AMT - Asus MemTweakit Asus MemTweakIt 2.02.44 При настройке памяти в BIOS ставим ОБЯЗАТЕЛЬНО MRC Fast boot=disable (включаем при этом режим тонкой тренировки, если же выставим enable, то включаем режим грубой тренировки). Оптимально при разгоне памяти использовать в биосе множитель памяти 133, а не авто или 100, что даст возможность создать комфортные условия для контроллера памяти в процессоре и снизить напряжения ио и са ! Недаром в Jedec шаг между спидбинами именно 133, а не 100! Для плат с Alder Lake напряжения VDD и VDDQ на память могут отличаться не больше, чем на 300 мВ. Для плат на основе логики z690 и b660: VDD>VDDQ VDDQ>=VDD-300mV(0.3V) Лучше на VDDQ не превышать 1.25V. Вполне возможно 1.30V. MSI дает зазор до 1.40V. Для таймингов должно выполняться требование: _dr=_dd
Разгон памяти у современной DDR4 (16 банков,RRDS=4,FAW=16,BL=8) эффективен только при tRC<=64,если каждый новый блок чтения происходит с разных банков памяти. Для 4-х слотовых плат при разгоне желательно в биосе отключить неиспользуемые слоты. Для максимальной производительности памяти значение tRFC в тактах для 8-Гбитных чипов должно быть кратно 8,а для 16-Гбитных чипов - 16. Если это правило не соблюдать, то будут вставлены лишние такты при каждом цикле обновления памяти. Для желающих максимально снизить tRFC. Делим tRFC на сумму tRCD,tRTP и tRP. Если результат ближе к 4, то снижать tRFC можно по 4 такта. Если результат ближе к 2, то снижать tRFC можно по 2 такта. Это связано с тем, что обновление происходит субмассивами, которые обязательно кратны 2.
Новая информация по tRAS
Чтение с модуля памяти у DDR4 происходит блоками. Минимальный блок сейчас составляет 64 байта, что связано с размером строки кэша у процессора. Этот блок может считываться как с одного банка, так и с разных. tRAS=tRCD+tRTP (при считывании 8 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+4 (при считывании 16 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+8 (считывание 24 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+12 (при считывании 32 байт с одного банка). Самый верный выбор для DDR4! tRAS=tRCD+tRTP+16 (считывание 40 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+20 (считывание 48 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+24 (считывание 56 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+28 (при считывании 64 байт с одного банка) Для DDR4 оптимальным выбором является 4-й или последний вариант. Но если выставить tRAS меньше, то ничего трагичного не произойдет, так как джедек придумала предохранитель (tRTP), поэтому можно не заморачиваться и выставлять минимальный tRAS (=tRCD+tRTP).
Напряжения на процессоре при разгоне памяти
SA- безопасный уровень (по данным MSI) 1.35, растет от частоты памяти и зависит от подключенной периферии к PCIE, чем больше скорость видеокарты и NVME-диска, тем выше нужно напряжение. IO (для Z590 =IO2, а просто IO можно оставлять в авто, для Z690=IVR DDQ)- обычно хорошо работает если на 50 мВ ниже SA, но чем ниже, тем лучше, стараться максимально снижать. Тоже растет с ростом частоты памяти. Для ориентира при настройке всегда рекомендую глянуть, что за напряжения SA и IO выставляет материнка в авто.
Для начала тезисно несколько правил «успешного разгона и установки памяти»:
1. Ни в коем случае не используем XMP профили – этот режим протестирован на совместимость, но не даёт оптимальную производительность. Поскольку заводская настройка не блещет идеальным подбором, можно получить до 20-25% производительности дополнительно, вручную настраивая тайминги и напряжения. Также XMP режим чреват завышениями вольтажа самой память и контроллера памяти\SOC. 2. Правильная установка модулей – А2 (для одного модуля), A2B2 (для двух модулей). 3. Самый лучший разгон по частоте достигается при использовании одного модуля, при наличии двух планок максимальная частота лишь немного хуже. У четырёх – либо хуже (на устаревающем LGA2011-3) либо такой же или лучше (LGA2066), которые могут стабильно работать с 4мя модулями на 4000CL16. 4. Если используется два модуля, то худший модуль (требующий бОльшего напряжения для стабильного разгона) должен стоять ближе к процессору в слоте A2. 5. Перед настройкой частоты и таймингов памяти отключить подсветку модулей памяти - т.к. это даёт лишний нагрев.
УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ГАЙД ПО НАСТРОЙКЕ от Agiliter
Универсальный гайд. 0. Устраните любые потенциальные проблемы с другим железом. Снимите разгон с видеокарты, снизьте частоту цп на 300 с сохранением напряжения. Не забудьте вернуть RTL в авто если сейчас не авто. 1. Крутим очень короткий мемтест, то есть если минуту живёт сразу снижать тайминг дальше. Ищите не стабильность, а явно сбойное значение тайминга, запишите его - пригодится. Гораздо проще найти явно нерабочее значение и от него плясать чем пытаться ловить нестабильность часами. Это также помогает диагностировать сбойные тайминги на ранее "стабильной памяти". Не пытайтесь найти предельные значение сразу. Сначала скрутите до +2 от минимально стабильного. Многие тайминги идут параллельно поэтому бессмысленно пытаться скрутить до упора с первого прохода. CR выставить на 2 если стоит 1. В самом конце можно попробовать скинуть до 1. 3 Ставить только на очень большую частоту или если по другому ну совсем никак.
Начните с RCD, CL. Не обязательно должны быть одинаковыми, обычно CL идёт меньше чем RCD. RAS сразу пробуйте как RCD+CL+4, до этого значения от него существенная разница, дальше меньше. CWL<=CL. Допустимые значения 9,10,11,12,14,16,18,20. RP можете выставить по RCD, если пойдёт меньше - тоже неплохо, не уверен правда насчёт смысла. RTP без формул. Если не идёт вниз можно попробовать поднять чуть чуть RP. В DDR4 явно связан с WR соотношением 2 к 1 (например WR20\RTP10), физически хранится одно значения и в зависимости от операции интерпретируется. Скрутите FAW до 16(так и оставьте если работает). С таким FAW скручивайте RRD(оба, L обычно больше чем S), возможно поедут на 4 оба. Если до 4 не удалось спустить поднимите FAW до уровня RRDL*4 и попробуйте ещё, хотя это скорее всего уже почти предел. Обычно L>=S. L - SG(Same Group). S - DG(Different Group) Напр. RRD_L>=RRD_S. CKE=5 СCDL>=4 RDRD_DD и прочие подобные можно проигнорировать если у вас нет двух планок на один канал (4 планки). DD-Different Dimm. Тоже самое с DR-Different Rank если у вас одноранговая память. RDWR_SG(DG) и подобные сочетания скручивайте до минимальных рабочих, потом накиньте сверху +2. Как уже отметил обычно SG>=DG. WTR не трогайте он сам спустится когда будете скидывать WRRD_SG(DG) и прочие подобные. Если сам меньше не стал тогда руками скидывать. WR снижать через WRPRE если есть. Если нет или не снижает WR, То скрутите его скажем до 12 или +4 от рабочего, потом дожмёте если не лень будет. RFC явных формул нет, крутить после всего списка сверху. Не пытайтесь найти его минимальное значение если не хотите чтобы память начинала сыпать ошибками от любого чиха. найдите пограничное со стабильностью значение и накиньте сверху 20 или сразу 40. Может реагировать на RAS+RP, RRD, FAW, причём в обе стороны (то есть может "сломаться" если задрать названные), а может и не реагировать... REFi больше лучше. Связан с RFC. REFI сколько память "работает" - RFC сколько "отдыхает". Оба тайминга лучше не пытаться найти предельное значение.Заметно реагируют на температуру. Многие тайминги отзываются и на температуру и на напряжение. Поскольку напряжение может как позволить снизить тайминг, так и увеличить температуру, то середину можно искать очень долго, поэтому лучше бы вовремя остановится. Тестируйте тщательно с перезагрузками, сном, холодным стартом. RTL и IOL вам кто-то другой пусть советует как настраивать, от них у меня голова болеть начинает...
tRASmin=tCL+tRCD+2 WTRS/L устанавливаются в биосе через WRRDdg/sg согласно формуле: WRRD_sg=6+CWL+WTR_L WRRD_dg=6+CWL+WTR_S WR - через WRPRE (для матплат ASUS): WRPRE=4+CWL+WR RTP - через RDPRE (для матплат ASUS) RDPRE=RTP
VDDDQ=1.5 V max по Jedec VrefCA=0.6xVDDDQ=0.9 V (max по Jedec), в даташите контроллера интел тоже разрешено максимальное vrefca=0.6xVdddq. То есть при обычной настройке биоса, когда VrefCA=0.5xVDDDQ, VDRAM<=1.8 V, чтобы уложиться в нормы по Jedec. А если при этом в биосе настроить vrefca=0.49xvdddq (разрешено по Jedec), то безопасное Vdram может быть еще выше=1.837 V. Вывод: для контроллера процессора напряжение на память <=1.8 V неопасно
CPU Name: Intel® Core™ i7-7740K CPU @ 4.30GHz Motherboard Model: MSI X299 GAMING PRO CARBON AC (MS-7A95) Total Size: 8192 MB Type: Single Channel (64 bit) DDR4-SDRAM Frequency: 2750 MHz - Ratio 1:31 Timings: 21-31-31-63-2 (tCAS-tRC-tRP-tRAS-tCR) Slot #1 Module: G.Skill 8192 MB (DDR4-2137) - XMP 2.0 - P/N: F4-3200C14-8GVR
[img]Ссылка на скрин[/img] Для сбора статистики по установленным чипам памяти просьба прикладывать скрины программы Taiphoon Burner и указывать напряжения на DIMM, IO и SA![/color]
Below are the typical tRFC in ns for the common ICs: IC tRFC (ns) Hynix 8Gb AFR 260 - 280 Hynix 8Gb CJR 260 - 280 Hynix 8Gb DJR 260 - 280 Micron 8Gb Rev. E 280 - 310 Micron 16Gb Rev. B 290 - 310 Samsung 8Gb B-Die 120 - 180 Samsung 8Gb C-Die 300 - 340
Таблица tRFC от Reous v26
#77
Расшифровка чипов, находящихся в модуле памяти у разных производителей
#77
Ревизии печатных плат. A0,A1 или A2 планки, как узнать
#77 #77 #77 #77
Статистика tRCD планок в зависимости от типов чипов
#77 #77 #77 Чем выше вы в вертикальном столбце, тем удачнее планки. Чем интенсивнее цвет, тем выше статистический процент (данные старые,теперь удачнее чипы выходят) На 1 таблице все,что выше красной линии - суперотборники.
Советы по верной тренировке
1.Поднять напряжения на VCCSA и VCCIO. 2.Включить в биосе Round Trip Latency. 3.Для гигабайтов - memory enchancement=normal.
Руководство по разгону памяти для начинающих блондинок
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 25.03.2016 Откуда: Липецк Фото: 72
Cyborg писал(а):
anta777 оно все понятно, но по методике если делать, то память валить ошибками начинает на 1.32в, а следующий шаг уже любые сопротивления работают без ошибок, по крайней мере 3минуты. Единственный был вариант, когда после прожарки тестмемом, при этом напряжении, начали появляться ошибки в количестве до 5, им и воспользовался, но тестмем может и пройти раз, а может и нет, но к концу второго цикла или начале третьего появляются ошибки...
У меня такие же были проблемы с шагом напряжения питания памяти. И я гонял GSAT не на количество ошибок за фиксированное время, а на время до появления первой ошибки. У меня Ubuntu стоит прямо поверх Windows и при большом количестве ошибок памяти всё нахрен рухнет и зависнет. Не могу сказать, что это самый правильный метод. Но ведь в результате настроил же сопротивления.
_________________ i5-10600KF, MSI Z490-A Pro, NH-D15, 2 x BL16G30C15U4B.M16FE1, MSI GF GTX960Gaming2G, Samsung 970 EVO Plus 500GB, FD Define S, FD Ion+Platinum560W
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 25.03.2016 Откуда: Липецк Фото: 72
anta777 писал(а):
Отлично снизилось! Игра стоила свеч.
Сложно сказать точно. Возвращать всё назад и перемерять корректно мне лень. Подозреваю, что я раньше мог выставить напряжения с бóльшим запасом, чем это было необходимо. IO точно от балды выставлял. Но вот напряжение SA я всегда корректно тестировал и меня очень радует, на сколько я смог его снизить. Тут результат прям налицо. Сейчас опыта больше и я гораздо аккуратнее к этому вопросу подошёл. Во всяком случае, текущие цифры меня полностью устраивают. Меньше напряжение = меньше проблем. При этом я абсолютно ничего не потерял ни по частоте, ни по таймингам. А где-то даже стабильности прибавилось, я думаю (tREFI).
Что точно стоило свеч, это поставить себе цель - снизить эти самые напряжения, собраться с духом и разобраться с сопротивлениями и слоупами. Возможно, если потратить кучу времени на более аккуратное тестирование и перебор большего количества вариантов слоупов и сопротивлений, то можно ещё немного лучше результат получить. Но меня уже всё устраивает и продолжать в это упираться дальше я не вижу смысла. В улучшениях главное вовремя остановиться
_________________ i5-10600KF, MSI Z490-A Pro, NH-D15, 2 x BL16G30C15U4B.M16FE1, MSI GF GTX960Gaming2G, Samsung 970 EVO Plus 500GB, FD Define S, FD Ion+Platinum560W
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 30.09.2018 Откуда: Україна
Подскажите, есть смысл менять профильную 32Gb Crucial DDR4-3000 (BL2K16G30C15U4B), которую я разогнал немного, на 32GB G.Skill 4000Mhz Ripjaws V (F4-4000C18D-32GVK)? Разницу увижу только в бенчмарках или в реальных задачах тоже?
Есть владельцы Core i5-10400/10400F с памятью на частоте 3200? Интересуют скорости чтения/записи, кто может сделать "Тест кэша и памяти" из AIDA64, поделитесь результатами пожалуйста.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 14.03.2003 Откуда: Samara Фото: 46
damat тут крушал совсем не хочет настраиваться? Тут ужимать и ужимать, как по мне, можно... На 4000 брать смысла вообще никакого нет, если мать и проц позволяет, то и 3000-3600 взлетит 4000-4200
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 30.09.2018 Откуда: Україна
Cyborg писал(а):
тут крушал совсем не хочет настраиваться? Тут ужимать и ужимать, как по мне, можно... На 4000 брать смысла вообще никакого нет, если мать и проц позволяет, то и 3000-3600 взлетит 4000-4200
Выше 3733 нестабильно работает, хотя мега тонкую настройку не делал. Но эти цифры стабильные. Там просто цена вкусная. Ниже этих крушалов когда покупал. Вот и думаю не поменять ли. ХМР у гскила DDR4-4000MHz CL18-22-22-42 1.40V
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 14.03.2003 Откуда: Samara Фото: 46
damat а а гскилах Самсунг? Что то не очень похоже по тацмингам... На вашей материнке проблем как на моей с двурангом не должно быть, можно взять любой 3600cl14 гскилл на самсунге
Добавлено спустя 2 минуты 31 секунду:
anta777 писал(а):
Не стоит
Думаю, настроить прилично можно и эти модули поедут в cr1 до 3900, и будет совсем хорошо
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 19.05.2019 Фото: 15
Здравствуйте. Конфиг: IX APEX (порт с X), 8700K, плашки 2х16 дуалы В2 трайденты 4000-19GTZKK. Пытаюсь нащупать конфиг на 4000 14-15-15-31 (к сожалению, 4000 14-14-14-28 пока не хочет). Есть пару вопросов. 1) tWR по формулам выставлен, как RTP умноженное на два, т.е. =16, а в асроке показывает 20. Почему? 2) IO и SA около 1.37V, хотя по биосу 1.325 выставлено, откуда такая погрешность? 3) Тестирую Universal2, в прошлый раз было чуть ниже IO и SA (около 1.35V, если судить по HWinfo), не было охлада и не была зафиксирована тренировка, температуры по памяти были 48-49 градусов в тесте, насыпало кучу ошибок (больше 20, точно) в тестах 1, 2, 5 ещё до окончания первого цикла. Теперь настройки RTL фиксированы, добавил вертушку (температура памяти не превышает 36 гр.), остались единичные ошибки в тесте №2. Куда копать и по каким настройкам памяти бъёт этот тест №2 в universal2? Скрин текущего прилагаю.
Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей и гости: 15
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения