне возможно 1.30V. MSI дает зазор до 1.40V. Для таймингов должно выполняться требование: _dr=_dd
Разгон памяти у современной DDR4 (16 банков,RRDS=4,FAW=16,BL=8) эффективен только при tRC<=64,если каждый новый блок чтения происходит с разных банков памяти. Для 4-х слотовых плат при разгоне желательно в биосе отключить неиспользуемые слоты. Для максимальной производительности памяти значение tRFC в тактах для 8-Гбитных чипов должно быть кратно 8,а для 16-Гбитных чипов - 16. Если это правило не соблюдать, то будут вставлены лишние такты при каждом цикле обновления памяти. Для желающих максимально снизить tRFC. Делим tRFC на сумму tRCD,tRTP и tRP. Если результат ближе к 4, то снижать tRFC можно по 4 такта. Если результат ближе к 2, то снижать tRFC можно по 2 такта. Это связано с тем, что обновление происходит субмассивами, которые обязательно кратны 2.
Новая информация по tRAS
Чтение с модуля памяти у DDR4 происходит блоками. Минимальный блок сейчас составляет 64 байта, что связано с размером строки кэша у процессора. Этот блок может считываться как с одного банка, так и с разных. tRAS=tRCD+tRTP (при считывании 8 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+4 (при считывании 16 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+8 (считывание 24 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+12 (при считывании 32 байт с одного банка). Самый верный выбор для DDR4! tRAS=tRCD+tRTP+16 (считывание 40 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+20 (считывание 48 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+24 (считывание 56 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+28 (при считывании 64 байт с одного банка) Для DDR4 оптимальным выбором является 4-й или последний вариант. Но если выставить tRAS меньше, то ничего трагичного не произойдет, так как джедек придумала предохранитель (tRTP), поэтому можно не заморачиваться и выставлять минимальный tRAS (=tRCD+tRTP).
Напряжения на процессоре при разгоне памяти
SA- безопасный уровень (по данным MSI) 1.35, растет от частоты памяти и зависит от подключенной периферии к PCIE, чем больше скорость видеокарты и NVME-диска, тем выше нужно напряжение. IO (для Z590 =IO2, а просто IO можно оставлять в авто, для Z690=IVR DDQ)- обычно хорошо работает если на 50 мВ ниже SA, но чем ниже, тем лучше, стараться максимально снижать. Тоже растет с ростом частоты памяти. Для ориентира при настройке всегда рекомендую глянуть, что за напряжения SA и IO выставляет материнка в авто.
Для начала тезисно несколько правил «успешного разгона и установки памяти»:
1. Ни в коем случае не используем XMP профили – этот режим протестирован на совместимость, но не даёт оптимальную производительность. Поскольку заводская настройка не блещет идеальным подбором, можно получить до 20-25% производительности дополнительно, вручную настраивая тайминги и напряжения. Также XMP режим чреват завышениями вольтажа самой память и контроллера памяти\SOC. 2. Правильная установка модулей – А2 (для одного модуля), A2B2 (для двух модулей). 3. Самый лучший разгон по частоте достигается при использовании одного модуля, при наличии двух планок максимальная частота лишь немного хуже. У четырёх – либо хуже (на устаревающем LGA2011-3) либо такой же или лучше (LGA2066), которые могут стабильно работать с 4мя модулями на 4000CL16. 4. Если используется два модуля, то худший модуль (требующий бОльшего напряжения для стабильного разгона) должен стоять ближе к процессору в слоте A2. 5. Перед настройкой частоты и таймингов памяти отключить подсветку модулей памяти - т.к. это даёт лишний нагрев.
УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ГАЙД ПО НАСТРОЙКЕ от Agiliter
Универсальный гайд. 0. Устраните любые потенциальные проблемы с другим железом. Снимите разгон с видеокарты, снизьте частоту цп на 300 с сохранением напряжения. Не забудьте вернуть RTL в авто если сейчас не авто. 1. Крутим очень короткий мемтест, то есть если минуту живёт сразу снижать тайминг дальше. Ищите не стабильность, а явно сбойное значение тайминга, запишите его - пригодится. Гораздо проще найти явно нерабочее значение и от него плясать чем пытаться ловить нестабильность часами. Это также помогает диагностировать сбойные тайминги на ранее "стабильной памяти". Не пытайтесь найти предельные значение сразу. Сначала скрутите до +2 от минимально стабильного. Многие тайминги идут параллельно поэтому бессмысленно пытаться скрутить до упора с первого прохода. CR выставить на 2 если стоит 1. В самом конце можно попробовать скинуть до 1. 3 Ставить только на очень большую частоту или если по другому ну совсем никак.
Начните с RCD, CL. Не обязательно должны быть одинаковыми, обычно CL идёт меньше чем RCD. RAS сразу пробуйте как RCD+CL+4, до этого значения от него существенная разница, дальше меньше. CWL<=CL. Допустимые значения 9,10,11,12,14,16,18,20. RP можете выставить по RCD, если пойдёт меньше - тоже неплохо, не уверен правда насчёт смысла. RTP без формул. Если не идёт вниз можно попробовать поднять чуть чуть RP. В DDR4 явно связан с WR соотношением 2 к 1 (например WR20\RTP10), физически хранится одно значения и в зависимости от операции интерпретируется. Скрутите FAW до 16(так и оставьте если работает). С таким FAW скручивайте RRD(оба, L обычно больше чем S), возможно поедут на 4 оба. Если до 4 не удалось спустить поднимите FAW до уровня RRDL*4 и попробуйте ещё, хотя это скорее всего уже почти предел. Обычно L>=S. L - SG(Same Group). S - DG(Different Group) Напр. RRD_L>=RRD_S. CKE=5 СCDL>=4 RDRD_DD и прочие подобные можно проигнорировать если у вас нет двух планок на один канал (4 планки). DD-Different Dimm. Тоже самое с DR-Different Rank если у вас одноранговая память. RDWR_SG(DG) и подобные сочетания скручивайте до минимальных рабочих, потом накиньте сверху +2. Как уже отметил обычно SG>=DG. WTR не трогайте он сам спустится когда будете скидывать WRRD_SG(DG) и прочие подобные. Если сам меньше не стал тогда руками скидывать. WR снижать через WRPRE если есть. Если нет или не снижает WR, То скрутите его скажем до 12 или +4 от рабочего, потом дожмёте если не лень будет. RFC явных формул нет, крутить после всего списка сверху. Не пытайтесь найти его минимальное значение если не хотите чтобы память начинала сыпать ошибками от любого чиха. найдите пограничное со стабильностью значение и накиньте сверху 20 или сразу 40. Может реагировать на RAS+RP, RRD, FAW, причём в обе стороны (то есть может "сломаться" если задрать названные), а может и не реагировать... REFi больше лучше. Связан с RFC. REFI сколько память "работает" - RFC сколько "отдыхает". Оба тайминга лучше не пытаться найти предельное значение.Заметно реагируют на температуру. Многие тайминги отзываются и на температуру и на напряжение. Поскольку напряжение может как позволить снизить тайминг, так и увеличить температуру, то середину можно искать очень долго, поэтому лучше бы вовремя остановится. Тестируйте тщательно с перезагрузками, сном, холодным стартом. RTL и IOL вам кто-то другой пусть советует как настраивать, от них у меня голова болеть начинает...
tRASmin=tCL+tRCD+2 WTRS/L устанавливаются в биосе через WRRDdg/sg согласно формуле: WRRD_sg=6+CWL+WTR_L WRRD_dg=6+CWL+WTR_S WR - через WRPRE (для матплат ASUS): WRPRE=4+CWL+WR RTP - через RDPRE (для матплат ASUS) RDPRE=RTP
VDDDQ=1.5 V max по Jedec VrefCA=0.6xVDDDQ=0.9 V (max по Jedec), в даташите контроллера интел тоже разрешено максимальное vrefca=0.6xVdddq. То есть при обычной настройке биоса, когда VrefCA=0.5xVDDDQ, VDRAM<=1.8 V, чтобы уложиться в нормы по Jedec. А если при этом в биосе настроить vrefca=0.49xvdddq (разрешено по Jedec), то безопасное Vdram может быть еще выше=1.837 V. Вывод: для контроллера процессора напряжение на память <=1.8 V неопасно
CPU Name: Intel® Core™ i7-7740K CPU @ 4.30GHz Motherboard Model: MSI X299 GAMING PRO CARBON AC (MS-7A95) Total Size: 8192 MB Type: Single Channel (64 bit) DDR4-SDRAM Frequency: 2750 MHz - Ratio 1:31 Timings: 21-31-31-63-2 (tCAS-tRC-tRP-tRAS-tCR) Slot #1 Module: G.Skill 8192 MB (DDR4-2137) - XMP 2.0 - P/N: F4-3200C14-8GVR
[img]Ссылка на скрин[/img] Для сбора статистики по установленным чипам памяти просьба прикладывать скрины программы Taiphoon Burner и указывать напряжения на DIMM, IO и SA![/color]
Below are the typical tRFC in ns for the common ICs: IC tRFC (ns) Hynix 8Gb AFR 260 - 280 Hynix 8Gb CJR 260 - 280 Hynix 8Gb DJR 260 - 280 Micron 8Gb Rev. E 280 - 310 Micron 16Gb Rev. B 290 - 310 Samsung 8Gb B-Die 120 - 180 Samsung 8Gb C-Die 300 - 340
Таблица tRFC от Reous v26
#77
Расшифровка чипов, находящихся в модуле памяти у разных производителей
#77
Ревизии печатных плат. A0,A1 или A2 планки, как узнать
#77 #77 #77 #77
Статистика tRCD планок в зависимости от типов чипов
#77 #77 #77 Чем выше вы в вертикальном столбце, тем удачнее планки. Чем интенсивнее цвет, тем выше статистический процент (данные старые,теперь удачнее чипы выходят) На 1 таблице все,что выше красной линии - суперотборники.
Советы по верной тренировке
1.Поднять напряжения на VCCSA и VCCIO. 2.Включить в биосе Round Trip Latency. 3.Для гигабайтов - memory enchancement=normal.
Руководство по разгону памяти для начинающих блондинок
Куратор темы Статус: Не в сети Регистрация: 09.01.2007 Откуда: Москва Фото: 152
odvolk10 писал(а):
fedx, привет. Сейчас гоню 2*16 SR на Micron E-Die. 4000 15-20 (позже 15-18/15-19 попробую) 1.450V 2 раза serj прошло на CR1 на Z390-A Pro на последнем биосе.
Для тебя советую пробовать 4000 15-18-18-37 (15-19-19-38) (tCWL14/tCWL_MR14) или 4133-4200 16-19-19-39 (tCWL16/tCWL_MR16) всё на 1.450В или меньше. tRRD4/tRRD_L6/tFAW16 для каждого случая. Если что, ты знаешь, куда писать. У тебя SR Micron E-Die.
То ли модули мои дубовые, то ли синглы 16гбит более новые (17нм) а отличие от моих на 19нм. Ни один из пресетов дальше винды не идёт при 1.45, на скорую руку 4000 с 16-19-19 поставил пока.
про RTL/IOL не особо понял. сделал MRC Fast boot=disable, Round Trip Latency [Enabled], Turn Around Timing Training [Disabled] поставил RTL Init =69 (67 не стартует), IOL Offset 21 (IO_Latency_offset для ASUS-плат) для A и B каналов, RFR Delay 14 для A и B каналов (для плат ASUS). Остальные параметры в Auto. после F10 и повторного захода в биос я так понял там должны были остальные значения появиться, но у меня всё осталось в авто. правда числа в RTL/IOL блоке немного меньше стали:
что я делаю не так?
Последний раз редактировалось En877 27.09.2021 4:40, всего редактировалось 2 раз(а).
Куратор темы Статус: Не в сети Регистрация: 09.01.2007 Откуда: Москва Фото: 152
Можно, но зачем? Это ж 3600 Баллистики, которые явно лучше ехать должны. Иначе нафига они мне за такую цену… проще их тогда слить и АЕС взять если не поедут 😂 Вроде нашёл несколько профилей, потыкаю завтра.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 12.06.2019 Откуда: Сочи Фото: 0
fedx писал(а):
Можно, но зачем? Это ж 3600 Баллистики, которые явно лучше ехать должны. Иначе нафига они мне за такую цену… проще их тогда слить и АЕС взять если не поедут 😂 Вроде нашёл несколько профилей, потыкаю завтра.
У меня попались синглы на b-die. Оставил 4400 17-20 пока.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 14.03.2007 Откуда: СПБ Фото: 2
diadiavaniar Блин, завидую людям, мне удалось завести свой Patriot на 3866 (15-16-16-35-2Т) только на 1.456 Vdram, 1.25 SA/IO, если пытаться снижать, сразу ошибки в Tm5
Нужно правильно разгонять память, начиная с первичных таймингов, и тестировать на ошибки в процессе разгона, а не один раз в самом конце
Я тестировал после изменения каждого первичного тайминга, и после нескольких вторичных от 3 до 10 минут. Всё ок было.
Я не буду ставить напряжения vccio2 и vccsa выше 1,32 В. А при этих напряжениях банально не хочет работать контроллер памяти на частотах 3600 и 3777. Уже просто сделал на память настройки штатного хмр, на котором память отлично работала на 10400Ф. 3600 19-20-20-40 cr2 — хуже не найдешь. Ошибки начали сыпаться сразу же. То есть либо у меня память деградировала к чертям собачьим, либо КП 11gen — полное д*со. Уже 10 раз пожалел, что проапгрейдился. Надо было брать 10850К или ждать 12700К.
На 3466 всё работает отлично. Буду таймингами добивать ту же ПСП и задержку, что на 3600. В процессе поисков такой же результат уже получал.
Так что не спешите человека в рукожопости обвинять, сначала отправляйте разобраться с КП. Получается пришёл за помощью, получил какой-то хейт (но хотя бы в цивилизованной степени), а в проблеме разобрался сам.
Но за табличку с расчетом таймингом всё равно ещё раз спасибо, anta777.
Добавлено спустя 8 минут 13 секунд:
Scandaal писал(а):
как ставить SA / IO напряжения на Rocket Lake при Gear Mode 1
По спекам безопасно SA до 1,52, IO2 до 1,1 В. Фактически безопасно vccsa и vccio2/mem oc поднимать до 1,3. Если не жалко потерять денежный эквивалент стоимости процессора, можно 1,4-1,45. VCCIO2 на короткой дистанции сам проверял на 1,44 В. Работает, не горит, но не советую. Вообще, у людей VCCio2=1,25 В хватает, чтобы в Gear 1 запускать 3600-3800 МГц попробуй сначала эту цифру. На 11 поколении vccio (первый) вообще можешь не трогать, на память он не влияет.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 25.03.2016 Откуда: Липецк Фото: 72
Leoikt писал(а):
Я тестировал после изменения каждого первичного тайминга, и после нескольких вторичных от 3 до 10 минут. Всё ок было.
Если первички выставлены криво и лезут ошибки, то вторички и третички уже в принципе никому не интересны. Сначала выставить напряжения, частоту и первички (остальное в Auto), потом очень тщательно ( не 10 минут) проверить память на стабильность, а уже потом начинать крутить вторички и третички. От 3 до 10 минут тестирования это ни о чём. Минимум один полный цикл TM5@extreme или universal. И то предварительно. Это если речь о тестировании самой памяти. Контроллер памяти - отдельный разговор.
У тебя в профиле вместо точного названия памяти написано ЭТО: 2*8 ddr4 @3333 MHz Gear1 16-19-19-28 cr1 Каких советов после этого ты ждёшь? Заклинание какое-нибудь?
diadiavaniar писал(а):
Ну естественно микрон, не самсунг же. На последнем фото специально оставил скрин с тайфуна.
Я без понятия, что творится в голове у человека, написавшего тайфун. Судя по его демаршам..... Samsung B-die Micron rev.B и не будет путаницы.
_________________ i5-10600KF, MSI Z490-A Pro, NH-D15, 2 x BL16G30C15U4B.M16FE1, MSI GF GTX960Gaming2G, Samsung 970 EVO Plus 500GB, FD Define S, FD Ion+Platinum560W
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 14.03.2003 Откуда: Samara Фото: 46
В профильной теме нифига толком не понятно какую купить память, чтобы и недорого и ехала хорошо. Хочу 2*16Gb и чтобы Cl16*4000 , какой именно гскил взять или еще что есть? На примете F4-3600C14D-32GTZRA
Бининга BCPB, а не BCRC, который на обычных самсунговских OEM планках ("зелёнки") и может не разогнаться выше 3200. Я смело взял пару планок BCRC, одна гонится до удовлетворяющего меня уровня, вторая на 266 мгц меньше... На 1,4В. Какие ещё существуют варианты самсунговских бидаев? Скоростные BCPB стоят на всех планках с радиаторами всех производителей, или бывают и на BCRC? Речь про 8гбит чипы, на 16Гбит уже по другому чипы называются, другой бининг?
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 14.09.2015 Откуда: Киев Фото: 1
И все таки какое напряжение на память можновыставлять не думая о последствиях ,и что является безопасным напряжением. XMP у интела по умолчанию ставит 1,35v ,но у меня на памяти 1,4v ставит профиль. Не много ли это ,и можно ли поднять до 1,45v что бы уменьшить тайминги еще. Поднять то можно ,но какие последствия будут через время?
Сейчас этот форум просматривают: JeraFF, MaxBuger и гости: 16
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения