AMT - Asus MemTweakit Asus MemTweakIt 2.02.44 При настройке памяти в BIOS ставим ОБЯЗАТЕЛЬНО MRC Fast boot=disable (включаем при этом режим тонкой тренировки, если же выставим enable, то включаем режим грубой тренировки). Оптимально при разгоне памяти использовать в биосе множитель памяти 133, а не авто или 100, что даст возможность создать комфортные условия для контроллера памяти в процессоре и снизить напряжения ио и са ! Недаром в Jedec шаг между спидбинами именно 133, а не 100! Для плат с Alder Lake напряжения VDD и VDDQ на память могут отличаться не больше, чем на 300 мВ. Для плат на основе логики z690 и b660: VDD>VDDQ VDDQ>=VDD-300mV(0.3V) Лучше на VDDQ не превышать 1.25V. Вполне возможно 1.30V. MSI дает зазор до 1.40V. Для таймингов должно выполняться требование: _dr=_dd
Разгон памяти у современной DDR4 (16 банков,RRDS=4,FAW=16,BL=8) эффективен только при tRC<=64,если каждый новый блок чтения происходит с разных банков памяти. Для 4-х слотовых плат при разгоне желательно в биосе отключить неиспользуемые слоты. Для максимальной производительности памяти значение tRFC в тактах для 8-Гбитных чипов должно быть кратно 8,а для 16-Гбитных чипов - 16. Если это правило не соблюдать, то будут вставлены лишние такты при каждом цикле обновления памяти. Для желающих максимально снизить tRFC. Делим tRFC на сумму tRCD,tRTP и tRP. Если результат ближе к 4, то снижать tRFC можно по 4 такта. Если результат ближе к 2, то снижать tRFC можно по 2 такта. Это связано с тем, что обновление происходит субмассивами, которые обязательно кратны 2.
Новая информация по tRAS
Чтение с модуля памяти у DDR4 происходит блоками. Минимальный блок сейчас составляет 64 байта, что связано с размером строки кэша у процессора. Этот блок может считываться как с одного банка, так и с разных. tRAS=tRCD+tRTP (при считывании 8 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+4 (при считывании 16 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+8 (считывание 24 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+12 (при считывании 32 байт с одного банка). Самый верный выбор для DDR4! tRAS=tRCD+tRTP+16 (считывание 40 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+20 (считывание 48 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+24 (считывание 56 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+28 (при считывании 64 байт с одного банка) Для DDR4 оптимальным выбором является 4-й или последний вариант. Но если выставить tRAS меньше, то ничего трагичного не произойдет, так как джедек придумала предохранитель (tRTP), поэтому можно не заморачиваться и выставлять минимальный tRAS (=tRCD+tRTP).
Напряжения на процессоре при разгоне памяти
SA- безопасный уровень (по данным MSI) 1.35, растет от частоты памяти и зависит от подключенной периферии к PCIE, чем больше скорость видеокарты и NVME-диска, тем выше нужно напряжение. IO (для Z590 =IO2, а просто IO можно оставлять в авто, для Z690=IVR DDQ)- обычно хорошо работает если на 50 мВ ниже SA, но чем ниже, тем лучше, стараться максимально снижать. Тоже растет с ростом частоты памяти. Для ориентира при настройке всегда рекомендую глянуть, что за напряжения SA и IO выставляет материнка в авто.
Для начала тезисно несколько правил «успешного разгона и установки памяти»:
1. Ни в коем случае не используем XMP профили – этот режим протестирован на совместимость, но не даёт оптимальную производительность. Поскольку заводская настройка не блещет идеальным подбором, можно получить до 20-25% производительности дополнительно, вручную настраивая тайминги и напряжения. Также XMP режим чреват завышениями вольтажа самой память и контроллера памяти\SOC. 2. Правильная установка модулей – А2 (для одного модуля), A2B2 (для двух модулей). 3. Самый лучший разгон по частоте достигается при использовании одного модуля, при наличии двух планок максимальная частота лишь немного хуже. У четырёх – либо хуже (на устаревающем LGA2011-3) либо такой же или лучше (LGA2066), которые могут стабильно работать с 4мя модулями на 4000CL16. 4. Если используется два модуля, то худший модуль (требующий бОльшего напряжения для стабильного разгона) должен стоять ближе к процессору в слоте A2. 5. Перед настройкой частоты и таймингов памяти отключить подсветку модулей памяти - т.к. это даёт лишний нагрев.
УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ГАЙД ПО НАСТРОЙКЕ от Agiliter
Универсальный гайд. 0. Устраните любые потенциальные проблемы с другим железом. Снимите разгон с видеокарты, снизьте частоту цп на 300 с сохранением напряжения. Не забудьте вернуть RTL в авто если сейчас не авто. 1. Крутим очень короткий мемтест, то есть если минуту живёт сразу снижать тайминг дальше. Ищите не стабильность, а явно сбойное значение тайминга, запишите его - пригодится. Гораздо проще найти явно нерабочее значение и от него плясать чем пытаться ловить нестабильность часами. Это также помогает диагностировать сбойные тайминги на ранее "стабильной памяти". Не пытайтесь найти предельные значение сразу. Сначала скрутите до +2 от минимально стабильного. Многие тайминги идут параллельно поэтому бессмысленно пытаться скрутить до упора с первого прохода. CR выставить на 2 если стоит 1. В самом конце можно попробовать скинуть до 1. 3 Ставить только на очень большую частоту или если по другому ну совсем никак.
Начните с RCD, CL. Не обязательно должны быть одинаковыми, обычно CL идёт меньше чем RCD. RAS сразу пробуйте как RCD+CL+4, до этого значения от него существенная разница, дальше меньше. CWL<=CL. Допустимые значения 9,10,11,12,14,16,18,20. RP можете выставить по RCD, если пойдёт меньше - тоже неплохо, не уверен правда насчёт смысла. RTP без формул. Если не идёт вниз можно попробовать поднять чуть чуть RP. В DDR4 явно связан с WR соотношением 2 к 1 (например WR20\RTP10), физически хранится одно значения и в зависимости от операции интерпретируется. Скрутите FAW до 16(так и оставьте если работает). С таким FAW скручивайте RRD(оба, L обычно больше чем S), возможно поедут на 4 оба. Если до 4 не удалось спустить поднимите FAW до уровня RRDL*4 и попробуйте ещё, хотя это скорее всего уже почти предел. Обычно L>=S. L - SG(Same Group). S - DG(Different Group) Напр. RRD_L>=RRD_S. CKE=5 СCDL>=4 RDRD_DD и прочие подобные можно проигнорировать если у вас нет двух планок на один канал (4 планки). DD-Different Dimm. Тоже самое с DR-Different Rank если у вас одноранговая память. RDWR_SG(DG) и подобные сочетания скручивайте до минимальных рабочих, потом накиньте сверху +2. Как уже отметил обычно SG>=DG. WTR не трогайте он сам спустится когда будете скидывать WRRD_SG(DG) и прочие подобные. Если сам меньше не стал тогда руками скидывать. WR снижать через WRPRE если есть. Если нет или не снижает WR, То скрутите его скажем до 12 или +4 от рабочего, потом дожмёте если не лень будет. RFC явных формул нет, крутить после всего списка сверху. Не пытайтесь найти его минимальное значение если не хотите чтобы память начинала сыпать ошибками от любого чиха. найдите пограничное со стабильностью значение и накиньте сверху 20 или сразу 40. Может реагировать на RAS+RP, RRD, FAW, причём в обе стороны (то есть может "сломаться" если задрать названные), а может и не реагировать... REFi больше лучше. Связан с RFC. REFI сколько память "работает" - RFC сколько "отдыхает". Оба тайминга лучше не пытаться найти предельное значение.Заметно реагируют на температуру. Многие тайминги отзываются и на температуру и на напряжение. Поскольку напряжение может как позволить снизить тайминг, так и увеличить температуру, то середину можно искать очень долго, поэтому лучше бы вовремя остановится. Тестируйте тщательно с перезагрузками, сном, холодным стартом. RTL и IOL вам кто-то другой пусть советует как настраивать, от них у меня голова болеть начинает...
tRASmin=tCL+tRCD+2 WTRS/L устанавливаются в биосе через WRRDdg/sg согласно формуле: WRRD_sg=6+CWL+WTR_L WRRD_dg=6+CWL+WTR_S WR - через WRPRE (для матплат ASUS): WRPRE=4+CWL+WR RTP - через RDPRE (для матплат ASUS) RDPRE=RTP
VDDDQ=1.5 V max по Jedec VrefCA=0.6xVDDDQ=0.9 V (max по Jedec), в даташите контроллера интел тоже разрешено максимальное vrefca=0.6xVdddq. То есть при обычной настройке биоса, когда VrefCA=0.5xVDDDQ, VDRAM<=1.8 V, чтобы уложиться в нормы по Jedec. А если при этом в биосе настроить vrefca=0.49xvdddq (разрешено по Jedec), то безопасное Vdram может быть еще выше=1.837 V. Вывод: для контроллера процессора напряжение на память <=1.8 V неопасно
CPU Name: Intel® Core™ i7-7740K CPU @ 4.30GHz Motherboard Model: MSI X299 GAMING PRO CARBON AC (MS-7A95) Total Size: 8192 MB Type: Single Channel (64 bit) DDR4-SDRAM Frequency: 2750 MHz - Ratio 1:31 Timings: 21-31-31-63-2 (tCAS-tRC-tRP-tRAS-tCR) Slot #1 Module: G.Skill 8192 MB (DDR4-2137) - XMP 2.0 - P/N: F4-3200C14-8GVR
[img]Ссылка на скрин[/img] Для сбора статистики по установленным чипам памяти просьба прикладывать скрины программы Taiphoon Burner и указывать напряжения на DIMM, IO и SA![/color]
Below are the typical tRFC in ns for the common ICs: IC tRFC (ns) Hynix 8Gb AFR 260 - 280 Hynix 8Gb CJR 260 - 280 Hynix 8Gb DJR 260 - 280 Micron 8Gb Rev. E 280 - 310 Micron 16Gb Rev. B 290 - 310 Samsung 8Gb B-Die 120 - 180 Samsung 8Gb C-Die 300 - 340
Таблица tRFC от Reous v26
#77
Расшифровка чипов, находящихся в модуле памяти у разных производителей
#77
Ревизии печатных плат. A0,A1 или A2 планки, как узнать
#77 #77 #77 #77
Статистика tRCD планок в зависимости от типов чипов
#77 #77 #77 Чем выше вы в вертикальном столбце, тем удачнее планки. Чем интенсивнее цвет, тем выше статистический процент (данные старые,теперь удачнее чипы выходят) На 1 таблице все,что выше красной линии - суперотборники.
Советы по верной тренировке
1.Поднять напряжения на VCCSA и VCCIO. 2.Включить в биосе Round Trip Latency. 3.Для гигабайтов - memory enchancement=normal.
Руководство по разгону памяти для начинающих блондинок
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 14.12.2013 Откуда: СПБ Фото: 30
проблема
было 9900k es qqby +2x8 ddr4 samsung bdie. -> 4000/cl15-15-15-2 с настроенными таймингами. аида фото форкс ~35 000+ частота цпу 4400 стало 9900kf +2x8 ddr4 samsung bdie. при тех же таймингах проходит мемтест и линкс. в играх статтеры. а в фотоворкс результат ~32 000 я так понимаю, что КП в новом камне хуже чем в инженерном семпле? скинул память на 16-16-16-2 получил в фотоворксе ~34 000 очков cpu stock
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 15.10.2019 Откуда: Moscow Фото: 73
Всем доброго дня! Подскажите, что нынче актуально из оперативки на рынке? Друг хочет взять что-то приличное для Z490/10900k (ASUS ROG XTREME). Я уже давно не мониторю эту тему, отстал от "трендов"
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 14.03.2003 Откуда: Samara Фото: 46
pakhtunov писал(а):
Подскажите, что нынче актуально из оперативки на рынке?
Крушалы, дешево и сердито.... А то, что должно быть совсем хорошо у меня не поехало... Я говорю о памяти на свежих двурангах самсунга. У гскила, похоже отбор чипов теперь отменный и просто купить 3200 память и разогнать ее до 4000 не получится, придется покупать более высокоскоростную память, что-то 3600-3800, чтобы снять 4000мГц на хороших таймингах, поэтому вот я купил крушалы. В профильной ветке есть разбор последнего добра на рынке
Получил такие результаты patriot 4400 PVS416G440C9K память сыпет ошибками даже с завышенными таймингами. в ручном xmp и авто xmp работают нестабильно на заявленных частотах 4266 и 4400 и с более высоким напряжением. вроде взяла 4200 и тайминги рекомендуемые системой 17-18-18-36,отклабировал суб и третичные тайминги. безопасно ли такое в повседневной эксплуатации VCCIO и SA, снизил SA до 1.32 и уже ошибки
WTR_L WTR_S до конца не понятно какие значения ставить (смотрел значения у других), я понял что они должны быть равны WRRD_sg dg согласно формуле, а в каком диапазоне искать непонятно надо ли крутить CKE, имеет ли она отношение к RFC? правильно ли откалиброван RTL блок
mrc fast boot всегда выключен или можно включить после всех настроек и убедившись в стабильности?
Это потолок для таких планок? или это потолок для материнской платы? в QVL листе их нет, в APEX совместимость есть и там более низкая латентность при разгоне Посоветуйте пожалуйста, есть ли смысл пытаться брать 4400 или смириться и оставить как есть Разгон только начал практиковать
С любыми напряжениями и таймингами не берет выше 4200,система стартует даже на 4600,в стресс тестах ошибки пробовал RTL блок настраивать после таймингов, не помогает
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 29.10.2014 Откуда: SPb Фото: 0
Произвел тренировку RTL блока согласно гайду из шапки, формула CL*2+35 оказалась не стабильна (черный экран при 1ом же прогоне линпака), но по формуле CL*2+37 линпак прошла, на ночь поставлю тм5 для полного успокоения. Скрин с таймингами прилагаю, пожалуйста пишите замечания / советы
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 22.03.2019 Фото: 15
Terapevtushka Всё вполне приемлемо, только зачем память в А1/В1, ведь на предыдущих скринах в правильных А2/В2 стояла? Можно пробовать tRDWRsg/tRDWRdg=10 или 11, tCKE-4
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 29.10.2014 Откуда: SPb Фото: 0
Ramforce писал(а):
Terapevtushka Всё вполне приемлемо, только зачем память в А1/В1, ведь на предыдущих скринах в правильных А2/В2 стояла? Можно пробовать tRDWRsg/tRDWRdg=10 или 11, tCKE-4
Переставлял, дабы затестить разницу в синтетике, ее кстати не увидел, по мне так одинаково, но в мануале к МП тоже пишут что для 2ух плашек надо а2-б2, переставлю сейчас и перетренирую память. Кстати ТМ5 абсолют прошел, все успешно, осталось решить вопрос с сопротивлением, но шот дружить с линукс оболочкой не хочет, есть ли возможность провести данные действия из под винды?
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 25.03.2016 Откуда: Липецк Фото: 72
anta777 писал(а):
Мой новый конфиг к tm5 - Absolut: Время можно изменить в main section для владельцев процессоров с: 12 потоками-1670% Идет быстрее экстрима, но медленнее универсала. Ошибки выявляет лучше, само тестирование намного жестче.
#77
_________________ i5-10600KF, MSI Z490-A Pro, NH-D15, 2 x BL16G30C15U4B.M16FE1, MSI GF GTX960Gaming2G, Samsung 970 EVO Plus 500GB, FD Define S, FD Ion+Platinum560W
осталось решить вопрос с сопротивлением Для такой частоты и напряжений это не обязательно.
Для каких? Для 3866, ещё необязательно ? А я на ~3000 думал подкручивать... Из соображений, что ещё на 775 на ддр2 всякие скевы крутились, да и сопротивления, вроде, тоже. Очередной секрет скрытый в недрах темы...
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 14.03.2003 Откуда: Samara Фото: 46
KrAzY Сопротивления правильные в принципе полезны... Но... Асусы не показывают, что выставляют автоматом, это плохо. Пробую выбрать сопротивления по методике подбора - и оказывается, что там где ошибок в GSAT не было, при повторном заходе уже показывает ошибки1-5 штук. Начал тупо перебирать и тестируя под виндой тестмемом абсолют. И пока совсем без ошибок у меня выходит, когда сопротивления выставлены в авто. В остальных вариантах ко 2-3 циклу ошибки попадаются уже. тупо взял вариант который был у меня был не с нулем ошибок в GSAT и его сейчас гоняю, и он пока показывает себя лучше всего. Выходит, что методика подбора не всегда полезна и тупо надо задрачивать память повторными тестами, перебирая все варианты на 80-X-X сопротивлениях... А так, да, память сейчас с выставленными сопротивлениями работает не на 1,43-1,45в, а на 1,34В на 3900@16-18-18-38CR1
Куратор темы Статус: Не в сети Регистрация: 10.06.2011
При подборе сопротивлений мы подбираем лучшее для того напряжения, на котором идет подбор. При изменении этого напряжения нужно снова подбирать лучшие сопротивления. Они зависят от процессора, вида памяти, платы.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 14.03.2003 Откуда: Samara Фото: 46
anta777 оно все понятно, но по методике если делать, то память валить ошибками начинает на 1.32в, а следующий шаг уже любые сопротивления работают без ошибок, по крайней мере 3минуты. Единственный был вариант, когда после прожарки тестмемом, при этом напряжении, начали появляться ошибки в количестве до 5, им и воспользовался, но тестмем может и пройти раз, а может и нет, но к концу второго цикла или начале третьего появляются ошибки...
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения