AMT - Asus MemTweakit Asus MemTweakIt 2.02.44 При настройке памяти в BIOS ставим ОБЯЗАТЕЛЬНО MRC Fast boot=disable (включаем при этом режим тонкой тренировки, если же выставим enable, то включаем режим грубой тренировки). Оптимально при разгоне памяти использовать в биосе множитель памяти 133, а не авто или 100, что даст возможность создать комфортные условия для контроллера памяти в процессоре и снизить напряжения ио и са ! Недаром в Jedec шаг между спидбинами именно 133, а не 100! Для плат с Alder Lake напряжения VDD и VDDQ на память могут отличаться не больше, чем на 300 мВ. Для плат на основе логики z690 и b660: VDD>VDDQ VDDQ>=VDD-300mV(0.3V) Лучше на VDDQ не превышать 1.25V. Вполне возможно 1.30V. MSI дает зазор до 1.40V. Для таймингов должно выполняться требование: _dr=_dd
Разгон памяти у современной DDR4 (16 банков,RRDS=4,FAW=16,BL=8) эффективен только при tRC<=64,если каждый новый блок чтения происходит с разных банков памяти. Для 4-х слотовых плат при разгоне желательно в биосе отключить неиспользуемые слоты. Для максимальной производительности памяти значение tRFC в тактах для 8-Гбитных чипов должно быть кратно 8,а для 16-Гбитных чипов - 16. Если это правило не соблюдать, то будут вставлены лишние такты при каждом цикле обновления памяти. Для желающих максимально снизить tRFC. Делим tRFC на сумму tRCD,tRTP и tRP. Если результат ближе к 4, то снижать tRFC можно по 4 такта. Если результат ближе к 2, то снижать tRFC можно по 2 такта. Это связано с тем, что обновление происходит субмассивами, которые обязательно кратны 2.
Новая информация по tRAS
Чтение с модуля памяти у DDR4 происходит блоками. Минимальный блок сейчас составляет 64 байта, что связано с размером строки кэша у процессора. Этот блок может считываться как с одного банка, так и с разных. tRAS=tRCD+tRTP (при считывании 8 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+4 (при считывании 16 байт с одного банка) tRAS=tRCD+tRTP+8 (считывание 24 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+12 (при считывании 32 байт с одного банка). Самый верный выбор для DDR4! tRAS=tRCD+tRTP+16 (считывание 40 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+20 (считывание 48 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+24 (считывание 56 байт - маловероятно) tRAS=tRCD+tRTP+28 (при считывании 64 байт с одного банка) Для DDR4 оптимальным выбором является 4-й или последний вариант. Но если выставить tRAS меньше, то ничего трагичного не произойдет, так как джедек придумала предохранитель (tRTP), поэтому можно не заморачиваться и выставлять минимальный tRAS (=tRCD+tRTP).
Напряжения на процессоре при разгоне памяти
SA- безопасный уровень (по данным MSI) 1.35, растет от частоты памяти и зависит от подключенной периферии к PCIE, чем больше скорость видеокарты и NVME-диска, тем выше нужно напряжение. IO (для Z590 =IO2, а просто IO можно оставлять в авто, для Z690=IVR DDQ)- обычно хорошо работает если на 50 мВ ниже SA, но чем ниже, тем лучше, стараться максимально снижать. Тоже растет с ростом частоты памяти. Для ориентира при настройке всегда рекомендую глянуть, что за напряжения SA и IO выставляет материнка в авто.
Для начала тезисно несколько правил «успешного разгона и установки памяти»:
1. Ни в коем случае не используем XMP профили – этот режим протестирован на совместимость, но не даёт оптимальную производительность. Поскольку заводская настройка не блещет идеальным подбором, можно получить до 20-25% производительности дополнительно, вручную настраивая тайминги и напряжения. Также XMP режим чреват завышениями вольтажа самой память и контроллера памяти\SOC. 2. Правильная установка модулей – А2 (для одного модуля), A2B2 (для двух модулей). 3. Самый лучший разгон по частоте достигается при использовании одного модуля, при наличии двух планок максимальная частота лишь немного хуже. У четырёх – либо хуже (на устаревающем LGA2011-3) либо такой же или лучше (LGA2066), которые могут стабильно работать с 4мя модулями на 4000CL16. 4. Если используется два модуля, то худший модуль (требующий бОльшего напряжения для стабильного разгона) должен стоять ближе к процессору в слоте A2. 5. Перед настройкой частоты и таймингов памяти отключить подсветку модулей памяти - т.к. это даёт лишний нагрев.
УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ГАЙД ПО НАСТРОЙКЕ от Agiliter
Универсальный гайд. 0. Устраните любые потенциальные проблемы с другим железом. Снимите разгон с видеокарты, снизьте частоту цп на 300 с сохранением напряжения. Не забудьте вернуть RTL в авто если сейчас не авто. 1. Крутим очень короткий мемтест, то есть если минуту живёт сразу снижать тайминг дальше. Ищите не стабильность, а явно сбойное значение тайминга, запишите его - пригодится. Гораздо проще найти явно нерабочее значение и от него плясать чем пытаться ловить нестабильность часами. Это также помогает диагностировать сбойные тайминги на ранее "стабильной памяти". Не пытайтесь найти предельные значение сразу. Сначала скрутите до +2 от минимально стабильного. Многие тайминги идут параллельно поэтому бессмысленно пытаться скрутить до упора с первого прохода. CR выставить на 2 если стоит 1. В самом конце можно попробовать скинуть до 1. 3 Ставить только на очень большую частоту или если по другому ну совсем никак.
Начните с RCD, CL. Не обязательно должны быть одинаковыми, обычно CL идёт меньше чем RCD. RAS сразу пробуйте как RCD+CL+4, до этого значения от него существенная разница, дальше меньше. CWL<=CL. Допустимые значения 9,10,11,12,14,16,18,20. RP можете выставить по RCD, если пойдёт меньше - тоже неплохо, не уверен правда насчёт смысла. RTP без формул. Если не идёт вниз можно попробовать поднять чуть чуть RP. В DDR4 явно связан с WR соотношением 2 к 1 (например WR20\RTP10), физически хранится одно значения и в зависимости от операции интерпретируется. Скрутите FAW до 16(так и оставьте если работает). С таким FAW скручивайте RRD(оба, L обычно больше чем S), возможно поедут на 4 оба. Если до 4 не удалось спустить поднимите FAW до уровня RRDL*4 и попробуйте ещё, хотя это скорее всего уже почти предел. Обычно L>=S. L - SG(Same Group). S - DG(Different Group) Напр. RRD_L>=RRD_S. CKE=5 СCDL>=4 RDRD_DD и прочие подобные можно проигнорировать если у вас нет двух планок на один канал (4 планки). DD-Different Dimm. Тоже самое с DR-Different Rank если у вас одноранговая память. RDWR_SG(DG) и подобные сочетания скручивайте до минимальных рабочих, потом накиньте сверху +2. Как уже отметил обычно SG>=DG. WTR не трогайте он сам спустится когда будете скидывать WRRD_SG(DG) и прочие подобные. Если сам меньше не стал тогда руками скидывать. WR снижать через WRPRE если есть. Если нет или не снижает WR, То скрутите его скажем до 12 или +4 от рабочего, потом дожмёте если не лень будет. RFC явных формул нет, крутить после всего списка сверху. Не пытайтесь найти его минимальное значение если не хотите чтобы память начинала сыпать ошибками от любого чиха. найдите пограничное со стабильностью значение и накиньте сверху 20 или сразу 40. Может реагировать на RAS+RP, RRD, FAW, причём в обе стороны (то есть может "сломаться" если задрать названные), а может и не реагировать... REFi больше лучше. Связан с RFC. REFI сколько память "работает" - RFC сколько "отдыхает". Оба тайминга лучше не пытаться найти предельное значение.Заметно реагируют на температуру. Многие тайминги отзываются и на температуру и на напряжение. Поскольку напряжение может как позволить снизить тайминг, так и увеличить температуру, то середину можно искать очень долго, поэтому лучше бы вовремя остановится. Тестируйте тщательно с перезагрузками, сном, холодным стартом. RTL и IOL вам кто-то другой пусть советует как настраивать, от них у меня голова болеть начинает...
tRASmin=tCL+tRCD+2 WTRS/L устанавливаются в биосе через WRRDdg/sg согласно формуле: WRRD_sg=6+CWL+WTR_L WRRD_dg=6+CWL+WTR_S WR - через WRPRE (для матплат ASUS): WRPRE=4+CWL+WR RTP - через RDPRE (для матплат ASUS) RDPRE=RTP
VDDDQ=1.5 V max по Jedec VrefCA=0.6xVDDDQ=0.9 V (max по Jedec), в даташите контроллера интел тоже разрешено максимальное vrefca=0.6xVdddq. То есть при обычной настройке биоса, когда VrefCA=0.5xVDDDQ, VDRAM<=1.8 V, чтобы уложиться в нормы по Jedec. А если при этом в биосе настроить vrefca=0.49xvdddq (разрешено по Jedec), то безопасное Vdram может быть еще выше=1.837 V. Вывод: для контроллера процессора напряжение на память <=1.8 V неопасно
CPU Name: Intel® Core™ i7-7740K CPU @ 4.30GHz Motherboard Model: MSI X299 GAMING PRO CARBON AC (MS-7A95) Total Size: 8192 MB Type: Single Channel (64 bit) DDR4-SDRAM Frequency: 2750 MHz - Ratio 1:31 Timings: 21-31-31-63-2 (tCAS-tRC-tRP-tRAS-tCR) Slot #1 Module: G.Skill 8192 MB (DDR4-2137) - XMP 2.0 - P/N: F4-3200C14-8GVR
[img]Ссылка на скрин[/img] Для сбора статистики по установленным чипам памяти просьба прикладывать скрины программы Taiphoon Burner и указывать напряжения на DIMM, IO и SA![/color]
Below are the typical tRFC in ns for the common ICs: IC tRFC (ns) Hynix 8Gb AFR 260 - 280 Hynix 8Gb CJR 260 - 280 Hynix 8Gb DJR 260 - 280 Micron 8Gb Rev. E 280 - 310 Micron 16Gb Rev. B 290 - 310 Samsung 8Gb B-Die 120 - 180 Samsung 8Gb C-Die 300 - 340
Таблица tRFC от Reous v26
#77
Расшифровка чипов, находящихся в модуле памяти у разных производителей
#77
Ревизии печатных плат. A0,A1 или A2 планки, как узнать
#77 #77 #77 #77
Статистика tRCD планок в зависимости от типов чипов
#77 #77 #77 Чем выше вы в вертикальном столбце, тем удачнее планки. Чем интенсивнее цвет, тем выше статистический процент (данные старые,теперь удачнее чипы выходят) На 1 таблице все,что выше красной линии - суперотборники.
Советы по верной тренировке
1.Поднять напряжения на VCCSA и VCCIO. 2.Включить в биосе Round Trip Latency. 3.Для гигабайтов - memory enchancement=normal.
Руководство по разгону памяти для начинающих блондинок
Advanced member
Статус: Не в сети Регистрация: 30.04.2013 Откуда: Москва Фото: 0
M0reThxnSpxce писал(а):
У меня все 5 комплектов памяти на Samsung B-Die так по дебильному работали. Хочешь сказать, все 5 комплектов памяти разной модели попали под слово "бывает"?
конечно хочу сказать,перечитай мое сообщение еще раз (или больше)
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 11.06.2010 Откуда: Астрахань Фото: 6
anta777 попробовал ртл 61/63, иол 4, иол офсет 24 практически равен по бенчам винрар (+-25600), аида латенси (+-37,0), аида фотоворкс (+-37100) ртл 61/63, иол 9, иол офсет 19 т.е. влияния на производительность я на своей системе не обнаружил.
_________________ Когда нет желания что-то делать, отложи на потом.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 04.06.2017 Фото: 6
Hack-Stock писал(а):
Буду очень признателен, если подскажете, что куда подкрутить.
видео с графиком фреймтайма. И вообще, оперативная память "фризит" только в одном случае: если ее меньше критически необходимого минимума. Но у вас не 4гб. Идите в тему по цп, или еще куда, у вас может активное проявление проблемы со Standby Memory.
binarycraft писал(а):
Как получить tCWL ниже 16?
TRDWR=tcl-tcwl+8(или 9) у вас стоит TCL как константа, 8или9 тоже константа. Снижаете TRDWR до минимума, чтобы найти упор, 8или 9. Далее , чтобы изменить TCWL, нужно поставить его в авто, и По единичке прибавлять к TRDWR, отнимать от TWRRD и TWRPRE. Изи. Все делать под биосом, ибо без перетренировки из-под винды не прокатит менять TWR через соседей. Я, например, остановился на TRDWR = 11 -> 14 +3 TWRRDsg = 26 -> 23 -3 TWRRDdg = 23 -> 20 -3 TCWL = 13 -> 10 -3 TWRPRE = 29 -> 26 -3
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 20.02.2007 Откуда: Melitopol Фото: 8
vises писал(а):
З.Ы. И, что интересно, показатели АИДы стали более ровными раз от раза.
они такие когда RTL и IOL совпадают на двух планках, я это давно заметил , если не совпадают , то разброс латентности в аиде в приделах 2нс и на 1-2гб в тестах ПСП... Сейчас у меня разброс менее 1нс всегда в аиде... Но вот как у вас IOL такой низкий, руками его что ли ставить или от крутости МП зависит , у меня то дешман МП...
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 31.03.2019 Откуда: Moscow Фото: 2
-=GURU**of**3D=-, ну функция в биосе называется "maximus tweak mode" поэтому логично что только в серии Maximus она есть. Но у тебя и так норм задержка вон, 40
_________________ i7 8700K @4.8Ghz/Noctua NH-D15/Asus ROG Maximus XI Hero/G.Skill TridentZ 2x8Gb @4000Mhz/Asus ROG Strix RTX 3080 Ti OC
то разброс латентности в аиде в приделах 2нс и на 1-2гб в тестах ПСП...
достаточно просто не иметь сильную фоновую активность. Например, после перезагрузки тестировать не сразу, а когжа каждое приложение и обновления себе задницу подотрут, и через 2-3 минуты результаты будут просто идентичными.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 02.01.2015 Откуда: Москва Фото: 2
Remarc писал(а):
1,05 не тянет?
На ночь поставлю проверять, потянет ли Я как с начальных тестов поставил 1.45/1.1 так и не опускал. Жаль только они без GDM не едут, тогда были бы лучше моих 3600С15 бидаев
_________________ 5600X / B450 Tomahawk MAX / Rev.E Dualrank / RX 5700 2Ghz / СВО IKBC C87, Starlight-12, E10K + Takstar Pro 82, ModMic USB MSI MAG251RX
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 30.09.2007 Откуда: Tver Фото: 29
Решил поделиться своей борьбой с периодической нестабильностью своих b-die. Выяснил, что все тесты проходят до температуры 53-55 градусов по датчику на модулях - дальше вылетают ошибки. Так как увидел тут в теме информацию о влиянии trfc и trefi на температуру - решил провести тесты в своем приложении из-за которого все началось Quake Champions, делал тесты по 30 минут с таймингами 16-16-32 с trefi и trfc в авто и выставленными в 65535 и 300, сначала убрал trefi в авто - память прогрелась до 51-52 градусов. Потом и trfc в авто и память прогрелась до 51-52 градусов. Ну и напоследок выставил в 300-65535 и в итоге получил теже 51-52 градуса. Т.е. эти тайминги не влияют ощутимо на температуру модулей. Для статистики еще решил проверить влияние подсветки на температуру модулей и получил 1 градус разницы. Чтобы не ловить вылеты и не вешать охлад на память - решил попробовать снизить вольтаж и снизил до 1.325 и температура упала до 48-49 градусов и пока все стабильно.
Добавлено спустя 10 минут 49 секунд: Думаю, что длительные тесты тоже не проходят при превышении порога и в зависимости от температуры разнится количество ошибок одна вылетает при небольшом превышении, а при 60+ сыпятся кучей(такая температура достигнута прожаркой ВК+ Проца майнерами + запуск теста с конфигом Анта77.
Member
Статус: Не в сети Регистрация: 13.05.2004 Откуда: Россия Фото: 38
garison87 ага, я вот тоже тут тестировал-тестировал 4133МГц (17-17-17-34-2Т) и забил на этот режим, слишком температуры высокие пошли при DRAM/IO/SA = 1.4V/1.275V/1.275V, память походу перегреваться начала, либо ещё нестабильность в таймингах. Вернулся на 4000МГц (17-17-17-34-2Т) при DRAM/IO/SA = 1.35V/1.14375V/1.14375V. Разница в AIDE примерно в пределах 1-2 GB/s, так и хрен с ними, а вот Latency даже чуток ниже. На днях дотестирую, и всё на этом, пора к СЖО примеряться, приобретать, и камень (скальп уже сделан) гнать! А то на моём воздухе - что-то грустно совсем.
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения